本发明公开了一种非晶合金磁芯电流互感器，包括非晶合金磁芯，所述非晶合金磁芯包括磁性带材绕环、磁芯保护薄膜、互感器二次侧绕组以及互感器屏蔽保护薄膜，所述磁性带材绕环由非晶合金磁性带材卷绕成环状，所述磁性带材绕环的表面包裹有所述磁芯保护薄膜，所述磁芯保护薄膜上缠绕有所述互感器二次侧绕组，所述互感器二次侧绕组的表面还包裹有所述互感器屏蔽保护薄膜；所述非晶合金磁性带材包含以下元素：硅4%～6%、硼2%～3%、铝1.0%～1.5%、钴0.8%～1.1%、钇0.05%～0.10%、钼0.2%～0.4%、镓0.10%～0.15%、以及余量的铁。本发明具有较好的电磁性能、激磁功率较低，满足实际使用要求。
1.一种非晶合金磁芯电流互感器，其特征在于：包括非晶合金磁芯，所述非晶合金磁芯包括磁性带材绕环(1)、磁芯保护薄膜(2)、互感器二次侧绕组(3)以及互感器屏蔽保护薄膜(4)，所述磁性带材绕环(1)由非晶合金磁性带材卷绕成环状，所述磁性带材绕环(1)的表面包裹有所述磁芯保护薄膜(2)，所述磁芯保护薄膜(2)上缠绕有所述互感器二次侧绕组(3)，所述互感器二次侧绕组(3)的表面还包裹有所述互感器屏蔽保护薄膜(4)；所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素4％～6％、硼元素2％～3％、铝元素1.0％～
1.5％、钴元素0.8％～1.1％、钇元素0.05％～0.10％、钼元素0.2％～0.4％、镓元素0.1％～0.15％、以及余量的铁元素；一种非晶合金磁芯电流互感器还包括用于封装所述非晶合金磁芯的互感器封装外壳，所述互感器封装外壳包括环形底壁(5)、下端连接所述环形底壁(5)内侧边缘的内侧圆筒壁(6)、下端连接所述环形底壁(5)外侧边缘的外侧圆筒壁(7)；所述环形底壁(5)、所述内侧圆筒壁(6)和所述外侧圆筒壁(7)均同轴；所述非晶合金磁芯设置于所述环形底壁(5)上方，且所述非晶合金磁芯位于所述内侧圆筒壁(6)和所述外侧圆筒壁(7)之间；所述互感器封装外壳中填充有环氧树脂；所述内侧圆筒壁(6)的上端外侧设置有第一环形限位凸起(8)，所述外侧圆筒壁(7)的上端内侧设置有第二环形限位凸起(9)，所述第一环形限位凸起(8)和所述第二环形限位凸起(9)共面。
2.根据权利要求1所述的一种非晶合金磁芯电流互感器，其特征在于：所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素6％、硼元素3％、铝元素1.2％、钴元素0.9％、钇元素0.08％、钼元素0.3％、镓元素0.13％、以及余量的铁元素。
3.根据权利要求2所述的一种非晶合金磁芯电流互感器，其特征在于：所述非晶合金磁性带材的厚度为35～40微米，所述非晶合金磁性带材的宽度为6～12毫米。
4.根据权利要求3所述的一种非晶合金磁芯电流互感器，其特征在于：所述非晶合金磁性带材的制备方法为：将原料投入到熔炼炉中加热熔融混合，然后用单辊快淬法制成带材，且熔融的合金液接触快淬单辊时的温度为1250～1300℃，非晶合金磁性带材离开快淬单辊表面时的温度小于等于320～350℃。
5.根据权利要求1所述的一种非晶合金磁芯电流互感器，其特征在于：所述磁芯保护薄膜(2)为聚四氟乙烯薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种非晶合金磁芯电流互感器，其特征在于：所述互感器屏蔽保护薄膜(4)为铝箔包裹所述互感器二次侧绕组(3)而成，且所述铝箔接触所述互感器二次侧绕组(3)的面上涂布有聚四氟乙烯涂层。
一种非晶合金磁芯电流互感器
技术领域
[0001] 本发明涉及一种精密性互感器产品技术领域，特别是一种非晶合金磁芯电流互感器。
背景技术
[0002] 非晶合金磁性带材具有优异的磁性能，主要用于绕制小型高精密性变压器磁芯、电流互感器磁芯以及电压互感器磁芯等产品；采用非晶合金磁性带材制造的磁芯相对于硅钢片制造的磁芯，可以节能60％～80％，而且制备过程污染低，因此非晶合金磁性带材是一种更为节能环保的材料。铁基非晶合金磁性材料是由铁、硅、硼等元素所构成的合金材料，其高饱和磁感应强度、磁导率、激磁电流和铁损等各方面性能都优于硅钢片。
[0003] 铁基非晶合金系中除了主要元素铁外，通常还需要添加硼、硅、铝、铬、钒、铌、锆、钨、钼、钇、钪、镝、钬、铒、铪、镓等元素，这些在合金中用于替换铁元素的成分，是用于提高铁基非晶合金系的非晶结构形成能力。但是这些元素的大量存在，也使得元素铁的饱和磁化强度大幅降低，导致铁基非晶合金系的磁学性能降低。
发明内容
[0004] 为了克服现有技术的不足，本发明提供了一种非晶合金磁芯电流互感器，具有较好的电磁性能、较低的激磁功率，工作损耗低，满足实际使用要求。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006] 一种非晶合金磁芯电流互感器，包括非晶合金磁芯，所述非晶合金磁芯包括磁性带材绕环、磁芯保护薄膜、互感器二次侧绕组以及互感器屏蔽保护薄膜，所述磁性带材绕环由非晶合金磁性带材卷绕成环状，所述磁性带材绕环的表面包裹有所述磁芯保护薄膜，所述磁芯保护薄膜上缠绕有所述互感器二次侧绕组，所述互感器二次侧绕组的表面还包裹有所述互感器屏蔽保护薄膜；所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素4％～6％、硼元素2％～3％、铝元素1.0％～1.5％、钴元素0.8％～1.1％、钇元素0.05％～0.10％、钼元素0.2％～0.4％、镓元素0.10％～0.15％、以及余量的铁元素。
[0007] 作为上述技术方案的进一步改进，还包括用于封装所述非晶合金磁芯的互感器封装外壳，所述互感器封装外壳包括环形底壁、下端连接所述环形底壁内侧边缘的内侧圆筒壁、下端连接所述环形底壁外侧边缘的外侧圆筒壁；所述环形底壁、所述内侧圆筒壁和所述外侧圆筒壁均同轴；所述非晶合金磁芯设置于所述环形底壁上方，且所述非晶合金磁芯位于所述内侧圆筒壁和所述外侧圆筒壁之间；所述互感器封装外壳中填充有环氧树脂。
[0008] 作为上述技术方案的进一步改进，所述内侧圆筒壁的上端外侧设置有第一环形限位凸起，所述外侧圆筒壁的上端内侧设置有第二环形限位凸起，所述第一环形限位凸起和所述第二环形限位凸起共面。所述结构便于灌注环氧树脂，所述非晶合金磁芯不易上浮，从而有利于提高互感器的合格率。
[0009] 作为上述技术方案的进一步改进，所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素6％、硼元素3％、铝元素1.2％、钴元素0.9％、钇元素0.08％、钼元素0.3％、镓元素0.13％、以及余量的铁元素。
[0010] 作为上述技术方案的进一步改进，所述非晶合金磁性带材的厚度为35～40微米，所述非晶合金磁性带材的宽度为6～12毫米。
[0011] 作为上述技术方案的进一步改进，所述非晶合金磁性带材的制备方法为：将原料投入到熔炼炉中加热熔融混合，然后用单辊快淬法制成带材，且熔融的合金液接触快淬单辊时的温度为1250～1300℃，非晶合金磁性带材离开快淬单辊表面时的温度小于等于320～350℃。
[0012] 作为上述技术方案的进一步改进，所述磁芯保护薄膜为聚四氟乙烯薄膜。
[0013] 作为上述技术方案的进一步改进，所述互感器屏蔽保护薄膜为铝箔包裹所述互感器二次侧绕组而成，且所述铝箔接触所述互感器二次侧绕组的面上涂布有聚四氟乙烯涂层。
[0014] 与现有技术相比较，本发明的有益效果是：
[0015] 本发明所提供的一种非晶合金磁芯电流互感器，具有结构简单、易于组装生产、防护结构合理、使用寿命长、耐候性好、防干扰性好的优点；其非晶合金磁性带材饱和磁密为2.0～2.4T，1.35T/50Hz时的激磁功率为0.30～0.38VA/kg，因此工作损耗低。
附图说明
[0016] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0017] 图1是本发明所述的一种非晶合金磁芯电流互感器的结构示意图。
具体实施方式
[0018] 参照图1，图1是本发明一个具体实施例的结构示意图。
[0019] 如图1所示，一种非晶合金磁芯电流互感器，包括非晶合金磁芯，所述非晶合金磁芯包括磁性带材绕环1、磁芯保护薄膜2、互感器二次侧绕组3以及互感器屏蔽保护薄膜4，所述磁性带材绕环1由非晶合金磁性带材卷绕成环状，所述磁性带材绕环1的表面包裹有所述磁芯保护薄膜2，所述磁芯保护薄膜2上缠绕有所述互感器二次侧绕组3，所述互感器二次侧绕组3的表面还包裹有所述互感器屏蔽保护薄膜4；所述磁芯保护薄膜2为聚四氟乙烯薄膜；所述互感器屏蔽保护薄膜4为铝箔包裹所述互感器二次侧绕组3而成，且所述铝箔接触所述互感器二次侧绕组3的面上涂布有聚四氟乙烯涂层。
[0020] 还包括用于封装所述非晶合金磁芯的互感器封装外壳，所述互感器封装外壳包括环形底壁5、下端连接所述环形底壁5内侧边缘的内侧圆筒壁6、下端连接所述环形底壁5外侧边缘的外侧圆筒壁7；所述环形底壁5、所述内侧圆筒壁6和所述外侧圆筒壁7均同轴；所述非晶合金磁芯设置于所述环形底壁5上方，且所述非晶合金磁芯位于所述内侧圆筒壁6和所述外侧圆筒壁7之间；所述互感器封装外壳中填充有环氧树脂。所述内侧圆筒壁6的上端外侧设置有第一环形限位凸起8，所述外侧圆筒壁7的上端外侧设置有第二环形限位凸起9，所述第一环形限位凸起8和所述第二环形限位凸起9共面。
[0021] 所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素4％～6％、硼元素2％～3％、铝元素1.0％～1.5％、钴元素0.8％～1.1％、钇元素0.05％～0.10％、钼元素0.2％～0.4％、镓元素0.10％～0.15％、以及余量的铁元素。所述非晶合金磁性带材的厚度为35～40微米，所述非晶合金磁性带材的宽度为6～12毫米。所述非晶合金磁性带材的制备方法为：将原料投入到熔炼炉中加热熔融混合，然后用单辊快淬法制成带材，且熔融的合金液接触快淬单辊时的温度为1250～1300℃，非晶合金磁性带材离开快淬单辊表面时的温度小于等于320～350℃。
[0022] 基于上述内容，提供以下三个具体实施例，三个具体实施例除所述非晶合金磁性带材的元素组成不同外，其余结构、工艺相同。
[0023] 具体实施例1
[0024] 本实施例提供的所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素6％、硼元素3％、铝元素1.2％、钴元素0.9％、钇元素0.08％、钼元素0.3％、镓元素0.13％、以及余量的铁元素。
[0025] 本实施例提供的所述非晶合金磁性带材饱和磁密为2.4T，1.35T/50Hz时的激磁功率为0.30VA/kg。
[0026] 具体实施例2
[0027] 本实施例提供的所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素4％、硼元素2％、铝元素1.5％、钴元素1.1％、钇元素0.10％、钼元素0.2％、镓元素0.10％、以及余量的铁元素。
[0028] 本实施例提供的所述非晶合金磁性带材饱和磁密2.2T,1.35T/50Hz时的激磁功率为0.38VA/kg。
[0029] 具体实施例3
[0030] 本实施例提供的所述非晶合金磁性带材包含以下质量百分比的元素：硅元素5％、硼元素2.5％、铝元素1.0％、钴元素0.8％、钇元素0.05％、钼元素0.4％、镓元素0.15％、以及余量的铁元素。
[0031] 本实施例提供的所述非晶合金磁性带材饱和磁密为2.0T，1.35T/50Hz时的激磁功率为0.34VA/kg。
[0032] 以上对本发明的较佳实施进行了具体说明，当然，本发明还可以采用与上述实施方式不同的形式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下所作的等同的变换或相应的改动，都应该属于本发明的保护范围内。
