在状态转变期间使用射频值减小反射功率的系统和方法

摘要

本发明涉及在状态转变期间使用射频值减小反射功率的系统和方法。描述了用于针对每个状态转变以逐步方式调谐阻抗匹配网络的系统和方法。通过针对每个状态转变以逐步方式调谐阻抗匹配网络，而不是直接获得用于每个状态的组合可变电容的最优值，使用经调谐的最优值处理晶片变得可行。

权利要求

1.一种用于通过使用射频值在状态转变期间减小反射功率的方法，其包括：

在射频产生器的第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第一多个射频值下操作并且阻抗匹配网络具有第一可变电容时，接收在所述射频产生器的输出端与所述阻抗匹配网络的输入端之间感测到的第一多个电压反射系数值；

针对所述第一类型的状态转变，将一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值，其中所述一个或多个模型包括所述阻抗匹配网络的模型；

当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值；

使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的反射系数是最小的；

在所述第一类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第一多个有利的射频值下操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接收所述第一多个电压反射系数值、针对所述第一类型的状态转变将所述一个或多个模型初始化、计算所述第一多个负载阻抗值和计算所述第一多个有利的射频值是在所述第一类型的状态转变的第一次发生期间执行，其中所述控制所述射频产生器是在所述第一类型的状态转变的第二次发生期间执行。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二次发生在所述第一类型的状态转变的一个或多个中间发生之后跟随第一次发生。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二次发生紧随所述第一次发生，而在所述第一次发生和所述第二次发生之间没有发生所述第一类型的状态转变的任何发生。

5.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

在所述射频产生器的第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第二多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第二多个电压反射系数值；

针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值；

当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值时，根据所述第二多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第二多个负载阻抗值；

使用所述第二多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第二多个有利的射频值，其中对于所述第二多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的反射系数是最小的；

在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第二多个有利的射频值下操作。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述接收所述第二多个电压反射系数值、针对所述第二类型的状态转变将所述一个或多个模型初始化、计算所述第二多个负载阻抗值以及计算所述第二多个有利的射频值在所述第二类型的状态转变的第一次发生期间执行，其中在所述第二类型的状态转变期间，所述控制所述射频产生器在所述第二类型的状态转变的第二次发生期间执行。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二类型的状态转变的所述第二次发生在所述第二类型的状态转变的一个或多个中间发生之后跟随所述第二类型的状态转变的所述第一次发生。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二类型的状态转变的所述第二次发生紧随所述第二类型的状态转变的所述第一次发生，而在所述第二类型的状态转变的所述第一次发生和第二类型的状态转变的所述第二次发生之间没有发生所述第二类型的状态转变的任何发生。

9.根据权利要求5所述的方法，其还包括：

在所述射频产生器的所述第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第一多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第三多个电压反射系数值；

针对所述第一类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值；

当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值时，根据所述第三多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第三多个负载阻抗值；

使用所述第三多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第三多个有利的射频值，其中对于所述第三多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的；

在所述第一类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第三多个有利的射频值下操作。

10.根据权利要求9所述的方法，其还包括：

在所述射频产生器的所述第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第二多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第四多个电压反射系数值；

针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值；

当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值时，根据所述第四多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第四多个负载阻抗值；

使用所述第四多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第四多个有利的射频值，其中对于所述第四多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的；

在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第四多个有利的射频值下操作。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一类型的状态转变期间，所述射频产生器从第一功率电平转变到第二功率电平，其中所述第二功率电平低于所述第一功率电平。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个模型是计算机生成的模型，其中所述一个或多个模型包括射频传输线的模型和射频电缆的模型。

13.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值，包括：当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第一射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第一电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值；

以及

当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第二射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第二电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值。

14.根据权利要求1所述的方法，其中的，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，包括：针对所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第一有利的射频值，所述第一有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第一最小值；以及针对所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第二有利的射频值，所述第二有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第二最小值。

15.一种用于通过使用射频值在状态转变期间减小反射功率的系统，其包括：

处理器，其被配置成，在射频产生器的第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第一多个射频值下操作并且阻抗匹配网络具有第一可变电容时，接收在所述射频产生器的输出端与所述阻抗匹配网络的输入端之间感测到的第一多个电压反射系数值，其中，所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值，其中所述一个或多个模型包括所述阻抗匹配网络的模型；以及存储器装置，其耦合到所述处理器，其中所述存储器装置被配置成存储所述一个或多个模型，

其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第一多个有利的射频值下操作。

16.根据权利要求15所述的系统，

其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第二多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第二多个电压反射系数值，其中，所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值时，根据所述第二多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第二多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第二多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第二多个有利的射频值，其中对于所述第二多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第二多个有利的射频值下操作。

17.根据权利要求16所述的系统，

其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第一多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第三多个电压反射系数值，其中所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值时，根据所述第三多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第三多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第三多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第三多个有利的射频值，其中对于所述第三多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第三多个有利的射频值下操作。

18.根据权利要求16所述的系统，

其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第二多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第四多个电压反射系数值，其中所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值时，根据所述第四多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第四多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第四多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第四多个有利的射频值，其中对于所述第四多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第四多个有利的射频值下操作。

19.根据权利要求15所述的系统，其中在所述第一类型的状态转变期间，所述射频产生器从第一功率电平转变为第二功率电平，其中所述第二功率电平低于所述第一功率电平。

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述一个或多个模型是计算机生成的模型，其中所述一个或多个模型包括射频传输线的模型和射频电缆的模型。

21.根据权利要求15所述的系统，其中为了根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算所述第一多个负载阻抗值，所述处理器被配置成：当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第一射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第一电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值；

以及

当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第二射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第二电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值。

22.根据权利要求15所述的系统，其中，为了使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，所述处理器被配置成：针对所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第一有利的射频值，所述第一有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第一最小值；以及针对所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第二有利的射频值，所述第二有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第二最小值。

23.一种用于通过使用射频值在状态转变期间减小反射功率的系统，其包括：

具有输出端的射频产生器；

阻抗匹配网络，其具有连接到所述射频产生器的所述输出端的输入端；

等离子体室，其经由射频传输线连接到所述阻抗匹配网络；以及

耦合到所述射频产生器的处理器，其中，所述处理器被配置成在所述射频产生器的第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第一多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第一多个电压反射系数值，其中，所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值，其中所述一个或多个模型包括所述阻抗匹配网络的模型，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第一多个有利的射频值下操作。

24.根据权利要求23所述的系统，

其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第二多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第二多个电压反射系数值，其中，所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值时，根据所述第二多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第二多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第二多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第二多个有利的射频值，其中对于所述第二多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第二多个有利的射频值下操作。

25.根据权利要求24所述的系统，

其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第一多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第三多个电压反射系数值，其中所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值时，根据所述第三多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第三多个负载阻抗值，其中所述处理器被配置成，使用所述第三多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第三多个有利的射频值，其中对于所述第三多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第三多个有利的射频值下操作。

26.根据权利要求25所述的系统，

其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第二多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第四多个电压反射系数值，其中所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值，其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值时，根据所述第四多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第四多个负载阻抗值；

其中所述处理器被配置成，使用所述第四多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第四多个有利的射频值，其中对于所述第四多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的；

其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第四多个有利的射频值下操作。

27.根据权利要求23所述的系统，其中在所述第一类型的状态转变期间，所述射频产生器从第一功率电平转变为第二功率电平，其中所述第二功率电平低于所述第一功率电平。

28.根据权利要求23所述的系统，其中所述一个或多个模型是计算机生成的模型，其中所述一个或多个模型包括射频传输线的模型和射频电缆的模型。

29.根据权利要求23所述的系统，其中为了根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算所述第一多个负载阻抗值，所述处理器被配置成：当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第一射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第一电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值；

以及

当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第二射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第二电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值。

30.根据权利要求23所述的系统，其中，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，所述处理器被配置成：针对所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第一有利的射频值，所述第一有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第一最小值；以及针对所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第二有利的射频值，所述第二有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第二最小值。

说明书

在状态转变期间使用射频值减小反射功率的系统和方法

技术领域

[0001] 本发明的实施方式涉及在状态转变期间通过使用射频值减小反射功率的系统和方法。

背景技术

[0002] 等离子体系统用于控制等离子体处理。等离子体系统包含多个射频(RF)源、阻抗匹配和等离子体反应器。工件放置在等离子体室内，并在等离子体室中产生等离子体以处理工件。重要的是，工件以相似或均匀的方式进行处理。为了以类似或均匀的方式处理工件，重要的是调节RF源和阻抗匹配。

[0003] 正是在这样的背景下，产生在本公开中所描述的实施方式。

发明内容

[0004] 本公开的实施方式提供了在状态转变期间通过使用射频值减小反射功率的装置、方法和计算机程序。应当理解的是，这些实施方式可以以多种方式(例如，工艺、装置、系统、硬件零件或计算机可读介质上的方法)来实现。若干实施方式在下文描述。

[0005] 在一些实施方式中，调谐阻抗匹配网络和RF产生器。包括阻抗匹配网络的模型的模型系统计算调谐轨迹。控制阻抗匹配网络和RF产生器的主计算机系统被编程为控制阻抗匹配网络的电动机驱动的可变电容器，并且在RF产生器的两个连续状态之间的转变期间向RF产生器提供频率设定点。

[0006] 在多种实施方式中，控制由RF产生器产生的RF信号的RF脉冲边缘形状。RF脉冲边缘是两个连续状态之间的边缘。

[0007] 在若干实施方式中，在初始状态转变(例如，状态转变ST1或状态转变ST2等)期间计算将应用到RF产生器的RF值。使用模型系统和使用应用在模型系统的输出端处的负载阻抗值计算RF值。计算RF值以最小化模型系统的输入端处的反射系数的值。根据在使用等离子体系统的初始状态转变期间计算的参数值(例如负载阻抗值、电压反射系数值等)来确定负载阻抗值。在与初始状态转变的类型相同的随后的状态转变期间将RF值应用到RF产生器。

[0008] 本文所述的系统和方法的一些优点包括在初始状态转变期间确定RF值，以及在随后的状态转变期间应用RF值。将RF值应用于随后的状态转变有助于最小化朝向RF产生器反射的功率，并提高处理晶片的效率。此外，模型系统用于确定RF值。与等离子体系统的使用相比，模型系统的使用提高了确定RF值的速度。

[0009] 具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：

[0010] 1.一种用于通过使用射频值在状态转变期间减小反射功率的方法，其包括：

[0011] 在射频产生器的第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第一多个射频值下操作并且阻抗匹配网络具有第一可变电容时，接收在所述射频产生器的输出端与所述阻抗匹配网络的输入端之间感测到的第一多个电压反射系数值；

[0012] 针对所述第一类型的状态转变，将一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值，其中所述一个或多个模型包括所述阻抗匹配网络的模型；

[0013] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值；

[0014] 使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的反射系数是最小的；

[0015] 在所述第一类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第一多个有利的射频值下操作。

[0016] 2.根据条款1所述的方法，其中所述接收所述第一多个电压反射系数值、针对所述第一类型的状态转变将所述一个或多个模型初始化、计算所述第一多个负载阻抗值和计算所述第一多个有利的射频值是在所述第一类型的状态转变的第一次发生期间执行，其中所述控制所述射频产生器是在所述第一类型的状态转变的第二次发生期间执行。

[0017] 3.根据条款2所述的方法，其中所述第二次发生在所述第一类型的状态转变的一个或多个中间发生之后跟随第一次发生。

[0018] 4.根据条款2所述的方法，其中所述第二次发生紧随所述第一次发生，而在所述第一次发生和所述第二次发生之间没有发生所述第一类型的状态转变的任何发生。

[0019] 5.根据条款1所述的方法，其还包括：

[0020] 在所述射频产生器的第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第二多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第二多个电压反射系数值；

[0021] 针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值；

[0022] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值时，根据所述第二多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第二多个负载阻抗值；

[0023] 使用所述第二多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第二多个有利的射频值，其中对于所述第二多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的反射系数是最小的；

[0024] 在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第二多个有利的射频值下操作。

[0025] 6.根据条款5所述的方法，其中，所述接收所述第二多个电压反射系数值、针对所述第二类型的状态转变将所述一个或多个模型初始化、计算所述第二多个负载阻抗值以及计算所述第二多个有利的射频值在所述第二类型的状态转变的第一次发生期间执行，其中在所述第二类型的状态转变期间，所述控制所述射频产生器在所述第二类型的状态转变的第二次发生期间执行。

[0026] 7.根据条款6所述的方法，其中所述第二类型的状态转变的所述第二次发生在所述第二类型的状态转变的一个或多个中间发生之后跟随所述第二类型的状态转变的所述第一次发生。

[0027] 8.根据条款6所述的方法，其中所述第二类型的状态转变的所述第二次发生紧随所述第二类型的状态转变的所述第一次发生，而在所述第二类型的状态转变的所述第一次发生和第二类型的状态转变的所述第二次发生之间没有发生所述第二类型的状态转变的任何发生。

[0028] 9.根据条款5所述的方法，其还包括：

[0029] 在所述射频产生器的所述第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第一多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第三多个电压反射系数值；

[0030] 针对所述第一类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值；

[0031] 当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值时，根据所述第三多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第三多个负载阻抗值；

[0032] 使用所述第三多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第三多个有利的射频值，其中对于所述第三多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的；

[0033] 在所述第一类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第三多个有利的射频值下操作。

[0034] 10.根据条款9所述的方法，其还包括：

[0035] 在所述射频产生器的所述第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第二多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第四多个电压反射系数值；

[0036] 针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值；

[0037] 当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值时，根据所述第四多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第四多个负载阻抗值；

[0038] 使用所述第四多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第四多个有利的射频值，其中对于所述第四多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的；

[0039] 在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第四多个有利的射频值下操作。

[0040] 11.根据条款1所述的方法，其中在所述第一类型的状态转变期间，所述射频产生器从第一功率电平转变到第二功率电平，其中所述第二功率电平低于所述第一功率电平。

[0041] 12.根据条款1所述的方法，其中所述一个或多个模型是计算机生成的模型，其中所述一个或多个模型包括射频传输线的模型和射频电缆的模型。

[0042] 13.根据条款1所述的方法，其中根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值，包括：

[0043] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第一射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第一电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值；以及

[0044] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第二射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第二电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值。

[0045] 14.根据条款1所述的方法，其中的，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，包括：

[0046] 针对所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第一有利的射频值，所述第一有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第一最小值；以及[0047] 针对所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第二有利的射频值，所述第二有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第二最小值。

[0048] 15.一种用于通过使用射频值在状态转变期间减小反射功率的系统，其包括：

[0049] 处理器，其被配置成，在射频产生器的第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第一多个射频值下操作并且阻抗匹配网络具有第一可变电容时，接收在所述射频产生器的输出端与所述阻抗匹配网络的输入端之间感测到的第一多个电压反射系数值，[0050] 其中，所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值，其中所述一个或多个模型包括所述阻抗匹配网络的模型；以及

[0051] 存储器装置，其耦合到所述处理器，其中所述存储器装置被配置成存储所述一个或多个模型，

[0052] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值，

[0053] 其中所述处理器被配置成，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的反射系数是最小的，[0054] 其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第一多个有利的射频值下操作。

[0055] 16.根据条款15所述的系统，

[0056] 其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第二多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第二多个电压反射系数值，

[0057] 其中，所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值，

[0058] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值时，根据所述第二多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第二多个负载阻抗值，

[0059] 其中所述处理器被配置成，使用所述第二多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第二多个有利的射频值，其中对于所述第二多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的，

[0060] 其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第二多个有利的射频值下操作。

[0061] 17.根据条款16所述的系统，

[0062] 其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第一多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第三多个电压反射系数值，

[0063] 其中所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值，

[0064] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值时，根据所述第三多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第三多个负载阻抗值，

[0065] 其中所述处理器被配置成，使用所述第三多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第三多个有利的射频值，其中对于所述第三多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，

[0066] 其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第三多个有利的射频值下操作。

[0067] 18.根据条款16所述的系统，

[0068] 其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第二多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第四多个电压反射系数值，

[0069] 其中所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值，

[0070] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值时，根据所述第四多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第四多个负载阻抗值，

[0071] 其中所述处理器被配置成，使用所述第四多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第四多个有利的射频值，其中对于所述第四多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的，

[0072] 其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第四多个有利的射频值下操作。

[0073] 19.根据条款15所述的系统，其中在所述第一类型的状态转变期间，所述射频产生器从第一功率电平转变为第二功率电平，其中所述第二功率电平低于所述第一功率电平。

[0074] 20.根据条款15所述的系统，其中所述一个或多个模型是计算机生成的模型，其中所述一个或多个模型包括射频传输线的模型和射频电缆的模型。

[0075] 21.根据条款15所述的系统，其中为了根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算所述第一多个负载阻抗值，所述处理器被配置成：

[0076] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第一射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第一电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值；以及

[0077] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第二射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第二电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值。

[0078] 22.根据条款15所述的系统，其中，为了使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，所述处理器被配置成：

[0079] 针对所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第一有利的射频值，所述第一有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第一最小值；以及[0080] 针对所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第二有利的射频值，所述第二有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第二最小值。

[0081] 23.一种用于通过使用射频值在状态转变期间减小反射功率的系统，其包括：

[0082] 具有输出端的射频产生器；

[0083] 阻抗匹配网络，其具有连接到所述射频产生器的所述输出端的输入端；

[0084] 等离子体室，其经由射频传输线连接到所述阻抗匹配网络；以及耦合到所述射频产生器的处理器，其中，所述处理器被配置成在所述射频产生器的第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第一多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第一多个电压反射系数值，

[0085] 其中，所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值，其中所述一个或多个模型包括所述阻抗匹配网络的模型，

[0086] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第一多个负载阻抗值，

[0087] 其中所述处理器被配置成，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的反射系数是最小的，[0088] 其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第一多个有利的射频值下操作。

[0089] 24.根据条款23所述的系统，

[0090] 其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在第二多个射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第二多个电压反射系数值，

[0091] 其中，所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值，

[0092] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第二多个射频值时，根据所述第二多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第二多个负载阻抗值，

[0093] 其中所述处理器被配置成，使用所述第二多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第二多个有利的射频值，其中对于所述第二多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的，

[0094] 其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间控制所述射频产生器以在所述第二多个有利的射频值下操作。

[0095] 25.根据条款24所述的系统，

[0096] 其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第一类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第一多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第三多个电压反射系数值，

[0097] 其中所述处理器被配置成，针对所述第一类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值，

[0098] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第一多个有利的射频值时，根据所述第三多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算第三多个负载阻抗值，

[0099] 其中所述处理器被配置成，使用所述第三多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第三多个有利的射频值，其中对于所述第三多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，

[0100] 其中所述处理器被配置成，在所述第一类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第三多个有利的射频值下操作。

[0101] 26.根据条款25所述的系统，

[0102] 其中所述处理器被配置成，在所述射频产生器的所述第二类型的状态转变期间，当所述射频产生器在所述第二多个有利的射频值下操作并且所述阻抗匹配网络具有所述第一步进可变电容时，接收在所述射频产生器的所述输出端与所述阻抗匹配网络的所述输入端之间感测到的第四多个电压反射系数值，

[0103] 其中所述处理器被配置成，针对所述第二类型的状态转变，将所述一个或多个模型初始化为具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值，

[0104] 其中所述处理器被配置成，当所述一个或多个模型具有所述第一步进可变电容和所述第二多个有利的射频值时，根据所述第四多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第二类型的状态转变，来计算第四多个负载阻抗值；

[0105] 其中所述处理器被配置成，使用所述第四多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第四多个有利的射频值，其中对于所述第四多个有利的射频值中的每一个，在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第二类型的状态转变的所述反射系数是最小的；

[0106] 其中所述处理器被配置成，在所述第二类型的状态转变期间，控制所述射频产生器以在所述第四多个有利的射频值下操作。

[0107] 27.根据条款23所述的系统，其中在所述第一类型的状态转变期间，所述射频产生器从第一功率电平转变为第二功率电平，其中所述第二功率电平低于所述第一功率电平。

[0108] 28.根据条款23所述的系统，其中所述一个或多个模型是计算机生成的模型，其中所述一个或多个模型包括射频传输线的模型和射频电缆的模型。

[0109] 29.根据条款23所述的系统，其中为了根据所述第一多个电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来计算所述第一多个负载阻抗值，所述处理器被配置成：

[0110] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第一射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第一电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值；以及

[0111] 当所述一个或多个模型具有所述第一可变电容和所述第一多个射频值中的第二射频值时，根据所述第一多个电压反射系数值中的第二电压反射系数值使用所述一个或多个模型，针对所述第一类型的状态转变，来确定所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值。

[0112] 30.根据条款23所述的系统，其中，使用所述第一多个负载阻抗值和所述一个或多个模型来计算第一多个有利的射频值，其中对于所述第一多个有利的射频值，在所述一个或多个模型的输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数是最小的，所述处理器被配置成：

[0113] 针对所述第一多个负载阻抗值中的第一负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第一有利的射频值，所述第一有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第一最小值；以及[0114] 针对所述第一多个负载阻抗值中的第二负载阻抗值确定所述第一多个有利的射频值中的第二有利的射频值，所述第二有利的射频值使得在所述一个或多个模型的所述输入端处的用于所述第一类型的状态转变的所述反射系数具有第二最小值。

[0115] 根据结合附图的以下详细描述，其它方面将变得显而易见。

附图说明

[0116] 通过参考结合附图的以下描述来理解实施方式。

[0117] 图1是等离子体系统的实施方式的示意图，其用以说明使用模型系统生成用于状态转变ST1的多个负载阻抗ZL1(ST1)n。

[0118] 图2是模型系统的实施方式的示意图，其被初始化为具有多个射频值RF1(ST1)m和可变电容C1以确定多个射频值RFotpimum1(ST1)@C1n。

[0119] 图3是等离子体系统的实施方式的示意图，其用以说明使用模型系统生成用于状态转变ST2的多个负载阻抗ZL1(ST2)n。

[0120] 图4是被初始化为具有多个射频值RF1(ST2)o和可变电容C1以确定多个射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的模型系统的实施方式的示意图。

[0121] 图5是等离子体系统的实施方式的示意图，其用以说明使用电容值Coptimum1以产生用于状态转变ST1的步进组合可变电容值(step combined variable capacitance value)Cstep1，以及用以说明使用值RFoptimum1(ST1)@C1n来产生用于状态转变ST1的在输出端处的多个负载阻抗ZL2(ST1)n。

[0122] 图6是被初始化为具有射频值RFoptimum1(ST1)@C1n和可变电容Cstep1以确定多个射频值RFotpimum1(ST1)@Cstep1n的模型系统的实施方式的示意图。

[0123] 图7是等离子体系统的实施方式的示意图，其用以说明在状态转变ST2期间使用电容值Coptimum1以应用步进组合可变电容值Cstep1，以及使用值RFoptimum1(ST2)@C1n以在模型系统的输出端处生成多个负载阻抗ZL2(ST2)n。

[0124] 图8是被初始化为具有多个射频值RFoptimum1(ST2)@C1n和可变电容Cstep1以确定多个射频值RFotpimum1(ST2)@Cstep1n的模型系统的实施方式的示意图。

[0125] 图9是等离子体系统的实施方式的示意图，其用以说明使用电容值Coptimum2以及使用射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n以在状态转变ST1期间处理晶片W。

[0126] 图10是等离子体系统的实施方式的示意图，其用以说明使用电容值Coptimum2以及使用射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n以在状态转变ST2期间处理晶片W。

[0127] 图11是用以说明由RF产生器产生的RF信号的状态转变ST1和ST2的曲线图的实施方式。

[0128] 图12是用以说明由RF产生器产生的RF信号的多于两种状态和RF信号的多于两种状态转变的曲线图的实施方式。

具体实施方式

[0129] 以下实施方式描述了用于在状态转变期间通过使用射频(RF)值减小反射功率的系统和方法。显然，可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践这些实施方式。在其他情况下，没有详细描述公知的处理操作，以免不必要地使这些实施方式难以理解。

[0130] 图1是等离子体系统100的实施方式的示意图，其用以说明使用模型系统102产生用于状态转变ST1的多个负载阻抗ZL1(ST1)n。等离子体系统100包括射频(RF)产生器104、阻抗匹配网络106和等离子体室108。等离子体系统100包括主计算机系统110、驱动组件112和一个或多个连接机构114。

[0131] 等离子体室108包括上电极116、卡盘118和晶片W。上电极116面向卡盘118并且接地，例如耦合到参考电压，耦合到零电压，耦合到负电压等。卡盘118的示例包括静电卡盘(ESC)和磁性卡盘。卡盘118的下电极由金属制成，例如由阳极氧化铝、铝合金等制成。在多种实施方式中，卡盘118的下电极是由陶瓷层覆盖的薄金属层。此外，上电极116由金属(例如铝、铝合金等)制成。在一些实施方式中，上电极116由硅制成。上电极116定位成与卡盘118的下电极相对并面对卡盘118的下电极。晶片W放置在卡盘118的顶表面120上，以供处理，例如，在晶片W上沉积材料，或清洁晶片W，或在晶片W上沉积蚀刻层，或对晶片W进行掺杂，或在晶片W上注入离子，或在晶片W上形成光刻图案，或蚀刻晶片W，或溅射晶片W，或它们的组合。

[0132] 在一些实施方式中，等离子体室108使用附加部件形成，例如，围绕上电极116的上电极延伸部、围绕卡盘118的下电极的下电极延伸部、介于上电极电极116和上电极延伸部之间的介电环、介于下电极和下电极延伸部之间的介电环、位于上电极116和卡盘118的边缘处以围绕等离子体室108内的形成等离子体的区域的约束环等等。

[0133] 阻抗匹配网络106包括相互耦合的一个或多个电路部件，例如一个或多个电感器、或一个或多个电容器、或一个或多个电阻器、或它们的组合或它们中的两者或多者等等。例如，阻抗匹配网络106包括串联电路，该串联电路包括与电容器串联耦合的电感器。阻抗匹配网络106还包括连接到串联电路的并联电路。并联电路包括与电感器串联连接的电容器。阻抗匹配网络106包括一个或多个电容器，并且该一个或多个电容器(例如，所有可变电容器等)的对应电容是可变的，例如使用驱动组件等来改变。阻抗匹配网络106包括一个或多个具有固定电容的电容器，例如其不能使用驱动组件112等改变。阻抗匹配网络106的一个或多个可变电容器的组合可变电容是值C1。例如，将一个或多个可变电容器的对应的相对定位的板调节到处于固定位置以设置可变电容C1。在具有申请No.14/245,803的专利申请中提供了阻抗匹配网络106的示例。

[0134] 在多种实施方式中，生成每个匹配网络模型(例如，x MHz RF产生器、y MHz RF产生器和z MHz RF产生器中的每个有一个匹配网络模型)以在窄频带中操作。例如，60MHz RF产生器在窄带(例如在57和63MHz之间等)下操作。虽然在一些实施方式中，许多电路元件用于精确地对在预定范围(例如从直流(DC)功率到200MHz)内操作的阻抗匹配网络106的分支电路建模，但在若干实施方式中，使用在较窄范围内对分支电路的操作建模的简化版本，所述较窄范围例如在从以60MHz等为中心的频率的预定百分比的范围内。预定百分比范围的示例是从60MHz(1-5％)至60MHz(1+5％)。预定百分比范围的另一示例是从60MHz(1-4％)至60MHz(1+4％)。相比于阻抗匹配网络的电路部件的数量，简化版本具有较少数量的电路元件

[0135] 在一些实施方式中，模型系统102包括阻抗匹配网络106的计算机生成的模型。例如，模型系统102由主计算机系统110的处理器134生成。匹配网络模型从阻抗匹配网络106的分支导出，例如，表示阻抗匹配网络106的分支等。例如，当x兆赫兹(MHz)RF产生器连接到阻抗匹配网络106的分支电路时，匹配网络模型表示阻抗匹配网络106的分支电路的电路，例如是该分支电路的电路的计算机生成的模型等等。又例如，匹配网络模型不具有数量与阻抗匹配网络106的电路部件的数量相同的电路部件。

[0136] 在一些实施方式中，相比于阻抗匹配网络106的电路部件的数量，匹配网络模型具有较少数量的电路元件。例如，匹配网络模型是阻抗匹配网络106的分支电路的简化形式。又例如，阻抗匹配网络106的分支电路的多个可变电容器的可变电容被组合成由匹配网络模型的一个或多个可变电容元件表示的组合可变电容，阻抗匹配网络106的分支电路的多个固定电容器的固定电容组合成由匹配网络模型的一个或多个固定电容元件表示的组合固定电容，和/或阻抗匹配网络106的分支电路的多个固定电感器的电感组合成由匹配网络模型的一个或多个电感元件表示的组合电感，和/或阻抗匹配网络106的分支电路的多个电阻器的电阻组合成由匹配网络模型的一个或多个电阻元件表示的固定电阻。又例如，串联的电容器的电容通过以下方式组合：求每个电容的倒数以产生多个电容倒数，对该多个电容倒数求和以产生组合电容倒数，以及通过求组合电容倒数的倒数以产生组合电容。举另一示例而言，将串联连接的电感器的多个电感求和以产生组合电感，并且串联的电阻器的多个电阻被组合以产生组合电阻。阻抗匹配网络106的分支电路的所有固定电容器的所有固定电容被组合成匹配网络模型的一个或多个固定电容元件的组合固定电容。匹配网络模型的其他示例在具有申请No.14/245,803的专利申请中提供。此外，在具有申请No.14/245,
803的专利申请中描述了从阻抗匹配网络生成匹配网络模型的方式。

[0137] 在一些实施方式中，匹配网络模型根据具有三个分支的阻抗匹配网络106的原理图生成，x MHz RF产生器、y MHz RF产生器和z MHz RF产生器中的每一个使用一个分支。三个分支在阻抗匹配网络106的输出端140处彼此连接。该原理图最初包括不同组合的多个电感器和电容器。对于单独考虑的三个分支之一，匹配网络模型表示三个分支之一。电路元件通过输入设备添加到匹配网络模型，下面提供其示例。添加的电路元件的示例包括先前未包括在原理图中的电阻器，以解释阻抗匹配网络106的分支中的功率损耗，包括先前未包括在原理图中的电感器，以表示各种连接RF带的电感，并且包括先前未包括在原理图中的电容器，以表示寄生电容。此外，由于阻抗匹配网络106的物理尺寸，一些电路元件经由输入设备被进一步添加到原理图以表示阻抗匹配网络106的分支的传输线性质。例如，阻抗匹配网络106的分支中的一个或多个电感器的展开长度与经由一个或多个电感器传送的RF信号的波长相比不可忽略。为了解决这种影响，原理图中的电感器被分成2个或更多个电感器。此后，通过输入设备从原理图去除一些电路元件以生成匹配网络模型。

[0138] 在多种实施方式中，匹配网络模型具有与阻抗匹配网络106的分支电路的拓扑(例如电路元件之间的连接、电路元件数量等)相同的拓扑。例如，如果阻抗匹配网络106的分支电路包括与电感器串联耦合的电容器，则匹配网络模型包括与电感器串联耦合的电容器。在该示例中，阻抗匹配网络106的分支电路的电感器与匹配网络模型的电感器具有相同的值，并且阻抗匹配网络106的分支电路的电容器与匹配网络模型的电容器具有相同的值。又例如，如果阻抗匹配网络106的分支电路包括与电感器并联耦合的电容器，则匹配网络模型包括与电感器并联耦合的电容器。在该示例中，阻抗匹配网络106的分支电路的电感器与匹配网络模型的电感器具有相同的值，并且阻抗匹配网络106的分支电路的电容器与模型系统102的电容器具有相同的值。又例如，匹配网络模型的电路元件与阻抗匹配网络106的电路部件具有相同的数量和相同的类型，并且匹配网络模型的在电路元件之间的连接类型与电路部件之间的连接类型相同。电路元件的类型的示例包括电阻器、电感器和电容器。连接类型的示例包括串联、并联等。

[0139] 在多种实施方式中，模型系统102包括匹配网络模型和RF传输模型的组合。匹配网络模型的输入端是输入端142。RF传输模型串联连接到匹配网络模型的输出端并具有输出端144。以与匹配网络模型根据阻抗匹配网络106导出的方式类似的方式，RF传输模型根据RF传输线132导出。例如，RF传输模型具有根据RF传输线132的电感、电容和/或电阻导出的电感、电容和/或电阻。又例如，RF传输模型的电容与RF传输线132的电容匹配，RF传输模型的电感与RF传输线132的电感匹配，并且RF传输模型的电阻与RF传输线132的电阻匹配。

[0140] 在一些实施方式中，模型系统102包括RF电缆模型、匹配网络模型和RF传输模型的组合。RF电缆模型的输入端是输入端142。RF电缆模型的输出端连接到匹配网络模型的输入端，并且匹配网络模型的输出端连接到RF传输模型的输入端。RF传输模型具有输出端144。RF电缆模型以与匹配网络模型从阻抗匹配网络106导出的方式类似的方式从RF电缆130导出。例如，RF电缆模型具有根据RF电缆130的电感、电容和/或电阻导出的电感、电容、和/或电阻。又例如，RF电缆模型的电容与RF电缆130的电容匹配，RF电缆模型的电感与RF电缆130的电感匹配，并且RF电缆模型的电阻与RF电缆130的电阻匹配。

[0141] 此外，RF产生器104包括用于产生RF信号的RF电源122。RF产生器104包括连接到RF产生器104的输出端126的传感器124，例如复阻抗传感器、复电流和电压传感器、复反射系数传感器、复电压传感器、复电流传感器等。输出端126经由RF电缆130连接到阻抗匹配网络106的分支电路的输入端128。阻抗匹配网络106经由RF传输线132连接到等离子体室108，RF传输线132包括RF杆和围绕RF杆的RF外部导体。

[0142] 驱动组件112包括驱动器(例如，一个或多个晶体管等)和电动机，并且电动机经由连接机构114连接到阻抗匹配网络106的可变电容器。连接机构114的示例包括一个或多个杆或通过齿轮彼此连接的杆等。连接机构114连接到阻抗匹配网络106的可变电容器。例如，连接机构114连接到属于经由输入端128连接到RF产生器104的分支电路的一部分的可变电容器。

[0143] 应当注意，在阻抗匹配网络106包括连接到RF产生器104的分支电路中的多于一个的可变电容器的情况下，驱动组件112包括用于控制多于一个可变电容器的单独的电动机，并且每个电动机通过相应的连接机构连接到相应的可变电容器。在这种情况下，多个连接机构被称为连接机构114。

[0144] RF产生器104是x MHz RF产生器、y MHz RF产生器或者z MHz RF产生器。在一些实施方式中，x MHz RF产生器的示例包括2MHz RF产生器，y MHz RF产生器的示例包括27MHz RF产生器，z MHz RF产生器的示例包括60MHz RF产生器。在多种实施方式中，x MHz RF产生器的示例包括400kHz RF产生器，y MHz RF产生器的示例包括27MHz RF产生器，z MHz RF产生器的示例包括60MHz RF产生器。

[0145] 应当注意，在等离子体室100中使用两个RF产生器(例如x MHz RF产生器和y MHz RF产生器等)的情况下，两个RF产生器中的一个连接到阻抗匹配网络106的输入端128，并且两个RF产生器中的另一个连接到阻抗匹配网络106的另一输入端。类似地，在等离子体室108中使用三个RF产生器(例如x MHz RF产生器、y MHz RF产生器和z MHz RF产生器等)的情况下，RF产生器中的一个RF产生器连接到输入端128，RF产生器中的第二个RF产生器连接到阻抗匹配网络106的第二输入端，并且RF产生器中的第三个RF产生器连接到阻抗匹配网络106的第三输入端。输出端140经由阻抗匹配网络106的分支电路连接到输入端128。在使用三个RF产生器的实施方式中，输出端140经由阻抗匹配网络106的第二电路分支连接到第二输入端，并且输出端140经由阻抗匹配网络106的第三电路分支连接到第三输入端。

[0146] 主计算机系统110包括处理器134和存储器装置137。存储器装置137存储模型系统102。从存储器装置137访问模型系统102以由处理器134执行。主计算机110的示例包括膝上型计算机、或台式计算机、或平板、或智能电话等。如本文所使用的，不是使用处理器，而是使用中央处理单元(CPU)、控制器、专用集成电路(ASIC)、或可编程逻辑器件(PLD)，并且这些术语在本文中可互换使用。存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、硬盘、易失性存储器、非易失性存储器、冗余阵列存储盘、闪存等。传感器124经由网络电缆136连接到主计算机系统110。这里使用的网络电缆的示例是用于以串行方式、或以并行方式、或者使用通用串行总线(USB)协议等传输数据的电缆。

[0147] 在状态转变ST1期间，RF产生器104在从状态S1到状态S2的转变ST1期间在多个射频值RF1(ST1)m下操作，其中m是大于零的整数。射频值RF1(ST1)m的示例包括RF1(ST1)1、RF1(ST1)2、RF1(ST1)3等。例如，处理器134提供包括用于状态转变ST1的射频值RF1(ST1)m以及多个功率电平给RF产生器104。状态转变的示例包括从第一状态(例如S1等)到第二状态(例如S2等)的转变。状态转变S1比状态S2具有较大的功率电平。例如，状态S1具有由RF产生器104产生的RF信号的功率包络，并且功率包络的功率值大于在状态S2期间RF信号的功率包络的功率值。RF产生器104在状态S1和S2之间操作。在状态S1期间，RF信号具有的功率电平(例如，一个或多个功率量、该一个或多个功率量的均方根功率量等)比在状态S2期间的RF信号的功率电平大。类似地，在一些实施方式中，在状态S1期间，RF信号具有的频率电平(一个或多个频率量、该一个或多个频率量的均方根频率量等)大于或小于在状态S2期间的RF信号的频率电平。在一些实施方式中，状态S1在这里被称为高状态，并且状态S2在这里被称为低状态。

[0148] 在一些实施方式中，在状态S2期间，RF信号具有比在状态S1期间的RF信号的功率电平大的功率电平。类似地，在这些实施方式中，在状态S2期间，RF信号具有的频率电平(一个或多个频率量、该一个或多个频率量的均方根频率量、RF的包络的频率电平等)大于或小于在状态S1期间的RF信号的频率电平。在这些实施方式中，状态S1在这里被称为低状态，并且状态S2在这里被称为高状态。

[0149] 在多种实施方式中，在状态S2期间，RF信号具有与在状态S1期间的RF信号的功率电平相等的功率电平。

[0150] 在使用多个RF产生器的一些实施方式中，由这些RF产生器中的第一RF产生器产生的RF信号的状态S1比由该第一RF产生器产生的RF信号的状态S2具有较高的功率电平。此外，由这些RF产生器中的第二RF产生器产生的RF信号的状态S2比由该第二RF产生器产生的RF信号的状态S1具有较高的功率电平。此外，类似地，在这些实施方式中，由第一RF产生器产生的RF信号的状态S1比由第一RF产生器产生的RF信号的状态S2具有较高或较低的频率电平。此外，由第二RF产生器产生的RF信号的状态S2比由第二RF产生器产生的RF信号的状态S1具有较高或较低的频率电平。

[0151] 在多种实施方式中，在状态S2期间的RF信号的频率电平大于还是小于在状态S1期间的RF信号的频率电平与在状态S2期间的RF信号的功率电平是大于还是小于在状态S1期间的RF信号的功率电平无关。

[0152] 在一些实施方式中，如本文所使用的电平(例如，频率电平、功率电平等)包括一个或多个值，以及第一状态(例如状态S1、状态S2等)的电平具有不同于与第一状态不同的第二状态(例如，状态S1、状态S2等)的电平的值的值。例如，在状态S1期间的RF信号的功率值中没有一个与状态S2期间的RF信号的功率值相同。举另一示例而言，在状态S1期间的RF信号的频率值中没有一个与在状态S2期间的RF信号的频率值相同。

[0153] 在若干实施方式中，状态转变指的是RF信号的两个频率电平之间的转变。例如，状态转变ST1是从RF信号的状态S1的一种频率电平转变到RF信号的状态S2的另一频率电平。又例如，状态转变ST2是从RF信号的状态S2的另一频率水平转变到RF信号的状态S1的频率电平。

[0154] 在各种实施方式中，RF产生器104从处理器134或从主计算机系统110内的时钟源(例如，振荡器等)接收时钟信号，并且与时钟信号同步地在状态S1和S2交替。举例而言，当时钟信号脉冲为高时，RF产生器104产生具有状态S1的RF信号，并且当时钟信号为低时，RF产生器104产生具有状态S2的RF信号。当时钟信号从高到低脉冲时，RF信号从状态S1脉冲到状态S2，并且经由状态转变ST1从状态S1转变到状态S2。当时钟信号从低到高脉冲时，RF信号从状态S2脉冲到状态S1，并且经由状态转变ST2从状态S2转变到状态S1。RF产生器104经由连接到RF产生器104和主计算机系统110的网络电缆138接收配方，并且RF产生器104的数字信号处理器(DSP)向RF电源122提供配方。RF电源122生成具有射频频率值RF1(ST1)m和配方中所描述的功率电平的RF信号。

[0155] 阻抗匹配网络106被初始化为具有组合可变电容C1。例如，处理器134向驱动组件112的驱动器发送信号以产生一个或多个电流信号。一个或多个电流信号由驱动器产生并被发送到驱动组件112的相应的一个或多个电动机的相应的一个或多个定子。驱动组件112的与相应的一个或多个定子电场连接的一个或多个转子旋转以移动连接机构114，从而将阻抗匹配网络106的分支电路的组合可变电容改变为C1。具有组合可变电容C1的阻抗匹配网络106的分支电路经由输入端128和RF电缆130从输出端126接收具有射频值RF1(ST1)m的RF信号，并且使连接到阻抗匹配网络106的负载的阻抗与连接到阻抗匹配网络106的源的阻抗匹配以产生属于RF信号的经修改的信号。负载的示例包括等离子体室108和RF传输线
132。源的示例包括RF电缆130和RF产生器104。经修改的信号从阻抗匹配网络106的分支电路的输出端140经由RF传输线132提供到卡盘118。当经修改的信号结合一种或多种处理气体(例如，含氧气体、含氟气体等)提供给卡盘118时，在卡盘118和上电极116之间的间隙中产生或保持等离子体。

[0156] 在产生具有射频RF1(ST1)m的RF信号，并且阻抗匹配网络106具有组合可变电容C1时，传感器124感测在输出端126处的多个电压反射系数Γmi1(ST1)n并且通过网络电缆136将电压反射系数Γmi1(ST1)n提供给处理器134，其中n是大于零的整数。例如，在状态转变ST1期间，传感器124以预定的周期性时间间隔测量电压反射系数Γmi1(ST1)n，例如每几微秒、每0.5微秒、每10微秒等等测量电压反射系数Γmi1(ST1)n，其中n是时间间隔的数量且与电压反射系数Γmi1(ST1)n的数量相同。进一步举例而言，传感器124在状态转变ST1期间测量在离状态S1结束4微秒时的电压反射系数Γmi1(ST1)1，以及在离状态S1结束8微秒时的电压反射系数Γmi1(ST1)2。电压反射系数的示例包括从等离子体室108朝向RF产生器104反射的电压与在由RF产生器104产生的RF信号内提供的电压的比率。

[0157] 处理器134根据电压反射系数Γmi1(ST1)n计算多个阻抗Zmi1(ST1)n。例如，处理器134通过应用等式(1)以及求解Zmi1(ST1)1来计算阻抗Zmi1(ST1)1，等式(1)为Γmi1(ST1)1＝(Zmi1(ST1)1–Zo)/(Zmi1(ST1)1+Zo)，其中Zo是RF传输线132的特性阻抗。举另一示例而言，处理器134通过应用等式(2)并求解Zmi1(ST1)2来计算阻抗Zmi1(ST1)2，等式(2)为Γmi1(ST1)2＝(Zmi1(ST1)2–Zo)/(Zmi1(ST1)2+Zo)。阻抗Zo经由输入设备(鼠标、键盘、触笔、键盘、按钮、触摸屏等)提供给处理器134，该输入设备经由例如串行接口、并行接口、USB接口等输入/输出接口连接到处理器134。在一些实施方式中，传感器124测量阻抗Zmi1(ST1)n并通过网络电缆136将阻抗Zmi1(ST1)n提供给处理器134。

[0158] 阻抗Zmi1(ST1)n由处理器134应用到模型系统102的输入端142，并且经由模型系统102正向传导以计算在模型的输出端144的多个负载阻抗ZL1(ST1)n。模型系统102由处理器134初始化以具有组合可变电容C1和多个射频值RF1(ST1)m。例如，阻抗Zmi1(ST1)1由处理器134经由模型系统102的一个或多个电路元件正向传导，以生成负载阻抗ZL1(ST1)1。举例而言，模型系统102被初始化为具有射频RF1(ST1)1和组合可变电容C1。当模型系统102包括电阻元件、电感元件、固定电容元件和可变电容元件的串联组合时，处理器134计算在模型系统102的输入端142接收的阻抗Zmi1(ST1)1、跨电阻元件的复阻抗、跨电感元件的复阻抗、以及跨具有可变电容C1的可变电容元件的复阻抗、和跨固定电容元件的复阻抗的定向和，以产生负载阻抗ZL1(ST1)1。举另一示例而言，阻抗Zmi1(ST1)2由处理器134经由模型系统102的一个或多个电路元件正向传导，以生成负载阻抗ZL1(ST1)2。举例而言，模型系统102被初始化为具有射频RF1(ST1)2和组合可变电容C1。当模型系统102包括电阻元件、电感元件、固定电容元件和可变电容元件的串联组合时，处理器134计算在模型系统102的输入端142处接收到的阻抗Zmi1(ST1)2、跨电阻元件的复阻抗、跨电感元件的复阻抗、以及跨具有可变电容C1的可变电容元件的复阻抗、和跨固定电容元件的复阻抗的定向和，以产生负载阻抗ZL1(ST1)2。

[0159] 在多种实施方式中，不是测量在输出端126处的电压反射系数，而是在从输出端126到输入端128并包括输出端126和输入端128的RF电缆130上的任何点处测量电压反射系数。例如，传感器124连接到RF电源122和阻抗匹配网络106之间的点，以测量电压反射系数。

[0160] 在一些实施方式中，状态转变ST1在这里被称为状态转变的一种类型，并且状态转变ST2在这里被称为状态转变的一种类型。

[0161] 在一些实施方式中，由处理器134根据预先分配的权重来将每个测得的电压反射系数Γmi1(ST1)n加权。由处理器134应用到电压反射系数Γmi1(ST1)n的权重由处理器134经由输入设备接收作为输入，并且基于工程知识和/或工艺条件来确定。代替应用电压反射系数Γmi1(ST1)n，而是应用加权电压反射系数wΓmi1(ST1)n以确定负载阻抗ZL1(ST1)n，其中，w表示权重。

[0162] 工艺条件的实例包括RF产生器104的操作的各种频率值，或上电极116与卡盘118之间的间隙，或等离子体室108内的温度，或等离子体室108内的压力，或由RF产生器104产生的RF信号的功率值，等离子体室108内的气体的化学性质，或其中的两者或更多者的组合。举例而言，工艺条件1包括由RF产生器104产生的RF信号的频率值frq1，由RF产生器104产生的RF信号的功率值pwr1，等离子体室108内的温度tmp1，等离子体室108内的压力pr1，gp1毫米(mm)的间隙以及两种工艺气体的化学性质。工艺条件2包括由RF产生器104产生的RF信号的频率值frq2，由RF产生器104产生的RF信号的功率值pwr2，等离子体室108内的温度tmp1，在等离子体室108内的压力pr1，gp1mm的间隙，以及两种处理气体的化学性质。

[0163] 图2是被初始化为具有射频值RF1(ST1)m和可变电容C1以确定多个射频值RFoptimum1(ST1)@C1n的模型系统102的实施方式的示意图。对于射频值RFotpimum1(ST1)@C1n中的每一个，输入端142处的用于状态ST1的电压反射系数Γ(ST1)是最小的。处理器134根据负载阻抗ZL1(ST1)n和模型系统102计算多个射频值RFoptimum1(ST1)n。对于射频值RFotpimum1(ST1)@C1n中的每一个，电压反射系数Γ(ST1)是电压反射系数Γ(ST1)的多个值中的最小值。例如，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST1)1和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST1)1，以确定在输入端142生成用于状态转变ST1的输入阻抗Z1的射频值RFoptimum1(ST1)@C11。处理器134以与上述使用等式(1)的方式类似的方式根据输入阻抗Z1计算电压反射系数Γ(ST1)1。此外，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST1)1和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST1)1，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z2的射频值RFoptimum1(ST1)@C1_1。处理器134以与上述使用等式(1)的方式类似的方式根据输入阻抗Z2计算电压反射系数Γ(ST1)2。处理器134确定电压反射系数Γ(ST1)1小于电压反射系数Γ(ST1)2，并且确定射频值RFoptimum1(ST1)@C11是使得电压反射系数Γ(ST1)1是最小值的射频值。

[0164] 举另一示例而言，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST1)2和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST1)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z3的射频值RFoptimum1(ST1)@C12。处理器134以与上述使用等式(2)的方式类似的方式根据输入阻抗Z3计算电压反射系数Γ(ST1)3。此外，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST1)2和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST1)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z4的射频值RFoptimum1(ST1)@C1_2。处理器134以与上述使用等式(2)的方式类似的方式根据输入阻抗Z4计算电压反射系数Γ(ST1)4。处理器134确定电压反射系数Γ(ST1)3小于电压反射系数Γ(ST1)4，并且确定射频值RFoptimum1(ST1)@C12是使得电压反射系数Γ(ST1)3为最小值的射频值。

[0165] 应当注意，值ZL1(ST1)1根据负载值Zmi1(ST1)1确定，负载值Zmi1(ST1)1是从状态S1结束起第一时间周期结束(例如t1等)时测得的。值ZL1(ST1)2根据负载值Zmi1(ST1)2确定，负载值Zmi1(ST1)2是从状态S1结束起、从时间周期t1开始的第二时间周期结束(例如t2等)时测得的。在一些实施方式中，在状态转变期间的第二时间周期t2与第一时间周期t1从状态S1连续，并且长度等于在状态转变期间的第一时间周期。在多种实施方式中，电压反射系数Γ(ST1)1在用于第一时间周期的所有电压反射系数中是最小值，并且电压反射系数Γ(ST1)2在用于第二时间周期的所有电压反射系数中是最小值。

[0166] 在一些实施方式中，由处理器134执行非线性最小二乘优化例程以根据负载阻抗ZL1(ST1)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST1)@C1n。对于射频值RFoptimum1(ST1)@C1n中的每一个，用于状态转变ST1的电压反射系数Γ(ST1)是最小的。在多种实施方式中，预定等式由处理器134应用以从负载阻抗ZL1(ST1)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST1)@C1n。

[0167] 在多种实施方式中，使得输入端142处的电压反射系数Γ最小的模型系统102的射频的值在这里被称为有利的RF值。

[0168] 在一些实施方式中，RF值在本文中有时被称为“参数值”。此外，电容在本文中有时被称为“可测量因子”。

[0169] 图3是等离子体系统100的实施方式的示意图，其用以说明使用模型系统102产生用于状态转变ST2的多个负载阻抗ZL1(ST2)n。由RF产生器104产生的RF信号的状态转变ST2是从状态S2到状态S1。在状态转变ST2期间，RF产生器104在多个射频值RF1(ST2)o下操作，并且晶片W放置在顶表面120上以供处理，其中o是大于零的整数。例如，处理器134向RF产生器104提供包括射频值RF1(ST2)o和用于状态转变ST2的多个功率电平的配方。RF产生器104经由连接到RF产生器104和主计算机系统110的网络电缆138接收配方，并且RF产生器104的DSP向RF电源122提供配方。RF电源122生成具有射频频率值RF1(ST2)o和配方中所描述的功率电平的RF信号。

[0170] 阻抗匹配网络106被初始化为具有组合可变电容C1。具有组合可变电容C1的阻抗匹配网络106的分支电路经由输入端128和RF电缆130从输出端126接收具有射频值RF1(ST2)o的RF信号，并且使连接到阻抗匹配网络106的负载的阻抗与连接到阻抗匹配网络106的源的阻抗匹配以产生经修改的信号。经修改的信号从阻抗匹配网络106的分支电路的输出端140经由RF传输线132提供给卡盘118。当经修改的信号结合一种或多种处理气体提供给卡盘118时，在卡盘118和上电极116之间的间隙中产生或保持等离子体。

[0171] 在状态转变ST2期间，当产生具有射频值RF1(ST2)o的RF信号，并且阻抗匹配网络106具有组合可变电容C1时，传感器124感测在输出端126处的多个电压反射系数Γmi1(ST2)n并且通过网络电缆136将该电压反射系数提供给处理器134。与针对状态转变ST1的情况类似，在状态转变ST2期间，在从状态S2结束起的周期性时间间隔n处测量电压反射系数Γmi1(ST2)。例如，在从状态S2结束起的第一时间段t1结束时测量电压反射系数Γmi1(ST2)1，并且在从状态S2结束起的第一时间周期t1结束起的第二时间周期t2结束时测量电压反射系数Γmi1(ST2)2。处理器134根据电压反射系数Γmi1(ST2)n计算多个阻抗Zmi1(ST2)n。例如，处理器134通过应用等式(3)以及求解Zmi1(ST2)1来计算阻抗Zmi1(S2)1，等式(3)为Γmi1(ST2)1＝(Zmi1(ST2)1–Zo)/(Zmi1(ST2)1+Zo)。举另一示例而言，处理器134通过应用等式(4)并求解Zmi1(ST2)2来计算阻抗Zmi1(ST2)2，等式(4)为Γmi1(ST2)2＝(Zmi1(ST2)2–Zo)/(Zmi1(ST2)2+Zo)。在一些实施方式中，传感器124测量阻抗Zmi1(ST2)n并通过网络电缆136将阻抗Zmi1(ST2)n提供给处理器134。

[0172] 阻抗Zmi1(ST2)n由处理器134应用到模型系统102的输入端142，并且经由模型系统102正向传导以计算在模型的输出端144的多个负载阻抗ZL1(ST2)n。例如，模型系统102被初始化以具有射频值RF1(ST2)o和可变电容C1。当模型系统102包括电阻元件、电感元件、固定电容元件和可变电容元件的串联组合时，处理器134计算在模型系统102的输入端142接收的阻抗Zmi1(ST2)1、跨电阻元件的复阻抗、跨电感元件的复阻抗、以及跨具有可变电容C1的可变电容元件的复阻抗、和跨固定电容元件的复阻抗的定向和，以产生负载阻抗ZL1(ST2)1。处理器134计算在模型系统102的输入端142处接收到的阻抗Zmi1(ST2)2、跨电阻元件的复阻抗、跨电感元件的复阻抗、以及跨具有可变电容C1的可变电容元件的复阻抗、和跨固定电容元件的复阻抗的定向和，以产生负载阻抗ZL1(ST2)2。

[0173] 在一些实施方式中，由处理器134根据预先分配的权重来将每个测得的电压反射系数Γmi1(ST2)n加权。由处理器134应用到电压反射系数Γmi1(ST2)n的权重由处理器134经由输入设备接收作为输入，并且基于工程知识和/或工艺条件来确定。代替应用电压反射系数Γmi1(ST2)n，应用加权电压反射系数wΓmi1(ST2)n以确定负载阻抗ZL1(ST2)n，其中，w表示权重。

[0174] 图4是被初始化为具有射频值RF1(ST2)o和可变电容C1以确定多个射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的模型系统102的实施方式的示意图。对于射频值RFoptimum1(ST2)@C1n中的每一个，输入端142处的用于状态ST2的电压反射系数Γ(ST2)在Γ(ST2)的多个值中是最小的。例如，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST2)1和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST2)1，以确定在输入端142生成用于状态转变ST2的输入阻抗Z5的射频值RFoptimum1(ST2)@C11。处理器134以与上述使用等式(1)的方式类似的方式根据输入阻抗Z5计算电压反射系数Γ(ST2)5。此外，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST2)1和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST2)1，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST2的输入阻抗Z6的射频值RFoptimum1(ST2)@C1_1。处理器134以与上述使用等式(1)的方式类似的方式根据输入阻抗Z6计算电压反射系数Γ(ST2)6。处理器134确定电压反射系数Γ(ST2)5小于电压反射系数Γ(ST2)6，并且确定射频值RFoptimum1(ST2)@C11是使得电压反射系数Γ(ST2)5是最小值的射频值。

[0175] 举另一示例而言，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST2)2和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST2)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST2的输入阻抗Z7的射频值RFoptimum1(ST2)@C12。处理器134以与上述使用等式(2)的方式类似的方式根据输入阻抗Z7计算电压反射系数Γ(ST2)7。此外，处理器134经由被初始化为具有射频RF1(ST2)2和可变电容C1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL1(ST2)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST2的输入阻抗Z8的射频值RFoptimum1(ST2)@C1_2。处理器134以与上述使用等式(2)的方式类似的方式根据输入阻抗Z8计算电压反射系数Γ(ST2)8。处理器134确定电压反射系数Γ(ST2)7小于电压反射系数Γ(ST2)8，并且确定射频值RFoptimum1(ST2)@C12是使得电压反射系数Γ(ST2)7为最小值的射频值。

[0176] 应当注意，值ZL1(ST2)1根据负载值Zmi1(ST2)1确定，负载值Zmi1(ST2)1是从状态S2结束起第一时间周期结束(例如t1等)时测得的。值ZL1(ST2)2根据负载值Zmi1(ST2)2确定，负载值Zmi1(ST2)2是从状态S2结束起、从第一时间周期t1开始的第二时间周期结束(例如t2等)时测得的。第二时间周期t2与第一时间周期t1从状态S2连续。电压反射系数Γ(ST2)5在用于第一时间周期的所有电压反射系数中是最小值，并且电压反射系数Γ(ST2)7在用于第二时间周期的所有电压反射系数中是最小值。

[0177] 在一些实施方式中，由处理器134执行非线性最小二乘优化例程以根据负载阻抗ZL1(ST2)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST2)@C1n。对于射频值RFoptimum1(ST2)@C1n中的每一个，用于状态转变ST2的电压反射系数Γ(ST2)是最小的。在多种实施方式中，预定等式由处理器134应用以从负载阻抗ZL1(ST2)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST2)@C1n。

[0178] 图5是等离子体系统100的实施方式的示意图，其用以说明使用电容值Coptimum1以产生用于状态转变ST1的步进组合可变电容值Cstep1，以及用以说明使用值RFoptimum1(ST1)@C1n来产生用于状态转变ST1的在模型系统102的输出端144处的多个负载阻抗ZL2(ST1)n。应当注意，确定电容值Coptimum1的方式记载在美国专利申请No.15/098,189中。处理器134在状态转变ST1期间修改配方以包括射频值RFoptimum1(ST1)@C1n并且向RF产生器104提供射频值RFoptimum1(ST1)@C1n。此外，处理器134确定用于状态转变ST1的步进可变电容值(step variable capacitance value)Cstep1。步进可变电容值Cstep1是在从值C1至值Coptimum1的方向上的步长。

[0179] 应当注意，当修改阻抗匹配网络106的对应的一个或多个可变电容器的一个或多个电容以从C1改变成Coptimum1时，一个或多个可变电容器相对于在由RF产生器104产生的RF信号的RF频率的变化足够慢地移动。替代将阻抗匹配网络106的组合可变电容设置为值Coptimum1，处理器134控制驱动组件112，使得阻抗匹配网络106的组合可变电容被设置为值Cstep1。阻抗匹配网络106获得可变电容Coptimum1所需的时间比由RF产生器104产生具有射频值RFoptimum1(ST1)@C1n的RF信号所需的时间长(例如，约几秒等)。例如，RF产生器104从射频RF1(ST1)m获得射频值RFoptimum1(ST1)@C1n需要的时间在微秒的量级。结果，难以在从值RF1(ST1)m获得射频值RFoptimum1(ST1)@C1n的同时从值C1直接获得可变电容Coptimum1使得在RF产生器104的输入端126的电压反射系数Γ(ST1)是最小的。因此，在状态转变ST1期间，在朝向可变电容Coptimum1的方向上，按步长(例如Cstep1等)调整阻抗匹配网络106的可变电容。在状态转变ST1期间，处理器134还控制RF产生器104以在射频值RFoptimum1(ST1)@C1n下操作。

[0180] 对于射频RFoptimum1(ST1)@C1n和可变电容Cstep1，RF产生器104产生具有射频值RFoptimum1(ST1)@C1n的RF信号，其经由阻抗匹配网络106传递以生成经修改的信号，其被提供给下电极118。当使用值RFoptimum1(ST1)@C1n而不是值RF1(ST1)m时，在状态转变ST1期间向RF产生器104反射较少量的功率。

[0181] 当RF产生器104生成具有射频值RFoptimum1(ST1)@C1n的RF信号并且组合可变电容为Cstep1时，传感器124测量在输出端126处的多个电压反射系数Γmi2(ST1)n，并且处理器134以与如上所述根据电压反射系数Γmi1(ST1)n产生阻抗值Zmi1(ST1)n的方式相同的方式，根据电压反射系数Γmi2(ST1)n生成多个阻抗Zmi2(ST1)n。例如，处理器134根据电压反射系数Γmi2(ST1)1生成阻抗值Zmi2(ST1)1，Γmi2(ST1)1在从状态S1结束起的状态转变ST1的第一时间周期t1期间测量。此外，处理器134根据电压反射系数Γmi2(ST1)2生成阻抗值Zmi2(ST1)2，Γmi2(ST1)2在状态转变ST1期间在从第一时间周期t1结束起的状态转变ST1的第二时间周期t2结束时测量。

[0182] 此外，当模型系统102被设置为具有用于状态转变ST1的射频值RFoptimum1(ST1)@C1n和用于状态转变ST1的组合可变电容Cstep1时，阻抗Zmi2(ST1)n通过模型系统102正向传导，以便以与根据在模型系统102的输入端142处的阻抗Zmi1(ST1)n在输出端144处生成负载阻抗ZL1(ST1)n的方式相同的方式在模型系统102的输出端144生成负载阻抗ZL2(ST1)n。

[0183] 在多种实施方式中，与组合可变电容C1相比，组合可变电容Cstep1更接近于组合可变电容Coptimum1。例如，组合可变电容Cstep1大于组合可变电容C1，并且组合可变电容Coptimum1大于组合可变电容Cstep1。举另一示例而言，组合可变电容Cstep1小于组合可变电容C1，并且组合可变电容Coptimum1小于组合可变电容Cstep1。

[0184] 在一些实施方式中，代替根据从传感器124接收的、用于状态转变ST1的电压反射系数(例如，Γmi1(ST1)n、Γmi2(ST1)n等)来产生阻抗，例如，阻抗Zmi1(ST1)n、Zmi2(ST1)n等，处理器134接收该电压反射系数以在模型系统102的输出端144产生多个相应的负载电压反射系数，例如，ΓL1(ST1)n、ΓL2(ST1)n等。多个相应的负载电压反射系数以与用于状态转变ST1的负载阻抗(例如ZL1(ST1)n、ZL2(ST1)n等)应用于模型系统102的输出端144的方式相同的方式应用于模型系统102的输出端144。不需要将电压反射系数转变为阻抗，反之亦然。

[0185] 在多种实施方式中，代替用于状态转变ST1的电压反射系数值Γmi1(ST1)n和Γmi2(ST1)n，电压反射系数值Γmi1(ST1)n和Γmi2(ST1)n的统计值(例如，平均值、移动平均值等)由处理器134计算并将其提供给模型系统的输入端142，以用于计算模型系统102的输出端144处的负载阻抗值。例如，代替应用电压反射系数值Γmi2(ST1)n至模型系统102的输入端142，将由处理器134根据电压反射系数值Γmi1(ST1)n和Γmi2(ST1)n确定的平均值作为输入提供给模型系统102，以计算模型系统102的输出端144处的负载阻抗ZL2(ST1)n。进一步举例而言，电压反射系数值Γmi1(ST1)1和Γmi2(ST1)1的第一平均值由处理器134确定，并且第一平均值经由模型系统102正向传导以生成负载阻抗值ZL2(ST1)1。此外，电压反射系数值Γmi1(ST1)2和Γmi2(ST1)2的第二平均值由处理器134确定，并且第二平均值经由模型系统102正向传导以生成负载阻抗值ZL2(ST1)2。

[0186] 在一些实施方式中，由处理器134根据预先分配的权重对每个测得的电压反射系数Γmi2(ST1)n进行加权。处理器134应用到电压反射系数Γmi2(ST1)n的权重由处理器134经由输入设备作为输入接收，并且基于工程知识和/或工艺条件来确定。代替应用电压反射系数Γmi2(ST1)n，应用加权电压反射系数wΓmi2(ST1)n以确定负载阻抗ZL2(ST1)n，其中w是权重。

[0187] 图6是被初始化为具有射频值RFoptimum1(ST1)@C1n和可变电容Cstep1以确定多个射频值RFotpimum1(ST1)@Cstep1n的模型系统102的实施方式的示意图。对于射频值RFotpimum1(ST1)@Cstep1n中的每一个，在输入端142的用于状态转变ST1的电压反射系数Γ(ST1)是最小的。处理器134根据负载阻抗ZL2(ST1)n和模型系统102计算多个射频值RFoptimum1(ST1)@Cstepn。对于射频值RFoptimum1(ST1)@Cstepn中的每一个，电压反射系数Γ(ST1)在电压反射系数Γ(ST1)的多个值中是最小的。例如，处理器134经由被设置为具有射频值RFoptimum1(ST1)@C11和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST1)1，以确定在输入端142产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z9的射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep11。处理器134以与上文使用等式(1)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z9计算电压反射系数Γ(ST1)9。此外，处理器134经由被设置为具有射频值RFoptimum1(ST1)@C11和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST1)1，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z10的射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1_1。处理器134以与上述使用等式(1)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z10计算电压反射系数Γ(ST1)10。处理器134确定电压反射系数Γ(ST1)9小于电压反射系数Γ(ST1)10，并且确定射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1是使得电压反射系数Γ(ST1)9为最小值的射频值。

[0188] 举另一示例而言，处理器134经由被初始化为具有射频RFoptimum1(ST1)@C12和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST1)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z11的射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep12。处理器134以与上述使用等式(2)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z11计算电压反射系数Γ(ST1)11。此外，处理器134经由被初始化为具有射频RFoptimum1(ST1)@C12和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST1)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z12的射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1_2。处理器134以与上述使用等式(2)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z12计算电压反射系数Γ(ST1)12。处理器134确定电压反射系数Γ(ST1)11小于电压反射系数Γ(ST1)12，并且确定射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep12是使得电压反射系数Γ(ST1)11为最小值的射频值。

[0189] 应当注意，值ZL2(ST1)1根据值Zmi2(ST1)1确定，值Zmi2(ST1)1是在从状态S1结束起的第一时间周期(例如t1等)结束时测得的。值ZL2(ST1)2根据负载值Zmi2(ST1)2确定，值Zmi2(ST1)2是在从状态S1结束时起的第一时间周期t1起的第二时间周期(例如t2等)结束时测得的。从状态S1开始的第二时间周期与从状态S1开始的第一时间周期t1是连续的。电压反射系数Γ(ST1)9在用于第一时间周期的所有电压反射系数中是最小值，并且电压反射系数Γ(ST1)11在用于第二时间周期的所有电压反射系数中是最小值。

[0190] 在一些实施方式中，由处理器134执行非线性最小二乘优化例程以根据负载阻抗ZL2(ST1)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n。对于射频值RF(P(1+m))n中的每一个，用于状态转变ST1的电压反射系数Γ(ST1)是最小的。在多种实施方式中，预定等式由处理器134应用以根据负载阻抗ZL2(ST1)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n。

[0191] 在一些实施方式中，本文参考图1和图2描述的操作在状态转变ST1的第一次发生期间执行，并且本文中参考图5描述的操作是在状态转变ST1的第二次发生期间。例如，参考图3和图4描述的状态转变ST2与参考图1和图2描述的状态转变ST1是连续的。在使用图1和图2描述的状态转变ST1与使用图3和图4描述的状态转变ST2之间没有状态转变。举例而言，参考图1和图2描述的状态转变ST1之后紧接有状态S2，状态S2之后紧接有使用图3和图4描述的状态转变ST2。此外，在该示例中，参考图5和图6描述的状态转变ST1与参考图3和图4描述的状态转变ST2是连续的。使用图3和图4描述的状态转变ST2与使用图5和图6描述的状态转变ST1之间没有状态转变。举例而言，参考图3和图4描述的状态转变ST2之后紧接有状态S1，状态S1之后紧接有参考图5和图6描述的状态转变ST1。

[0192] 在多种实施方式中，状态转变ST1的第二次发生在状态转变ST1的一个或多个中间发生之后发生，该一个或多个中间发生在状态转变ST1的第一次发生之后发生。例如，参考图5和图6描述的状态转变ST1的第二次发生在状态转变ST1的一次或多次发生之后发生，并且一次或多次发生在参考图1和图2描述的状态转变ST1的第一次发生之后发生。

[0193] 图7是等离子体系统100的实施方式的示意图，其用以说明在从状态S2至S1的状态转变ST2期间使用电容值Coptimum1以产生步进组合可变电容值Cstep1，以及使用值RFoptimum1(ST2)@C1n以在模型系统的输出端144处生成多个负载阻抗ZL2(ST2)n。处理器134修改配方以在状态转变ST2期间包括射频值RFoptimum1(ST2)@C1n并且向RF产生器104提供射频值RFoptimum1(ST2)@C1n。此外，处理器134确定用于状态转变ST2的步进可变电容值Cstep1。

[0194] 在状态转变ST2期间，替代将阻抗匹配网络106的组合可变电容设置为值Coptimum1，处理器134控制驱动组件112，使得阻抗匹配网络106的组合可变电容被设置为值Cstep1。此外，处理器134控制RF产生器104以在射频值RFoptimum1(ST2)@C1n值下操作。当使用值RFoptimum1(ST2)@C1n而不是值RF1(ST2)o时，在状态转变ST1期间向RF产生器104反射较少量的功率。阻抗匹配网络106获得可变电容Coptimum1所需的时间比由RF产生器
104产生具有射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的RF信号所需的时间长(例如，约几秒等)。例如，RF产生器104从射频RF1(ST2)o获得射频值RFoptimum1(ST2)@C1n需要的时间在微秒的量级。结果，难以在从值RF1(ST2)o获得射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的同时从值C1直接获得值Coptimum1使得在RF产生器104的输入端126的电压反射系数Γ(S2)是最小的。因此，在状态转变ST2期间，在朝向可变电容Coptimum1的方向上，按步长(例如Cstep1等)调整阻抗匹配网络106的可变电容。

[0195] 对于射频值RFoptimum1(ST2)@C1n和可变电容Cstep1，RF产生器104产生具有射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的RF信号，并且该RF信号经由阻抗匹配网络106传递以生成经修改的信号，该经修改的信号被提供给下电极118。当RF产生器104生成具有射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的RF信号并且组合可变电容为Cstep1时，传感器124测量在输出端126处的多个电压反射系数Γmi2(ST2)n，并且将该多个电压反射系数Γmi2(ST2)n经由网络电缆136提供给处理器134。处理器134以与如上所述根据电压反射系数Γmi1(ST2)n产生阻抗值Zmi1(ST2)n的方式相同的方式，根据电压反射系数Γmi2(ST2)n生成多个阻抗Zmi2(ST2)n。此外，当模型系统102被设置为具有射频值RFoptimum1(ST2)@C1n和可变电容Cstep1时，阻抗Zmi2(ST2)n通过模型系统102正向传导，以便以与根据在模型系统102的输入端142处的阻抗Zmi1(ST2)n在输出端144处生成负载阻抗ZL1(ST2)n的方式相同的方式在模型系统102的输出端144生成多个负载阻抗ZL2(ST2)n。

[0196] 在一些实施方式中，代替根据从传感器124接收的、用于状态转变ST2的电压反射系数(例如，Γmi1(ST2)n、Γmi2(ST2)n等)来产生阻抗，例如，阻抗Zmi1(ST2)n、Zmi2(ST2)n等，处理器134接收该电压反射系数以在模型系统102的输出端144产生多个相应的负载电压反射系数，例如，ΓL1(ST2)n、ΓL2(ST2)n等。多个相应的负载电压反射系数以与用于状态转变ST2的负载阻抗(例如ZL1(ST2)n、ZL2(ST2)n等)应用于模型系统102的输出端144的方式相同的方式应用于模型系统102的输出端144。不需要将电压反射系数转变为阻抗，反之亦然。

[0197] 在一些实施方式中，代替用于状态转变ST2的电压反射系数值Γmi1(ST2)n和Γmi2(ST2)n，电压反射系数值Γmi1(ST2)n和Γmi2(ST2)n的统计值(例如，平均值、移动平均值等)由处理器134计算并将其提供给模型系统的输入端142，以用于计算模型系统102的输出端144处的负载阻抗值。例如，代替应用电压反射系数值Γmi2(ST2)n至模型系统102的输入端142，将由处理器134根据电压反射系数值Γmi1(ST2)n和Γmi2(ST2)n确定的平均值作为输入提供给模型系统102，以计算模型系统102的输出端144处的负载阻抗ZL2(ST2)n。进一步举例而言，电压反射系数值Γmi1(ST2)1和Γmi2(ST2)1的第一平均值由处理器134确定，并且第一平均值经由模型系统102正向传导以生成负载阻抗值ZL2(ST2)1。此外，电压反射系数值Γmi1(ST2)2和Γmi2(ST2)2的第二平均值由处理器134确定，并且第二平均值经由模型系统102正向传导以生成负载阻抗值ZL2(ST2)2。

[0198] 在一些实施方式中，由处理器134根据预先分配的权重对每个测得的电压反射系数Γmi2(ST2)n进行加权。处理器134应用到电压反射系数Γmi2(ST2)n的权重由处理器134经由输入设备作为输入接收，并且基于工程知识和/或工艺条件来确定。代替应用电压反射系数Γmi2(ST2)n，应用加权电压反射系数wΓmi2(ST2)n以确定负载阻抗ZL2(ST2)n，其中w是权重。

[0199] 图8是被初始化为具有射频值RFoptimum1(ST2)@C1n和可变电容Cstep1以确定多个射频值RFotpimum1(ST2)@Cstep1n的模型系统102的实施方式的示意图。对于射频值RFotpimum1(ST2)@Cstep1n中的每一个，在输入端142的用于状态转变ST2的电压反射系数Γ(ST2)是最小的。处理器134根据负载阻抗ZL2(ST2)n和模型系统102计算多个射频值RFoptimum1(ST2)@Cstepn。对于射频值RFoptimum1(ST2)@Cstepn中的每一个，电压反射系数Γ(ST2)在电压反射系数Γ(ST2)的多个值中是最小的。例如，处理器134经由被设置为具有射频值RFoptimum1(ST2)@C11和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST2)1，以确定在输入端142产生用于状态转变ST2的输入阻抗Z13的射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep11。处理器134以与上文使用等式(1)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z13计算电压反射系数Γ(ST2)13。此外，处理器134经由被设置为具有射频值RFoptimum1(ST2)@C11和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST2)1，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST1的输入阻抗Z14的射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1_1。处理器134以与上述使用等式(1)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z14计算电压反射系数Γ(ST2)14。处理器134确定电压反射系数Γ(ST2)13小于电压反射系数Γ(ST2)14，并且确定射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep11是使得电压反射系数Γ(ST2)13为最小值的射频值。

[0200] 举另一示例而言，处理器134经由被初始化为具有射频RFoptimum1(ST2)@C12和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST2)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST2的输入阻抗Z15的射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep12。处理器134以与上述使用等式(2)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z15计算电压反射系数Γ(ST2)15。此外，处理器134经由被初始化为具有射频RFoptimum1(ST2)@C12和可变电容Cstep1的模型系统102反向传导负载阻抗ZL2(ST2)2，以确定在输入端142处产生用于状态转变ST2的输入阻抗Z16的射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1_2。处理器134以与上述使用等式(2)描述的方式类似的方式根据输入阻抗Z16计算电压反射系数Γ(ST2)16。处理器134确定电压反射系数Γ(ST2)15小于电压反射系数Γ(ST2)16，并且确定射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep12是使得电压反射系数Γ(ST2)15为最小值的射频值。

[0201] 应当注意，值ZL2(ST2)1根据负载值Zmi2(ST2)1确定，值Zmi2(ST2)1是在从状态S2结束起的第一时间周期(例如t1等)结束时测得的。值ZL2(ST2)2根据负载值Zmi2(ST2)2确定，值Zmi2(ST2)2是在从状态S2结束起的第一时间周期t1起的第二时间周期(例如t2等)结束时测得的。从状态S2开始的第二时间周期与从状态S2开始的第一时间周期t1是连续的。电压反射系数Γ(ST2)13在用于第一时间周期的所有电压反射系数中是最小值，并且电压反射系数Γ(ST2)15在用于第二时间周期的所有电压反射系数中是最小值。

[0202] 在一些实施方式中，由处理器134执行非线性最小二乘优化例程以根据负载阻抗ZL2(ST2)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n。对于射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n中的每一个，用于状态转变ST2的电压反射系数Γ(ST2)是最小的。在多种实施方式中，预定等式由处理器134应用以根据负载阻抗ZL2(ST2)n和模型系统102求解和计算射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n。

[0203] 在一些实施方式中，本文参考图3和图4描述的操作在状态转变ST2的第一次发生期间执行，并且本文中参考图7描述的操作是在状态转变ST2的第二次发生期间。例如，参考图5和图6描述的状态转变ST1与参考图3和图4描述的状态转变ST2是连续的。在使用图3和图4描述的状态转变ST2与使用图5和图6描述的状态转变ST1之间没有状态转变。举例而言，参考图3和图4描述的状态转变ST2之后紧接有状态S1，状态S1之后紧接有参照图5和图6描述的状态转变ST1。此外，在该示例中，参考图7和图8描述的状态转变ST2与参考图5和图6描述的状态转变ST1是连续的。使用图5和图6描述的状态转变ST1与使用图7和图8描述的状态转变ST2之间没有状态转变。举例而言，参考图5和图6描述的状态转变ST1之后紧接有状态S2，状态S2之后紧接有参考图7和图8描述的状态转变ST2。

[0204] 在多种实施方式中，状态转变ST2的第二次发生在状态转变ST2的一个或多个中间发生之后发生，该一个或多个中间发生在状态转变ST2的第一次发生之后发生。例如，参考图7和图8描述的状态转变ST2的第二次发生在状态转变ST2的一次或多次发生之后发生，并且该一次或多次发生在参考图3和图4描述的状态转变ST2的第一次发生之后发生。

[0205] 图9是等离子体系统100的实施方式的示意图，其用以说明在状态转变ST1期间使用电容值Coptimum2以及使用射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n以处理晶片W。应当注意，确定电容值Coptimum2的方式在美国专利申请No.15/098,189中描述。处理器134在状态转变ST1期间修改配方以包括射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n，并且向RF产生器104提供射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n。当使用值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n代替值RFoptimum1(ST1)@C1n时，在状态转变ST1期间向RF产生器104反射较少量的功率。

[0206] 此外，处理器134控制驱动组件112，使得阻抗匹配网络106的组合可变电容被设置为值Cstep2。应当注意，在一些实施方式中，组合可变电容Cstep2与组合可变电容Coptimum2相同。

[0207] 在状态转变ST1期间，当阻抗匹配网络106的组合可变电容为Cstep2时，RF产生器104产生具有射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n的RF信号。具有射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n的RF信号经由阻抗匹配网络106传递以生成经修改的信号，该信号被提供给下电极
118以用于在状态转变ST1期间处理晶片W。

[0208] 在多种实施方式中，与组合可变电容Cstep1相比，组合可变电容Cstep2更接近于组合可变电容Coptimum2。例如，组合可变电容Cstep2大于组合可变电容Cstep1，并且组合可变电容Coptimum2大于组合可变电容Cstep2。举另一示例而言，组合可变电容Cstep2小于组合可变电容Cstep1，并且组合可变电容Coptimum2小于组合可变电容Cstep2。

[0209] 图10是等离子体系统100的实施方式的示意图，其用以说明在状态转变ST2期间使用电容值Coptimum2以及使用值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n以处理晶片W。处理器134在状态转变ST2期间修改配方以包括射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n，并且向RF产生器104提供射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n。当使用值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n代替值RFoptimum1(ST2)@C1n时，在状态转变ST2期间向RF产生器104反射较少量的功率。此外，处理器134控制驱动组件112，使得阻抗匹配网络106的组合可变电容被设置为值Cstep2。

[0210] 在状态转变ST2期间，当阻抗匹配网络106的组合可变电容为Cstep2时，RF产生器104产生具有射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n的RF信号。具有射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n的RF信号经由阻抗匹配网络106传递以生成经修改的信号，该信号被提供给下电极
118以用于在状态转变ST2期间处理晶片W。

[0211] 以这种方式，对于状态转变ST1和ST2，代替直接根据组合可变电容值C1应用组合可变电容值Coptimum2，可以采用步进方法，其中，第一步，将组合可变电容值Cstep1与射频值RFoptimum1(ST1)@C1n一起应用于状态转变ST1，然后，第二步，将组合可变电容值Cstep1与射频值RFoptimum1(ST2)@C1n一起应用于状态转变ST2，接着，第三步，将组合可变电容值Cstep2与射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n一起应用于状态转变ST1，随后，第四步，将组合可变电容值Cstep2与射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n一起应用于状态转变ST2。例如，组合可变电容值Cstep2和射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n的应用先于组合可变电容值Cstep2与射频值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n的应用。此外，组合可变电容值Cstep1与射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的应用先于组合可变电容值Cstep2和射频值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n的应用。组合可变电容值Cstep1与射频RFoptimum1(ST1)@C1n的应用先于组合可变电容值Cstep1与射频值RFoptimum1(ST2)@C1n的应用。

[0212] 图11是用于说明由RF产生器104(图1)产生的RF信号的状态转变ST1和ST2的曲线图1100的实施方式。曲线图1100绘制了功率电平与时间t的关系。如曲线图1100所示，存在两种状态S1和S2。状态S1具有由RF产生器104产生的RF信号的一个RF功率电平和RF信号的RF频率。状态S2具有由RF产生器104产生的RF信号的另一RF功率电平和RF信号的不同RF频率。对于时钟信号的至少一个时钟周期，状态转变ST和ST2两者共享在阻抗匹配网络106内的具有组合可变电容的可变电容器的相同值。

[0213] 如图所示，状态S1具有功率电平P1，而状态S2具有功率电平P2。例如，功率电平P1是状态S1期间的RF信号(例如，正弦信号等)的包络，而功率电平P2是状态S2期间的RF信号的包络。举另一示例而言，状态S2期间的RF信号的所有功率量比状态S1期间的RF信号的功率量具有较低的值。功率电平P1大于功率电平P2。

[0214] 在从状态S1转变到状态S2以及在从状态S2转变到状态S1时，存在不同于垂直斜率的斜率，例如，无限斜率(infinite slope)等。在一些实施方式中，从状态S1到状态S2的转变以及从状态S2到状态S1的转变由射频值产生，射频值如值RFoptimum1(ST1)@C1n、值RFoptimum1(ST2)@C1n、值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n、值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n等。例如，从状态S1到状态S2的转变中的斜率表示应用射频值，例如值RFoptimum1(ST1)@C1n或值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n等。举另一示例而言，从状态S2到状态S1的转变中的斜率表示应用射频值，例如值RFoptimum1(ST2)@C1n或值RFoptimum1(ST2)@Cstep1n等。

[0215] 在多种实施方式中，状态S1和S2两者都具有相同的频率或频率集合。在一些实施方式中，状态转变ST1和ST1中的任一个使用曲线、线、台阶或其组合表示，而不是使用直线表示。

[0216] 图12是用以说明由RF产生器104(图1)产生的RF信号和多于两个的状态以及多于两个的状态转变的曲线图1200的实施方式。如曲线图1200所示，等离子体以多个RF状态(例如，S1、S2、S3、S4等)操作。曲线图1200绘制功率电平与时间t的关系。如曲线图1200所示，RF信号具有四种状态S1、S2、S3和S4。RF信号从状态S1转变到状态S2，进一步到状态S3以及到状态S4。状态S1和S2之间的状态转变在图12中表示为S1->S2，状态S2和S3之间的状态转变在图12中表示为S2->S3，状态S3和S4之间的状态转变为在图12中表示为S3->S4，并且状态S4和S1之间的状态转变在图12中表示为S4->S1。

[0217] 状态S2的功率电平P2低于状态S1的功率电平P1。状态S1的功率电平P1低于状态S3的功率电平P3，并且功率电平P3低于状态S4的功率电平P4。例如，功率电平P2是RF信号在状态S2期间的包络，功率电平P1是RF信号在状态S1期间的包络，功率电平P3是RF信号在状态S3期间的包络，并且功率电平P4是RF信号在状态S4期间的包络。

[0218] 如曲线图1200所示，功率和频率值在两个连续状态(例如，状态S1和状态S2，或状态S2和状态S3，或状态S3和状态S4，或状态S4和状态S1等)之间成斜坡。在斜坡期间周期性地确定负载阻抗。例如，负载阻抗值由处理器134每5至10微秒确定。模型系统102由处理器134执行以根据在斜坡期间的负载阻抗值确定最佳RF频率值。在一些实施方式中，RF频率值被应用于相同类型的后续状态转变。例如，当计算用于第一状态转变ST1的RF频率值时，在邻近第一状态转变ST1的第二状态转变ST1期间应用RF频率值。例如，第一状态转变ST1之后是状态S2，状态S2之后是状态转变ST2，状态转变ST2之后是状态S1，状态S1之后是第二状态转变ST1。举另一示例而言，当计算用于第一状态转变ST2的RF频率值时，在邻近第一状态转变ST2的第二状态转变ST2期间应用RF频率值。例如，第一状态转变ST2之后是状态S1，状态S1之后是状态转变ST1，状态转变ST1之后面是状态S2，状态S2之后是第二状态转变ST2。

[0219] 应当注意，关于图1至图10所描述的上述实施方式适用于具有多于两个状态和多于两个的状态转变的RF信号。例如，当由RF产生器104产生具有三个状态S1、S2和S3的RF信号时，在模型系统102的输出端144处的另外的多个负载阻抗ZL1(ST3)n被以与使用图1确定负载阻抗ZL1(ST1)n的方式相同的方式确定用于状态S3。此外，多个RF值RFoptimum1(ST3)@C1n被以与使用图2确定RF值RFoptimum1(ST1)@C1n的方式相同的方式确定用于状态S3，不同的是，为了确定RF值RFoptimum1(ST3)@C1n，用于状态转变ST3的电压反射系数Γ(ST3)被最小化。状态转变ST3是从状态S2到状态S3的转变。此外，以与使用图5确定负载阻抗ZL2(ST1)的方式相同的方式，针对状态转变ST3确定在模型系统102的输出端144处的另外的多个负载阻抗ZL2(ST3)n。此外，以与使用图6确定RF值RFoptimum1(ST1)@Cstep1n的方式相同的方式确定用于状态转变ST3的多个RF值RFoptimum1(ST3)@Cstep1n，不同的是电压反射系数Γ(ST3)被最小化。在由RF产生器产生的RF信号的状态转变ST3期间，将RF值RFoptimum1(ST3)@Cstep1n应用于RF产生器104，并且将组合可变电容Cstep2应用到阻抗匹配网络106。

[0220] 在多种实施方式中，状态S4的频率电平高于或低于状态S3的频率电平。类似地，状态S2的频率电平高于或低于状态S3的频率电平。

[0221] 在多种实施方式中，状态S1的功率电平低于状态S2的功率电平。在几种实施方式中，状态S4的功率电平低于状态S3的功率电平，并且状态S4的频率电平高于或低于状态S3的频率电平。在一些实施例中，状态S2的功率电平高于状态S3的功率电平，并且状态S2的频率电平高于或低于状态S3的频率电平。

[0222] 在若干实施方式中，第一状态(例如S1、S2、S3、S4等)的功率电平大于或小于第二状态(例如S1、S2、S3、S4等)的功率电平。此外，第一状态的频率电平大于或小于第二状态的频率电平。

[0223] 在多种实施方式中，使用由RF产生器104产生的RF信号的N种状态，例如8种状态、16种状态等，其中N是大于或等于2的整数。在多种实施方式中，发生N种状态或(N-1)种状态的时钟信号的时钟周期是相同的。例如，RF信号的两种状态在发生RF信号的三种状态的相同的时间周期内发生。

[0224] 应当注意，在上述实施方式中的一些中，RF信号被提供给卡盘118的下电极，并且上电极116接地。在多种实施方式中，RF信号被施加到上电极116，并且卡盘118的下电极被接地。

[0225] 在一些实施方式中，在RF产生器的每个状态期间，使用多个RF值来调谐RF产生器104和阻抗匹配网络106。

[0226] 本发明描述的实施方式可以用包含手持式硬件单元、微处理器系统、基于微处理器的或可编程的消费电子产品、小型计算机、大型计算机等的各种计算机系统配置来实施。本发明所描述的实施方式也可以在其中由通过计算机网络链接的远程处理硬件单元执行任务的分布式计算环境中实施。

[0227] 在一些实施方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述实施例的一部分。这种系统包含半导体处理设备，该半导体处理设备包含一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台和/或具体的处理组件(晶片基座、气流系统等)。该系统可以与用于控制它们在处理半导体晶片或衬底之前、期间和之后的操作的电子器件一体化。
电子器件被称为“控制器”，该控制器可以控制系统的各种元件或子部件。根据处理要求和/或系统的类型，控制器被编程以控制本发明公开的任何工艺，包含控制工艺气体输送、温度设置(例如，加热和/或冷却)、压强设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流速设置、流体输送设置、位置及操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。

[0228] 宽泛地讲，在多种实施方式中，控制器定义为接收指令、发布指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等等的具有各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件的电子器件。集成电路包含存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为ASIC的芯片、PLD、一个或多个微处理器或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，该设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片上或针对半导体晶片执行特定过程的操作参数。在一些实施方式中，操作参数是由工艺工程师定义的用于在制备晶片的一个或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或管芯期间完成一个或多个处理步骤的配方的一部分。

[0229] 在一些实施方式中，控制器是与系统集成、耦合或者说是通过网络连接系统或它们的组合的计算机的一部分或者与该计算机耦合。例如，控制器在“云”中或者是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，从而可以允许远程访问晶片处理。控制器启用对系统的远程访问以监测制造操作的当前进程，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数，以设置处理步骤来跟随当前的处理或者开始新的工艺。

[0230] 在一些实施方式中，远程计算机(例如，服务器)通过计算机网络给系统提供工艺配方，计算机网络包含本地网络或互联网。远程计算机包含允许输入或编程参数和/或设置的用户界面，该参数和/或设置然后从远程计算机传输到系统。在一些实施例中，控制器接收数据形式的用于处理晶片的指令。应当理解，设置针对将要在晶片上执行的工艺类型以及工具类型，控制器被配置成连接或控制该工具类型。因此，如上所述，控制器例如通过包含一个或多个分立的控制器而分布，这些分立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标(例如，本文所述的实现工艺)工作。用于这些目的的分布式控制器的实施例包含与一个或多个远程集成电路(例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分)通信的室上的一个或多个集成电路，它们结合以控制室内工艺。

[0231] 在多种实施方式中，系统包含但不限于，等离子体蚀刻室、沉积室、旋转清洗室、金属电镀室、清洁室、倒角边缘蚀刻室、物理气相沉积(PVD)室、化学气相沉积(CVD)室、原子层沉积(ALD)室、原子层蚀刻(ALE)室、离子注入室、轨道室、以及在半导体晶片的制备和/或制造中关联或使用的任何其他的半导体处理系统。

[0232] 应进一步指出的是，虽然上述的操作参照平行板等离子体室(例如，电容耦合等离子室等)进行描述，但在一些实施方式中，上述操作适用于其他类型的等离子体室，例如，包含感应耦合等离子体(ICP)反应器的等离子体室，变压器耦合等离子体(TCP)反应器，导体工具，电介质工具，包含电子回旋共振(ECR)反应器的等离子体室，等。例如，x MHz RF产生器，y MHz RF产生器和z MHz RF产生器被耦合到ICP等离子体室内的电感器。电感器的形状的示例包括螺线管、圆顶形线圈、扁平线圈等。

[0233] 如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，控制器与一个或多个其他的工具电路或模型、其他工具组件、组合工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者在将晶片的容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口搬运的材料搬运中使用的工具通信。

[0234] 考虑到上述实施方式，应该理解的是，一些实施方式采用涉及存储在计算机系统中的数据的各种计算机实现的操作。这些计算机实现的操作是那些操纵物理量的操作。

[0235] 一些实施方式还涉及用于执行这些操作的硬件单元或装置。该装置针对专用计算机构成。当被定义为专用计算机时，该计算机执行其他的处理，不属于专用部分的程序执行或例程，同时仍能够操作以供专用。

[0236] 在一些实施方式中，本发明描述的操作通过选择性地激活的计算机执行，由存储在计算机存储器中的一个或多个计算机程序配置，或者通过计算机网络获得。当通过计算机网络得到数据，该数据可以由计算机网络(例如，云计算资源)上的其他计算机处理。

[0237] 本发明所描述的一个或多个实施方式也可以制造为在非暂时性计算机可读介质上的计算机可读代码。非暂时性计算机可读介质是存储数据的任何数据存储硬件单元(例如，存储设备)，这些数据之后由计算机系统读取。计算机可读介质的示例包含硬盘驱动器、网络附加存储器(NAS)、ROM、RAM、光盘只读存储器(CD-ROM)、可录光盘(CD-R)、可重写CD(CD-RW)、磁带和其他光学以及非光学数据存储硬件单元。在一些实施方式中，非暂时性计算机可读介质包含分布在与网络耦合的计算机系统中的计算机可读有形介质，使得计算机可读代码以分布的方式存储和执行。

[0238] 尽管如上所述的一些方法操作以特定的顺序呈现，应当理解的是，在不同的实施方式中，其他日常操作在方法操作之间执行，或者方法操作被调整以使它们发生在稍微不同的时间，或分布在允许在不同的时间间隔的方法操作发生的系统内，或以与上述不同的顺序执行。

[0239] 还应该注意的是，在一个实施方式中，在不脱离本公开内容所描述的各种实施方式中描述的范围的情况下，来自上述的任何实施方式的一个或多个特征与任何其他实施方式的一个或多个特征组合。

[0240] 虽然为了清晰理解的目的，已经在一定程度上详细描述了上述实施方式，但显而易见，可以在所附权利要求的范围内实践某些变化和改变方案。因此，本发明的实施方式应被视为说明性的，而不是限制性的，并且这些实施方式并不限于本文给出的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等同方案内进行修改。