显示装置

摘要

本发明涉及显示装置。本发明要解决的课题为改善针对水分的阻隔特性，从而实现可靠性高的有机EL显示装置。本发明的解决手段为一种有机EL显示装置，其特征在于，是在基板(100)上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层(112)的有机EL显示装置，在所述有机EL层(112)之上形成保护层(114)，在所述基板(100)与所述TFT之间形成有包含AlOx的第一阻隔层(10)。

权利要求

1.一种有机EL显示装置，其特征在于，是在基板上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层的有机EL显示装置，在所述有机EL层之上形成保护层，

在所述基板与所述TFT之间形成有层叠膜质不同的第一AlOx和第二AlOx而成的第一阻隔层，在所述TFT与所述有机EL层之间形成有层叠膜质不同的第三AlOx和第四AlOx而成的第二阻隔层，在所述有机EL层与所述保护层之间形成有层叠膜质不同的第五AlOx和第六AlOx而成的第三阻隔层。

2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述第一AlOx的密度大于所述第二AlOx的密度，所述第三AlOx的密度大于所述第四AlOx的密度，所述第五AlOx的密度大于所述第六AlOx的密度。

3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述第一AlOx的折射率大于所述第二AlOx的折射率，所述第三AlOx的折射率大于所述第四AlOx的折射率，所述第五AlOx的折射率大于所述第六AlOx的折射率。

4.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述第一AlOx和所述第二AlOx的层叠结构的层数为奇数，所述第三AlOx和所述第四AlOx的层叠结构的层数为奇数，所述第五AlOx和所述第六AlOx的层叠结构的层数为奇数。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述基板由聚酰亚胺基板形成。

6.一种液晶显示装置，其特征在于，

在第一基板上形成TFT和像素电极，

与所述第一基板相对地配置第二基板，

在所述第一基板与所述第二基板之间夹持有液晶，其中，在所述TFT与所述第一基板之间形成有层叠膜质不同的第一AlOx和第二AlOx而成的第一阻隔层，在所述TFT与所述像素电极之间形成有层叠膜质不同的第三AlOx和第四AlOx而成的第二阻隔层，在所述第二基板的所述液晶侧形成有层叠膜质不同的第五AlOx和第六AlOx而成的第三阻隔层。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一AlOx的密度大于所述第二AlOx的密度，所述第三AlOx的密度大于所述第四AlOx的密度，所述第五AlOx的密度大于所述第六AlOx的密度。

8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一AlOx的折射率大于所述第二AlOx的折射率，所述第三AlOx的折射率大于所述第四AlOx的折射率，所述第五AlOx的折射率大于所述第六AlOx的折射率。

9.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一AlOx和所述第二AlOx的层叠结构的层数为奇数，所述第三AlOx和所述第四AlOx的层叠结构的层数为奇数，所述第五AlOx和所述第六AlOx的层叠结构的层数为奇数。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板由聚酰亚胺基板形成。

说明书

显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示装置，特别涉及能够使基板弯曲的柔性显示装置。另外，涉及将氧化物半导体用于TFT的柔性显示装置。

背景技术

[0002] 关于有机EL显示装置、液晶显示装置，通过将显示装置设置的较薄，从而能够将其柔性地弯曲并进行使用。这种情况下，通过薄玻璃或者薄树脂来形成用以形成元件的基板。有机EL显示装置由于不使用背光源，因此在薄型化方面更加有利。

[0003] 液晶显示装置、有机EL显示装置具有导电层、无机绝缘层、有机绝缘层、半导体层等多层的层结构。若将热膨胀系数不同的层层叠的话，由此会在膜中产生应力，有时在薄膜中产生裂纹、剥离。

[0004] 专利文献1中记载了为了缓和形成了有机绝缘膜和ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)时的、膜间的应力，而在有机绝缘膜与ITO之间配置SiOx2膜和Cr2O3膜的层叠结构的构成。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2004-317649号公报

发明内容

[0008] 为了控制施加至像素的信号，使用TFT(薄膜晶体管，Thin Fim Transistor)。一直以来，TFT中使用了a-Si(Amorphous-Si，无定形硅)、Poly-Si(多晶硅)。另一方面，因为使用了氧化物半导体的TFT的漏电流小，所以能够长期稳定地保持像素电极的电压，因此近年来受到瞩目。但是，氧化物半导体具有不耐受水分、氢的性质。

[0009] 另一方面，在有机EL显示装置中，构成发光层的有机EL材料由于水分的存在而分解、性能劣化。因而，为了确保工作寿命，需要保护有机EL层使其不受水分的损害。作为针对水分等的阻隔件，一直以来使用了SiOx(本说明书中述及SiOx时，意思是以SiO2为基本结构，一般而言表示偏离化学计量组成(Stoichiometry)x＝2)、或者SiNx(本说明书中述及SiNx时，意思是以Si3N4为基本结构，一般而言表示偏离化学计量组成x＝4/3)的层叠膜。

[0010] 但是，就SiOx或者SiNx等而言，针对水分、氢等的阻隔性能不充分。本发明的课题在于，保护TFT、有机EL层不受水分、氢的损害，并实现长寿命的显示装置。

[0011] 用于解决问题的手段

[0012] 本发明是克服上述问题的发明，代表性的方案如下所述。

[0013] (1)一种有机EL显示装置，其特征在于，为在基板上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层的有机EL显示装置，在所述有机EL层之上形成保护层，在所述基板与所述TFT之间形成有包含AlOx的第一阻隔层。

[0014] (2)(1)中所述的有机EL显示装置，其特征在于，所述第一阻隔层由第一AlOx与第二AlOx的层叠结构形成。

[0015] (3)一种液晶显示装置，其特征在于，在第一基板上形成TFT和像素电极，与所述第一基板相对地配置第二基板，在所述第一基板与所述第二基板之间夹持有液晶，[0016] 在所述TFT与所述第一基板之间形成有包含AlOx的第一阻隔层。

[0017] (4)(3)所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一阻隔层由第一AlOx与第二AlOx的层叠结构形成。

附图说明

[0018] 图1为有机EL显示装置的俯视图。

[0019] 图2为图1的A-A剖面图。

[0020] 图3为有机EL显示装置的显示区域的剖面图。

[0021] 图4为示出阻隔层的例子的剖面图。

[0022] 图5为示出图4所示构成的问题点的例子的剖面图。

[0023] 图6为示出本发明的阻隔层的剖面图的例子。

[0024] 图7为示出溅射时的水分压与膜应力的关系的图表。

[0025] 图8为示出溅射时的水分压与折射率的关系的图表。

[0026] 图9为示出第一阻隔层与基底膜的详细例的剖面图。

[0027] 图10为示出第一阻隔层与基底膜的其他详细例的剖面图。

[0028] 图11为示出实施例2的阻隔层的例子的剖面图。

[0029] 图12为示出使用了底栅型的TFT时的本发明的有机EL显示装置的剖面图。

[0030] 图13为液晶显示装置的俯视图。

[0031] 图14为图13的B-B剖面图。

[0032] 图15为示出使用了顶栅型的TFT时的本发明的液晶显示装置的剖面图。

[0033] 图16为示出使用了底栅型的TFT时的本发明的液晶显示装置的剖面图。

[0034] 附图标记说明

[0035] 1…保护膜，10…第一阻隔层，11…第一AlOx层，12…第二AlOx层，13…Al层，20…第二阻隔层，30…第三阻隔层，40…无机钝化膜，100…TFT基板，101…基底膜，102…半导体层，103…栅极绝缘膜，104…栅电极，105…层间绝缘膜，106…漏电极，107…源电极，108…有机钝化膜，109…反射膜，110…下部电极，111…堤，112…有机EL层，113…上部电极，114…保护层，120…公共电极，121…电容绝缘膜，122…像素电极，123…取向膜，130…通孔，140…通孔，150…端子部，200…对置基板，201…彩色滤光片，202…黑矩阵，203…覆盖膜，250…液晶层，251…液晶分子，300…柔性布线基板，400…驱动IC，500…偏振片，501…粘接材料，510…上偏振片，520…下偏振片，1000…显示区域，1071…接触电极，2000…背光源，3000…液晶显示面板，4000…母基板

具体实施方式

[0036] 以下，使用实施例，详细说明本发明的内容。

[0037] 实施例1

[0038] 图1为可应用本发明的有机EL显示装置的俯视图。本发明的有机EL显示装置为能够柔性地弯曲的显示装置。图1中，有机EL显示装置具有显示区域1000和端子部150，显示区域1000中粘贴有用于防止反射的偏振片500。端子部150连接有用于向有机EL显示装置供给电源、信号的柔性布线基板300，另外，连接有驱动有机EL显示装置的驱动IC400。

[0039] 图2为图1的A-A剖面图。聚酰亚胺基板100之上形成有显示区域、端子部。聚酰亚胺基板100的厚度为10μm至20μm，且能够柔性地弯曲。聚酰亚胺基板100的厚度薄，因此形状不稳定，机械强度有时也不充分，因此在背面上粘贴有第一保护膜1。第一保护膜1利用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、丙烯酸树脂形成，厚度为0.1mm左右。

[0040] 图2中，在聚酰亚胺基板100之上形成具有发光层的阵列层，覆盖其而配置有偏振片500。顶部发光型的有机EL显示装置由于具有反射电极，因此反射来自外部的光。偏振片500用于防止外部光的反射，从而使画面易于观察。

[0041] 图3为示出本发明的顶部发光型的有机EL显示装置的显示区域的构成的剖面图。需要说明的是，图3中，省略了图2中的支承膜。图3中，在厚度10μm至20μm的聚酰亚胺基板
100之上，形成有利用AlOx等制成的第一阻隔层10。本说明书述及AlOx时，意思是以Al2O3为基本结构，一般而言，表示偏离化学计量组成x＝1.5。通过上述第一阻隔层10而阻隔从聚酰亚胺基板100穿过而从外部侵入的水分、或者由聚酰亚胺基板100自身产生的水分或者氢。

[0042] 第一阻隔层10之上利用CVD而形成由SiOx、SiNx等形成的基底膜101。在基底膜101之上形成有半导体层102。图3中的半导体层102由氧化物半导体形成。氧化物半导体例如为a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide，无定形氧化铟镓锌)等。氧化物半导体具有漏电流小的特征。另一方面，图3的TFT有时也利用Poly-Si半导体层形成。这种情况下，关于半导体层102，能够这样形成，即先利用CVD形成a-Si，利用准分子激光将a-Si转化为Poly-Si。

[0043] 覆盖半导体层102而通过SiOx(所述SiOx是利用CVD由TEOS(四乙氧基硅烷)形成的)来形成栅极绝缘膜103。在栅极绝缘膜103之上形成栅电极104。之后，通过离子注入，对于半导体层102，将与栅电极104对应的部分以外的部分设为导电层。半导体层102中，与栅电极104对应的部分成为沟道部1021。

[0044] 覆盖栅电极104而通过利用CVD形成的SiNx来形成层间绝缘膜105。在层间绝缘膜105之上形成有利用AlOx等制成的第二阻隔层20。第二阻隔层20保护由氧化物半导体形成的TFT不受水分、氢损害。另外，保护有机EL层112不受来自聚酰亚胺基板100侧的水分、氢等的损害。

[0045] 之后，在第二阻隔层20、层间绝缘膜105及栅极绝缘膜103中形成通孔，并连接漏电极106及源电极107。图3中，覆盖漏电极106、源电极107、第二阻隔层20而形成有机钝化膜108。有机钝化膜108还兼作为平坦化膜，因此较厚地形成为2μm至3μm。有机钝化膜108例如利用丙烯酸树脂形成。

[0046] 在有机钝化膜108之上形成反射电极109，在其上通过ITO等透明导电膜来形成用作阳极的下部电极110。反射电极109利用反射率高的Al合金来形成。反射电极109经由在有机钝化膜108中形成的通孔而与TFT的源电极107连接。

[0047] 在下部电极110的周边，形成利用丙烯酸等形成的堤111。形成堤111的目的是，防止后续形成的包含发光层的有机EL层112、上部电极113发生断层而形成导通不良。堤111如下形成：在整个表面上涂布丙烯酸树脂等透明树脂，并在与下部电极110对应的部分中形成孔穴(所述孔穴用于从有机EL层透出光)，由此形成堤111。

[0048] 图3中，在下部电极110之上形成有机EL层112。有机EL层112由例如电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层等形成。在有机EL层112之上，形成作为阴极的上部导电层113。上部导电层113除了利用作为透明导电膜的IZO(氧化铟锌，Indium Zinc Oxide)、ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)等来形成以外，有时也利用银等金属的薄膜来形成。

[0049] 之后，为了防止来自上部电极113侧的水分的侵入，利用CVD而由SiNx在上部电极113之上形成保护层114。由于有机EL层112对热的耐受性低，因此，关于用于形成保护层114的CVD，通过100℃左右的低温CVD来形成。

[0050] 覆盖保护层114，而形成利用AlOx等形成的第三阻隔层30。第三阻隔层30与保护层114一同具有保护有机EL层112不受透过偏振片500等的水分等的损害的作用。

[0051] 覆盖第三阻隔层30、通过粘接材料501而粘贴有偏振片500。偏振片500具有防止对外部光进行反射的功能。需要说明的是，根据品种的不同，有时在偏振片500与第三阻隔层30之间形成其他保护层或者保护膜。

[0052] 图4为图3中的第一阻隔层10附近的剖面图。图4中，在聚酰亚胺基板100之上形成有第一阻隔层10。聚酰亚胺基板100自身包含水分，并且成为氢的发生源。另外，聚酰亚胺易于透过水分。为了阻隔上述水分、氢而形成有利用AlOx形成的第一阻隔层10。由于致密的AlOx的阻隔性高，因此当以30nm～80nm左右形成时，能够获得充分的阻隔效果。图4中的由AlOx形成的第一阻隔层10通过溅射形成。

[0053] 图3中，第二阻隔层20形成在由SiN形成的层间绝缘膜105之上，第三阻隔层30形成在由SiN形成的保护层114之上。第二阻隔层20、第三阻隔层30所接触的层不同于第一阻隔层10所接触的层，但它们均具有防止来自外部的水分、氢到达TFT、有机EL层的作用。

[0054] 一般而言，AlOx通过AC溅射形成，但通过AC溅射形成的膜的膜应力较大为GPa(吉帕斯卡)左右。这样的话，如图5所示意性地示出的那样，基板发生弯曲。当将AlOx溅射时，由于是处于大尺寸的母基板4000的状态，因此母基板4000的弯曲成为严重问题。若母基板4000的弯曲变大，则不能使其完成工序。

[0055] 若进行DC溅射的话，能够降低膜应力，但不能使AlOx的膜厚变大。另一方面，通过原子层沉积法(ADL：Atomic Deposition Layer)形成的AlOx能够减小膜应力，但制膜速率低。

[0056] 为了解决上述问题，在本发明中，如图6所示，层叠膜质不同的第一AlOx11和第二AlOx12来构成第一阻隔层10。第一AlOx11是在溅射时在水分压低的状态下制成的膜，图2的AlOx12是在比第一情况的水分压高的状态下制成的膜。通过第一AlOx11和第二AlOx12，以应力的符号不同的方式进行制膜，从而能够减小阻隔层10整体的应力。

[0057] 图7为示出溅射时的水分压与制膜后的AlOx的膜应力的关系的图表。图7中，横轴为溅射时的水分压，纵轴为制膜后的AlOx的膜应力。如图7所示，随着水分压变高，膜应力的符号由负变为正。

[0058] 图7中，水分压为2×10-4Pa左右时，膜应力变为零。也就是说，仅从膜应力方面考虑的话，使用在水分压为2×10-4Pa左右的条件下进行溅射而得到的膜即可。但是，AlOx根据溅射时的水分压的不同而膜质不同，水分压越小，越能够得到致密的膜。当水分压为2×10-4Pa左右时溅射得到的AlOx的阻隔特性有时不充分。

[0059] 本发明的特征在于，通过使用以低的水分压进行溅射而得到的阻隔特性高的第一AlOx、和与第一AlOx的情况相比以更高的水分压进行溅射而得到的第二AlOx的层叠结构，能够维持优异的阻隔特性、且能够形成应力小的由AlOx形成的阻隔层。

[0060] 即，第二AlOx具有与第一AlOx相反符号的膜应力，因此作为第一AlOx与第二AlOx的层叠膜整体，能够设为较小的膜应力。另一方面，由于第一AlOx具有高的阻隔特性，因此作为第一阻隔层能够获得较高的阻隔特性。

[0061] 例如，如图7所示，若形成第一AlOx时将水分压设为P1(9×10-6Pa)左右，而形成第二AlOx时将水分压设为P2(4×10-4Pa)左右，则第一AlOx11的膜应力成为-200MPa左右、第二AlOx12的膜应力成为180MPa左右，因此作为第一阻隔层10整体，能够设为非常小的膜应力。因而，能够防止基板的翘曲。另外，由于第一AlOx11，作为第一阻隔层10整体而言，能够得到高的阻隔特性。

[0062] 这里，AlOx的膜的致密程度与折射率之间是相关的。即，膜越致密，折射率越高。图8为示出AlOx的溅射时的水分压与所形成的AlOx的折射率的关系的图表。即，通过测定制膜后的AlOx的折射率，能够评价AlOx的膜质。需要说明的是，图7、图8中的○、△、×、□等表示样品的生产批次不同。

[0063] 图6中，例如，第一AlOx11的膜厚为10nm，第二AlOx12的膜厚为10nm，作为第一阻隔层10整体为50nm。需要说明的是，图6的层结构为例子，能够将各膜厚设定为10nm以外，另外，能够将层数设为多于5层，也能设为少于5层。总数优选为奇数，外侧的层由第一AlOx11形成。

[0064] 如图6所示的第一AlOx11与第二AlOx12的层叠结构的制膜是容易的。即，关于AlOx，以Al为靶标，通过气体使用氧和Ar的反应性的溅射来形成AlOx。在形成第一AlOx与第二AlOx时，改变溅射时的水分压即可。

[0065] 另外，在本实施例中，控制水分压从而改变AlOx膜的特性，但是例如使用氢、甲烷等烷烃，也能向AlOx膜导入氢键，并能产生同样的效果。

[0066] 图3中的第一阻隔层10附近的构成例如为如图9所示的构成。阻隔层10如图6所说明的那样。形成在阻隔层10之上的基底膜101例如为SiOx(50nm)、SiNx(50nm)、SiOx(300nm)的层叠结构。

[0067] 第一阻隔层10附近的层结构也可以采用其他构成，图10为其例子。图10中，利用SiOx(50nm)、SiNx(50nm)、SiOx(300nm)的组合(set)而夹持(sandwich)第一阻隔层10的上下。通过设置为如上所述的构成，有时能够提高第一阻隔层10中的第一AlOx11的膜质。SiOx层、SiNx层的膜厚、配置不限于图9及图10，也可以设为其他构成。

[0068] 以上针对图3中的第一阻隔层10说明了本发明，对于第二阻隔层20、第三阻隔层30也是同样的。

[0069] 实施例2

[0070] 图11为示出实施例2中的阻隔层10的构成的剖面图。图11的阻隔层10成为第一AlOx11与Al13的层叠结构。即，图6的第二AlOx12置换为Al13，在这方面与实施例1不同。图11中，第奇数层的层为AlOx11、第偶数层的层为Al13。

[0071] 即便在形成于第奇数层的AlOx11中产生膜应力，由于形成于第偶数层的Al13柔软，因此也能够吸收在AlOx11中产生的膜应力，并能够减小作为阻隔层10整体的膜应力。另外，通过Al13与AlOx11邻接形成，有时也能够使溅射的AlOx的膜质变得更为致密。

[0072] 如图11所示那样的AlOx11与Al13的层叠结构的制膜是容易的。即，关于AlOx11，以Al为靶标，通过气体使用氧和Ar的反应性的溅射而形成，Al13通过以Al为靶标、使用Ar作为气体来形成。因而，通过改变形成各膜时的气体的种类，能够形成层叠膜。

[0073] 需要说明的是，关于图11的阻隔层构成，由于存在Al层13，因此光的透过是困难的。因而，图11的构成虽然能够应用于第一阻隔层10及第二阻隔层20，但在第三阻隔层30中的应用是困难的。

[0074] 图11中，第一AlOx11的膜厚例如为10nm，Al13的膜厚例如为10nm，总数为5层结构。然而，各膜厚、层数无需限定于图11。本实施例的其他优点在于，图11所示的Al13的导电层能够用于防止工艺中的带电。

[0075] 本实施例的进一步的其他优点在于，由于在溅射腔室内定期地形成导电膜，因此能够自动地防止溅射腔室的带电。即，在溅射装置中，若仅溅射绝缘膜，则静电在装置内部蓄积，从而对制品带来损伤。因而，对于溅射装置而言，需要定期地溅射导电膜从而防止装置内的带电的工艺。对于本实施例的制膜而言，由于导电膜的形成定期进行，因此无需特意增加溅射导电膜的工艺。

[0076] 如上所述，在本实施例中，也能够保护TFT及有机EL层不受水分、氢的损害，同时能够防止基板的翘曲。

[0077] 实施例3

[0078] 图12为示出本实施例的剖面图。图12为示出有机EL显示装置中的TFT为底栅极时的本发明的构成的剖面图。图12中，在聚酰亚胺基板100之上形成利用AlOx等形成的第一阻隔层10，在其上形成有基底膜101。在基底膜101之上形成栅电极104，覆盖其而形成有栅极绝缘膜103。在栅极绝缘膜103之上，在与栅电极104对应的部分形成有利用氧化物半导体或者a-Si形成的半导体层102。

[0079] 半导体层102连接有漏电极106和源电极107。覆盖半导体层102、漏电极106、源电极107而由SiN等形成无机钝化膜40。在无机钝化膜40之上形成利用AlOx等形成的第二阻隔层20。在第二阻隔层20之上形成有机钝化膜108，在有机钝化膜108之上形成有反射电极109。反射电极109经由通孔而与TFT的源电极107连接。以下，与图3相同。

[0080] 图12中的第一阻隔层10的构成与实施例1中说明的图4-10、或者图6-10相同。也就是说，对于底栅极的TFT的情况，也能够应用本发明来减轻水分、氢等对有机EL层112、TFT等的影响，并且能够防止基板100的弯曲。

[0081] 图12中的第二阻隔层20、第三阻隔层30的构成也与实施例1中的构成相同。另外，在实施例2中所说明的、图11所示的那样的AlOx与Al的层叠结构的构成也能够应用于本实施例。

[0082] 实施例4

[0083] 本发明还能够应用于液晶显示装置。图13为液晶显示装置的俯视图。图13中，在与TFT基板100相对的对置基板200上形成显示区域1000，覆盖显示区域1000而配置有上偏振片510。端子部150上连接有驱动IC400和柔性布线基板300。

[0084] 图14为图13的B-B剖面图。图14中，TFT基板100与对置基板200相对配置，在TFT基板100与对置基板200之间夹持有液晶。在对置基板200之上粘贴有上偏振片510，在TFT基板100之下粘贴有下偏振片520。通过TFT基板100、对置基板200、上偏振片510、下偏振片520构成液晶显示面板3000。在下偏振片520的下侧配置有背光源2000。

[0085] 图14中，由薄树脂形成TFT基板100或者对置基板200，或者由薄玻璃形成TFT基板100或者对置基板200，由此能够制成使液晶显示面板3000柔性地弯曲的结构。背光源2000包括光源、导光板、光学片材等，利用薄树脂来形成导光板，进行这样的操作等，将背光源也设为柔性背光源，从而将液晶显示装置整体制成柔性显示装置。

[0086] 图15为液晶显示装置的显示区域的剖面图。图15中，液晶显示装置为IPS(In Plane Switching，共面切换)方式。另外，驱动液晶的TFT由氧化物半导体形成。本发明中，为了保护氧化物半导体不受来自外部的水分、或者由构成材料产生的氢等的损害，配置有由AlOx等形成的阻隔层。图15为顶栅型的TFT。

[0087] 图15中，例如，在由聚酰亚胺形成的TFT基板100上形成有包含AlOx的第一阻隔层10。第一阻隔层10的构成与实施例1的图4至图10中说明的构成相同。通过设置为如上所述的构成，能够保护TFT不受从外部侵入的水分、或者在聚酰亚胺基板100中产生的水分或者氢等的损害。

[0088] 在第一阻隔层10之上形成有由SiOx或者SiNx形成的基底膜101。在基底膜101之上形成的TFT的构成基本上与在实施例1中所说明的构成相同。即，在基底膜101之上形成由氧化物半导体形成的半导体层102，在其上覆盖着由SiOx(所述SiOx由TEOS形成)形成的栅极绝缘膜103。在栅极绝缘膜103之上形成栅电极104，覆盖栅电极104地形成有利用SiNx(所述SiNx通过溅射而形成)形成的层间绝缘膜105。

[0089] 在层间绝缘膜105之上形成有接触电极1071。接触电极1071经由通孔而与TFT的漏电极107连接，经由通孔而与像素电极122连接。图15的漏电极106与影像信号线连接。在图15中，在层间绝缘膜105之上例如形成由SiNx形成的无机钝化膜40，在其上形成有包含AlOx的第二阻隔层20。第二阻隔层20与无机钝化膜40一同保护TFT不受从上侧侵入的水分、氢的损害。第二阻隔层20也基本上为与第一阻隔层10相同的构成。

[0090] 在第二阻隔层20之上形成有兼作为平坦化膜的有机钝化膜108。在有机钝化膜108之上以平面状形成公共电极120，在其上形成电容绝缘膜121，在其上形成像素电极122。像素电极122经由通孔而与接触电极1071连接。电容绝缘膜121与像素电极122及公共电极120一同构成保持电容。图15中，若对像素电极122施加电压，则在其与公共电极120之间产生如箭头所示的电力线，从而驱动液晶分子251。在像素电极122之上，形成有用于使液晶分子251初始取向的取向膜123。

[0091] 图15中，对置基板200夹着液晶层250而对置。对置基板200也由聚酰亚胺形成。在对置基板200的内侧，利用AlOx等而形成有第三阻隔层30。第三阻隔层30具有阻隔透过聚酰亚胺基板200的水分、或者在聚酰亚胺基板200中产生的水分、氢等的作用。图15中，第三阻隔层30中仅形成了阻隔层，但若该层也同时形成如实施例1的图9、图10等所示那样的SiOx或者SiNx等的无机绝缘膜，则阻隔特性变得更好。

[0092] 图15中，在第三阻隔层30之上形成黑矩阵202及彩色滤光片201，覆盖彩色滤光片201而形成有覆盖膜203。对覆盖膜203进行覆盖而形成有用于使液晶分子251初始取向的取向膜123。

[0093] 关于第一阻隔层10、第二阻隔层20、第三阻隔层30，通过制成如实施例1的图6所示那样的AlOx的层叠结构，由此在本实施例中也能够防止水分、氢等对液晶层或者氧化物半导体的影响，并且能够抑制基板的翘曲。

[0094] 另外，通过将第一阻隔层10、第二阻隔层20、第三阻隔层30制成如实施例2的图11所示那样的AlOx与Al的层叠结构，则背光源因Al的存在而变得不能透过。另一方面，在反射型液晶显示装置的情况下，能够将第一阻隔层10及第二阻隔层20设为如实施例2的图11所示那样的构成。

[0095] 实施例5

[0096] 图16为示出本发明的实施例5的剖面图。图16为液晶显示装置的显示区域的剖面图，但与图15不同，TFT为底栅极的TFT。图16中，在由聚酰亚胺形成的TFT基板100上形成包含AlOx等的第一阻隔层10，在其上形成有基底膜101，在这方面与图15相同。而且，第一阻隔层10的构成也与在实施例1的图4至图10中所说明的内容、构成相同。

[0097] 图16中，在基底膜101之上形成栅电极104，覆盖栅电极104形成栅极绝缘膜103，在与栅电极104对应的栅极绝缘膜103之上形成有由氧化物半导体形成的半导体层102。在半导体层102之上，相对地形成有漏电极106与源电极107。覆盖半导体层102、漏电极106、源电极107而形成无机钝化膜40，在其上形成有第二阻隔层20。

[0098] 覆盖第二阻隔层20而形成有有机钝化膜108。比有机钝化膜108更靠上的层的构成与实施例4所说明的具有顶栅型的TFT的图15的液晶显示装置的构成相同。即，在图16的对置基板200侧，也通过AlOx等而形成第三阻隔层30，从而阻止透过聚酰亚胺基板200的水分、或者在聚酰亚胺基板200中产生的水分、氢进入液晶层250或者氧化物半导体102。

[0099] 基本上，第二阻隔层20、第三阻隔层30的构成也与通过实施例1的图4至图10所说明的阻隔层的构成相同。因而，在本实施例中，也能够防止水分、氢等对液晶层250或者氧化物半导体102的影响，并且能够抑制基板的翘曲。需要说明的是，当为反射型液晶显示装置时，能够将第一阻隔层10及第二阻隔层20的构成设为与实施例2的图11相同的构成。

[0100] 以上实施例中的有机EL显示装置及液晶显示装置的剖面结构为例子，也能够采用其他构成。例如，对于图3中的有机EL显示装置而言，有时还在偏振片500与第三阻隔层30之间配置其他支承膜等。另外，还可在上部电极113之上形成第三阻隔层30，在其上形成保护层114。另外，在实施例1至3的有机EL显示装置、实施例4及5的液晶显示装置中，TFT基板100或者对置基板200也有时不是聚酰亚胺基板，而是其他树脂或者玻璃。