本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
1.一种底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一基板(1)，在基板(1)上依次沉积第一金属层(20)、第一绝缘氧化物层(30)，对第一绝缘氧化物层(30)及第一金属层(20)进行图案化处理，由第一金属层(20)得到栅极金属层(2)，由第一绝缘氧化物层(30)得到与所述栅极金属层(2)相同图案形状的第一蚀刻阻挡层(3)；
步骤S2、在所述第一蚀刻阻挡层(3)及基板(1)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积并图案化形成有源层(5)；
步骤S3、在所述有源层(5)及栅极绝缘层(4)上依次沉积第二金属层(60)、以及与所述第一绝缘氧化物层(30)相同材料及厚度的第二绝缘氧化物层(70)，对第二绝缘氧化物层(70)及第二金属层(60)进行图案化处理，由第二金属层(60)得到源漏极金属层(6)，由第二绝缘氧化物层(70)得到与所述源漏极金属层(6)相同图案形状的第二蚀刻阻挡层(7)；
步骤S4、在所述第二蚀刻阻挡层(7)与栅极绝缘层(4)上沉积钝化保护层(8)，在钝化保护层(8)上形成光阻图案，以光阻图案为遮蔽层，采用第一蚀刻气体对钝化保护层(8)及栅极绝缘层(4)进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第一蚀刻气体在栅极金属层(2)上方刻穿钝化保护层(8)及栅极绝缘层(4)而露出第一蚀刻阻挡层(3)的表面，形成第一初级过孔(85’)，同时所述第一蚀刻气体在所述源漏极金属层(6)上方刻穿钝化保护层(8)而露出第二蚀刻阻挡层(7)的表面，形成第二初级过孔(86’)，停止此次干法蚀刻；
步骤S5、采用第二蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层(3)及第二蚀刻阻挡层(7)进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第二蚀刻气体将第一初级过孔(85’)下方的第一蚀刻阻挡层(3)刻掉而露出栅极金属层(2)的表面，形成贯穿钝化保护层(8)、栅极绝缘层(4)、及第一蚀刻阻挡层(3)的第一过孔(85)，同时所述第二蚀刻气体将第二初级过孔(86’)下方的第二蚀刻阻挡层(7)刻掉而露出源漏极金属层(6)的表面，形成贯穿钝化保护层(8)、及第二蚀刻阻挡层(7)的第二过孔(86)；
步骤S6、在所述钝化保护层(8)上沉积并图案化形成透明导电层(9)，所述透明导电层(9)经由所述第一过孔(85)与栅极金属层(2)相连接，所述透明导电层(9)经由所述第二过孔(86)与源漏极金属层(6)相连接；
所述步骤S4中所使用的第一蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层(3)及第二蚀刻阻挡层(7)的蚀刻速率小于对栅极绝缘层(4)及钝化保护层(8)的蚀刻速率。
2.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘氧化物层(30)与第二绝缘氧化物层(70)的材料均为Al2O3。
3.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘氧化物层(30)、及第二绝缘氧化物层(70)均通过物理气相沉积法、或原子层沉积法沉积形成。
4.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中沉积形成的第一绝缘氧化物层(30)的厚度为
5.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中在钝化保护层(8)上形成光阻图案的过程具体为，在钝化保护层(8)上涂布光阻膜，并对光阻膜进行曝光、显影，从而形成光阻图案。
6.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中经图案化形成的栅极金属层(2)包括栅极(21)、及栅极接线端子(22)；所述步骤S2中形成的有源层(5)对应位于所述栅极(21)上方；所述步骤S3中经图案化形成的源漏极金属层(6)包括源极(61)、漏极(62)、及源漏极接线端子(63)；所述步骤S6中经图案化形成的透明导电层(9)包括像素电极(91)、及外围线路连接线(92)；
所述第一过孔(85)对应位于所述栅极接线端子(22)上方，所述外围线路连接线(92)经由所述第一过孔(85)与栅极接线端子(22)相连接；
所述第二过孔(86)包括对应位于所述漏极(62)上方的第二内接过孔(861)、及对应位于所述源漏极接线端子(63)上方的第二外接过孔(862)；所述像素电极(91)经由所述第二内接过孔(861)与所述漏极(62)相连接，所述外围线路连接线(92)经由所述第二外接过孔(862)与源漏极接线端子(63)相连接。
7.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1及步骤S3中，进行图案化处理均包括依次进行光刻胶涂布制程、曝光制程、显影制程、蚀刻制程、及光刻胶剥离制程，其中的蚀刻制程为湿法蚀刻制程；
所述步骤S3还包括对所述源漏极金属层(6)露出的有源层(5)表面进行干法蚀刻，形成有源层(5)的沟道区。
8.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(20)、及第二金属层(60)均通过物理气相沉积法沉积形成，所述第一金属层(20)、及第二金属层(60)的材料均为钼、钛、铝、钽中的一种或多种的堆栈组合。
9.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(4)、及钝化保护层(8)均通过化学气相沉积法沉积形成，所述栅极绝缘层(4)、及钝化保护层(8)的材料均为氮化硅、或氧化硅。
10.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有源层(5)的材料为非晶硅、铟镓锌氧化物、或铟镓锌锡氧化物。
底栅型TFT基板的制作方法
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种底栅型TFT基板的制作方法。
背景技术
[0002] 薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。因此，不论是LCD的显示面板，还是AMOLED的显示面板，通常都具有一TFT基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT基板、一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0003] 图1为现有一种底栅型TFT基板的结构示意图，如图1所示，所述底栅型TFT基板包括玻璃基板100、设于玻璃基板100上的栅极金属层200、设于栅极金属层200与玻璃基板100上的栅极绝缘层(GI)300、设于栅极绝缘层300上的有源层400、设于有源层400与栅极绝缘层300上的源漏极金属层500、设于源漏极金属层500与栅极绝缘层300上的钝化层(PV)600；其中，栅极金属层200与源漏极金属层500均经图案化处理形成，所述栅极金属层200包括栅极210、及栅极接线端子220；所述源漏极金属层500包括源极510、漏极520、及源漏极接线端子530。
[0004] 另外，形成钝化层600之后，还需要在源漏极金属层500、及栅极金属层200上方的电绝缘层上一次性蚀刻形成通孔，再镀覆透光型导电薄膜，以实现栅极接线端子220、源漏极接线端子530与外围的电路连接，及漏极520与像素电极的连接等，即需要在源漏极金属层500上方的钝化层600上蚀刻形成通孔，在栅极金属层200上方的栅极绝缘层300与钝化层600上蚀刻形成通孔，然而在蚀刻过程中，在源漏极金属层500上方形成通孔需要蚀刻电绝缘层的厚度为钝化层600的厚度h1，而在栅极金属层200上方形成通孔需要蚀刻电绝缘层的厚度为钝化层600加栅极绝缘层300的厚度h1+h2，并为了保证栅极金属层200上方栅极绝缘层300被刻穿，往往需要在栅极金属层200上方电绝缘层厚度(h1+h2)的基础上过刻30％以上，因此在蚀刻过程中，源漏极金属层500上方的电绝缘层上会首先被刻穿，从而造成源漏极被严重过刻，进而影响源漏极接触电阻和线路连接。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于提供一种底栅型TFT基板的制作方法，通过在栅极金属层上及源漏极金属层上形成蚀刻阻挡层，使得在栅极金属层上方及源漏极金属层上方同步形成过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
[0006] 为实现上述目的，本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0007] 步骤S1、提供一基板，在基板上依次沉积第一金属层、第一绝缘氧化物层，对第一绝缘氧化物层及第一金属层进行图案化处理，由第一金属层得到栅极金属层，由第一绝缘氧化物层得到与所述栅极金属层相同图案形状的第一蚀刻阻挡层；
[0008] 步骤S2、在所述第一蚀刻阻挡层及基板上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并图案化形成有源层；
[0009] 步骤S3、在所述有源层及栅极绝缘层上依次沉积第二金属层、以及与所述第一绝缘氧化物层相同材料及厚度的第二绝缘氧化物层，对第二绝缘氧化物层及第二金属层进行图案化处理，由第二金属层得到源漏极金属层，由第二绝缘氧化物层得到与所述源漏极金属层相同图案形状的第二蚀刻阻挡层；
[0010] 步骤S4、在所述第二蚀刻阻挡层与栅极绝缘层上沉积钝化保护层，在钝化保护层上形成光阻图案，以光阻图案为遮蔽层，采用第一蚀刻气体对钝化保护层及栅极绝缘层进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第一蚀刻气体在栅极金属层上方刻穿钝化保护层及栅极绝缘层而露出第一蚀刻阻挡层的表面，形成第一初级过孔，同时所述第一蚀刻气体在所述源漏极金属层上方刻穿钝化保护层而露出第二蚀刻阻挡层的表面，形成第二初级过孔，停止此次干法蚀刻；
[0011] 步骤S5、采用第二蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层及第二蚀刻阻挡层进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第二蚀刻气体将第一初级过孔下方的第一蚀刻阻挡层刻掉而露出栅极金属层的表面，形成贯穿钝化保护层、栅极绝缘层、及第一蚀刻阻挡层的第一过孔，同时所述第二蚀刻气体将第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层刻掉而露出源漏极金属层的表面，形成贯穿钝化保护层、及第二蚀刻阻挡层的第二过孔；
[0012] 步骤S6、在所述钝化保护层上沉积并图案化形成透明导电层，所述透明导电层经由所述第一过孔与栅极金属层相连接，所述透明导电层经由所述第二过孔与源漏极金属层相连接。
[0013] 所述第一绝缘氧化物层与第二绝缘氧化物层的材料均为Al2O3。
[0014] 所述第一绝缘氧化物层、及第二绝缘氧化物层均通过物理气相沉积法、或原子层沉积法沉积形成。
[0015] 所述步骤S1中沉积形成的第一绝缘氧化物层的厚度为
[0016] 所述步骤S4中在钝化保护层上形成光阻图案的过程具体为，在钝化保护层上涂布光阻膜，并对光阻膜进行曝光、显影，从而形成光阻图案。
[0017] 所述步骤S1中经图案化形成的栅极金属层包括栅极、及栅极接线端子；所述步骤S2中形成的有源层对应位于所述栅极上方；所述步骤S3中经图案化形成的源漏极金属层包括源极、漏极、及源漏极接线端子；所述步骤S6中经图案化形成的透明导电层包括像素电极、及外围线路连接线；
[0018] 所述第一过孔对应位于所述栅极接线端子上方，所述外围线路连接线经由所述第一过孔与栅极接线端子相连接；
[0019] 所述第二过孔包括对应位于所述漏极上方的第二内接过孔、及对应位于所述源漏极接线端子上方的第二外接过孔；所述像素电极经由所述第二内接过孔与所述漏极相连接，所述外围线路连接线经由所述第二外接过孔与源漏极接线端子相连接。
[0020] 所述步骤S1及步骤S3中，所述进行图案化处理均包括依次进行光刻胶涂布制程、曝光制程、显影制程、蚀刻制程、及光刻胶剥离制程，其中的蚀刻制程为湿法蚀刻制程；
[0021] 所述步骤S3还包括对所述源漏极金属层露出的有源层表面进行干法蚀刻，形成有源层的沟道区。
[0022] 所述第一金属层、及第二金属层均通过物理气相沉积法沉积形成，所述第一金属层、及第二金属层的材料均为钼、钛、铝、钽中的一种或多种的堆栈组合。
[0023] 所述栅极绝缘层、及钝化保护层均通过化学气相沉积法沉积形成，所述栅极绝缘层、及钝化保护层的材料均为氮化硅、或氧化硅。
[0024] 所述有源层的材料为非晶硅、铟镓锌氧化物、或铟镓锌锡氧化物。
[0025] 本发明的有益效果：本发明的底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层表面上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
附图说明
[0026] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0027] 附图中，
[0028] 图1为现有一种底栅型TFT基板的制作方法中在栅极金属层及源漏极上方形成过孔的示意图；
[0029] 图2为本发明底栅型TFT基板的制作方法的流程示意图；
[0030] 图3-4为本发明底栅型TFT基板的制作方法的步骤S1的示意图；
[0031] 图5-7为本发明底栅型TFT基板的制作方法的步骤S2的示意图；
[0032] 图8-9为本发明底栅型TFT基板的制作方法的步骤S3的示意图；
[0033] 图10-11为本发明底栅型TFT基板的制作方法的步骤S4的示意图；
[0034] 图12为本发明底栅型TFT基板的制作方法的步骤S5的示意图；
[0035] 图13为本发明底栅型TFT基板的制作方法的步骤S6的示意图。
具体实施方式
[0036] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0037] 请参阅图2，本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0038] 步骤S1、如图3-4所示，提供一基板1，在基板1上依次通过物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)沉积第一金属层20，通过物理气相沉积法、或原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)沉积第一绝缘氧化物层30，然后对第一绝缘氧化物层30及第一金属层20进行图案化处理，由第一金属层20得到栅极金属层2，由第一绝缘氧化物层30得到与所述栅极金属层2相同图案形状的第一蚀刻阻挡层3。
[0039] 具体地，所述步骤S1中沉积形成的第一绝缘氧化物层30的厚度为[0040] 具体地，所述第一金属层20的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)等金属或其堆栈组合。
[0041] 具体地，所述步骤S1中经图案化形成的栅极金属层2包括栅极21、及用于与外围电路连接的栅极接线端子22。
[0042] 具体地，所述步骤S1中，对第一绝缘氧化物层30及第一金属层20进行图案化处理均包括依次进行光刻胶涂布制程、曝光制程、显影制程、蚀刻制程、及光刻胶剥离制程，其中的蚀刻制程为湿法蚀刻制程。
[0043] 步骤S2、如图5-7所示，在所述第一蚀刻阻挡层3及基板1上通过化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)沉积栅极绝缘层4，在所述栅极绝缘层4上沉积并图案化形成对应位于所述栅极21上方的有源层5。
[0044] 具体地，所述步骤S2中形成有源层5的过程具体为，在所述栅极绝缘层4上沉积一层半导体膜非晶硅(a-Si)层50和一层N型离子掺杂层(n+-Si)51，其中，N型离子掺杂层51中所掺杂的N型离子可以为磷离子等五价离子。此处N型离子掺杂层51与后续源漏极金属层60形成欧姆接触。然后对非晶硅(a-Si)层50和N型离子掺杂层(n+-Si)51进行图案化处理，得到有源层5。
[0045] 具体地，所述栅极绝缘层4的材料为氮化硅(SiNx)、或氧化硅(SiO2)。
[0046] 步骤S3、如图8-9所示，在所述有源层5及栅极绝缘层4上依次通过物理气相沉积法沉积第二金属层60，通过物理气相沉积法、或原子层沉积法沉积与所述第一绝缘氧化物层30相同材料及厚度的第二绝缘氧化物层70，对第二绝缘氧化物层70及第二金属层60进行图案化处理，由第二金属层60得到源漏极金属层6，由第二绝缘氧化物层70得到与所述源漏极金属层6相同图案形状的第二蚀刻阻挡层7。
[0047] 具体地，所述步骤S3中经图案化形成的源漏极金属层6包括源极61、漏极62、及用于与外围电路连接的源漏极接线端子63。
[0048] 具体地，所述步骤S3中，对第二绝缘氧化物层70及第二金属层60进行图案化处理均包括依次进行光刻胶涂布制程、曝光制程、显影制程、蚀刻制程、及光刻胶剥离制程，其中的蚀刻制程为湿法蚀刻制程；
[0049] 具体地，所述步骤S3还包括对所述源漏极金属层6露出的有源层5表面进行干法蚀刻，形成有源层5的沟道区。
[0050] 具体地，所述第二金属层60的材料为钼、钛、铝、钽等金属或其堆栈组合。
[0051] 步骤S4、如图10-11所示，在所述第二蚀刻阻挡层7与栅极绝缘层4上通过化学气相沉积法沉积钝化保护层8，在钝化保护层8上形成光阻图案，以光阻图案为遮蔽层，采用第一蚀刻气体对钝化保护层8及栅极绝缘层4进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第一蚀刻气体在栅极金属层2上方刻穿钝化保护层8及栅极绝缘层4而露出第一蚀刻阻挡层3的表面，形成第一初级过孔85’，同时所述第一蚀刻气体在所述源漏极金属层6上方刻穿钝化保护层8而露出第二蚀刻阻挡层7的表面，形成第二初级过孔86’，停止此次干法蚀刻。
[0052] 具体地，所述步骤S4中在钝化保护层8上形成光阻图案的过程具体为，在钝化保护层8上涂布光阻膜，并对光阻膜进行曝光、显影，从而形成光阻图案。
[0053] 具体地，所述钝化保护层8的材料均为氮化硅、或氧化硅。
[0054] 具体地，所述第一绝缘氧化物层30与第二绝缘氧化物层70的材料可以均为Al2O3，或者也可以为其他溶于酸且与栅极绝缘层4及钝化保护层8有较大干刻选择比的绝缘金属氧化物。
[0055] 具体地，所述步骤S4中所使用的第一蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层3及第二蚀刻阻挡层7的蚀刻速率很慢，远远小于对栅极绝缘层4及钝化保护层8的蚀刻速率，因此，第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层3与第二蚀刻阻挡层7上时，就相当于此次干法蚀刻停止在第一蚀刻阻挡层3与第二蚀刻阻挡层7上。
[0056] 步骤S5、如图12所示，采用第二蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层3及第二蚀刻阻挡层7进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第二蚀刻气体将第一初级过孔85’下方的第一蚀刻阻挡层3刻掉而露出栅极金属层2的表面，形成贯穿钝化保护层8、栅极绝缘层4、及第一蚀刻阻挡层
3的第一过孔85，同时所述第二蚀刻气体将第二初级过孔86’下方的第二蚀刻阻挡层7刻掉而露出源漏极金属层6的表面，形成贯穿钝化保护层8、及第二蚀刻阻挡层7的第二过孔86。
[0057] 具体地，所述步骤S5中采用与第一蚀刻气体成分不同的第二蚀刻气体，由于第一蚀刻阻挡层3与第二蚀刻阻挡层7为相同的材料及厚度，且厚度均很薄，因此可同时被刻穿，从而能够同步在栅极金属层2上方形成第一过孔85、在源漏极金属层6上方形成第二过孔86，从而可以避免源漏极金属层6被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
[0058] 步骤S6、如图13所示，在所述钝化保护层8上沉积并图案化形成透明导电层9，所述透明导电层9经由所述第一过孔85与栅极金属层2相连接，所述透明导电层9经由所述第二过孔86与源漏极金属层6相连接。
[0059] 具体地，所述步骤S6中经图案化形成的透明导电层9包括像素电极91、及外围线路连接线92。
[0060] 具体地，所述第一过孔85对应位于所述栅极接线端子22上方，所述外围线路连接线92经由所述第一过孔85与栅极接线端子22相连接。
[0061] 具体地，所述第二过孔86包括对应位于所述漏极62上方的第二内接过孔861、及对应位于所述源漏极接线端子63上方的第二外接过孔862；所述像素电极91经由所述第二内接过孔861与所述漏极62相连接，所述外围线路连接线92经由所述第二外接过孔862与源漏极接线端子63相连接。
[0062] 综上所述，本发明的底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层表面上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。
[0063] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
