内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置

摘要

本公开提供一种内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置。该内嵌式触控显示面板包括：具有像素区和触控电极的阵列基板，以及触控芯片；其中，所述触控电极包括多个子电极，所述像素区包括多条与所述子电极一一对应的触控引线，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与所述触控芯片相连；其中，至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内。本公开可以用于提高面板的触控精度。

权利要求

1.一种内嵌式触控显示面板，其特征在于，包括：具有像素区和触控电极的阵列基板，以及触控芯片；其中，所述触控电极包括多个子电极，所述像素区包括多条与所述子电极一一对应的触控引线，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与所述触控芯片相连；每个所述子电极与对应的所述触控引线之间通过过孔连接；其中，至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内；

所述内嵌式显示面板还包括：挡墙，所述挡墙用于将各个相邻的子电极分隔开来。

2.根据权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述内嵌式触控显示面板为OLED显示面板，其包括OLED阴极；其中，所述触控电极复用所述OLED阴极。

3.根据权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控引线用于在显示阶段向所述触控电极传递显示驱动信号；在触控阶段向所述触控电极传递触控扫描信号，且将发生触控位置处的所述触控电极产生的触控信号传输到所述触控芯片。

4.根据权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述多个子电极为呈矩阵排列的方形电极块。

5.根据权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述挡墙还形成于所述至少一非导电区域。

6.根据权利要求1或5所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述挡墙为倒梯形。

7.根据权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述挡墙由负性光刻胶材料制作形成。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如上述权利要求1-7任一项所述的内嵌式触控显示面板。

9.一种用于制作如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板的方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成像素区，所述像素区包括多条触控引线；

在形成有像素区的衬底基板上形成挡墙；

在形成有挡墙的衬底基板上蒸镀电极材料膜层形成多个子电极；

其中，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与触控芯片相连；每个所述子电极与对应的所述触控引线之间通过过孔连接；至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内。

说明书

内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

[0001] 本公开涉及触控显示技术领域，具体而言，涉及一种内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

[0002] 随着显示技术的飞速发展，触控显示技术已经被广泛应用于手机、手表、平板电脑等各种显示产品中。其中，有机电致发光二极管(Organic light emitting diode，OLED)显示器由于具有宽视角、低能耗、产品形态薄等特点已成为目前的发展趋势。

[0003] 在触控屏技术中，相对于电阻式触控屏，电容式触控屏具有寿命长、透光率高、可以支持多点触控等优点。并且，电容式触控屏对噪声和对地寄生电容也有很好的抑制作用。因此，电容式触控屏已成为如今触控屏制造的热点之一。

[0004] 其中，投射式电容触摸屏利用手指接近电容触摸面板时所产生的电容变化来实现触控功能。投射式电容触摸屏按照其工作原理划分时可以分为自电容式触摸屏和互电容式触摸屏，自电容式触摸屏和互电容式触摸屏分别基于互电容和自电容的原理实现对手指触摸位置的检测；投射式电容触摸屏按照其触摸模组的结构划分时，又可以分为外挂式和内嵌式。其中，内嵌式电容触摸屏将触控电极结构集成在显示屏中，具有结构简单、轻、薄、成本低的优点，越来越成为触摸屏的主流技术，例如，越来越广泛应用于各种便携式智能终端(诸如手机)中。

[0005] 在内嵌式电容触摸屏中，可以分为On-Cell触摸屏和In-Cell触摸屏，其中In-Cell触控屏又可分为复合内嵌式(Hybrid In-Cell，HIC)电容触摸屏和完全内嵌式(Full In-Cell，FIC)电容触摸屏。

[0006] 因此，现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。

[0007] 需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

[0008] 本公开的目的在于提供一种内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

[0009] 本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰，或者部分地通过本公开的实践而习得。

[0010] 根据本公开的一个方面，提供一种内嵌式触控显示面板，包括：具有像素区和触控电极的阵列基板，以及触控芯片；其中，

[0011] 所述触控电极包括多个子电极，所述像素区包括多条与所述子电极一一对应的触控引线，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与所述触控芯片相连；其中，[0012] 至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内。

[0013] 在本公开的一种示例性实施例中，所述内嵌式触控显示面板为OLED显示面板，其包括OLED阴极；其中，所述触控电极复用所述OLED阴极。

[0014] 在本公开的一种示例性实施例中，所述触控引线用于在显示阶段向所述触控电极传递显示驱动信号；在触控阶段向所述触控电极传递触控扫描信号，且将发生触控位置处的所述触控电极产生的触控信号传输到所述触控芯片。

[0015] 在本公开的一种示例性实施例中，所述多个子电极为呈矩阵排列的方形电极块。

[0016] 在本公开的一种示例性实施例中，所述内嵌式显示面板还包括：挡墙，所述挡墙用于将各个相邻的子电极分隔开来。

[0017] 在本公开的一种示例性实施例中，所述挡墙还形成于所述至少一非导电区域。

[0018] 在本公开的一种示例性实施例中，所述挡墙为倒梯形。

[0019] 在本公开的一种示例性实施例中，所述挡墙由负性光刻胶材料制作形成。

[0020] 根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括如上述的内嵌式触控显示面板。

[0021] 根据本公开的一个方面，提供一种用于制作上述的内嵌式触控显示面板的方法，包括：

[0022] 在衬底基板上形成像素区，所述像素区包括多条触控引线；

[0023] 在形成有像素区的衬底基板上形成挡墙；

[0024] 在形成有挡墙的衬底基板上蒸镀电极材料膜层形成多个子电极；

[0025] 其中，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与触控芯片相连；至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内。

[0026] 本公开的某些实施例的内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置中，通过在触控电极的子电极与其对应触控引线的正投影区域内设置至少一非导电区域，从而能够减少触控引线对子电极的电容影响，提高该内嵌式触控显示面板的信噪比，提高其触控精度。

[0027] 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

[0028] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0029] 图1示出一种现有的内嵌式触控显示面板的像素结构的示意图。

[0030] 图2示出图1所示的内嵌式触控显示面板的触控效果的示意图。

[0031] 图3示出一种现有的内嵌式触控显示面板阴极pattern结构的示意图。

[0032] 图4示出另一种现有的内嵌式触控显示面板阴极pattern结构的示意图。

[0033] 图5示出本公开示例性实施例中一种内嵌式触控显示面板的示意图。

[0034] 图6示出本公开示例性实施例中另一种内嵌式触控显示面板的示意图。

[0035] 图7示出本公开示例性实施例中一种内嵌式触控显示面板的制作方法的流程图。

具体实施方式

[0036] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。

[0037] 需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能会夸大层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

[0038] 图1示出一种现有的内嵌式触控显示面板的像素结构的示意图。图2示出图1所示的内嵌式触控显示面板的触控效果的示意图。

[0039] 图1和2分别为现有内嵌自感电容式OLED面板结构示意图及其触控效果示意图。该内嵌自感电容式OLED面板可以包括玻璃基板(TFT Glass)、像素区(Pixel)和触控电极(sensor)的阵列基板，以及触控芯片(touch driver IC，TIC)、显示驱动芯片(display driver IC，DDI)、柔性电路板(Flexible Printed Circuit FPC)、栅极(Gate)等。其中触控电极(sensor)可以通过TPM(touch pattern metal，触控金属线)连接像素区(Pixel)的触控芯片，实现触控位置和/或大小的检测。

[0040] 由于有机材料及金属对氧气及水气相当敏感，制作完成后，需经过封装(Encapsulation)保护处理。

[0041] 现有内嵌自感容式OLED面板的主要方案为利用工艺制程让阴极(Cathode)分割成不同的区块，采用分时驱动的方案，即在显示阶段阴极(Cathode)作为普通的显示阴极，与像素阳极形成压差，OLED发光；在触控阶段，阴极(Cathode)作为触控电极(sensor)块进行触控工作的检测。

[0042] 图3示出一种现有的内嵌式触控显示面板阴极pattern结构的示意图。

[0043] 图1和2所示的内嵌式触控显示面板的一种阴极分割方案可以如图3所示，利用隔离柱将阴极分割不同的阴极块(S11、S12…S1N，S21、S22…S2N，SM1、SM2…SMN等)，其中M和N均为大于等于1的正整数。

[0044] 该方案的主要问题在于，为各个阴极块通过面板(panel)边的金属线引出到IC(integrated circuit，集成电路)端(这里的IC端可以为触控芯片或者触控芯片和显示驱动芯片的集成芯片)，由于各个阴极块距离IC的距离不同，导致IC信号到各个阴极块的IR Drop(电压降)不同，在显示和触控阶段，各阴极块的信号量不同，触控的均一性不好。

[0045] 图4示出另一种现有的内嵌式触控显示面板阴极pattern结构的示意图。

[0046] 图4为内嵌式触控显示面板的另一种阴极分割方案，其通过在像素区打孔，使阴极块向下导通再通过金属线连接至IC端，能够改进IR Drop，提高触控均一性。但是该方案存在的一个问题是：阴极块下面的像素区内的金属线可能会同时通过很多阴极块，即每个阴极块下面会可能同时存在多条金属线(例如阴极块S1N下面同时通过三条金属线)，从而连接到IC端，而一条金属线通过不同的阴极块时，该金属线会对通过的阴极块的电容产生影响，从而影响手指触控的信号检测，影响信号的信噪比。

[0047] 本发明实施方式首先提供了一种内嵌式触控显示面板，可以包括：具有像素区(Pixel)和触控电极(sensor)的阵列基板，以及触控芯片。其中，所述触控电极可以包括多个子电极，所述像素区可以包括多条与所述子电极一一对应的触控引线(例如金属线)，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与所述触控芯片相连。其中，至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内。

[0048] 需要说明的是，本领域技术人员应该知道，该阵列基板的像素区由矩阵排列的多个像素单元构成，而每个像素单元包括至少三个子像素单元，其中，每个子像素单元包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。

[0049] 本发明实施例中，各子电极一般需要通过与其对应的触控引线与该触控芯片实现电性连接，因此，在具体实施时，在本实施例提供的上述内嵌式触控显示面板中，各条触控引线与各子电极一一对应。其中，各子电极通过对应的触控引线与触控芯片电性连接。这样实现了各子电极与触控芯片的电性连接。

[0050] 根据电容公式：C＝εS/4πkd，其中，C为触控电极的一个子电极与触控引线形成的电容结构的电容，ε为处于间距d处的绝缘电解质的介电常数，S为该子电极与触控引线形成的电容结构的正对面积，k为静电力常数，d为该子电极与触控引线之间的间距。由于本发明实施例通过在子电极内部设置非导电区域，且该非导电区域至少部分位于所述子电极与通过该子电极下方的触控引线的正投影区域内，因此，能够减小该子电极与通过该子电极下方的触控引线形成的电容结构的正对面积S，从而能够减小该电容结构的电容，最终提高了该内嵌式触控显示面板触控时的信噪比，并提高了触控检测精度。

[0051] 下面通过图5和图6对本发明实施方式提供的内嵌式触控显示面板进行详细说明。

[0052] 图5示出本公开示例性实施例中一种内嵌式触控显示面板的示意图。

[0053] 需要说明的是，HIC通过传统的双层触控引线设计，采用的是互电容原理，是实现多点触控的传统技术；FIC采用单层触控引线设计，采用的是自电容原理，实现多点触控。HIC需要两层触控引线，而FIC将触控引线集中到一层，只增加一道光罩，同时FPC数量减少到一片。因此，下面的实施例中均以FIC的单层触控引线为例进行举例说明，但本公开并不限定于此，其也可以适用于HIC的双层触控引线，只要应用了本方案的通过在子电极内部设置非导电区域，且该非导电区域至少部分位于该子电极与触控引线的正投影区域内来减小该子电极与该触控引线形成的电容结构的电容的原理，均属于本方案的保护范围之内。

[0054] 在示例性实施例中，所述内嵌式触控显示面板可以为OLED显示面板，其包括OLED阴极；其中，所述触控电极可以复用所述OLED阴极。但本公开并不限定于此，在其他实施例中，所述内嵌式触控显示面板还可以为LCD显示面板等任意其他类型的显示面板，相应的，所述触控电极可以复用公共电极。

[0055] OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性的铟锡氧化物(ITO)，与电力的正极相连，再加上另一个金属阴极(Cathode)，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层、发光层(Emitting Material Layer，EL)与电子传输层。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。其阴极和阳极分别向相互垂直的方向延伸，发光层设置于阴极和阳极之间。进行显示时，阴极逐行施加直流电压，阳极同时施加灰阶电压，通过控制交叠区域发光层两侧电压实现发光层发光亮度的控制，进而实现OLED的显示。

[0056] 在阴极部分，为了增加元件的发光效率，电子与电洞的注入通常需要低功函数(Low work function)的Ag、Al、Ca、In、Li与Mg等金属，或低功函数的复合金属来制作阴极(例如：Mg-Ag镁银)。

[0057] 在示例性实施例中，所述触控引线用于在显示阶段向所述触控电极传递显示驱动信号；在触控阶段向所述触控电极传递触控扫描信号，且将发生触控位置处的所述触控电极产生的触控信号传输到所述触控芯片。

[0058] 由于触控电极是由多个子电极组成的，为了减少显示阶段和触控阶段的相互干扰，可以采用显示阶段和触控阶段分时驱动的方式，并且，在具体实施时还可以将显示用的显示驱动芯片和触控芯片整合为一个芯片，这样可以进一步降低生产成本。

[0059] 这里，所述显示阶段，是指在所述阵列基板应用于触控显示面板的情况下，用以实现显示图像功能的时间段；所述触控阶段，是指在所述阵列基板应用于触控显示面板的情况下，用以实现触控功能的时间阶段。在具体操作过程中，采用对所述子电极分时驱动(指显示阶段和触控阶段分开驱动)的模式，即，在显示阶段，将所述子电极作为OLED阴极，并为所述子电极和OLED阳极施加实现显示图像功能的相应电压，从而实现显示图像的功能；在触控阶段，所述子电极为触控电极，并为所述子电极施加实现触控功能的相应电压，同时使阳极不工作，以避免对触控的影响。

[0060] 在图5所示的实施例中，所述多个子电极为呈矩阵排列的方形电极块。但本公开并不限定于此，各电极例如还可以为条状电极。

[0061] 其中，所述子电极的形状可以为矩形，例如图5所示的大小相同的正方形，其中各子电极可对应多个像素单元。但本公开并不限定于此，各子电极的形状可以相同也可以不相同，面积大小可以相同也可以不相同。当各子电极的形状大小均相同时，更有利于保证手指触控时，触控的均一性。

[0062] 在示例性实施例中，各条触控引线设置于该内嵌式触控显示面板的像素区的一金属层。该金属层可以包括：多个与所述子电极一一对应的基台；所述基台设置有过孔，所述子电极通过所述基台与相应的所述触控引线相连。

[0063] 具体地，本实施例提供的上述内嵌式触控显示面板中，为了实现子电极与触控引线的连接，需要对子电极与触控引线之间进行过孔连接，为了便于实施过孔工艺，因此在金属层上设置与各子电极一一对应的基台，这样在基台位置便于实施过孔工艺，有助于实现子电极与触控引线的良好电性连接。

[0064] 需要说明的是，虽然图5的实施例中绘示的过孔U为圆形的，但本公开并不限定于此，过孔的形状可以是任意的。

[0065] 其中，当所述阵列基板应用于内嵌式触控显示面板时，根据所述内嵌式触控显示面板的尺寸不同，所述子电极的尺寸也不尽相同，在此不做限定。一般地，对于6寸以下的触控显示面板，方形子电极的边长可以为3.5-5mm之间。

[0066] 需要说明的是，在制造上述内嵌式触控显示面板本领域技术人员可以根据像素区的宽度以及实际要求的触控电极密度来设置所包含的子电极的数量。本发明实施例中对子电极的具体数量不进行限定。

[0067] 在图5所示的实施例中，单个子电极m设计成5mm乘以5mm左右的方形电极块，然后将该子电极用一根触控引线n连接至触控芯片内部，通过触控芯片给该子电极施加驱动信号，并且该子电极m可以自己接收反馈信号，即当手指未触控时，子电极m所承受的电容为一固定值，当手指触控时，子电极m承受的电容为手指电容加上原有电容，由于电容大小不同，信号的RC延迟(resistance capacitance delay)时间也不相同，这样手指触控的前后就会接收到不一样的电信号，从而实现触控点的确定，其中由于手指为直接耦合的方式，故手指引起的触控变化量会比较大，触控点易于确定。

[0068] 继续参考图5，为本发明实施例提供的减小各触控引线对各子电极电容影响的设计方案。具体的，在金属触控引线与子电极正对面积或者正投影区域处对子电极设置非导电区域Q(例如打孔)，这样做的好处是，子电极与金属触控引线正投影区域至少部分面积镂空或者填充非导电材料，这部分的金属触控引线不会对子电极的电容有影响，从而提高手指触控信号的信噪比，同时提高触控检测的精度。

[0069] 需要说明的是，虽然图5中的非导电区域Q设置为长方形，但本公开对此不作限定，非导电区域Q可以是任意形状。此外，虽然图5中的各非导电区域Q是同样形状同样大小的长方形，但本公开并不限定于此，各个非导电区域Q可以是不同的形状，并可以具有不同的大小。另外，图示中是为了清楚显示出该非导电区域Q的目的，特意将该非导电区域Q绘示的较大，但实际应用中，只要该非导电区域Q能够至少部分设置于该子电极内部且位于该子电极与该触控引线的正投影区域内即可。

[0070] 在其他实施例中，该非导电区域Q可以设置为比图5所示的实施例中更细长的形状，从而大致完全将该子电极与该触控引线的正投影区域对应的该部分子电极设置为非导电区域，一方面，因为该子电极与该触控电极正对面积处完全为非导电区域，从而能够最大程度的减小该子电极与该触控电极形成的电容结构的电容，更有利于提高触控信噪比及触控精度；另一方面，还能够增大该子电极的导电区域面积，从而提高该子电极对手指电容触控的感应灵敏度。

[0071] 图6示出本公开示例性实施例中另一种内嵌式触控显示面板的示意图。

[0072] 在示例性实施例中，所述内嵌式显示面板还可以包括：挡墙(例如图示中的A)，所述挡墙用于将各个相邻的子电极分隔开来。

[0073] 在示例性实施例中，所述挡墙(例如图示中的B)还形成于所述至少一非导电区域。

[0074] 在示例性实施例中，所述挡墙为倒梯形。

[0075] 其中，挡墙的横截面为上底边大于下底边的倒梯形，通过使挡墙横截面为上底边大于下底边的倒梯形，可以直接向显示面板上蒸镀电极材料膜层，并通过挡墙将相邻的子电极、各子电极和各子电极内部的各非导电区域隔离开来，从而通过一次蒸镀即可制造出上述实施例中的子电极结构，因此本发明实施例可以进一步简化上述内嵌式触控显示面板的制造工艺。

[0076] 在示例性实施例中，所述挡墙由负性光刻胶材料制作形成。

[0077] 具体为，结合工艺，利用负性光刻胶材料挡墙，对子电极之间进行隔离，同时在子电极内部设置非导电区域例如打孔。负性光刻胶材料挡墙的作用是，在进行EL和Cathode蒸镀时，对Cathode进行隔离，从而形成触控电极所需的pattern，实现Cathode按照所需形状进行蒸镀。

[0078] 本发明实施例通过减小子电极与触控引线之间的正对面积，进而减小子电极与触控引线形成平板电容器的正对面积，减小子电极与触控引线的寄生耦合电容，从而提升触控信号的精度。具体为利用特殊的工艺设计，进行挡墙的生成，从而在cathode蒸镀时，使得cathode与触控芯片正投影区域，cathode会镂空形成孔或填充非导电材料。即通过在sensor内部挖空的形式，减小金属触控引线对子电极的电容影响，从而提高触控的信号的信噪比，提高触控检测精度。

[0079] 以上仅为自电容内嵌式触控显示面板结构的一个具体实施例，在实际生产和应用中，自电容内嵌式触控显示面板的具体结构不限于此，可根据实际生产需要，增减或改变其膜层结构，以便适用于多种模式的显示面板，在此不做限定。

[0080] 进一步地，本发明实施方式还提供了一种显示装置，包括如上述发明实施例中的内嵌式触控显示面板。

[0081] 该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述结构的实施例，重复之处不再赘述。

[0082] 图7示出本公开示例性实施例中一种内嵌式触控显示面板的制作方法的流程图。

[0083] 如图7所示，上述实施例中的内嵌式触控显示面板的制作方法可以包括以下步骤。

[0084] 在步骤S100中，在衬底基板上形成像素区，所述像素区包括多条触控引线。

[0085] 在步骤S110中，在形成有像素区的衬底基板上形成挡墙。

[0086] 在示例性实施例中，步骤S110可以包括：

[0087] 在形成有像素区的衬底基板上形成负性光刻胶膜层；

[0088] 在负性光刻胶膜层上方设置掩膜板并对负性光刻胶进行曝光；

[0089] 对曝光后的负性光刻胶膜层进行显影形成挡墙。

[0090] 由于在曝光过程中光线会发生一定程度的散射，所以通过上述步骤获得的挡墙的横截面为上底边大于下底边的倒梯形。

[0091] 在步骤S120中，在形成有挡墙的衬底基板上蒸镀电极材料膜层形成多个子电极。

[0092] 其中，每个所述子电极通过对应的所述触控引线与触控芯片相连；至少一子电极具有至少一非导电区域，所述至少一非导电区域至少部分位于所述触控引线与所述至少一子电极的正投影区域内。

[0093] 由于挡墙的横截面为上底边大于下底边的倒梯形，所以在蒸镀过程中挡墙能够自动将相邻的子电极以及子电极内部的各非导电区域隔离开，形成具有非导电区域的子电极。上述实施例中通过一次蒸镀工艺即可形成各子电极及其内部的非导电区域，省略了一次构图工艺，因此本发明实施例可以简化内嵌式触控显示面板的制造工艺。

[0094] 此外，上述内嵌式触控显示面板的制作方法中各步骤的具体细节已经在对应的内嵌式触控显示面板中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。而且，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

[0095] 本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。