一种改善PECVD镀膜膜色的方法

摘要

本发明涉及晶体硅电池片表面减反膜制作技术领域，具体为一种改善PECVD镀膜膜色的方法，将石墨舟清洗好后进行两次饱和，包括以下步骤：步骤1：先把石墨舟拆开，然后在两片舟片的定位柱卡点对应位置装上陶瓷粒，最后把石墨舟组装好，进行第一次饱和；步骤2：把石墨舟两侧的螺丝拧松，晃动舟页把定位柱卡点处的陶瓷粒取出来，拧紧石墨舟两侧的螺丝并校准，然后进行第二次饱和；第一次饱和完成后，待石墨舟冷却后，再进行第二次饱和。本发明既保证了石墨舟的饱和度，又尽可能少的在定位柱卡点上沉积氮化硅，使定位柱卡点与硅片之间的导电性、导热性受到的影响相对较少，从而使氮化硅膜沉积更均匀，减轻镀膜的色差。

权利要求

1.一种改善PECVD镀膜膜色的方法，其特征在于，将石墨舟清洗好后进行两次饱和，包括以下步骤：步骤1：对石墨舟舟片的定位柱卡点进行保护，然后进行第一次饱和；

步骤1的具体步骤如下：先把石墨舟拆开，然后在两片舟片的定位柱卡点对应位置装上陶瓷粒，最后把石墨舟组装好，进行第一次饱和；

步骤2：将步骤1中定位柱卡点的保护物取出，然后进行第二次饱和；

步骤2的具体步骤如下：把石墨舟两侧的螺丝拧松，晃动舟页把定位柱卡点处的陶瓷粒取出来，拧紧石墨舟两侧的螺丝并校准，然后进行第二次饱和。

2.根据权利要求1所述的一种改善PECVD镀膜膜色的方法，其特征在于：步骤1的第一次饱和完成后，待石墨舟冷却后，再进行步骤2。

3.根据权利要求1所述的一种改善PECVD镀膜膜色的方法，其特征在于：步骤1和步骤2的两次饱和工艺的沉积时间之和与原有一次饱和工艺的沉积时间相同。

说明书

一种改善PECVD镀膜膜色的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及晶体硅电池片表面减反膜制作技术领域，具体涉及一种改善PECVD镀膜膜色的方法。

背景技术

[0002] 目前在晶体硅电池片表面制作的减反膜，普遍采用具有良好的减反射和表面钝化作用的氮化硅膜。在太阳能电池生产工艺中，普遍采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的方式进行镀氮化硅膜，主要分为管式PECVD和板式PECVD。在管式PECVD的工艺制程中，石墨舟作为硅片的载体，硅片固定在石墨舟上也起到了电极作用，一片硅片通常通过三个定位柱卡点固定在石墨舟上。

[0003] 石墨舟使用一定次数后，由于石墨舟表面镀的氮化硅比较厚导致石墨舟的导电、导热性能变差从而引起镀膜色差等异常，这时需对石墨舟进行酸洗去除石墨舟表面的氮化硅，然后水洗和烘干。对清洗好的石墨舟，由于石墨表面有一定的粗糙度会导致镀膜不均匀，同时由于管式PECVD是直接式的PECVD，等离子体直接打在石墨舟片表面也会使石墨舟片的石墨粉脱落。因此清洗好的石墨舟在使用前需进行预处理，就是在石墨舟表面镀上一层一定厚度的氮化硅膜，使舟片表面平整，同时可以保护石墨舟，减少石墨粉掉落。

[0004] 现有技术对于石墨舟的预处理方法普遍为空舟预处理，即将清洗好的石墨舟在空载的情况下直接进行预处理，此方法存在以下问题：空舟预处理时，定位柱卡点处于暴露状态，因此在预处理过程中，定位柱卡点及定位柱卡点与舟片的缝隙中会沉积氮化硅膜，导致在正常镀膜工艺过程中，定位柱卡点与硅片之间的导电性、导热性均受到影响，从而导致氮化硅膜沉积不均匀，造成镀膜均匀性较差且石墨舟使用次数偏低。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种改善PECVD镀膜膜色的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

[0006] 为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

[0007] 一种改善PECVD镀膜膜色的方法，将石墨舟清洗好后进行两次饱和，包括以下步骤：

[0008] 步骤1：对石墨舟舟片的定位柱卡点进行保护，然后进行第一次饱和；

[0009] 步骤1的具体步骤如下：先把石墨舟拆开，然后在两片舟片的定位柱卡点对应位置装上陶瓷粒，最后把石墨舟组装好，进行第一次饱和；

[0010] 步骤2：将步骤1中定位柱卡点的保护物取出，然后进行第二次饱和；

[0011] 步骤2的具体步骤如下：把石墨舟两侧的螺丝拧松，晃动舟页把定位柱卡点处的陶瓷粒取出来，拧紧石墨舟两侧的螺丝并校准，然后进行第二次饱和。

[0012] 优选的，步骤1的第一次饱和完成后，待石墨舟冷却后，再进行步骤2。

[0013] 优选的，步骤1和步骤2的两次饱和工艺的沉积时间之和与原有一次饱和工艺的沉积时间相同。

[0014] 与现有技术相比，本发明的有益效果是：

[0015] 本发明既保证了石墨舟的饱和度，又尽可能少的在定位柱卡点上沉积氮化硅，使定位柱卡点与硅片之间的导电性、导热性受到的影响相对较少，增加石墨舟的使用次数，从而使氮化硅膜沉积更均匀，减轻镀膜的色差。

具体实施方式

[0016] 下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0017] 本发明提供一种技术方案：

[0018] 一种改善PECVD镀膜膜色的方法，对使用多次的石墨舟进行酸洗去除石墨舟表面的氮化硅，然后水洗、烘干，将石墨舟清洗好后进行两次饱和，包括以下步骤：

[0019] 步骤1：对石墨舟舟片的定位柱卡点进行保护，然后进行第一次饱和；

[0020] 先把石墨舟拆开，然后在两片舟片的定位柱卡点对应位置装上陶瓷粒，最后把石墨舟组装好，进行第一次饱和，第一次饱和时由于定位柱卡点处被陶瓷粒保护起来，定位柱卡点及定位柱卡点与舟片的缝隙中基本上没有沉积氮化硅。

[0021] 步骤1的第一次饱和完成后，待石墨舟完全冷却后，再进行步骤2。

[0022] 步骤2：将步骤1中定位柱卡点的保护物取出，然后进行第二次饱和；

[0023] 把石墨舟两侧的螺丝拧松，晃动舟页把定位柱卡点处的陶瓷粒取出来，拧紧石墨舟两侧的螺丝并校准，然后进行第二次饱和，第二次饱和就是为了在定位柱卡点上沉积一定厚度的氮化硅，在保证硅片卡点印正常时尽可能少地在定位柱卡点上沉积氮化硅。

[0024] 所以如果没有进行第二次饱和，因为定位柱卡点上没有沉积氮化硅，在做正常工艺时定位柱上会较快地沉积氮化硅，会导致硅片与定位柱卡点接触处镀膜较慢，最终导致硅片卡点印偏大。

[0025] 且步骤1和步骤2的两次饱和工艺的沉积时间之和与原有一次饱和工艺的沉积时间相同，相同的时间下，饱和效果更好，大大提高定位柱卡点与硅片之间的导电性和导热性。

[0026] 本发明既保证了石墨舟的饱和度，又尽可能少的在定位柱卡点上沉积氮化硅，使定位柱卡点与硅片之间的导电性、导热性受到的影响相对较少，从而使氮化硅膜沉积更均匀，石墨舟使用次数更多。

[0027] 尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。