红外线检测装置

摘要

信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。

权利要求

1.一种红外线检测装置，其特征在于，

具备：

红外线检测元件，具备多个像素以二维状配置的半导体基板；

信号处理基板，具有处理从所述多个像素输出的信号的多个信号处理电路，以与所述半导体基板相对的方式配置；以及配置于所述信号处理基板的热传导层，

所述信号处理基板具有，配置有所述红外线检测元件的元件配置区域，以及从与所述信号处理基板正交的方向看以围绕所述元件配置区域的方式位于所述元件配置区域的外侧的电路配置区域，并且具有层叠于与所述半导体基板相对的面侧的多个绝缘层，所述多个信号处理电路，以围绕所述元件配置区域的方式仅配置于所述电路配置区域，所述热传导层，以位于至少一层所述绝缘层上并且位于所述元件配置区域位置的方式配置，具有比所述多个绝缘层的热传导率更高的热传导率。

2.如权利要求1所述的红外线检测装置，其特征在于，所述热传导层是无间隙实体状的金属层。

3.如权利要求1或2所述的红外线检测装置，其特征在于，所述热传导层以位于相邻的两层所述绝缘层之间的方式配置。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的红外线检测装置，其特征在于，所述信号处理基板从与所述信号处理基板正交的方向看呈矩形形状，所述多个信号处理电路以沿所述信号处理基板的各边的方式配置于所述电路配置区域。

5.如权利要求4所述的红外线检测装置，其特征在于，所述元件配置区域从与所述信号处理基板正交的方向看呈矩形形状，该矩形形状具有与所述信号处理基板的相对的一对边平行且互相相对的一对边、以及与所述信号处理基板的相对的另一对边平行且互相相对的一对边，在所述元件配置区域，电连接于对应的所述像素的多个电极，以与所述多个像素的配置对应的方式二维状地配置，所述元件配置区域由矩形形状的四个部分区域构成的情况下，在所述四个部分区域分别配置的所述电极，和以沿着与配置有该电极的所述部分区域的一边相对的所述信号处理基板的边的方式配置的所述信号处理电路连接。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的红外线检测装置，其特征在于，所述多个信号处理电路，以相互具有间隔的方式配置，所述热传导层从与所述信号处理基板正交的方向看时，具有位于相邻的所述信号处理电路之间的层部分。

7.如权利要求1～6中任意一项所述的红外线检测装置，其特征在于，进一步具备热传导部件，该热传导部件配置于所述信号处理基板并具有比所述多个绝缘层的热传导率更高的热传导率，所述热传导部件具有，连接于所述热传导层的一端和位于所述信号处理基板的与所述半导体基板相对的面的背面侧的另一端。

说明书

红外线检测装置

技术领域

[0001] 本发明涉及红外线检测装置。

背景技术

[0002] 具有红外线检测元件与信号处理基板的红外线检测装置为人们所熟知(例如参照专利文献1)。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路。信号处理基板与半导体基板相对配置。多个信号处理电路配置于与半导体基板相对的区域。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：日本特开第2011-142558号公报

发明内容

[0006] 发明所要解决的技术问题

[0007] 信号处理电路在运作时会发热。多个信号处理电路在配置于与半导体基板相对的区域的情况下，由信号处理电路发出的热容易传导到半导体基板(红外线检测元件)上。因此，红外线检测元件容易受信号处理基板发出的热的影响。红外线检测元件若受热的影响则会增加暗电流。

[0008] 因此，本发明一个形态的目的在于提供一种能够抑制暗电流的增加的红外线检测装置。

[0009] 解决技术问题的手段

[0010] 本发明的一个形态所涉及的红外线检测装置的特征为：具有红外线检测元件、信号处理基板以及配置于信号处理基板的热传导层。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路，而且，信号处理基板与半导体基板相对配置。信号处理基板具有，配置有红外线检测元件的元件配置区域，以及从与信号处理基板正交的方向看以围绕元件配置区域的方式位于元件配置区域外侧的电路配置区域。信号处理基板具有层叠于与半导体基板相对的面侧的多个绝缘层。多个信号处理电路，以围绕元件配置区域的方式配置于电路配置区域。热传导层以位于至少一层的绝缘层上并位于元件配置区域的方式配置。热导电层具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率。

[0011] 本形态所涉及的红外线检测装置上，多个信号处理电路以围绕元件配置区域的方式配置于电路配置区域上。在多个信号处理电路配置于电路配置区域的结构中，与现有的多个信号处理电路配置于位于红外线检测元件(半导体基板)的正下方的区域的结构相比，成为热的发生源的信号处理电路到红外线检测元件的距离更长。即，在与本发明相关的红外线检测装置中，与上述现有的结构相比，红外线检测元件因为远离信号处理电路，红外线检测元件不易受信号处理基板发出的热的影响。因此，在与本发明相关的红外线检测元件上抑制了在红外线检测元件的暗电流的增加。

[0012] 即使在多个信号处理电路配置于电路配置区域的结构上，信号处理电路所散发的热会传导至元件配置区域。在这个情况下，在元件配置区域，信号处理电路附近位置的温度与远离信号处理电路位置的温度不同。即，元件配置区域会产生温度梯度。例如，信号处理电路附近位置的温度比远离信号处理电路位置的温度更高。

[0013] 若元件配置区域产生温度梯度，在元件配置区域的信号处理电路附近位置相对配置的像素，以及在远离元件配置区域的信号处理电路位置相对配置的像素，受到信号处理基板散发热的影响不同。例如，在元件配置区域的信号处理电路附近位置相对配置的像素，以及在远离元件配置区域的信号处理电路位置相对配置的像素，因为温度容易变高，有暗电流增加的倾向。像这样有暗电流在像素间不规则分布的担忧。

[0014] 对于此，本形态所涉及的红外线检测装置中，在信号处理基板上，以位于至少有一层绝缘层上并位于元件配置区域的方式，配置有具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率的热导电层，所以在元件配置区域不易产生温度梯度。因此，在红外线检测元件上，可以抑制暗电流在像素间的不规则分布。

[0015] 热传导层可以是无间隙实体状(solidly-formed)的金属层。这种情况下，可以轻易实现在元件配置区域不易产生温度梯度的结构。

[0016] 热传导层可以以位于相邻的两层绝缘层之间的方式配置。这种情况下，热传导层与信号处理基板的与半导体基板相对的面相比，配置于信号处理基板内。所以，热传导层在信号处理基板内配置的结构，例如，与热传导层配置于信号处理基板的与半导体基板相对的面的结构相比，因为从热传导层到红外线检测元件的距离长，红外线检测元件不易受热传导层散发的热的影响。因此，进一步抑制在红外线检测元件上的暗电流增加，并可以抑制暗电流在像素间不规范分布。

[0017] 从信号处理基板正交方向来看，信号处理基板呈矩形形状，多个信号处理电路以沿着信号处理基板的各边的方式配置于电路配置区域。这种情况下，因为热从四周方向传导至元件配置区域，在元件配置区域更加不易产生温度梯度。

[0018] 从与信号处理基板正交的方向来看，元件配置区域呈具有与信号处理基板的相对的一对边平行，且互相相对的一对边、和与信号处理基板相对的另外一对边平行，且与互相相对的一对边的矩形形状。在元件配置区域，电连接于对应的像素的多个电极，以与多个像素的配置对应的方式呈二维状配置。元件配置区域由矩形形状的四个部分区域组成的情况下，在四个部分区域各自配置的电极，和以沿着配置该电极的部分区域的一边相对的上述信号处理基板的边的方式配置的上述信号处理电路连接。在此情况下，元件配置区域不易产生温度梯度。以沿着信号处理基板各边的方式配置的各信号处理电路可以与该信号处理电路对应的电极恰当连接。

[0019] 多个信号处理电路也可配置为相互间具有间隔，可以为热传导层从与信号处理基板正交的方向来看，具有位于相邻信号处理电路之间层部分。这种情况下，从信号处理电路散发的热容易传导至热传导层，所以元件配置区域更不易产生温度梯度。

[0020] 红外线检测装置配置于信号处理基板，具备热传导部件，其具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率。热传导部件具有，连接于热传导层的一端和位于上述信号处理基板的与上述半导体基板相对的面的背面侧的另一端。在此情况下，热传导层的热一部分通过热传导部件，传导至信号处理基板的与半导体基板相对的面的背面侧。传导至信号处理基板的背面侧的热因为通过信号处理基板向外散出，热传导层温度则可降低。因此，可进一步抑制红外线检测元件上的暗电流的增加，并且可以抑制暗电流在像素间的不规则分布。

[0021] 发明效果

[0022] 通过以上所述的本发明，可以提供一种能抑制暗电流增加的红外线检测装置。

附图说明

[0023] 图1是表示本发明的实施方式所涉及的红外线检测装置的平面结构的示意图。

[0024] 图2是表示本发明的实施方式所涉及的红外线检测装置截面结构的示意图。

[0025] 图3是表示信号处理基板的平面结构的示意图。

[0026] 图4是表示信号处理电路和热传导层的位置关系的示意图。

[0027] 图5是表示信号处理电路和热传导层的位置关系的示意图。

[0028] 图6是表示本实施方式变形例所涉及的红外线检测装置的截面结构的示意图。

具体实施方式

[0029] 以下，参照附图详细说明本发明中的实施方式。此外，在说明中同一要素或有同一作用的要素里使用同一符号，省略重复说明。

[0030] 参照图1至图3，对本实施方式所涉及的红外线检测装置IF的结构进行说明。图1是表示本发明的实施方式所涉及的红外线检测装置的平面结构的示意图。图2是表示本发明的实施方式所涉及的红外线检测装置截面结构的示意图。图3是表示信号处理基板平面结构的示意图。

[0031] 红外线检测装置IF如图1与图2所示，具备红外线检测元件1，搭载有红外线检测元件1的信号处理基板10和搭载有信号处理基板10的支撑配线基板30。

[0032] 红外线检测元件1具备半导体基板3，其有相互相对的主面3a，3b。半导体3是n型的半导体基板。半导体基板3例如为n型的半导体基板。半导体基板3从与半导体基板3(主面3a,3b)正交的方向来看，即从俯视看，呈矩形形状(例如正方形)。

[0033] 红外线检测元件1具备形成于半导体基板3的主面3b侧的多个半导体区域5。多个半导体区域5呈二维状配置。在本实施方式中，红外线检测元件1具备36个(6行×6列)半导体区域5。各半导体区域5例如为p型的半导体区域。半导体区域5的导电类型与半导体基板3的导电类型不同。各半导体区域5以俯视看，呈矩形形状(例如，正方形)。各半导体区域5也可对应于用途而呈圆形或者椭圆形。

[0034] 在红外线检测元件1中，半导体基板3和各半导体区域5形成光电二极管。半导体区域5和半导体基板3所形成的光电二极管构成了像素。因此，在红外线检测元件1中多个像素呈二维状配置。红外线检测元件1可使用在红外波长区域具有灵敏度的受光元件。在这样的受光元件中，包含化合物光半导体(例如，InGaAs、InGaAsP、InAs、InAsSb或者InSb)的光电二极管。

[0035] 红外线检测元件1与多个半导体区域5相对应，具备呈二维状配置的多个电极7。在本实施方式中，红外线检测元件1具备36个(6行×6列)电极7。电极7连接于对应的半导体区域5，作为正电极而起作用。电极7从俯视看，呈矩形形状(例如，正方形)。电极7也可对应于用途而呈圆形或者椭圆形。

[0036] 信号处理基板10具备相互相对的主面10a和10b。信号处理基板10以主面10a与半导体基板3的主面3b相对的方式配置。信号处理基板10以与半导体基板3相对的方式配置。主面10b是与半导体基板3的主面3b相对的主面10a的背面。信号处理基板10以俯视看呈矩形形状(例如正方形)。信号处理基板10具备互相相对的一对边11a，11b以及互相相对的一对边11c，11d。四条边11a，11b，11c，11d形成了信号处理基板10的轮廓。

[0037] 信号处理基板10具备层叠的多层绝缘层13。多层绝缘层13位于信号处理基板10的主面10a一侧。各绝缘层13的起到层间绝缘膜的作用。在本实施方式中，信号处理基板10至少有3层绝缘层13。各绝缘层13可由氧化硅构成。

[0038] 信号处理基板10如图3所示具备元件配置区域17和电路配置区域19。在元件配置区域17上配置有红外线检测元件1。即，元件配置区域17位于红外线检测元件1(半导体基板3)的正下方。在本实施方式中，元件配置区域17从与半导体基板3正交方向来看，位于信号处理基板10的中央。元件配置区域17从俯视看呈矩形形状(例如正方形)。在图3中，为了构造的明确化，省略绝缘层13以及下述的配线24的图示。

[0039] 元件配置区域17具备互相相对的一对边17a，17b以及互相相对的一对边17c，17d。四条边17a，17b，17c，17d构成了元件配置区域17的轮廓。元件配置区域17的一对边17a，17b与信号处理基板10的一对边11a，11b平行。元件配置区域17的一对边17c，17d与信号处理基板10的一对边11c，11d平行。

[0040] 在元件配置区域17中配置有多个电极21。多个电极21与多个电极7(像素)的配置相对应地，呈二维状配置。多个电极21形成于位于最外表面的绝缘层13上。本实施方式中，信号处理基板10具备36个(6行×6列)电极21。对应电极7和电极21经由导电性凸块22连接。电极21与对应的像素电连接。电极21从俯视看呈矩形形状(例如正方形)。电极21对应于用途而呈圆形或者椭圆形。

[0041] 元件配置区域17由矩形形状(比如正方形)的四个部分区域18a，18b，18c，18d构成。各部分区域18a，18b，18c，18d其平面形状相同，在各部分区域18a，18b，18c，18d配置有同样数量的电极21。在本实施方式中，各部分区域18a，18b，18c，18d“9个(3行×3列)”中配置有电极21。接触于半导体基板3的电极(负电极)电连接于配置于信号处理基板10上的电极(没有图示)。

[0042] 电路配置区域19从正交于信号处理基板10(主面10a，10b)的方向来看，即从俯视看，以包围元件配置区域17的方式位于其外侧。电路配置区域19从正交于信号处理基板10的方向看，位于红外线检测元件1(半导体基板3)的外侧。

[0043] 信号处理基板10具备多个信号处理电路23。各信号处理电路23处理从对应的像素输出的信号。在本实施方式中，信号处理基板10对应于像素数，具备“36”个信号处理电路23。信号处理电路23比如由电荷放大电路，源极跟随电路，自动调零电路组成。这些电路因为对于本技术领域的从业者而言是公知的结构，所以省略详细说明。在本实施方式中，信号处理电路23作为ASIC(Application Specific Integrated Circuit)搭载于信号处理基板
10之上。信号处理基板10具备搭载有信号处理电路23的基板部分12，基板部分12上配置有多层绝缘层13。

[0044] 信号处理电路23通过在绝缘层13之间形成的配线24电连接于对应的电极21。因此从红外线检测元件1的像素输出的信号，通过各自对应的电极7，导电性凸块22，电极21以及配线24，输出至信号处理电路23。

[0045] 多个信号处理电路23以围绕元件配置区域17的方式配置于电路配置区域19。在本实施方式中，多个信号处理电路23以沿着信号处理基板10的四条边11a，11b，11c，11d的方式配置于电路配置区域19。

[0046] 与配置于部分区域18a的多个电极21电连接的多个信号处理电路23(在本实施方式中，“9”个信号处理电路23)以沿着与部分区域18a的一边相对的信号处理基板10的边11a的方式配置。这些信号处理电路23从与信号处理基板10正交的方向来看，位于部分区域18a和边11a之间。在本实施方式中，“9”个信号处理电路23沿着边11a排成一列。

[0047] 与配置于部分区域18b的多个电极21电连接的多个信号处理电路23(在本实施方式中，“9”个信号处理电路23)以沿着与部分区域18b的一边相对的信号处理基板10的边11b的方式配置。这些信号处理电路23从与信号处理基板10正交的方向来看位于部分区域18b和边11b之间。在本实施方式中，“9”个信号处理电路23沿着边11b排成一列。

[0048] 与配置于部分区域18c的多个电极21电连接的多个信号处理电路23(在本实施方式中，“9”个信号处理电路23)以沿着与部分区域18c的一边相对的信号处理基板10的边11c的方式配置。这些信号处理电路23从与信号处理基板10正交的方向来看位于部分区域18c和边11c之间。在本实施方式中，“9”个信号处理电路23沿着边11c排成一列。

[0049] 与配置于部分区域18d的多个电极21电连接的多个信号处理电路23(在本实施方式中，“9”个信号处理电路23)以沿着与部分区域18d的一边相对的信号处理基板10的边11d的方式配置。这些信号处理电路23从与信号处理基板10正交的方向来看位于部分区域18d和边11d之间。在本实施方式中，“9”个信号处理电路23沿着边11d排成一列。

[0050] 多个电极25配置于电路配置区域19。多个电极25以沿着信号处理基板10的四条边11a，11b，11c，11d的方式配置于电路配置区域19。多个电极25形成于最外表面的绝缘层13上。各电极25虽然没有图示，通过贯通绝缘层13的接触孔而与形成于绝缘层13上的配线连接。信号处理电路23的输出通过上述配线，接触孔与电极25可以向信号处理基板10的外部传输。

[0051] 热传导层27配置于信号处理基板10。热传导层27有比多层绝缘层13的热传导率更高的热传导率。本实施方式中，热传导层27是金属层。构成热传导层27的材料比如有铝或铜。

[0052] 热传导层27以位于至少一层的绝缘层13上且位于元件配置区域17的方式配置。在本实施方式中，以位于相邻的两层的绝缘层13之间的方式配置。热传导层27未从信号处理基板10中露出，位于信号处理基板10内。

[0053] 热传导层27的一部分位于电路配置区域19。热传导层27具备位于元件配置区域17的层部分27a和位于电路配置区域19的层部分27b。层部分27a以俯视看，和元件配置区域17相同，呈矩形形状(如正方形)。层部分27b以俯视看，以围绕层部分27a的方式位于层部分27a的外侧。热传导层27(层部分27b)的边缘如图4所示，从与信号处理基板10正交的方向来看，与信号处理电路23的边缘大体一致。在图4中，为了构造的明确化，省略绝缘层13与配线
24等图示，仅有热传导层27和信号处理电路23的图示。

[0054] 热传导层27以无间隙实体状形成。在本实施方式中，热传导层27以俯视看呈矩形形状(例如正方形形状)。热传导层27不一定必须以无间隙实体状形成。比如，热传导层27可以以格子状形成。在热传导层27也可形成多个开口。热传导层27通过没有图示的配线连接于接地电位。

[0055] 支撑配线基板30具备多个电极31和电极35。多个电极31和电极35配置于搭载有信号处理基板10的面。各电极31电连接于对应的电极25。电极31和电极25通过接合线W电连接。电极35连接于信号处理基板10的主面10b侧。

[0056] 如上所述，在本实施方式中，多个信号处理电路23在位于元件配置区域17的外侧的电路配置区域19，以围绕元件配置区域17的方式配置。多个信号处理电路23配置于电路配置区域19的结构与现有的多个信号处理电路配置于位于红外线检测元件的正下方构成相比，从成为热的发生源的信号处理电路23到红外线检测元件1的距离比较长。红外线检测元件IF与上述现有的结构相比，因为红外线检测元件1与信号处理电路23分离，红外线检测元件1不易受信号处理基板10散发的热影响。因此，红外线检测元件装置IF可以抑制在红外线检测元件1中的暗电流增加。

[0057] 在红外线检测元件1产生的暗电流有温度依存性。红外线检测元件1的温度越高暗电流越大，红外线检测元件1的温度越低暗电流越小。在本实施方式中，不一定需要用冷却装置(比如珀耳帖元件)冷却红外线检测元件1。

[0058] 即使是多个信号处理电路23配置于电路配置区域19的结构，信号处理电路23发出的热也会传导至元件配置区域17。在此情况下，在元件配置区域17上，与信号处理电路23接近的位置的温度与信号处理电路23远离的位置的温度不同。即元件配置区域17产生温度梯度。比如，与信号处理电路23接近的位置的温度要比与信号处理电路23远离的位置的温度高。

[0059] 元件配置区域17若产生温度梯度，在相对元件配置区域17的与信号处理电路23接近的位置相对配置的像素，和在相对元件配置区域17的与信号处理电路23远离的位置相对配置的像素，受到信号处理基板10的热的影响不同。比如，在相对元件配置区域17的与信号处理电路23接近的位置相对配置的像素，和在相对元件配置区域17的与信号处理电路23远离的位置相对配置的像素比较，温度易变高，有暗电流增加的可能。红外线检测元件1的像素间暗电流不规则分布的可能性存在。

[0060] 对于此，红外线检测装置IF中，在信号处理基板10上以位于至少一层的绝缘层13上且位于元件配置区域17的方式配置热导电层27。因此，具备热传导层27的红外线检测装置IF，例如和不具备热传导层27的红外线检测装置相比，因为从信号处理电路23散发的热易于传导至元件配置区域17，所以元件配置区域17难以产生温度梯度。因此，在红外线检测元件1，可以抑制像素间暗电流的不规则分布。

[0061] 根据上述现有的结构，伴随红外线检测装置IF驱动开始的时间经过，因为红外线检测元件1的正下方区域温度分布大致相同，所以可以考虑为在元件配置区域17不会产生温度梯度。对于此，具备热传导层27的红外线检测装置IF，例如和不具备热传导层27的红外线检测元件相比，直至元件配置区域17的温度分布大致相同为止的期间较短。因此，红外线检测元件IF中，红外线检测元件1像素间产生暗电流的不规则分布的期间较短。因此，对于红外线检测装置IF的检测结果，暗电流不规则分布的影响可以控制得较低。其结果，在红外线检测元件IF中可以实行精度更高的红外线检测。

[0062] 热传导层27是无间隙实体状的金属层。此情况下，热传导层27有可能与在绝缘层13之间形成的配线24以相同流程形成。因此，在元件配置区域17可以较容易实现难以产生温度梯度的结构。热传导层27因为是无间隙实体状的，所以信号处理电路23发出的热可以有效地传导至元件配置区域17。

[0063] 热传导层27配置于相邻的两层绝缘层13之间的位置。在此情况下，热传导层27与信号处理基板10的与红外线检测元件1(半导体基板3)相对的面相比，位于信号处理基板10内。热传导层27位于信号处理基板10内的情况下，比如，与热传导层27配置于信号处理基板10的与红外线检测元件1相对的面的情况相比，因为从热传导层27至红外线检测元件1的距离较长，所以红外线检测元件1难以受到热传导层27散发热的影响。因此，红外线检测装置IF中，可进一步抑制红外线检测元件1上的暗电流的增加，并可以抑制暗电流像素间的不规则分布。

[0064] 信号处理基板10以俯视看呈矩形形状。多个信号处理电路23以沿着信号处理基板10的各边11a，11b，11c和11d的方式配置于电路配置区域19。在此情况下，在元件配置区域
17中，因为热从各边11a，11b，11c，11d侧即从四周方向传来，在红外线检测元件IF中，在元件配置区域17更难以产生温度梯度。

[0065] 元件配置区域17以俯视看，呈有四条边17a，17b，17c，17d的矩形形状。在元件配置区域17中，多个电极21以与红外线检测元件1上的多个像素的配置相对应的方式呈二维状配置。元件配置区域17由矩形形状的四个部分区域18a，18b，18c，18d组成。分别配置有四个部分区域18a，18b，18c，18d的电极21，连接于以沿着与各部分区域18a，18b，18c，18d的一边相对的信号处理基板10的边11a，11b，11c，11d的方式配置的信号处理电路23。因此，元件配置区域17不易产生温度梯度。沿着信号处理基板10各边11a，11b，11c，11d配置的各信号处理电路23，以及与该信号处理电路23对应的电极21可以恰当地相连接。

[0066] 热传导层27的边缘和信号处理电路23的边缘，从与信号处理基板10正交的方向来看不一定要一致。比如，从与信号处理基板10正交的方向来看，热传导层27的边缘和信号处理电路23的边缘即使分离也可以，或者热传导层27的边缘和信号处理电路23重叠也可以。热传导层27的边缘从与信号处理基板10正交的方向看和信号处理电路23的边缘相分离的情况，与从与信号处理基板10正交的方向看与信号处理电路23的边缘大约一致的情况相比，信号处理电路23的热难以向热传导层27传导。热传导层27的边缘与信号处理电路23重叠的情况下，热传导层27和信号处理电路23之间产生寄生电容，该寄生电容有对信号处理
23的特性产生影响的可能。

[0067] 接下来，参照图5，说明红外线检测装置IF的变形例的结构。图5是信号处理电路和热传导层的位置关系的示意图。在本变形例中，热传导层27的结构和上述实施方式不同。和图4相同，图5中为了构造的明确化，只有热传导层27和信号处理电路23的图示。

[0068] 如图5所示，多个信号处理电路23在排列方向上相互之间配置有间隔。热传导层27具有层部分27a，层部分27b和多个层部分27c。多个层部分27c位于电路配置区域19。各层部分27c从信号处理基板10正交方向来看，位于相邻的信号处理电路23之间。

[0069] 热传导层27从与信号处理基板10正交的方向来看，具备位于相邻信号处理电路23之间层部分27c的情况下，信号处理电路23散发的热传导至层部分27c，进一步再从层部分27c通过层部分27b传导至的层部分27a。因此，因为信号处理电路23散发的热容易传导至热传导层27，所以元件配置区域17更不易产生温度梯度。层部分27a，27b和各层部分27c可以位于同样的绝缘层13之间，或者也可以位于不同的绝缘层13上。

[0070] 接着，参照图6，说明红外线检测装置IF的变形例。图6是与本变形例相关红外线检测装置的截面结构的示意图。

[0071] 图6所示的红外线检测装置IF具备红外线检测元件1，信号处理基板10和支撑配线基板30。

[0072] 在信号处理基板10，配置有多个热传导部件29。各热传导部件29具备与热传导层27连接的一端29a和位于信号处理基板10的主面10b侧的另一端29b。热传导部件29与热传导层27相同，具备比多个绝缘层13的热传导率更高的热传导率。本实施方式中，热传导部件
29是金属部件。构成热传导部件29的材料例如是铝或者铜。

[0073] 热传导部件29在信号处理基板10的厚度方向上贯通基板部分12而形成。热传导部件29的一端29a与另一端29b从基板部分12露出。热传导部件29的另一端29b连接于电极35。通过电极35连接接地电位，热传导层27通过热传导部件29被赋予接地电位。

[0074] 热传导层27的一部分热通过热传导部件29向信号处理基板10的主面10b侧传导。向主面10b侧传导的热因为从信号处理基板10散发，所以热传导层27的温度降低。因此，本变形例中，红外线检测元件1中暗电流的增加可以进一步抑制的同时，暗电流在像素间的不规则分布也可被抑制。

[0075] 以上已就本发明的实施方式作了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，只要是在不脱离本发明宗旨的范围内各种各样的变更都是可能的。

[0076] 半导体基板3、半导体区域5、信号处理基板10、元件配置区域17、热传导层27以及电极7、21的各形状不限定于上述矩形形状。这些形状例如也可以是圆形形状。半导体区域5、电极7、21以及信号处理电路23的各个数量并不限定于上述数字。

[0077] 产业上的利用可能性

[0078] 本发明可以利用于红外线检测装置。

[0079] 符号说明

[0080] 1.红外线检测元件

[0081] 3.半导体基板

[0082] 5.半导体区域

[0083] 10.信号处理基板

[0084] 11a，11b，11c，11d.信号处理基板的边

[0085] 13.绝缘层

[0086] 17.元件配置区域

[0087] 17a，17b，17c，17d.元件配置区域的边

[0088] 18a，18b，18c，18d.部分区域

[0089] 19.电路配置区域

[0090] 21.电极

[0091] 23.信号处理电路

[0092] 27.热传导层

[0093] 27a，27b，27c.层部分

[0094] 29.热传导部件

[0095] 30.支撑配线基板

[0096] IF.红外线检测装置