层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜转让专利
申请号 : CN201680017461.7
文献号 : CN107405870B
文献日 : 2019-11-19
发明人 : 加持义贵 , 岩井悠 , 泽野充 , 小山一郎 , 中村敦
申请人 : 富士胶片株式会社
摘要 :
本发明提供一种即使将晶片超薄化也可难以产生翘曲的层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。一种层叠体，依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，其中，临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，在25℃温度下固定层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，对另一基材的端部，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与另一基材的基材面垂直的方向，提拉另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
权利要求 :
1.一种层叠体，其依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，其中，所述第一基材及第二基材的一个为载体基材，另一个为器件晶片，所述载体基材为晶片或玻璃，
所述临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161：1994为基准的拉伸弹性模量E为25～
2000MPa，
在25℃的温度下固定所述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与所述另一基材的基材面垂直的方向提拉另一基材的端部，由此在所述载体基材与所述临时粘接膜的界面可进行剥离，并且使用力传感器测定所述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的表面自由能为30mJ/m2以下，其中，表面自由能是指根据水、乙二醇及二碘甲烷相对于临时粘接膜的接触角由扩展Fowkes式获得的值。
3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的温度190℃时的以JIS K 7244-6：1999为基准的剪切储存弹性模量G’为
0.1～1MPa。
4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的温度25℃时的以JIS K 7244-4：1999为基准的拉伸储存弹性模量E’为
150～900MPa。
5.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的温度190℃时的以JIS K 7244-6：1999为基准的剪切储存弹性模量G’与临时粘接膜的25℃时的以JIS K 7244-4：1999为基准的拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’满足E’/G’≤3500。
6.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
以升温速度5℃/分钟升温至250℃并以JIS K 6862：1984为基准的临时粘接膜的熔融粘度为10,000Pa·s以上。
7.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的温度200℃、负载10kg时的以JIS K 7210：1999为基准的，熔体流动速率为20.0g/10分钟以下。
8.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的温度60℃时的塑性变形开始压力P60为0.2MPa以上，其中，塑性变形开始压力是指将设置于硅晶片上的厚度40μm的临时粘接膜加热至60℃的同时，从与临时粘接膜的膜面垂直的方向压紧5秒钟由5mm×10mm硅构成的芯片，去除芯片之后，用光学显微镜观察接触有芯片的部位，压紧的部位的膜厚降低10μm以上时的压力。
9.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
临时粘接膜通过旋涂法将临时粘接用组合物形成于第一基材及第二基材的一个表面而成、或者通过刮板涂法将临时粘接用组合物形成于第一基材及第二基材的一个表面而成、或者通过施加热量及压力将薄膜状的临时粘接膜进行层压来形成于第一基材及第二基材的一个表面而成。
10.根据权利要求9所述的层叠体，其中，
临时粘接膜的膜面的面积小于载体基材的基材面的面积。
11.根据权利要求9所述的层叠体，其中，
将载体基材的基材面的直径设为Cμm、将器件晶片的基材面的直径设为Dμm、将临时粘接膜的膜面的直径设为Tμm时，满足(C-200)≥T≥D。
12.根据权利要求9所述的层叠体，其中，
将载体基材的基材面的直径设为Cμm、将器件晶片的基材面的直径设为Dμm，将与临时粘接膜的载体基材接触的一侧的膜面的直径设为TCμm、将与临时粘接膜的器件晶片接触的一侧的膜面的直径设为T0μm时，满足(C-200)≥TC＞TD≥D。
13.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
第一基材及第二基材的一个为载体基材，另一个为厚度200μm以下的器件晶片。
14.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
相对于所述临时粘接膜的固体成分，所述临时粘接膜以0.001～1质量％的比例包含硅酮化合物。
15.一种临时粘接用组合物，其用于层叠体，所述层叠体依次相互相邻而具有第一基材、对临时粘接用组合物进行制膜而成的临时粘接膜及第二基材，其中，所述第一基材及第二基材的一个为载体基材，另一个为器件晶片，所述载体基材为晶片或玻璃，
在25℃温度下固定所述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度，在与所述另一基材的基材面垂直的方向提拉另一基材的端部，由此在所述载体基材与所述临时粘接膜的界面可进行剥离，并且使用力传感器测定所述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
16.一种临时粘接膜，其中，
25℃时的以JIS K 7161：1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，表面自由能为30mJ/m2以下，
温度190℃时的以JIS K 7244-6：1999为基准的剪切储存弹性模量G’为0.1～1MPa，温度25℃时的以JIS K 7244-4：1999为基准的拉伸储存弹性模量E’为150～900MPa，温度190℃时的以JIS K 7244-6：1999为基准的剪切储存弹性模量G’与25℃时的以JIS K 7244-4：1999为基准的拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’满足E’/G’≤3500，以升温速度5℃/分钟升温至250℃，以JIS K 6862：1984为基准的熔融粘度为10,
000Pa·s以上，
温度200℃、负载10kg时的以JIS K 7210：1999为基准的熔体流动速率为20.0g/10分钟以下，温度60℃时的塑性变形开始压力P60为0.2MPa以上，其中，表面自由能是指根据水、乙二醇及二碘甲烷相对于临时粘接膜的接触角由扩展Fowkes式获得的值；塑性变形开始压力是指将设置于硅晶片上的厚度40μm的临时粘接膜加热至60℃的同时，从与临时粘接膜的膜面垂直的方向压紧5秒钟由5mm×10mm的硅构成的芯片，去除芯片之后，用光学显微镜观察接触有芯片的部位，压紧的部位的膜厚降低10μm以上时的压力，所述临时粘接膜在用于依次相互相邻而具有第一基材、所述临时粘接膜及第二基材的层叠体的情况下，所述第一基材及第二基材的一个为载体基材，另一个为器件晶片，所述载体基材为晶片或玻璃，
在25℃温度下固定所述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度，在与所述另一基材的基材面垂直的方向提拉另一基材的端部，由此在所述载体基材与所述临时粘接膜的界面可进行剥离，并且使用力传感器测定所述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
说明书 :
层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜
技术领域
[0001] 本发明涉及一种层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。尤其涉及一种用于使用载体基材的晶片装置的处理的层叠体、及用于上述层叠体的临时粘接用组合物。
背景技术
[0002] 集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI)等半导体器件的制造工艺中，在器件晶片上形成多个IC芯片，通过切割单片化。
[0003] 随着电子设备的进一步的小型化及高性能化的需求，也对搭载于电子设备的IC芯片要求进一步的小型化及高集成化，但是器件晶片的面方向上的集成电路的高集成化已趋于极限。
[0004] 作为从IC芯片内的集成电路向IC芯片的外部端子的电连接方法，在以往引线接合法被广为人知，但是为了实现IC芯片的小型化，近年来已知有在器件晶片设置贯穿孔，并以作为外部端子的金属插头贯穿在贯穿孔内的方式与集成电路连接的方法(所谓的形成硅贯穿电极(TSV)的方法)。然而，仅以形成硅贯穿电极的方法，无法迎合对上述近年来的IC芯片进一步的高集成化的需求。
[0005] 鉴于以上，已知有通过将IC芯片内的集成电路多层化来提高器件晶片的每单位面积的集成度的技术。然而，集成电路的多层化中会使IC芯片的厚度增加，因此需要构成IC芯片的部件的薄型化。作为这种部件的薄型化，例如对器件晶片的薄型化进行了研究，这不仅关系到IC芯片的小型化，还能够使硅贯穿电极的制造中的器件晶片的贯穿孔制造工序节省劳力化，因此被认为是很有前途。并且，从上述集成度提高或装置结构的自由度提高的观点考虑，功率器件或图像传感器等半导体装置中也试验有薄型化。
[0006] 作为器件晶片，具有约700～900μm的厚度的晶片被广为人知，但是近年来以IC芯片的小型化等为目的，试验有将器件晶片的厚度减薄至200μm以下。
[0007] 然而，厚度200μm以下的器件晶片非常薄，将其作为基材的半导体装置制造用部件也非常薄，因此在对这些部件实施进一步的处理、或者简单地移动这些部件的情况等中，稳定且无损伤地支承部件较难。
[0008] 为了解决上述问题，已知有通过临时粘接剂暂时固定(临时粘接)薄型化之前的器件晶片和载体基材，在磨削器件晶片的背面来进行薄型化之后，从器件晶片剥离(分离)载体基材的技术。
[0009] 具体而言，专利文献1中公开有如下基材处理方法，其依次具有如下工序：在支撑体上，经由临时固定材料临时固定基材，由此获得层叠体的工序，其中，所述临时固定材料至少包含含有环烯烃系聚合物、及具有选自二芳基硅结构、二烷基硅结构、氟代烷基结构、氟代烯基结构及碳原子数8以上的烷基结构的至少1种结构、以及选自聚氧化烯结构、具有磷酸基的结构及具有磺基的结构的至少1种结构的化合物的部件；对基材进行加工和/或移动层叠体的工序；以及沿相对于基材面大致垂直的方向，对基材或支撑体施加力，由此从支撑体剥离基材的工序。
[0010] 以往技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1：日本特开2013-241568号公报
发明内容
[0013] 发明要解决的技术课题
[0014] 专利文献1中所记载的技术中，不破损支撑体(硅晶片)，也能够从载体基材和临时粘接剂剥离。这种技术，对薄膜化的晶片也具有难以破裂而操作容易的优点。然而，若晶片变薄，则存在容易发生翘曲之类的问题。
[0015] 本发明的目的在于解决这种课题，其目的在于提供一种即使晶片超薄化也难以发生翘曲的层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。
[0016] 用于解决技术课题的手段
[0017] 基于这种状况，本发明人进行深入研究的结果，发现了通过下述方法＜1＞，优选通过＜2＞～＜17＞能够解决上述课题的方法。
[0018] ＜1＞一种层叠体，其依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，其中，临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，在25℃的温度下固定下层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，对另一基材的端部，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与另一基材的基材面垂直的方向，提拉另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
[0019] ＜2＞根据＜1＞所述的层叠体，其中，临时粘接膜的表面自由能为30mJ/m2以下，其中，表面自由能是指根据水、乙二醇及二碘甲烷相对于临时粘接膜的接触角由扩展Fowkes式获得的值。
[0020] ＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度190℃时的以JIS K 7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’为0.1～1MPa。
[0021] ＜4＞根据＜1＞至＜3＞中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度25℃时的以JIS K 7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’为150～900M Pa。
[0022] ＜5＞根据＜1＞至＜4＞中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度190℃时的以JIS K 7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’与临时粘接膜的25℃时的以JIS K 7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’满足E’/G’≤3500。
[0023] ＜6＞根据＜1＞至＜5＞中任一项所述的层叠体，其中，以升温速度5℃/分钟升温至250℃并以JIS K 6862:1984为基准的临时粘接膜的熔融粘度为10,000Pa·s以上。
[0024] ＜7＞根据＜1＞至＜6＞中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度200℃、负载10kg时的以JIS K 7210:1999为基准的熔体流动速率为20.0g/10分钟以下。
[0025] ＜8＞根据＜1＞至＜7＞中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜的温度60℃时的塑性变形开始压力P60为0.2MPa以上，其中，塑性变形开始压力是指将设置于硅晶片上的厚度40μm的临时粘接膜加热至60℃的同时，从与临时粘接膜的膜面垂直的方向压紧5秒钟由5mm×10mm的硅构成的芯片，去除芯片之后，用光学显微镜观察接触有芯片的部位，压紧的部位的膜厚降低10μm以上时的压力。
[0026] ＜9＞根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的层叠体，其中，临时粘接膜通过旋涂法将临时粘接用组合物形成于第一基材及第二基材的一个表面而成、或者通过刮板涂法将临时粘接用组合物形成于第一基材及第二基材的一个表面而成、或者通过施加热量及压力将薄膜状的临时粘接膜进行层压来形成于第一基材及第二基材的一个表面而成。
[0027] ＜10＞根据＜1＞至＜9＞中任一项所述的层叠体，其中，第一基材及第二基材的一个为载体基材，另一个为器件晶片。
[0028] ＜11＞根据＜10＞所述的层叠体，其中，临时粘接膜的膜面的面积小于载体基材的基材面的面积。
[0029] ＜12＞根据＜10＞所述的层叠体，其中，将载体基材的基材面的直径设为Cμm、将器件晶片的基材面的直径设为Dμm、将临时粘接膜的膜面的直径设为Tμm时，满足(C-200)≥T≥D。
[0030] ＜13＞根据＜10＞所述的层叠体，其中，将载体基材的基材面的直径设为Cμm、将器件晶片的基材面的直径设为Dμm、将与临时粘接膜的载体基材接触的一侧的膜面的直径设为TCμm、将与临时粘接膜的器件晶片接触的一侧的膜面的直径设为TDμm时，满足(C-200)≥TC＞TD≥D。
[0031] ＜14＞根据＜1＞至＜13＞中任一项所述的层叠体，其中，第一基材及第二基材的一个为载体基材，另一个为厚度200μm以下的器件晶片。
[0032] ＜15＞根据＜1＞至＜14＞中任一项所述的层叠体，其中，上述临时粘接膜相对于上述临时粘接膜的固体成分，以0.001～1质量％的比例包含硅酮化合物。
[0033] ＜16＞一种临时粘接用组合物，其用于依次相互相邻而具有第一基材、对临时粘接用组合物进行制膜而成的临时粘接膜及第二基材的层叠体，其中，在25℃温度下固定上述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，对另一基材的端部，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度，在与上述另一基材的基材面垂直的方向，提拉上述另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定上述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
[0034] ＜17＞一种临时粘接膜，其中，
[0035] 25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，
[0036] 表面自由能为30mJ/m2以下，
[0037] 温度190℃时的以JIS K 7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’为0.1～1MPa，
[0038] 温度25℃时的以JIS K 7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’为150～900MPa，
[0039] 温度190℃时的以JIS K 7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’与25℃时的以JIS K 7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’满足E’/G’≤3500，[0040] 以升温速度5℃/分钟升温至250℃，以JIS K 6862:1984为基准的熔融粘度为10,000Pa·s以上，
[0041] 温度200℃、负载10kg时的以JIS K 7210:1999为基准的熔体流动速率为20.0g/10分钟以下，
[0042] 温度60℃时的塑性变形开始压力P60为0.2MPa以上，
[0043] 其中，表面自由能是指根据水、乙二醇及二碘甲烷相对于临时粘接膜的接触角由扩展Fowkes式获得的值；塑性变形开始压力是指将设置于硅晶片上的厚度40μm的临时粘接膜加热至60℃的同时，从与临时粘接膜的膜面垂直的方向压紧5秒钟由5mm×10mm的硅构成的芯片，去除芯片之后，用光学显微镜观察接触有芯片的部位，压紧的部位的膜厚降低10μm以上时的压力。
[0044] 发明效果
[0045] 根据本发明可提供一种即使晶片超薄化也可难以产生翘曲的层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。
附图说明
[0046] 图1是表示半导体装置的制造方法的第一实施方式的示意图。
[0047] 图2是表示半导体装置的制造方法的第二实施方式的示意图。
[0048] 图3是对以往的粘接性载体基材与器件晶片之间的临时粘接状态的解除进行说明的示意剖视图。
具体实施方式
[0049] 以下，对本发明的内容进行详细的说明。另外，本说明书中“～”以包含其前后所记载的数值作为下限值及上限值的含义来使用。
[0050] 本说明书中的基(原子团)的标记中，未表示取代及无取代的标记包含无取代基的情况的同时还包含具有取代基的情况。例如，“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(无取代烷基)，也包含具有取代基的烷基(取代烷基)。
[0051] 本说明书中的“光化射线”或“放射线”表示包含例如可见光射线、紫外线、远紫外线、电子束、X射线等。
[0052] 本说明书中，关于“曝光”，除非另有指明，则不仅包含使用光的曝光，使用电子束、离子束等粒子束的描绘也包含于曝光。并且，作为曝光中所使用的光，通常而言可举出汞灯的明线光谱、准分子激光束为代表的远紫外线、极紫外线(EUV光)、X射线、电子束等光化射线或放射线。
[0053] 本说明书中，总固体成分是指从组合物的所有成分除去溶剂的成分的总质量。
[0054] 本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸，“(甲基)丙烯酰”表示“丙烯酰”及“甲基丙烯酰”。
[0055] 本说明书中，重均分子量及数均分子量定义为基于凝胶渗透色谱(GPC)的测定的聚苯乙烯换算值。本说明书中，重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)能够通过如下来求出，即，例如使用HLC-8220(TOSOH CORPORATION制造)，作为柱使用TSKgel Super AWM―H(TOSOH CORPORATION制，内径(ID)6.0mm×15.0cm)，作为洗脱液使用10mmol/L溴化锂NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液。
[0056] 本说明书中，“亲油基”是指不含有亲水性基的官能团。并且，“亲水性基”是指与水之间显示亲和性的官能团。
[0057] 另外，在以下说明的实施方式中，对已参考的附图中说明的部件等，在图中标注相同符号或者相应符号，由此简化或省略说明。
[0058] 本发明的层叠体为依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，所述层叠体的特征在于，临时粘接膜在25℃时的以JIS(日本工业标准)K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E(以下，能够简称为“拉伸弹性模量E”)为25～2000MPa，在25℃温度下固定层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度，在与另一基材的基材面垂直的方向提拉另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定上述提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。通过设为这种结构，即使晶片薄型化也能够有效地抑制翘曲。其中，临时粘接膜的温度25℃时是指在保持为25℃的环境下将临时粘接膜保持3分钟的状态。对于其他温度也相同地考虑。
[0059] 另外，在本发明中，优选临时粘接膜的表面自由能、临时粘接膜的温度190℃时的剪切储存弹性模量G’、临时粘接膜的温度25℃时的拉伸储存弹性模量E’、剪切储存弹性模量G’与拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’、临时粘接膜的熔融粘度、临时粘接膜的熔体流动速率(MFR)及临时粘接膜的塑性变形开始压力中的至少一个满足规定的值。通过设为这种结构，能够尤其有效地抑制薄型化晶片的翘曲。
[0060] 并且，在本发明中，公开了拉伸弹性模量E、临时粘接膜的表面自由能、温度190℃时的剪切储存弹性模量G’、温度25℃时的拉伸储存弹性模量E’、剪切储存弹性模量G’与拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’、熔融粘度、熔体流动速率(MFR)及临时粘接膜的塑性变形开始压力满足规定的值的临时粘接膜。
[0061] 在本发明中，临时粘接膜的拉伸弹性模量E为25～2000MPa。其中，临时粘接膜的拉伸弹性模量E是指按照在后述的实施例中所述的方法测定的值。并且，在实施例中所使用的测定设备等因停产等无法获得时，设为使用具有同等功能的其他设备来测定的值。参考以下的实施例的测定方法时相同地考虑。
[0062] 优选临时粘接膜的拉伸弹性模量E的下限值为28MPa以上，还能够设为30MPa以上，进一步还能够设为40MPa以上。关于上限值，优选为1500MPa以下，还能够设为500MPa以下，进一步还能够设为100MPa以下，尤其还能够设为70MPa以下。
[0063] 在本发明中，优选临时粘接膜的表面自由能为30mJ/m2以下。通过设为这种范围，能够有效地抑制薄型化晶片的翘曲。
[0064] 其中，临时粘接膜的表面自由能是指通过求出对临时粘接膜分别滴入水、乙二醇及二碘甲烷时的接触角，并从扩展Fowkes式建立联立线性方程并求出解来获得的数值。具体而言，按照后述的实施例所记载的方法。
[0065] 本发明中的临时粘接膜的表面自由能的上限值优选为29mJ/m2以下，更优选为28mJ/m2以下。关于下限值，并无特别规定，但是优选为23mJ/m2以上，更优选为24mJ/m2以上。
[0066] 在本发明中，优选临时粘接膜的温度190℃时的以JIS K 7244-6:1999为基准的剪切储存弹性模量G’(以下，能够简称为“剪切储存弹性模量G’”)为0.1～1MPa。通过设为这种范围，能够更有效地抑制薄型化晶片的翘曲。其中，临时粘接膜的剪切储存弹性模量G’是指按照在后述的实施例中所述的方法测定的值。
[0067] 本发明中的剪切储存弹性模量G’的下限值优选为0.13MPa以上，更优选为0.15MPa以上，进一步还能够设为0.24MPa以上。剪切储存弹性模量G’的上限值优选为0.8MPa以下，更优选为0.5MPa以下，还能够设为0.45MPa以下，进一步还能够设为0.4MPa以下。
[0068] 在本发明中，优选临时粘接膜的温度25℃时的以JIS K 7244-4:1999为基准的拉伸储存弹性模量E’(以下，也能够简称为“拉伸储存弹性模量E’”)为150～900MPa。通过设为这种范围，能够更有效地抑制薄型化晶片的翘曲。其中，临时粘接膜的拉伸储存弹性模量E’是指按照在后述的实施例中所述的方法测定的值。
[0069] 本发明中的拉伸储存弹性模量E’的下限值优选为160MPa以上，更优选为170MPa以上，进一步还能够设为200MPa以上，尤其还能够设为250MPa以上，更尤其还能够设为300MPa以上。拉伸储存弹性模量E’的上限值优选为600MPa以下，进一步还能够设为500MPa以下，尤其还能够设为480MPa以下。
[0070] 在本发明中，优选剪切储存弹性模量G’与拉伸储存弹性模量E’之间的比E’/G’满足E’/G’≤3500。通过设为这种范围，能够更有效地抑制薄型化晶片的翘曲。
[0071] 本发明中的E’/G’的上限值优选为3200以下，还能够设为2000以下，进一步还能够设为1500以下。E’/G’的下限值例如优选为200以上，进一步更优选为300以上，还能够设为800以上，尤其还能够设为900以上。
[0072] 本发明中的临时粘接膜的以升温速度5℃/分钟升温至250℃时的以JIS K6862:1984为基准的熔融粘度(以下，也能够简称为“熔融粘度”)优选为10,000Pa·s以上。通过设为这种范围，能够更有效地抑制薄型化晶片的翘曲。其中，临时粘接膜的熔融粘度是指按照在后述的实施例中所述的方法测定的值。
[0073] 临时粘接膜的熔融粘度的下限值优选为10,500Pa·s以上，还能够设为12,000Pa·s以上。并且，临时粘接膜的熔融粘度的上限值优选为70,000Pa·s以下，还能够设为60,000Pa·s以下，进一步还能够设为15,000Pa·s以下，尤其还能够设为14,000Pa·s以下。
[0074] 本发明中的临时粘接膜的温度200℃、负载10kg时的以JIS K 7210:1999为基准的熔体流动速率(以下，也能够简称为“MFR”)优选为20g/10分钟以下。通过设为这种范围，能够更有效地抑制薄型化晶片的翘曲。其中，临时粘接膜的MFR是指按照在后述的实施例中所述的方法测定的值。
[0075] 临时粘接膜的MFR的上限值优选设为17.0g/10分钟以下，更优选设为15.0g/10分钟以下。临时粘接膜的MFR的下限值优选为3.0g/10分钟以上，还能够设为7.0g/10分钟以上，进一步还能够设为10.0g/10分钟以上。
[0076] 尤其，对通过临时粘接膜承载的器件晶片，进行加热至200℃以上的工艺时，临时粘接膜的MFR的上限值优选设为17.0g/10分钟以下，更优选设为15.0g/10分钟以下。并且，在上述情况下，临时粘接膜的MFR的下限值优选为0.001g/10分钟以上，还能够设为0.01g/10分钟以上，进一步还能够设为0.1g/10分钟以上。
[0077] 本发明中的临时粘接膜的温度60℃时的塑性变形开始压力P60(以下，也能够简称为“塑性变形开始压力”)优选为0.2MPa以上。通过设为这种范围，能够更有效地抑制薄型化晶片的翘曲。其中，塑性变形开始压力是指将设置于硅晶片上的厚度40μm的临时粘接膜加热至60℃的同时，从与临时粘接膜的膜面垂直的方向压紧5秒钟由5mm×10mm的硅构成的芯片，去除芯片之后，用光学显微镜观察接触有芯片的部位，压紧的部位的膜厚降低10μm以上时的压力。更具体而言，是指按照在后述的实施例中所述的方法测定的值。
[0078] 塑性变形开始压力的下限值优选为0.3MPa以上，更优选为0.35MPa以上。塑性变形开始压力的上限值优选为60.0MPa以下，还能够设为10.0MPa以下，进一步还能够设为1.0MPa以下，尤其还能够设为0.9MPa以下。
[0079] 接着，对本发明的层叠体的结构的详细进行说明。
[0080] 如上述，本发明的层叠体依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材。第一基材与第二基材中的一个通常用作载体基材(固定部件)，另一个为薄型化的器件晶片。
[0081] 作为载体基材，可例示硅晶片、SiC晶片、GaN晶片等各种晶片、玻璃、有机基材等各种材质的基板及在基板上形成有有机膜或无机膜的基材。载体基材的厚度并无特别限定，例如优选为300μm～100mm，更优选为300μm～10mm。
[0082] 作为器件晶片，能够不受限地使用公知的晶片，例如可举出硅基板、化合物半导体基板等。作为化合物半导体基板的具体例，可举出SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板、GaN基板等。
[0083] 器件晶片的表面可形成有机械结构或电路。作为形成有机械结构或电路的器件晶片，例如可举出MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)、动力装置、图像传感器、微型传感器、发光二极管(LED)、光学装置、内插板、埋入型装置、微型装置等。
[0084] 优选器件晶片具有金属凸块等结构。根据本发明，对在表面具有结构的器件晶片也能够稳定地临时粘接，并且能够轻松地解除相对于器件晶片的临时粘接。结构的高度并无特别限定，例如优选为1～150μm，更优选为5～100μm。
[0085] 本发明中的实施机械或化学处理之前的器件晶片的膜厚优选为500μm以上，更优选为600μm以上，进一步优选为700μm以上。上限例如优选为2000μm以下，更优选为1500μm以下。
[0086] 实施机械或化学处理来薄膜化之后的器件晶片的膜厚例如优选为小于500μm，更优选为400μm以下，更加优选为300μm以下，进一步优选为200μm以下，更进一步优选为50μm以下。下限例如优选为1μm以上，更优选为5μm以上。
[0087] 本发明的层叠体能够通过加热压接第一基材、第二基材、临时粘接膜来制造。优选在第一基材及第二基材中的一个表面形成临时粘接膜，在该临时粘接膜的一个基材相反侧的表面配置第一基材及第二基材中的另一个并进行加热压接。并且，也能够在第一基材与第二基材之间配置临时粘接膜并进行加热压接来制造。加热压接条件例如优选为温度100～210℃、压力0.01～1MPa、时间1～15分钟。
[0088] 本发明中的临时粘接膜的材料只要满足上述各种物性就无特别限定，但是临时粘接膜优选包含粘合剂的至少一种。关于获得满足上述各种物性的临时粘接膜的方法能够适当确定，例如可举出组合特定的两种以上的粘合剂。并且，也能够通过配合特定的一种粘合剂和增塑剂等来调整物性。
[0089] 本发明中的临时粘接膜包含粘合剂时，优选粘合剂在临时粘接膜的总固体成分中以50.00～99.99质量％的比例包含，更优选为70.00～99.99质量％，尤其优选为88.00～99.99质量％。
[0090] 并且，作为粘合剂使用弹性体时，优选弹性体在临时粘接膜的总固体成分中以50.00～99.99质量％的比例包含，更优选为70.00～99.99质量％，尤其优选为88.00～
99.99质量％。
99.99质量％。
[0091] 关于粘合剂的详细内容，将在后面叙述。
[0092] 优选本发明中的临时粘接膜含有氟类液体状化合物。本发明中的临时粘接膜中，氟类液体状化合物的含有比例的下限相对于临时粘接膜的总固体成分，优选为0.001质量％以上，更优选为0.002质量％以上，还可以为0.01质量％以上，进一步还可以为0.03质量％以上，尤其还可以为0.04质量％以上，更尤其还可以为0.05质量％以上。上述氟类液体状化合物的含量的上限相对于临时粘接膜的总固体成分，优选为0.9质量％以下，更优选为0.6质量％以下，进一步优选为0.4质量％以下，更进一步优选为0.3质量％以下，更加进一步优选为0.2质量％以下，尤其更优选为0.1质量％以下。同时使用两种以上时，总量含量优选为上述范围。尤其在本发明中，将上述氟类液体状化合物的含量设为0.001～1质量％、进一步设为0.001～0.09质量％的范围，由此可有效地抑制层叠体时的晶片边缘的浮起。氟类液体状化合物为富有偏在性的化合物，因此如上述即使掺合量较少，也能够充分确保脱模性。
[0093] 优选本发明中的临时粘接膜含有硅酮化合物。本发明中的临时粘接膜中，硅酮化合物的含有比例的下限相对于临时粘接膜的总固体成分，优选为0.001质量％以上，更优选为0.002质量％以上，还可以为0.01质量％以上，进一步还可以为0.03质量％以上，尤其还可以为0.04质量％以上，更尤其还可以为0.05质量％以上。上述硅酮化合物的含量的上限相对于临时粘接膜的总固体成分，优选为1质量％以下，更优选为0.8质量％以下，进一步优选为0.6质量％以下，进一步优选为0.4质量％以下，更进一步优选为0.2质量％以下，进一步更优选为0.1质量％以下。
[0094] 尤其在本发明中，将上述硅酮化合物的含量设为0.001～0.1质量％、进一步设为0.001～0.09质量％的范围，由此可有效地抑制层叠体时的晶片边缘的浮起。硅酮化合物为富有偏在性的化合物，因此如上述即使掺合量较少，也能够充分确保脱模性。
[0095] 临时粘接膜中的氟类液体状化合物及硅酮化合物的含量能够通过如下来测定，即，由离子色谱法测量氟类液体状化合物中所包含的氟原子的量，由ICP-AES法测量硅酮化合物中所含的硅原子的量。
[0096] 本发明中的临时粘接膜还能够包含抗氧化剂等其他添加剂。关于这些的详细内容，将在后面叙述。
[0097] 在本发明中，临时粘接膜可以为一层，还可以为两层以上，但是优选为一层。
[0098] 本发明中的临时粘接膜的平均膜厚优选为0.1～500μm。下限优选为1μm以上。上限优选为200μm以下，更优选为100μm以下。具有两层以上的临时粘接膜时，总量厚度优选为上述范围。
[0099] 接着，对临时粘接膜的制造方法进行说明。
[0100] 临时粘接膜可以形成于第一基材及第二基材中的一个表面，还可以形成于与第一基材及第二基材不同的支撑体的表面。以下，将形成于不同的支撑体的表面时为例，对临时粘接膜的制造方法进行说明，但是形成于第一基材及第二基材中的一个表面时也能够以相同的方法进行。
[0101] 临时粘接膜的制造方法优选具有如下工序，即，在支撑体的表面以层状形成临时粘接用组合物，并干燥溶剂来制造临时粘接膜。
[0102] 作为临时粘接用组合物的适用方法，可举出旋涂法、刮板涂法、喷涂法、辊涂法、流涂法、刮刀涂布法、网版印刷法、浸涂法等，优选旋涂法及刮板涂法。并且，还可以为从狭缝状的开口通过压力挤出临时粘接用组合物，并在支撑体上涂布临时粘接用组合物的方法。
[0103] 临时粘接用组合物的涂布量根据用途而不同，例如，优选为干燥后的临时粘接膜的平均膜厚成为0.1～500μm的涂布量。下限优选为1μm以上。上限优选为200μm以下，更优选为100μm以下。
[0104] 另外，本发明中，临时粘接膜的平均膜厚定义为，在沿着临时粘接膜的一方向的截面中，从一个端面朝向另一个端面，通过千分尺以等间隔测定5处的位置中的膜厚的值的平均值。并且，本发明中，关于“沿着临时粘接膜的一方向的截面”，临时粘接膜为多角形状时，设为与长度方向正交的截面。并且，临时粘接膜为正方形状时，设为与任意一个边正交的截面。并且，临时粘接膜为圆形或椭圆形时，设为通过重心的截面。
[0105] 干燥条件根据临时粘接用组合物的种类或临时粘接膜的膜厚而不同。干燥条件例如优选为60～220℃且10～600秒钟。干燥温度更优选为80～200℃。干燥时间更优选为30～500秒钟，进一步优选为40～400秒钟。
[0106] 干燥可分为两个阶段，并阶段性地提高温度来实施。例如，可举出在90～130℃下加热30秒钟～250秒钟之后，在170～220℃下加热30秒钟～250秒钟。
[0107] 形成临时粘接膜的支撑体的种类并无特别限定，但是若考虑转印到第一基材及第二基材的一个，则优选为具有脱模性的支撑体。
[0108] 在支撑体上形成有临时粘接膜(薄膜)时，薄膜状的临时粘接膜还可以为仅包括从支撑体脱落的临时粘接膜的膜，还可以为在一个表面具有剥离片的临时粘接膜，还可以为双面具有剥离片的临时粘接膜。
[0109] 能够通过连续地进行这些处理来获得卷状的长形薄膜。长形薄膜的长度并无特别限定，但是下限例如优选为5000mm以上，更优选为1000mm以上。上限例如优选为500000mm以下，更优选为200000mm以下。剥离片在使用时剥离去除。
[0110] 在支撑体上形成临时粘接膜时，优选通过在第一基材及第二基材中的一个表面适用薄膜状的临时粘接膜，并施加热量及压力来层压而形成。
[0111] 另一方面，使用第一基材或第二基材来代替支撑体时，不必从这些基材剥下临时粘接膜，能够以原状态残留而进行器件晶片的加工。对器件晶片的加工将在后面叙述。并且，在基材的表面直接设置临时粘接膜时，优选包含清洗附着于基材的背面和基材的外周部等的剩余的临时粘接膜。此时的清洗优选为基于溶剂的清洗，作为这种溶剂通过与临时粘接用组合物的组成的关系适当地限定，作为一例可举出均三甲苯。
[0112] 接着，对本发明的临时粘接用组合物进行说明。本发明的临时粘接用组合物为用于依次相互相邻而具有第一基材、对临时粘接用组合物进行制膜而成的临时粘接膜及第二基材的层叠体，其中，在25℃温度下固定上述层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度，在与另一基材的基材面垂直的方向提拉上述另一基材的端部，由此可进行剥离，并且上述使用力传感器测定提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
[0113] ＜粘合剂＞
[0114] 本发明的临时粘接用组合物中，优选包含至少一种粘合剂。本发明中，粘合剂只要实现上述临时粘接膜的各种特性，则其种类等并无特别限定。
[0115] 粘合剂可举出嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物，优选为嵌段共聚物。若为嵌段共聚物，则能够抑制加热工艺时的临时粘接用组合物的流动，因此能够在加热工艺时也能够维持粘接，并且在加热工艺之后也能够期待剥离性无变化的效果。
[0116] 作为粘合剂的种类并无特别限定，能够使用聚苯乙烯类共聚物、聚酯类共聚物、聚烯烃类共聚物、聚氨酯类共聚物、聚酰胺类共聚物、聚丙烯酸类共聚物、硅酮类共聚物、聚酰亚胺类共聚物等。尤其，优选为聚苯乙烯类共聚物、聚酯类共聚物、聚酰胺类共聚物，从耐热性和剥离性的观点考虑，更优选为聚苯乙烯类共聚物。其中，粘合剂优选为苯乙烯与其他单体的嵌段共聚物，尤其优选一个末端或两个末端为苯乙烯嵌段的苯乙烯嵌段共聚物。
[0117] 并且，粘合剂优选为嵌段共聚物的氢化物。若粘合剂为氢化物，则会提高热稳定性和保存稳定性。进一步，会提高剥离性及剥离之后的临时粘接膜的清洗去除性。另外，氢化物是指嵌段共聚物被氢化的结构的聚合物。
[0118] 本发明中，粘合剂优选为弹性体。作为粘合剂使用弹性体，从而还迎合载体基材和器件晶片(第一基材和第二基材)的微细的凹凸，并能够根据适当的锚定效果形成粘接性优异的临时粘接膜。弹性体能够为一种或同时使用两种以上。
[0119] 另外，本说明书中，弹性体表示显示弹性变形的高分子化合物。即定义为具有如下性质的高分子化合物，即，在施加外力时，根据其外力瞬间变形，并且在除去外力时，在短时间内恢复原来的形状。
[0120] ＜＜弹性体＞＞
[0121] 本发明中，弹性体的重均分子量优选为2,000～200,000，更优选为10,000～200,000，进一步优选为50,000～100,000。重均分子量处于该范围的弹性体相对于溶剂的溶解性优异，因此从器件晶片剥离载体基材之后，使用溶剂去除残留在器件晶片和载体基材的弹性体由来的残渣时，残渣容易溶解于溶剂中而被去除。因此，具有在器件晶片和载体基材等不残留残渣等的优点。
[0122] 本发明中，作为弹性体并无特别限定，能够使用含有来源于苯乙烯的重复单元的弹性体(聚苯乙烯类弹性体)、聚酯类弹性体、聚烯烃类弹性体、聚氨酯类弹性体、聚酰胺类弹性体、聚丙烯酸类弹性体、硅酮类弹性体、聚酰亚胺类弹性体等。尤其，优选为聚苯乙烯类弹性体、聚酯类弹性体、聚酰胺类弹性体，从耐热性和剥离性的观点考虑，最优选为聚苯乙烯类弹性体。
[0123] 本发明中，弹性体优选氢化物。尤其优选为聚苯乙烯类弹性体的氢化物。若弹性体为氢化物，则热稳定性和保存稳定性得到提高。而且，剥离性及剥离之后的临时粘接膜的清洗去除性得到提高。使用聚苯乙烯类弹性体的氢化物时，上述效果显著。另外，氢化物是指弹性体被氢化的结构的聚合物。
[0124] 本发明中，弹性体从25℃以20℃/分钟的升温速度升温时的5％热质量降低温度优选为250℃以上，更优选为300℃以上，进一步优选为350℃以上，更进一步优选为400℃以上。并且，上限值并无特别限定，但是例如优选为1000℃以下，更优选为800℃以下。根据该方式，容易形成耐热性优异的临时粘接膜。
[0125] 本发明中使用的弹性体优选具有如下性质，即，将原来的大小设为100％时，在室温(20℃)下能够通过较小的外力变形至200％，并且除去外力时短时间内恢复到130％以下的性质。
[0126] ＜＜＜聚苯乙烯类弹性体＞＞＞
[0127] 作为聚苯乙烯类弹性体并无特别限制，能够根据目的适当选择。例如可举出苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SBBS)及它们的氢化物、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)等。
[0128] 聚苯乙烯类弹性体中的来源于苯乙烯的重复单元的含量优选为10～90质量％。从剥离性的观点考虑，下限值优选为25质量％以上，更优选为51质量％以上。
[0129] 本发明中，还优选聚苯乙烯类弹性体组合弹性体A和弹性体B来使用，所述弹性体A以10质量％以上且50质量％以下的比例在总重复单元中含有来源于苯乙烯的重复单元，所述弹性体B以大于50质量％且95质量％以下的比例在总重复单元中含有来源于苯乙烯的重复单元。通过同时使用弹性体A和弹性体B，能够有效地抑制产生翘曲。关于可获得这种效果的机理，能够推测如下。
[0130] 即，弹性体A为比较柔软的材料，因此容易形成具有弹性的临时粘接膜。因此，使用本发明的临时粘接用组合物来制造基材与支撑体的层叠体，并研磨基材来进行薄膜化时，即使局部性地施加研磨时的压力，也能够使临时粘接膜弹性变形而容易恢复到原来的形状。其结果，可获得优异的平坦研磨性。并且，即使对研磨后的层叠体进行加热处理之后进行冷却，也能够通过临时粘接膜缓和冷却时产生的内部应力，并能够有效地抑制产生翘曲。
[0131] 并且，上述弹性体B为比较硬的材料，因此能够通过含有弹性体B来制造剥离性优异的临时粘接膜。
[0132] 优选上述弹性体A在总重复单元中含有13～45质量％的来源于苯乙烯的重复单元，更优选含有15～40质量％。根据该方式，可获得更优异的平坦研磨性。从而，能够有效地抑制产生研磨之后的基材的翘曲。
[0133] 弹性体A的硬度优选为20～82，更优选为60～79。另外，硬度为按照JIS K6253的方法由A型硬度计测定的值。
[0134] 优选上述弹性体B在总重复单元中含有55～90质量％的来源于苯乙烯的重复单元，更优选含有60～80质量％。根据该方式，能够更有效地提高剥离性。
[0135] 弹性体B的硬度优选为83～100，更优选为90～99。
[0136] 上述弹性体A与上述弹性体B的质量比优选为弹性体A:弹性体B＝5:95～95:5，更优选为10:90～80:20，进一步优选为15:85～60:40，最优选为25:75～60:40。若为上述范围，则能够更有效地获得上述的效果。
[0137] 上述弹性体A与上述弹性体B的质量比在相对于通过临时粘接膜承载的器件晶片进行加热至200℃以上的工艺时，优选为弹性体A:弹性体B＝1:99～99:1，更优选为3:97～97:3，进一步优选为5:95～95:5，最优选为10:90～90:10。若为上述范围，则能够更有效地获得上述的效果。
[0138] 聚苯乙烯类弹性体优选为苯乙烯与其他单体的嵌段共聚物，更优选为一个末端或两个末端为苯乙烯嵌段的嵌段共聚物，尤其优选两个末端为苯乙烯嵌段。若聚苯乙烯类弹性体的两端设为苯乙烯嵌段(来源于苯乙烯的重复单元)，则具有耐热性更提高的趋势。这是因为在末端存在耐热性较高的来源于苯乙烯的重复单元。尤其，通过来源于苯乙烯的重复单元的嵌段部位为反应性的聚苯乙烯类硬嵌段，具有耐热性、耐药品性更优异的趋势，因此较优选。并且，若将这些设为嵌段共聚物，则认为在200℃以上进行硬嵌段与软嵌段的相分离。认为其相分离的形状有助于抑制器件晶片表面的凹凸的产生。而且，从对溶剂的溶解性及对光阻溶剂的耐性的观点考虑，也更优选这种弹性体。
[0139] 并且，若聚苯乙烯类弹性体为氢化物，则相对于热的稳定性得到提高，不易产生分解或聚合等改质。而且，从对溶剂的溶解性及对光阻溶剂的耐性的观点考虑，也更优选。
[0140] 作为聚苯乙烯类弹性体的不饱和双键量，从剥离性的观点考虑，每1g的聚苯乙烯类弹性体中，优选小于15mmol，更优选小于5mmol，最优选小于0.5mmol。另外，在此所说的不饱和双键量不包含来源于苯乙烯的苯环内的不饱和双键。不饱和双键量能够通过NMR(核磁共振)测定来计算。
[0141] 另外，本说明书中“来源于苯乙烯的重复单元”为聚合苯乙烯或苯乙烯衍生物时在聚合物中所包含的来源于苯乙烯的结构单元，还可以具有取代基。作为苯乙烯衍生物，例如可举出α-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-丙基苯乙烯、4-环己基苯乙烯等。作为取代基，例如可举出碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、碳原子数为1～5的烷氧基烷基、乙酰氧基、羧基等。
[0142] 作为聚苯乙烯类弹性体的市售品，例如可举出TUFPRENE A、TUFPRENE 125、TUFPRENE 126S、SOLPRENE T、ASAPRENE T-411、ASAPRENE T-432、ASAPRENE T-437、ASAPRENE T-438、ASAPRENE T-439、Tuftec H1272、Tuftec P1500、Tuftec H1052、Tuftec H1062、Tuftec M1943、Tuftec M1911、Tuftec H1041、Tuftec MP10、Tuftec M1913、Tuftec H1051、Tuftec H1053、Tuftec P2000、Tuftec H1043(以上，Asahi Kasei Corporation制造)、弹性体AR-850C、弹性体AR-815C、弹性体AR-840C、弹性体AR-830C、弹性体AR-860C、弹性体AR-875C、弹性体AR-885C、弹性体AR-SC-15、弹性体AR-SC-0、弹性体AR-SC-5、弹性体AR-710、弹性体AR-SC-65、弹性体AR-SC-30、弹性体AR-SC-75、弹性体AR-SC-45、弹性体AR-720、弹性体AR-741、弹性体AR-731、弹性体AR-750、弹性体AR-760、弹性体AR-770、弹性体AR-781、弹性体AR-791、弹性体AR-FL-75N、弹性体AR-FL-85N、弹性体AR-FL-60N、弹性体AR-
1050、弹性体AR-1060、弹性体AR-1040(ARONKASEI CO,.LTD.制造)、Kraton D1111、Kraton D1113、Kraton D1114、Kraton D1117、Kraton D1119、Kraton D1124、Kraton D1126、Kraton D1161、Kraton D1162、Kraton D1163、Kraton D1164、Kraton D1165、Kraton D1183、Kraton D1193、Kraton DX406、Kraton D4141、Kraton D4150、Kraton D4153、Kraton D4158、Kraton D4270、Kraton D4271、Kraton D 4433、Kraton D 1170、Kraton D 1171、Kraton D 1173、Cariflex IR0307、Cariflex IR 0310、Cariflex IR 0401、Kraton D0242、Kraton D1101、Kraton D1102、Kraton D1116、Kraton D1118、Kraton D1133、Kraton D1152、Kraton D1153、Kraton D1155、Kraton D1184、Kraton D1186、Kraton D1189、Kraton D1191、Kraton D1192、Kraton DX405、Kraton DX408、Kraton DX410、Kraton DX414、Kraton DX415、Kraton A1535、Kraton A1536、Kraton FG1901、Kraton FG1924、Kraton G1640、Kraton G1641、Kraton G1642、Kraton G1643、Kraton G1645、Kraton G1633、Kraton G1650、Kraton G1651、Kraton G1652(G1652MU-1000)、Kraton G1654、Kraton G1657、Kraton G1660、Kraton G1726、Kraton G1701、Kraton G1702、Kraton G1730、Kraton G1750、Kraton G1765、Kraton G4609、Kraton G4610(以上，Kraton Corporation.制造)、TR2000、TR2001、TR2003、TR2250、TR2500、TR2601、TR2630、TR2787、TR2827、TR1086、TR1600、SIS5002、SIS5200、SIS5250、SIS5405、SIS5505、DYNARON 6100P、DYNARON 4600P、DYNARON 6200P、DYNARON 4630P、DYNARON 8601P、DYNARON 8630P、DYNARON8600P、DYNARON 8903P、DYNARON
6201B、DYNARON 1321P、DYNARON 1320P、DYNARON 2324P、DYNARON 9901P(以上，JSR Corporation制造)、Denka STR系列(Denka制造)、Quintac 3520、Quintac 3433N、Quintac
3421、Quintac 3620、Quintac 3450、Quintac 3460(以上，ZEON CORPORATION制造)、TPE-SB系列(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)、RABALON系列(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.制造)、SEPTON 1001、SEPTON 8004、SEPTON 4033、SEPTON 2104、SEPTON 8007、SEPTON
2007、SEPTON 2004、SEPTON 2063、SEPTON HG252、SEPTON 8076、SEPTON 2002、SEPTON
1020、SEPTON 8104、SEPTON 2005、SEPTON 2006、SEPTON 4055、SEPTON 4044、SEPTON 4077、SEPTON 4099、SEPTON 8006、SEPTON V9461、SEPTON V9475、SEPTON V9827、HYBRAR 7311、HYBRAR 7125、HYBRAR 5127、HYBRAR 5125(以上，Kuraray Co.,Ltd.制造)、Sumiflex(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.制造)、LEOSTOMER、ACTYMER(以上，RIKEN TECHNOS CORP制造)等。
1050、弹性体AR-1060、弹性体AR-1040(ARONKASEI CO,.LTD.制造)、Kraton D1111、Kraton D1113、Kraton D1114、Kraton D1117、Kraton D1119、Kraton D1124、Kraton D1126、Kraton D1161、Kraton D1162、Kraton D1163、Kraton D1164、Kraton D1165、Kraton D1183、Kraton D1193、Kraton DX406、Kraton D4141、Kraton D4150、Kraton D4153、Kraton D4158、Kraton D4270、Kraton D4271、Kraton D 4433、Kraton D 1170、Kraton D 1171、Kraton D 1173、Cariflex IR0307、Cariflex IR 0310、Cariflex IR 0401、Kraton D0242、Kraton D1101、Kraton D1102、Kraton D1116、Kraton D1118、Kraton D1133、Kraton D1152、Kraton D1153、Kraton D1155、Kraton D1184、Kraton D1186、Kraton D1189、Kraton D1191、Kraton D1192、Kraton DX405、Kraton DX408、Kraton DX410、Kraton DX414、Kraton DX415、Kraton A1535、Kraton A1536、Kraton FG1901、Kraton FG1924、Kraton G1640、Kraton G1641、Kraton G1642、Kraton G1643、Kraton G1645、Kraton G1633、Kraton G1650、Kraton G1651、Kraton G1652(G1652MU-1000)、Kraton G1654、Kraton G1657、Kraton G1660、Kraton G1726、Kraton G1701、Kraton G1702、Kraton G1730、Kraton G1750、Kraton G1765、Kraton G4609、Kraton G4610(以上，Kraton Corporation.制造)、TR2000、TR2001、TR2003、TR2250、TR2500、TR2601、TR2630、TR2787、TR2827、TR1086、TR1600、SIS5002、SIS5200、SIS5250、SIS5405、SIS5505、DYNARON 6100P、DYNARON 4600P、DYNARON 6200P、DYNARON 4630P、DYNARON 8601P、DYNARON 8630P、DYNARON8600P、DYNARON 8903P、DYNARON
6201B、DYNARON 1321P、DYNARON 1320P、DYNARON 2324P、DYNARON 9901P(以上，JSR Corporation制造)、Denka STR系列(Denka制造)、Quintac 3520、Quintac 3433N、Quintac
3421、Quintac 3620、Quintac 3450、Quintac 3460(以上，ZEON CORPORATION制造)、TPE-SB系列(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)、RABALON系列(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.制造)、SEPTON 1001、SEPTON 8004、SEPTON 4033、SEPTON 2104、SEPTON 8007、SEPTON
2007、SEPTON 2004、SEPTON 2063、SEPTON HG252、SEPTON 8076、SEPTON 2002、SEPTON
1020、SEPTON 8104、SEPTON 2005、SEPTON 2006、SEPTON 4055、SEPTON 4044、SEPTON 4077、SEPTON 4099、SEPTON 8006、SEPTON V9461、SEPTON V9475、SEPTON V9827、HYBRAR 7311、HYBRAR 7125、HYBRAR 5127、HYBRAR 5125(以上，Kuraray Co.,Ltd.制造)、Sumiflex(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.制造)、LEOSTOMER、ACTYMER(以上，RIKEN TECHNOS CORP制造)等。
[0143] ＜＜＜聚酯类弹性体＞＞＞
[0144] 作为聚酯类弹性体并无特别限制，能够按照目的适当选择。例如可举出对二羧酸或其衍生物和二醇化合物或其衍生物缩聚而获得的聚酯。
[0145] 作为二羧酸，例如可举出对苯二甲酸、间苯二甲酸、萘二羧酸等芳香族二羧酸及它们的芳香环的氢原子由甲基、乙酯、苯基等取代的芳香族二羧酸、己二酸、癸二酸、十二烷二羧酸等碳原子数为2～20的脂肪族二羧酸、及环己烷二羧酸等脂环式二羧酸等。这些可以单独使用一种，还可以同时使用两种以上。
[0146] 作为二醇化合物，例如可举出乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,10-癸二醇、1,4-环己二醇等脂肪族二醇、脂环式二醇、由下述结构式表示的2价苯酚等。
[0147] [化学式1]
[0148]
[0149] 上述式中，YDO表示碳原子数为1～10的亚烷基、碳原子数为4～8的亚环烷基、-O-、-S-、及-SO2-中的任一个，或者表示苯环彼此的直接键合(单键)。RDO1及RDO2分别独立地表示卤原子或碳原子数为1～12的烷基。pdo1及pdo2分别独立地表示0～4的整数，ndo1表示0或1。
[0150] 作为2价的苯酚的具体例，可举出双酚A、双-(4-羟苯基)甲烷、双-(4-羟基-3-甲基苯基)丙烷、间苯二酚等。这些可以单独使用一种，还可以同时使用两种以上。
[0151] 并且，作为聚酯类弹性体也能够使用将芳香族聚酯(例如，聚对苯二甲酸丁二醇酯)部分设为硬链段成分、将脂肪族聚酯(例如，聚四甲二醇)部分设为软链段成分的多链段共聚物。作为多链段共聚物可举出因硬链段与软链段的种类、比率及分子量而不同的各种级别的共聚物。作为具体例，可举出Hytrel(DU PONT-TORAY CO.,LTD.制造)、PELPRENE(TOYOBO CO.,LTD.制造)、PRIMALLOY(Mitsubishi Chemical Corporation制造)、Nouvelan(Teijin Chemicals Ltd.制造)、ESPEL 1612、1620(以上，Hitachi Chemical Co.,Ltd.制造)等。
[0152] ＜＜＜聚烯烃类弹性体＞＞＞
[0153] 作为聚烯烃类弹性体，并无特别限制，能够按照目的适当选择。例如可举出乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯等碳原子数为2～20的α-烯烃的共聚物等。例如可举出乙烯-丙烯共聚物(EPR)、乙烯-丙烯-二烯共聚物(EPDM)等。并且，可举出双环戊二烯、1,4-己二烯、环辛二烯、亚甲基降冰片烯、亚乙基降冰片烯、丁二烯、异戊二烯等碳原子数为2～20的非共轭二烯与α-烯烃的共聚物等。并且，可举出在丁二烯-丙烯腈共聚物上共聚甲基丙烯酸的羧基改性丁腈橡胶。具体而言，可举出乙烯·α-烯烃共聚物橡胶、乙烯·α-烯烃·非共轭二烯共聚物橡胶、丙烯·α-烯烃共聚物橡胶、丁烯·α-烯烃共聚物橡胶等。
[0154] 作为市售品，可举出MILASTOMER(Mitsui Chemicals,Inc.制造)、THERMORUN(Mitsubishi Chemical Corporation制造)、EXACT(EXXON CHEMICAL COMPANY制造)、ENGAGE(The Dow Chemical Company制造)、Espolex(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)、Sarlink(TOYOBO CO.,LTD.制造)、NEWCON(Japan Polypropylene Corporation制造)、EXCELINK(JSR Corporation制造)等。
[0155] ＜＜＜聚氨酯类弹性体＞＞＞
[0156] 作为聚氨酯类弹性体，并无特别限制，能够按照目的适当选择。可举出包括例如包含低分子的二醇及二异氰酸酯的硬链段和包含高分子(长链)二醇及二异氰酸酯的软链段的结构单元的弹性体等。
[0157] 作为高分子(长链)二醇，可举出聚丙二醇、聚四亚甲基氧化物、聚(1,4-亚丁基己二酸酯)、聚(乙烯·1,4-亚丁基己二酸酯)、聚己内酯、聚(1,6-亚己基碳酸酯)、聚(1,6-亚己基-亚新戊基己二酸酯)等。高分子(长链)二醇的数均分子量优选为500～10,000。
[0158] 作为低分子的二醇，能够使用乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、双酚A等短链二醇。短链二醇的数均分子量优选为48～500。
[0159] 作为聚氨酯类弹性体的市售品，可举出PANDEXT-2185，T-2983N(以上，DIC CORPORATION制造)、Miractran(Nippon Miractran Co,Ltd.制造)、Elastollan(BASF JAPAN Ltd.制造)、RESAMINE(Dainichiseika Color&Chemicals Mfg.Co.,Ltd.制造)、Pellethane(Dow Chemical Company制造)、Iron-Rubber(NOK CORPORATION制造)、MOBILON(Nisshinbo Chemical Inc.制造)等。
[0160] ＜＜＜聚酰胺类弹性体＞＞＞
[0161] 作为聚酰胺类弹性体并无特别限制，能够按照目的适当选择。例如可举出将聚酰胺-6,11,12等聚酰胺用于硬链段并将聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚四甲二醇等的聚醚及聚酯中的至少一个用于软链段的弹性体等。该弹性体大体上分为聚醚嵌段酰胺型、聚醚酯嵌段酰胺型这两种。
[0162] 作为市售品可举出UBE聚酰胺弹性体、UBESTA XPA(UBE INDUSTRIES,LTD.制造)、DAIAMID(Daicel-Evonik Ltd.制造)、PEBAX(Arkema Group制造)、Grilon ELX(EMS-CHEMIE(Japan)Ltd.制造)、Novamid(Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.制造)、GRILUX(TOYOBO CO.,LTD.制造)、聚醚酯酰胺PA-200、PA-201、TPAE-12、TPAE-32、聚酯酰胺TPAE-617、TPAE-617C(以上，(株)T&K TOKA Corporation制造)等。
[0163] ＜＜＜聚丙烯酸类弹性体＞＞＞
[0164] 作为聚丙烯酸类弹性体并无特别限制，能够按照目的适当选择。例如可举出将丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯等丙烯酸酯为单体材料的主成分的物质或对丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等进行共聚的共聚物。另外，可举出对丙烯酸酯和丙烯腈或乙烯等交联位点单体进行共聚而成的物质等。具体而言，可举出丙烯腈-丙烯酸丙酯共聚物、丙烯腈-丙烯酸丙酯-丙烯酸乙酯共聚物、丙烯腈-丙烯酸丙酯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物等。
[0165] ＜＜＜硅酮类弹性体＞＞＞
[0166] 作为硅酮类弹性体并无特别限制，能够根据目的适当选择。例如可举出将有机聚硅氧烷为主成分的聚二甲基硅氧烷类、聚甲基苯基硅氧烷类、聚二苯基硅氧烷类等。作为市售品的具体例可举出KE系列(Shin-Etsu Chemical.Co.,Ltd.制造)、SE系列、CY系列、SH系列(以上，Dow Corning Corporation.制造)等。
[0167] ＜＜＜其他弹性体＞＞＞
[0168] 在本发明中，作为弹性体，能够使用橡胶改性的环氧树脂(环氧类弹性体)。环氧类弹性体例如通过将双酚F型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、水杨醛型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂或者甲酚酚醛清漆型环氧树脂的一部或全部环氧基由双末端羧酸改性型丁二烯-丙烯腈橡胶、末端氨基改性硅酮橡胶等改性而获得。
[0169] ＜＜其他高分子化合物＞＞
[0170] 在本发明中，作为粘合剂能够使用除了上述弹性体以外的高分子化合物(也称为其他高分子化合物)。其他高分子化合物能够使用一种或同时使用两种以上。
[0171] 作为其他高分子化合物的具体例，例如可举出烃类树脂、酚醛清漆树脂、酚醛树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚酰胺树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯并噁唑树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯树脂、聚缩醛树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯醚树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚芳树脂、聚醚醚酮树脂等。其中，优选为烃类树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂，更优选为烃类树脂。
[0172] 并且，在本发明中，作为粘合剂能够使用后面叙述的包含氟原子的物质，但是优选实际上不包含含有氟原子的粘合剂(以下，也称为氟类粘合剂)。实际上不包含氟类粘合剂是指氟类粘合剂的含量相对于粘合剂的总质量，例如优选为0.1质量％以下，更优选为0.05质量％以下，更加优选不含有。
[0173] ＜＜＜烃类树脂＞＞＞
[0174] 本发明中，作为烃类树脂，能够使用任意的树脂。
[0175] 烃类树脂是指基本上仅包括碳原子和氢原子的树脂，但是若基本骨架为烃类树脂，则还可以作为侧链包含其他原子。即，仅包括碳原子和氢原子的烃类树脂中，如丙烯酸树脂、聚乙烯醇树脂、聚乙烯缩醛树脂、聚乙烯吡咯烷酮树脂，在主链直接键合除了烃基以外的官能团时，也包括在本发明中的烃类树脂，此时，在主链直接键合烃基而成的重复单元的含量相对于树脂的总重复单元优选为30摩尔％以上。
[0176] 作为符合上述条件的烃类树脂，例如可举出萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、改性萜烯树脂、氢化萜烯树脂、氢化萜烯酚醛树脂、松香、松香酯、氢化松香、氢化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香、松香改性酚醛树脂、烷基酚醛树脂、脂肪族石油树脂、芳香族石油树脂、氢化石油树脂、改性石油树脂、脂环族石油树脂、古马隆石油树脂、茚石油树脂、聚苯乙烯-聚烯烃共聚物、烯烃聚合物(例如，甲基戊烯共聚物)及环烯烃聚合物(例如，降冰片烯共聚物、双环戊二烯共聚物、四环十二碳烯共聚物)等。
[0177] 烃类树脂中优选萜烯树脂、松香、石油树脂、氢化松香、聚合松香、烯烃聚合物或环烯烃聚合物，更优选为萜烯树脂、松香、烯烃聚合物或环烯烃聚合物，进一步优选为环烯烃聚合物。
[0178] 作为环烯烃聚合物，可举出降冰片烯类聚合物、单环的环状烯烃的聚合物、环状共轭二烯的聚合物、乙烯脂环式烃基聚合物及这些聚合物的氢化物等。作为环烯烃聚合物优选的例，可举出包含至少一种以上的由下述式(II)表示的重复单元的加成(共)聚合物、及还包含至少一种以上的由式(I)表示的重复单元而成的加成(共)聚合物。并且，作为环烯烃聚合物的又一优选的例可举出包含至少一种由式(III)表示的环状重复单元的开环(共)聚合物。
[0179] [化学式2]
[0180]
[0181] 式中，m表示0～4的整数。R1～R6分别表示氢原子或碳原子数为1～10的烃基，X1～X3及Y1～Y3分别表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、卤原子、被卤原子取代的碳原子数为1～10的烃基、-(CH2)nCOOR11、-(CH2)nOCOR12、-(CH2)nNCO、-(CH2)nNO2、-(CH2)nCN、-(CH2)nCONR13R14、-(CH2)nNR15R16、-(CH2)nOZ、-(CH2)nW或由X1与Y1、X2与Y2或者X3与Y3构成的(-CO)
17 11 12 13 14 15 16 17
2O、(-CO)2NR 。R 、R 、R 、R 、R 、R 及R 分别表示氢原子或烃基(优选碳原子数为1～20的烃基)、Z表示烃基或由卤素取代的烃基，W表示SiR18pD3-p(R18表示碳原子数为1～10的烃基，D表示卤原子、-OCOR18或-OR18，p表示0～3的整数)。n表示0～10的整数。
17 11 12 13 14 15 16 17
2O、(-CO)2NR 。R 、R 、R 、R 、R 、R 及R 分别表示氢原子或烃基(优选碳原子数为1～20的烃基)、Z表示烃基或由卤素取代的烃基，W表示SiR18pD3-p(R18表示碳原子数为1～10的烃基，D表示卤原子、-OCOR18或-OR18，p表示0～3的整数)。n表示0～10的整数。
[0182] 在日本特开平10-7732号公报、日本特表2002-504184号公报、US2004/229157A1号公报或者WO2004/070463A1号公报等中公开有降冰片烯类聚合物。降冰片烯类聚合物能够通过对降冰片烯类多环状不饱和化合物彼此进行加成聚合而获得。并且，也能够根据需要对降冰片烯类多环状不饱和化合物和乙烯、丙烯、丁烯、如丁二烯、异戊二烯的共轭二烯；如亚乙基降冰片烯的非共轭二烯进行加成聚合。该降冰片烯类聚合物由Mitsui Chemicals,Inc.以Apare的商品名出售，具有玻璃化转变温度(Tg)不同的例如APL8008T(Tg70℃)、APL6013T(Tg125℃)或APL6015T(Tg145℃)等的级别。由聚POLYPLASTICS CO.,LTD.出售有TOPAS8007、TOPAS5013、TOPAS6013、TOPAS6015等的颗粒。另外，由Ferrania公司出售有Appear3000。
[0183] 降冰片烯类聚合物的氢化物如在日本特开平1-240517号公报、日本特开平7-196736号公报、日本特开昭60-26024号公报、日本特开昭62-19801号公报，日本特开2003-
1159767号公报或日本特开2004-309979号公报等中所公开，能够通过对多环状不饱和化合物进行加成聚合或易位开环聚合之后进行加氢来制造。
1159767号公报或日本特开2004-309979号公报等中所公开，能够通过对多环状不饱和化合物进行加成聚合或易位开环聚合之后进行加氢来制造。
[0184] 式(III)中，R5及R6优选为氢原子或甲基，X3及Y3优选为氢原子，其他基团可适当选择。该降冰片烯类聚合物能够使用如下商品，由JSR Corporation以Arton G或Arton F等的商品名出售的商品，或由ZEON CORPORATION以Zeonor ZF14、ZF16、Zeonex 250、Zeonex 280、Zeonex 480R等的商品名出售的商品。
[0185] ＜＜＜热塑性聚酰亚胺树脂＞＞＞
[0186] 热塑性聚酰亚胺树脂能够使用通过公知的方法对四羧酸二酐与二胺进行缩合反应而获得的树脂。
[0187] 作为公知的方法，例如可举出使在有机溶剂中对四羧酸二酐与二胺进行大致等摩尔混合并在反应温度80℃以下反应，且对获得的聚酰胺酸进行脱水闭环的方法等。其中，大致等摩尔是指四羧酸二酐与二胺的摩尔量比接近1:1。另外，根据需要，四羧酸二酐与二胺的组成比可以调整为相对于四羧酸二酐的总量1.0摩尔，二胺的总量为0.5～2.0摩尔。能够通过将四羧酸二酐与二胺的组成比调整在上述范围内来调整热塑性聚酰亚胺树脂的重均分子量。
[0188] 作为四羧酸二酐并无特别限定，但是例如能够列举均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4'-联苯四羧酸二酐、2,2’,3,3'-联苯四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二无水物、2,2-双(2,3-二羧基苯基)丙烷二无水物、1,1-双(2,3-二羧基苯基)乙烷二无水物、1,1-双(3,
4-二羧基苯基)乙烷二无水物、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)砜二无水物、3,4,9,10-戊二烯四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)醚二无水物、苯基-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,
2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,
4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘基-1,
4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐、3,4,3',4'-联苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-联苯四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二无水物、1,4-双(3,4-二羧基苯基二甲基硅氧基)苯基二无水物、1,3-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二环己烷二无水物、对亚苯基双(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氢萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢萘基-1,2,5,6-四羧酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、双(外-双环〔2,2,1〕庚烷-
2,3-二羧酸二酐、双环-〔2,2,2〕-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二无水物、2,2-双〔4-(3,4-二羧基苯基)苯基〕丙烷二无水物、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二无水物、2,2-双〔4-(3,4-二羧基苯基)苯基〕六氟丙烷二无水物、4,4'-双(3,
4-二羧基苯氧基)二苯基硫化物二无水物、1,4-双(2-羟基六氟异丙基)苯基双(偏苯三酸酐)、1,3-双(2-羟基六氟异丙基)苯基双(偏苯三酸酐)、5-(2,5-二氧四氢呋喃基)-3-甲基-
3-环己烯-1,2-二羧酸二酐、四氢呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、4,4'-氧二邻苯二甲酸酐、1,
2-(乙烯)双(偏苯三酸酐)、1,3-(三亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,4-(四亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,5-(五亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,6-(六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,7-(七亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,8-(八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,9-(九亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,
10-(十亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亚甲基)双(偏苯三酸酐)等，这些中能够单独使用一种或组合两种以上来使用。在它们之中优选3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐，更优选3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐。
4-二羧基苯基)乙烷二无水物、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)砜二无水物、3,4,9,10-戊二烯四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)醚二无水物、苯基-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,
2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,
4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘基-1,
4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐、3,4,3',4'-联苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-联苯四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二无水物、双(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二无水物、1,4-双(3,4-二羧基苯基二甲基硅氧基)苯基二无水物、1,3-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二环己烷二无水物、对亚苯基双(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氢萘基-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢萘基-1,2,5,6-四羧酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、双(外-双环〔2,2,1〕庚烷-
2,3-二羧酸二酐、双环-〔2,2,2〕-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二无水物、2,2-双〔4-(3,4-二羧基苯基)苯基〕丙烷二无水物、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二无水物、2,2-双〔4-(3,4-二羧基苯基)苯基〕六氟丙烷二无水物、4,4'-双(3,
4-二羧基苯氧基)二苯基硫化物二无水物、1,4-双(2-羟基六氟异丙基)苯基双(偏苯三酸酐)、1,3-双(2-羟基六氟异丙基)苯基双(偏苯三酸酐)、5-(2,5-二氧四氢呋喃基)-3-甲基-
3-环己烯-1,2-二羧酸二酐、四氢呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、4,4'-氧二邻苯二甲酸酐、1,
2-(乙烯)双(偏苯三酸酐)、1,3-(三亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,4-(四亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,5-(五亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,6-(六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,7-(七亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,8-(八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,9-(九亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,
10-(十亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亚甲基)双(偏苯三酸酐)等，这些中能够单独使用一种或组合两种以上来使用。在它们之中优选3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐，更优选3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐。
[0189] 作为二胺，并无特别限制，能够列举例如邻亚苯基二胺、间亚苯基二胺、对亚苯基二胺、3,3'-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4'-二氨基二苯基醚、3,3’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、双(4-氨基-3,5-二甲基苯基)甲烷、双(4-氨基-3,5-二异丙基苯基)甲烷、3,3’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、4,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,3’-二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基硫化物、3,4’-二氨基二苯基硫化物、4,4’-二氨基二苯基硫化物、3,3’-二氨基二苯基酮、3,4’-二氨基二苯基酮、4,4’-二氨基二苯基酮、3-(4-氨基苯基)-1,1,
3-三甲基-5-氨基茚满、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2'-(3,4’-二氨基二苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯基、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯基、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯基、3,3’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、3,4’-(1,
4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、4,4’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、4-(3-氨基苯氧基)二苯砜、4-(4-氨基苯氧基)二苯砜、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜、3,3’-二羟基-4,4’-二氨基二苯基、3,5-二氨基苯甲酸等芳香族二胺、1,3-双(氨基甲基)环己烷、2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、聚氧丙烯二胺、4,9-二氧十二烷-1,12-二胺、4,9,14-三氧十七烷-1,17-二胺、
1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,
7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基十烷、1,11-二氨基十一烷、
1,12-二氨基十二烷、1,2-二氨基环己烷、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷等。
3-三甲基-5-氨基茚满、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2'-(3,4’-二氨基二苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯基、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯基、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯基、3,3’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、3,4’-(1,
4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、4,4’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、4-(3-氨基苯氧基)二苯砜、4-(4-氨基苯氧基)二苯砜、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜、3,3’-二羟基-4,4’-二氨基二苯基、3,5-二氨基苯甲酸等芳香族二胺、1,3-双(氨基甲基)环己烷、2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、聚氧丙烯二胺、4,9-二氧十二烷-1,12-二胺、4,9,14-三氧十七烷-1,17-二胺、
1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,
7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基十烷、1,11-二氨基十一烷、
1,12-二氨基十二烷、1,2-二氨基环己烷、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷等。
[0190] 这些二胺中，优选选自包括3-(4-氨基苯基)-1,1,3-三甲基-5-氨基茚满、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、聚氧丙烯二胺、2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、4,9-二氧十二烷-1,12-二胺、1,6-二氨基己烷及4,9,14-三氧十七烷-1,17-二胺的组中的一种以上，更优选3-(4-氨基苯基)-1,1,3-三甲基-5-氨基茚满。
[0191] 作为在上述四羧酸二酐与二胺的反应中所使用的溶剂，例如可举出N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺。为了调整原材料等的溶解性，可以同时使用非极性溶剂(例如，甲苯和二甲苯)。
[0192] 上述四羧酸二酐与二胺的反应温度优选低于100℃，进一步优选低于90℃。并且，聚酰胺酸的亚胺化通过在代表性的非活性气氛(代表性地为真空或氮气气氛)下加热处理来进行。加热处理温度优选为150℃以上，进一步优选为180～450℃。
[0193] 热塑性聚酰亚胺树脂的重均分子量(Mw)优选为10,000～1000,000，更优选为20,000～100,000。
[0194] 本发明中，热塑性聚酰亚胺树脂优选为相对于选自γ-丁内酯、环戊酮、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、环己酮、二醇醚、二甲基亚砜及四甲基脲的至少1种溶剂在25℃下的溶解度为10g/100gSolvent以上的聚酰亚胺树脂。
[0195] 具有这种溶解度的热塑性聚酰亚胺树脂例如可举出使3,4,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐与3-(4-氨基苯基)-1,1,3-三甲基-5-氨基茚满反应而获得的热塑性聚酰亚胺树脂等。该热塑性聚酰亚胺树脂的耐热性尤其优异。
[0196] 热塑性聚酰亚胺树脂还可以使用市售品。例如可举出Durimide(注册商标)200、208A、284(以上，FUJIFILM Co.,Ltd.制造)、GPT-LT(Gunei Chemical Industry Co.,Ltd.制造)、SOXR-S、SOXR-M、SOXR-U、SOXR-C(以上，NIPPON KODOSHI CORPORATION制造)、VH1003F、VH1003M、XH1015(以上，Saudi Basic Industries Corporation制造)等。
[0197] ＜＜＜聚碳酸酯树脂＞＞＞
[0198] 本发明中，聚碳酸酯树脂优选具有由下述式(1)表示的重复单元。
[0199] [化学式3]
[0200]
[0201] 式(1)中，Ar1及Ar2分别独立地表示芳香族基，L表示单键或2价的连接基团。
[0202] 式(1)中的Ar1及Ar2分别独立地表示芳香族基。作为芳香族基，可举出苯环、萘环、戊二烯环、茚环、薁环、庚搭烯环、茚烯环、戊二烯环、稠五苯环、乙烷合萘环、菲环、蒽环、稠四苯环、 环、三亚苯环、茀环、二苯环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、咪唑环、噁唑环、噻唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、噠嗪环、吲嗪环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、异苯并呋喃环、喹嗪环、喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹噁啉环、喹噁唑啉环、异喹啉环、咔唑环、啡啶环、吖啶环、啡啉环、噻嗯环、色烯环、呫呸环、啡噁噻环、啡噻嗪环及啡嗪环。其中，优选为苯环。
[0203] 这些芳香族基可以具有取代基，但是优选不具有取代基。
[0204] 作为芳香族基可以具有的取代基的例，可举出卤原子、烷基、烷氧基、芳基等。
[0205] 作为卤原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
[0206] 作为烷基，可举出碳原子数为1～30的烷基。烷基的碳原子数更优选为1～20，进一步优选为1～10。烷基还可以为直链、支链中的任一个。并且，烷基的氢原子的一部或全部还可以由卤原子取代。作为卤原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，优选为氟原子。
[0207] 作为烷氧基，优选碳原子数为1～30的烷氧基。更优选烷氧基的碳原子数为1～20，进一步优选为1～10。烷氧基还可以为直链、支链、环状中的任一个。
[0208] 作为芳基，优选碳原子数为6～30的芳基，更优选碳原子数为6～20的芳基。
[0209] 聚碳酸酯树脂的重均分子量(Mw)优选为1,000～1,000,000，更优选为10,000～80,000。若为上述范围，则对溶剂的溶解性、耐热性良好。
[0210] 作为聚碳酸酯树脂的市售品，例如可举出PCZ-200、PCZ-300、PCZ-500、PCZ-800(以上，MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY制造)、APEC9379(Bayer公司制造)、Panlite L-1225LM(TEIJIN LIMITED制造)等。
[0211] 本发明的临时粘接用组合物中优选在临时粘接用组合物的总固体成分中以50.00～99.99质量％的比例含有粘合剂，更优选为70.00～99.99质量％，尤其优选为88.00～99.99质量％。若粘合剂的含量为上述范围，则粘接性及剥离性优异。
[0212] 作为粘合剂使用弹性体时，优选在临时粘接用组合物的总固体成分中以50.00～99.99质量％的比例包含弹性体，更优选为70.00～99.99质量％，尤其优选为88.00～99.99质量％。若弹性体的含量为上述范围，则粘接性及剥离性优异。使用两种以上的弹性体时，优选总量在上述范围。
[0213] 并且，作为粘合剂使用弹性体时，粘合剂总质量中的弹性体的含量优选为50～100质量％，更优选为70～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更优选为90～100质量％。并且，粘合剂实际上还可以仅为弹性体。另外，粘合剂实际上仅为弹性体是指，粘合剂总质量中的弹性体的含量优选为99质量％以上，更优选为99.9质量％以上，进一步优选仅包含弹性体。
[0214] ＜＜氟类液体状化合物＞＞
[0215] 本发明中的临时粘接用组合物优选含有氟类液体状化合物。
[0216] 本发明中，液体状是指在25℃下具有偏移性的化合物，例如在25℃下的粘度为1～100,000Pa·s的化合物。其中，粘度能够使用B型粘度计来测定，作为粘度的测定方法，使用利用B型粘度计(Viscolead Adv，Fungilab制造)来粘度测定的值。
[0217] 氟类液体状化合物在25℃下的粘度更例如优选为10～20,000Pa·s，更优选为100～15,000Pa·s。若氟类液体状化合物的粘度为上述范围，则氟类液体状化合物容易偏在于临时粘接膜的表层。
[0218] 本发明中，氟类液体状化合物也能够优选使用低聚物、聚合物中的任一方式的化合物。并且，还可以为低聚物与聚合物的混合物。在这些混合物中也可以还包含单体。并且，氟类液体状化合物还可以为单体。
[0219] 从耐热性等观点考虑，氟类液体状化合物优选为低聚物、聚合物及它们的混合物。
[0220] 作为低聚物、聚合物，例如可举出自由基聚合物、阳离子聚合物、阴离子聚合物等，能够优选使用任一个。尤其优选为乙烯类聚合物。
[0221] 氟类液体状化合物的重均分子量优选为500～100000，更优选为1000～50000，更优选为2000～20000。
[0222] 本发明中，氟类液体状化合物优选为在处理提供临时粘接的基材时不会改性的化合物。例如优选为即使在250℃以上的加热、或在各种药液中处理基材之后也能够以液体状存在的化合物。作为具体的一例，从25℃的状态在10℃/分钟的升温条件下加热至250℃之后，冷却至25℃之后的25℃下的粘度优选为1～100,000Pa·s，更优选为10～20,000Pa·s，更优选为100～15,000Pa·s。
[0223] 作为具有这种特性的氟类液体状化合物优选不具有反应性基团的非热固性化合物。其中所谓的反应性基团是指在250℃的加热下进行反应的所有基团，可举出聚合性基团、加水分解性基团等。具体而言，例如可举出甲基(丙烯酸)基、环氧基、异氰酰基等。
[0224] 并且，氟类液体状化合物中优选从25℃以20℃/分钟升温的10％热质量降低温度为250℃以上，更优选为280℃以上。并且，上限值并无特别限定，但是例如优选为1000℃以下，更优选为800℃以下。根据该方式，容易形成耐热性优异的临时粘接膜。另外，质量降低温度是通过热重量测定装置(TGA)在氮气气流下在上述升温条件下进行测定的值。
[0225] 本发明中所使用的氟类液体状化合物具有亲油基。作为亲油基，可举出直链或支链的烷基、环烷基、芳香族基等。
[0226] 烷基的碳原子数优选为2～30，更优选为4～30，进一步优选为6～30，尤其优选为12～20。作为烷基的具体例，例如可举出甲基、乙酯、丙酯、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、十四烷基、十八烷基、异丙酯、异丁基、仲丁基、叔丁基、1-乙基戊基、2-乙基己基。
[0227] 烷基可以具有取代基。作为取代基可举出卤原子、烷氧基、芳香族基等。
[0228] 作为卤原子，可举出氯原子、氟原子、溴原子、碘原子等，优选为氟原子。
[0229] 烷氧基的碳原子数优选为1～30，更优选为1～20，进一步优选为1～10。烷氧基优选为直链或支链。
[0230] 芳香族基还可以为单环，还可以为多环。芳香族基的碳原子数优选为6～20，更优选为6～14，最优选为6～10。
[0231] 环烷基还可以为单环，还可以为多环。环烷基的碳原子数优选为3～30，更优选为4～30，进一步优选为6～30，最优选为12～20。作为单环的环烷基，例如可举出环丙酯、环丁基、环戊基、环己基、环庚基及环辛基。作为多环的环烷基，例如可举出金刚烷基、降冰片基、冰片基、莰烯、十氢萘基、三环葵烷基、四环葵烷基、樟脑酰基、二环己基及苹烯基。
[0232] 环烷基还可以具有上述取代基。
[0233] 芳香族基还可以为单环，还可以为多环。芳香族基的碳原子数优选为6～20，更优选为6～14，最优选为6～10。芳香族基优选在构成环的元素中不包含杂原子(例如，氮原子、氧原子、硫原子等)。作为芳香族基的具体例，可举出苯环、萘环、戊二烯环、茚环、薁环、庚搭烯环、茚烯环、戊二烯环、稠五苯环、乙烷合萘环、菲环、蒽环、稠四苯环、 环、三亚苯环、茀环、二苯环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、咪唑环、噁唑环、噻唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、噠嗪环、吲嗪环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、异苯并呋喃环、喹嗪环、喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹噁啉环、喹噁唑啉环、异喹啉环、咔唑环、啡啶环、吖啶环、啡啉环、噻嗯环、色烯环、呫呸环、啡噁噻环、啡噻嗪环、及、啡嗪环。
[0234] 芳香族基还可以具有上述的取代基。
[0235] 氟类液体状化合物可以为仅包含一种亲油基的化合物，还可以包含两种以上。并且，亲油基还可以包含氟原子。即，本发明中的氟类液体状化合物还可以为仅在亲油基中包含氟原子的化合物。并且，还可以为除了亲油基以外，还具有包含氟元素的基团(也称为氟基)。优选包含亲油基和氟基的化合物。氟类液体状化合物为具有亲油基和氟基的化合物时，亲油基可以包含氟原子，还可以不包含，但是优选亲油基包含氟原子。
[0236] 氟类液体状化合物在一分子中具有一个以上的亲油基，优选具有2～100个，尤其优选具有6～80个。
[0237] 作为氟基，能够使用已知的氟基。例如可举出含氟烷基、含氟亚烷基等。另外，氟基中作为亲油基发挥作用的基包含于亲油基。
[0238] 含氟烷基的碳原子数优选为1～30，更优选为1～20，进一步优选为1～15。含氟烷基还可以为直链、支链、环状中的任一个。并且，还可以具有醚键。并且，含氟烷基还可以为所有氢原子被氟原子取代的全氟烷基。
[0239] 含氟亚烷基的碳原子数优选为2～30，更优选为2～20，进一步优选为2～15。含氟亚烷基还可以为直链、支链、环状中的任一个。并且，还可以具有醚键。并且，含氟亚烷基还可以为所有氢原子被氟原子取代的全氟亚烷基。
[0240] 氟类液体状化合物的氟原子的含有率优选为1～90质量％，更优选为2～80质量％，更优选为5～70质量％。若氟含有率为上述范围，则剥离性优异。
[0241] 氟原子的含有率由“{(1分子中的氟原子数×氟原子的质量)/1分子中的所有原子的质量}×100”定义。
[0242] 氟类液体状化合物也能够使用市售品。例如可举出，DIC Corporation Co.,Ltd.制Magafac系列的F-251、F-281、F-477、F-553、F-554、F-555、F-556、F-557、F-558、F-559、F-560、F-561、F-563、F-565、F-567、F-568、F-571、R-40、R-41、R-43、R-94和Neos Corporation制Ftergent系列的710F、710FM、710FS、730FL、730LM。
[0243] 本发明中的临时粘接用组合物中的氟类液体状化合物的含量，相对于去除溶剂的临时粘接用组合物的质量，优选为0.001质量％以上，更优选为0.002质量％以上，还可以为0.01质量％以上，以进一步还可以为0.03质量％以上，尤其还可以为0.04质量％以上，更尤其还可以为0.05质量％以上。上述氟类液体状化合物的含量，相对于去除上限溶剂的临时粘接用组合物的质量，优选为1质量％以下，更优选为0.8质量％以下，进一步优选为0.6质量％以下，进一步优选为0.4质量％以下，更进一步优选为0.2质量％以下，进一步更优选为
0.1质量％以下。
0.1质量％以下。
[0244] 尤其在本发明中，上述氟类液体状化合物的含量设为0.001～0.1质量％、进一步设为0.001～0.09质量％的范围，由此可有效地抑制层叠体时的晶片边缘的浮起。氟类液体状化合物为富有偏在性的化合物，因此如上述即使掺合量较少，也能够充分确保脱模性。同时使用两种以上时，总计含量优选为上述范围。
[0245] 并且，本发明的临时粘接用组合物中，氟类液体状化合物与粘合剂的质量比优选为氟类液体状化合物:粘合剂＝0.001:99.999～10:90.00，更优选为0.001:99.999～5:95.00，进一步优选为0.010:99.99～5:95.00。氟类液体状化合物与粘合剂的质量比设为上述范围，由此更多的氟类液体状化合物容易偏在于临时粘接膜的空气表面侧。
[0246] ＜＜硅酮化合物＞＞
[0247] 本发明中的临时粘接用组合物优选含有硅酮化合物。
[0248] 本发明中，硅酮化合物也能够优选使用低聚物及聚合物中的任一方式的化合物。并且，还可以为低聚物与聚合物的混合物。
[0249] 硅酮化合物的重均分子量优选为500～100000，更优选为1000～50000，更优选为2000～40000。
[0250] 本发明中，硅酮化合物从25℃以20℃/分钟的升温速度升温时的10％热质量降低温度优选为250℃以上，更优选为280℃以上。并且，上限值并无特别限定，但是例如优选为1000℃以下，更优选为800℃以下。根据该方式，容易形成耐热性优异的临时粘接膜。另外，质量降低温度是通过热重量测定装置(TGA)在氮气气流下在上述升温条件进行测定的值。
[0251] 本发明中所使用的硅酮化合物优选为改性硅酮化合物。作为改性的种类，可举出单胺改性、二胺改性、氨基改性、环氧改性、脂环式环氧改性、甲醇改性、巯基改性、羧基改性、氢改性、氨基·聚醚改性、环氧·聚醚改性、环氧·芳烷基改性等的反应性官能团改性、聚醚改性、芳烷基改性、氟烷基改性、长链烷基改性、高级脂肪酸酯改性、高级脂肪酸酰胺改性、聚醚·长链烷基·芳烷基改性等的非反应性官能团改性。
[0252] 本发明中所使用的聚醚改性硅酮的分子量优选为500以上。并且，聚醚改性硅酮中，作为亲水性基优选使用包含选自环氧乙烷(EO)及环氧丙烷(PO)的至少一个的聚醚改性硅酮，更优选包含环氧乙烷。
[0253] 尤其，在本发明中，优选由下述式(101)～式(104)中的任一个表示的聚醚改性硅酮。
[0254] 式(101)
[0255] [化学式4]
[0256]
[0257] 上述式(101)中，R11及R16分别独立地为取代基，R12及R14分别独立地为2价的连接基团，R13及R15为氢原子或碳原子数为1～5的烷基，m11、m12、n1及p1分别独立地为0～20的数，x1及y1分别独立地为2～100的数。
[0258] 式(102)
[0259] [化学式5]
[0260]
[0261] 上述式(102)中，R21、R25及R26分别独立地为取代基，R22为2价的连接基团，R23为氢原子或碳原子数为1～5的烷基，m2及n2分别独立地为0～20的数，x2为2～100的数。
[0262] 式(103)
[0263] [化学式6]
[0264]
[0265] 上述式(103)中，R31及R36分别独立地为取代基，R32及R34分别独立地为2价的连接基团，R33及R35为氢原子或碳原子数为1～5的烷基，m31、m32、n3及p3分别独立地为0～20的数，x3为2～100的数。
[0266] 式(104)
[0267] [化学式7]
[0268]
[0269] 上述式(104)中，R41、R42、R43、R44、R45及R46分别独立地为取代基，R47为2价的连接基团，R48为氢原子或碳原子数为1～5的烷基，m4及n4分别独立地为0～20的数，x4及y4分别独立地为2～100的数。
[0270] 本发明中所使用的聚醚改性硅酮的、聚亚氧烷基的分子中的含量并无特别限定，但是期望聚亚氧烷基的含量超过总分子量中20质量％。
[0271] 聚亚氧烷基的含有率由“{(1分子中的聚亚氧烷基的式量)/1分子的分子量}×100”定义。
[0272] 本发明中所使用的聚醚改性硅酮也能够使用市售品。例如可举出ADVALON FA33、FLUID L03、FLUID L033、FLUID L051、FLUID L053、FLUID L060、FLUID L066、IM22、WACKER-Belsil DMC 6038(以上，wacker asahikasei silicone co.,ltd.制造)、KF-352A、KF-353、KF-615A、KP-112、KP-341、X-22-4515、KF-354L、KF-355A、KF-6004、KF-6011、KF-6011P、KF-6012、KF-6013、KF-6015、KF-6016、KF-6017、KF-6017P、KF-6020、KF-6028、KF-6028P、KF-
6038、KF-6043、KF-6048、KF-6123、KF-6204、KF-640、KF-642、KF-643、KF-644、KF-945、KP-
110、KP-355、KP-369、KS-604、Polon SR-Conc、X-22-4272、X-22-4952(以上，Shin-Etsu Chemical.Co.,Ltd.制造)、8526ADDITIVE、FZ-2203、FZ-5609、L-7001、SF 8410、
2501COSMETIC WAX、5200FORMULATION AID、57ADDITIVE、8019ADDITIVE、8029ADDITIVE、
8054ADDITIVE、BY16-036、BY16-201、ES-5612FORMULATION AID、FZ-2104、FZ-2108、FZ-
2110、FZ-2123、FZ-2162、FZ-2164、FZ-2191、FZ-2207、FZ-2208、FZ-2222、FZ-7001、FZ-77、L-
7002、L-7604、SF8427、SF8428、SH 28PAINR ADDITIVE、SH3749、SH3773M、SH8400、SH8700(以上，Dow Corning Corporation.制造)、BYK-333、BYK-378、BYK-302、BYK-307、BYK-331、BYK-
345、BYK-3455、BYK-347、BYK-348、BYK-349、BYK-377(以上，BYK Japan制造)、Silwet L-
7001、Silwet L-7002、Silwet L-720、Silwet L-7200、Silwet L-7210、Silwet L-7220、Silwet L-7230、Silwet L-7605、TSF4440、TSF4441、TSF4445、TSF4446、TSF4450、TSF4452、TSF4460、Silwet Hydrostable 68、Silwet L-722、Silwet L-7280、Silwet L-7500、Silwet L-7550、Silwet L-7600、Silwet L-7602、Silwet L-7604、Silwet L-7607、Silwet L-7608、Silwet L-7622、Silwet L-7650、Silwet L-7657、Silwet L-77、Silwet L-8500、Silwet L-
8610(以上，Momentive Performance Materials Inc.制造)。
6038、KF-6043、KF-6048、KF-6123、KF-6204、KF-640、KF-642、KF-643、KF-644、KF-945、KP-
110、KP-355、KP-369、KS-604、Polon SR-Conc、X-22-4272、X-22-4952(以上，Shin-Etsu Chemical.Co.,Ltd.制造)、8526ADDITIVE、FZ-2203、FZ-5609、L-7001、SF 8410、
2501COSMETIC WAX、5200FORMULATION AID、57ADDITIVE、8019ADDITIVE、8029ADDITIVE、
8054ADDITIVE、BY16-036、BY16-201、ES-5612FORMULATION AID、FZ-2104、FZ-2108、FZ-
2110、FZ-2123、FZ-2162、FZ-2164、FZ-2191、FZ-2207、FZ-2208、FZ-2222、FZ-7001、FZ-77、L-
7002、L-7604、SF8427、SF8428、SH 28PAINR ADDITIVE、SH3749、SH3773M、SH8400、SH8700(以上，Dow Corning Corporation.制造)、BYK-333、BYK-378、BYK-302、BYK-307、BYK-331、BYK-
345、BYK-3455、BYK-347、BYK-348、BYK-349、BYK-377(以上，BYK Japan制造)、Silwet L-
7001、Silwet L-7002、Silwet L-720、Silwet L-7200、Silwet L-7210、Silwet L-7220、Silwet L-7230、Silwet L-7605、TSF4440、TSF4441、TSF4445、TSF4446、TSF4450、TSF4452、TSF4460、Silwet Hydrostable 68、Silwet L-722、Silwet L-7280、Silwet L-7500、Silwet L-7550、Silwet L-7600、Silwet L-7602、Silwet L-7604、Silwet L-7607、Silwet L-7608、Silwet L-7622、Silwet L-7650、Silwet L-7657、Silwet L-77、Silwet L-8500、Silwet L-
8610(以上，Momentive Performance Materials Inc.制造)。
[0273] 本发明中的临时粘接用组合物中的硅酮化合物的含量，相对于去除溶剂的临时粘接用组合物的质量，优选为0.001质量％以上，更优选为0.002质量％以上，还可以为0.01质量％以上，进一步还可以为0.03质量％以上，尤其还可以为0.04质量％以上，更尤其还可以为0.05质量％以上。上述硅酮化合物的含量的上限，相对于去除溶剂的临时粘接用组合物的质量，优选为0.9质量％以下，更优选为0.6质量％以下，进一步优选为0.4质量％以下，进一步优选为0.3质量％以下，更进一步优选为0.2质量％以下，进一步更优选为0.1质量％以下。
[0274] 尤其在本发明中，将上述硅酮化合物的含量设为0.001～1质量％、进一步设为0.001～0.09质量％的范围，由此可有效地抑制层叠体时的晶片边缘的浮起。硅酮化合物为富有偏在性的化合物，因此如上述即使掺合量较少，也能够充分确保脱模性。同时使用两种以上时，优选总量含量为上述范围。
[0275] ＜＜增塑剂＞＞
[0276] 本发明中所使用的临时粘接用组合物根据需要还可以包含增塑剂。能够通过配合增塑剂来设为满足上述诸多性能的临时粘接膜。
[0277] 作为增塑剂，能够使用邻苯二甲酸酯、脂肪酸酯、芳香族多元羧酸酯、聚酯等。
[0278] 作为邻苯二甲酸酯，例如可举出DMP、DEP、DBP、#10、BBP、DOP、DINP、DIDP(以上，DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)、PL-200、DOIP(以上，CG ESTER CORPORATION制造)、SANSO CIZER DUP(New Japan Chemical Co.,Ltd.制造)等。
[0279] 作为脂肪酸酯，例如可举出丁基硬脂酸酯、uni-star M-9676、uni-star M-2222SL、uni-star H-476、uni-star H-476D、PANACET 800B、PANACET 875、PANACET 810(以上，NOF CORPORATION制造)、DBA、DIBA、DBS、DOA、DINA、DIDA、DOS、BXA、DOZ、DESU(以上，DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)等。
[0280] 作为芳香族多元羧酸酯、可举出TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)、Monocizer W-705(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)、UL-80、UL-100(ADEKA CORPORATION制造)等。
[0281] 作为聚酯，可举出Polycizer TD-1720、Polycizer S-2002、Polycizer S-2010(以上，DIC CORPORATION制造)、BAA-15(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)等。
[0282] 在上述增塑剂中，优选为DIDP、DIDA、TOTM、uni-star M-2222SL、Polycizer TD-1720，更优选为DIDA、TOTM，尤其优选为TOTM。
[0283] 增塑剂可以使用一种，还可以组合两种以上。
[0284] 从加热时防止升华的观点考虑，在氮气气流下根据20℃/分钟的一定速度的升温条件测定重量变化时，优选增塑剂的重量降低1质量％的温度为250℃以上，更优选为270℃以上，尤其优选为300℃以上。上限并无特别限定，但是能够设为例如500℃以下。
[0285] 增塑剂的添加量相对于临时粘接用组合物的总固体成分，优选为0.01质量％～5.0质量％，更优选为0.1质量％～2.0质量％。
[0286] ＜＜抗氧化剂＞＞
[0287] 本发明的临时粘接用组合物可含有抗氧化剂。作为抗氧化剂，能够使用苯酚类抗氧化剂、硫类抗氧化剂、磷类抗氧化剂、醌类抗氧化剂、胺类抗氧化剂等。
[0288] 作为苯酚类抗氧化剂，例如可举出对甲氧基苯酚，2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、Irganox1010、Irganox1330、Irganox3114、Irganox1035(以上，BASF公司制造)、Sumilizer MDP-S、Sumilizer GA-80(以上，Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)等。
[0289] 作为硫类抗氧化剂，例如可举出3,3’-硫代二丙酸二硬脂醇酯、Sumilizer TPM、Sumilizer TPS、Sumilizer TP-D(以上，Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)等。
[0290] 作为磷类抗氧化剂，例如可举出三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸盐、双(2,4-二叔丁基苯基)季戊四醇二亚磷酸盐、聚(二丙二醇)苯基亚磷酸盐，二苯基异癸基亚磷酸盐、2-乙基己基二苯基亚磷酸盐、三苯基亚磷酸盐、Irgafos168、Irgafos38(以上，BASF公司制造)等。
[0291] 作为醌类抗氧化剂，例如可举出对苯醌、2-叔丁基-1,4-苯醌等。
[0292] 作为胺类抗氧化剂，例如可举出二甲基苯胺和啡噻嗪等。
[0293] 优选抗氧化剂为Irganox1010、Irganox1330、3,3’-硫代二丙酸二硬脂醇酯、Sumilizer TP-D，更优选为Irganox1010、Irganox1330，尤其优选为Irganox1010。
[0294] 并且，在上述抗氧化剂中，优选同时使用苯酚类抗氧化剂与硫类抗氧化剂或磷类抗氧化剂，最优选同时使用苯酚类抗氧化剂与硫类抗氧化剂。尤其，作为弹性体，使用聚苯乙烯类弹性体时，优选同时使用苯酚类抗氧化剂与硫类抗氧化剂。通过这种组合，能够期待更有效地抑制因氧化反应的粘合剂的劣化。同时使用苯酚类抗氧化剂与硫类抗氧化剂时，优选苯酚类抗氧化剂与硫类抗氧化剂的质量比为苯酚类抗氧化剂:硫类抗氧化剂＝95:5～5:95，更优选为25:75～75:25。
[0295] 作为抗氧化剂的组合，优选为Irganox1010与Sumilizer TP-D、Irganox1330与Sumilizer TP-D及Sumilizer GA-80与Sumilizer TP-D，更优选为Irganox1010与Sumilizer TP-D、Irganox1330与Sumilizer TP-D，尤其优选为Irganox1010与Sumilizer TP-D。
[0296] 从加热时防止升华的观点考虑，抗氧化剂的分子量优选为400以上，进一步优选为600以上，尤其优选为750以上。
[0297] 临时粘接用组合物具有抗氧化剂时，抗氧化剂的含量相对于临时粘接用组合物的总固体成分，优选为0.001～20.0质量％，更优选为0.005～10.0质量％。
[0298] 抗氧化剂可以为一种，还可以为两种以上。抗氧化剂为两种以上时，优选其总量在上述范围。
[0299] ＜＜溶剂＞＞
[0300] 本发明的临时粘接用组合物优选具有溶剂。溶剂并无限制，能够使用公知的溶剂，优选为有机溶剂。
[0301] 作为有机溶剂，可适当地列举乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、甲酸戊酯、乙酸异戊酯、丙酸丁酯、丁酸异丙酯、丁酸乙酯、丁酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、氧基乙酸烷基酯(例：氧基乙酸甲酯、氧基乙酸乙酯、氧基乙酸丁酯(例如，甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯等))、3-氧基丙酸烷基酯类(例：3-氧基丙酸甲酯、3-氧基丙酸乙酯等(例如，3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等))、2-氧基丙酸烷基酯类(例：2-氧基丙酸甲酯、2-氧基丙酸乙酯、2-氧基丙酸丙酯等(例如，2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯))、2-氧基-2-甲基丙酸甲酯及2-氧基-2-甲基丙酸乙酯(例如，2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-乙氧基-2-甲基丙酸乙酯等)、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、2-氧代丁烷酸甲酯、2-氧代丁烷酸乙酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯等酯类；
[0302] 二乙二醇二甲基醚、四氢呋喃、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单丁基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚乙酸酯、丙二醇单丙基醚乙酸酯等醚类；
[0303] 甲基乙基酮、环己酮、2-庚酮、3-庚酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯等酮类；
[0304] N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮等吡咯烷酮类；
[0305] 甲苯、二甲苯、氟苯甲醚、均三甲苯、偏三甲苯、乙基苯、丙基苯、枯烯、正丁基苯、仲丁基苯、异丁基苯、叔丁基苯、戊基苯、异戊基苯、(2,2-二甲基丙基)苯、1-苯基己烷、1-苯基庚烷、1-苯基辛烷、1-苯基壬烷、1-苯基十烷、环丙基苯、环己基苯、2-乙基甲苯、1,2-二乙基苯、邻伞花烃、茚满、1,2,3,4-四氢萘、3-乙基甲苯、间伞花烃、1,3-二异丙基苯、4-乙基甲苯、1,4-二乙基苯、对伞花烃、1,4-二异丙基苯、4-叔丁基甲苯、1,4-二叔丁基苯、1,3-二乙基苯、1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、4-叔丁基邻二甲苯、1,2,4-三乙基苯、1,3,5-三乙基苯、1,3,5-三异丙基苯、5-叔丁基间二甲苯、3,5-二叔丁基甲苯、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、五甲基苯、十氢萘等芳香族烃类；
[0306] 乙基环己烷、柠檬烯、对-萜烷、壬烷、十烷、十二烷、萘烷等脂肪族烃类等。
[0307] 从涂布面状的改良等的观点考虑，这些溶剂也优选为混合两种以上的方式。此时，尤其优选的是由选自均三甲苯、叔丁基苯、偏三甲苯、对-萜烷、γ-丁内酯、N-乙基-2-吡咯烷酮、氟苯甲醚、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙基溶纤剂乙酸酯、乳酸乙酯、二乙二醇二甲基醚、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、2-庚酮、环己酮、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇甲基醚、及丙二醇甲基醚乙酸酯的两种以上构成的混合溶液。
[0308] 临时粘接用组合物具有溶剂时，从涂布性的观点考虑，临时粘接用组合物的溶剂的含量优选临时粘接用组合物的总固体成分浓度成为5～80质量％的量，进一步优选成为5～70质量％的量，尤其优选成为10～60质量％的量。
[0309] 溶剂可以为一种，还可以为两种以上。溶剂为两种以上时，优选其总量为上述范围。
[0310] ＜表面活性剂＞
[0311] 本发明的临时粘接用组合物优选含有表面活性剂。
[0312] 作为表面活性剂能够使用阴离子系、阳离子系、非离子系或两性中的任一个，优选的表面活性剂为非离子系表面活性剂。
[0313] 作为非离子系表面活性剂的优选的例子，能够列举聚氧乙烯高级烷基醚类、聚氧乙烯高级烷基苯基醚类、聚氧乙二醇的高级脂肪酸二酯类。
[0314] 临时粘接用组合物具有表面活性剂时，从涂布性的观点考虑，临时粘接用组合物的表面活性剂的含量相对于临时粘接用组合物的总固体成分优选为0.001～5质量％，进一步优选为0.005～1质量％，尤其优选为0.01～0.5质量％。表面活性剂可以仅为一种，还可以是两种以上。表面活性剂为两种以上时，优选其总量为上述范围。
[0315] ＜＜其他添加剂＞＞
[0316] 本发明的临时粘接用组合物在不损害本发明的效果的范围内，根据需要能够调配各种添加物，例如，固化剂、固化催化剂、硅烷偶联剂、填充剂、粘附促进剂、紫外线吸收剂、凝聚抑制剂等。调配这些添加剂时，其总计掺合量优选为临时粘接用组合物的总固体成分的3质量％以下。
[0317] 本发明的临时粘接用组合物优选为不包含金属等杂质。作为这些材料中包含的杂质的含量，优选为1质量ppm(parts per million：百万分之)以下，更优选为100质量ppt(parts per trillion：兆分之)以下，进一步优选为10质量ppt以下，尤其优选为实际上不包含(为测定装置的检测极限以下)。
[0318] 作为从临时粘接用组合物去除金属等杂质的方法，例如，能够列举使用过滤器进行的过滤。作为过滤器孔径，优选为细孔尺寸10nm以下，更优选为5nm以下，进一步优选为3nm以下。作为过滤器的材质，优选为聚四氟乙烯制、聚乙烯制、尼龙制过滤器。过滤器可以使用用有机溶剂预先清洗的过滤器。在过滤器过滤工序中，可串联或并联连接多种过滤器。
使用多种过滤器时，可组合使用孔径及/或材质不同的过滤器。并且，可多次过滤各种材料，进行多次过滤的工序还可以是循环过滤工序。
使用多种过滤器时，可组合使用孔径及/或材质不同的过滤器。并且，可多次过滤各种材料，进行多次过滤的工序还可以是循环过滤工序。
[0319] 并且，作为减少临时粘接用组合物中包含的金属等杂质的方法，能够列举如下等方法：作为构成临时粘接用组合物的原料选择金属含量少的原料；对构成临时粘接用组合物的原料进行过滤器过滤；在装置内用特氟龙(注册商标)进行衬处理等来尽可能地抑制污染的条件下进行蒸馏。对构成临时粘接用组合物的原料进行的过滤器过滤中的优选条件与上述条件相同。
[0320] 除了过滤器过滤之外，还可进行通过吸附材料的杂质的去除，也可组合使用过滤器过滤和吸附材料。作为吸附材料能够使用公知的吸附材料，例如，能够使用硅胶、沸石等的无机类吸附材料、活性炭等有机类吸附材料。
[0321] ＜临时粘接用组合物的制备＞
[0322] 本发明的临时粘接用组合物能够将上述各成分加以混合来进行制备。各成分的混合通常在0℃～100℃的范围内进行。并且，将各成分加以混合之后，例如优选用过滤器过滤。过滤可以多阶段进行，也可反复多次。并且，也能够再过滤过滤而得的液体。
[0323] 作为过滤器，只要是一直以来用于过滤用途等的过滤器，则能够无特别限定地使用。例如可举出基于PTFE(聚四氟乙烯)等氟树脂、尼龙-6、尼龙-6,6等聚酰胺系树脂、聚乙烯、聚丙烯(PP)等聚烯烃树脂(包含高密度且超高分子量)等的过滤器。这些材料中优选聚丙烯(包含高密度聚丙烯)及尼龙。
[0324] 过滤器的孔径例如适合为0.003～5.0μm左右。通过设为该范围，能够抑制过滤堵塞且能够可靠地去除组合物中包含的杂质或凝聚物等微细的异物。
[0325] 使用过滤器时，可组合使用不同的过滤器。此时，利用第一过滤器的过滤可仅为1次，也可进行2次以上。组合不同的过滤器来进行2次以上的过滤时，优选为第二次以后的孔径与第一次的过滤的孔径相同或小于第一次过滤的孔径。并且，也可在上述范围内组合不同孔径的第一过滤器。此处的孔径能够参考过滤器制造商的标称值。作为市售的过滤器，例如能够从Nihon Pall Ltd.、Advantec Toyo Kaisha,Ltd.、Nihon Entegris K.K.或KITZ MICRO FILTER CORPORATION等所提供的各种过滤器中选择。
[0326] ＜半导体装置的制造方法＞
[0327] ＜＜第一实施方式＞＞
[0328] 以下，一并参考图1对经过制造层叠体的工序的半导体装置的制造方法的一实施方式进行进行说明。另外，本发明不限定于以下实施方式。
[0329] 图1(A)～(E)分别为对载体基材与器件晶片的临时粘接进行说明的示意剖视图(图1(A)，(B))，表示临时粘接于载体基材上的器件晶片被薄型化的状态(图1(C))，将载体基材与器件晶片进行剥离之状态(图1(D))，从器件晶片去除临时粘接膜之后的状态(图1(E))的示意剖视图。
[0330] 该实施方式中，如图1(A)所示，首先，准备载体基材12上设置有临时粘接膜11而成的粘接性载体基材100。
[0331] 临时粘接膜11优选为实际上不包含溶剂的形态。
[0332] 器件晶片60在硅基板61的表面61a设置有多个装置芯片62而成。
[0333] 硅基板61的厚度例如优选为200～1200μm。装置芯片62例如优选为金属结构体，高度优选为10～100μm。
[0334] 在形成临时粘接膜的过程中，可以设置用溶剂清洗载体基材及器件晶片的背面的工序。具体而言，通过使用溶解临时粘接膜的溶剂去除附着于基材或晶片的端面或背面的临时粘接膜的残渣，从而能够防止装置的污染，并能够降低薄型化器件晶片的TTV(Total Thickness Variation：总厚度变化)。
[0335] 作为用于利用溶剂清洗载体基材及器件晶片的背面的工序的溶剂，能够使用前述临时粘接用组合物中所含的溶剂。
[0336] 接着，如图1(B)所示，压接粘接性载体基材100和器件晶片60，并临时粘接载体基材12和器件晶片60。
[0337] 临时粘接膜11优选完全覆盖装置芯片62，装置芯片的高度为Xμm，且将临时粘接膜的厚度为Yμm时，优选为满足“X+100≥Y＞X”的关系。
[0338] 临时粘接膜11完全覆盖装置芯片62的情况在欲进一步降低薄型化器件晶片的TTV时(即，欲进一步提高薄型化器件晶片的平坦性时)为有效。
[0339] 即，将器件晶片薄型化时，用临时粘接膜11保护多个装置芯片62，由此在与载体基材12的接触面中，能够大致消除凹凸形状。因此，即使在如此支承的状态下进行薄型化，来源于多个装置芯片62的形状转印到薄型化器件晶片的背面61b1的可能性也减少，其结果，能够更加降低最终获得的薄型化器件晶片的TTV。
[0340] 接着，如图1(C)所示，对硅基板61的背面61b，实施机械性或化学性处理(并无特别限定，例如刮擦或化学性机械研磨(CMP)等薄膜化处理、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等的高温及真空下的处理、使用有机溶剂、酸性处理液或碱性处理液等药品的处理、电镀处理、光化射线的照射、加热处理以及冷却处理等)，如图1(C)所示，将硅基板61的厚度设为较薄(例如，薄型化为成为上述厚度)，由此获得薄型化器件晶片60a。
[0341] 将器件晶片薄型化之后，在进行高温及真空下的处理之前的阶段中，可以设置利用溶剂对与器件晶片的基材面的面积相比超出至外侧的临时粘接膜进行清洗的工序。具体而言，将器件晶片薄型化之后，使用溶解临时粘接膜的溶剂去除超出的临时粘接膜，由此能够防止因直接实施高温及真空下的处理引起的临时粘接膜的变形、改质。作为利用溶剂对与载体基材的基材面的面积或器件晶片的基材面的面积相比超出至外侧的临时粘接膜进行清洗的工序中使用的溶剂，能够使用上述临时粘接用组合物中所含的溶剂。
[0342] 即，在本发明中，临时粘接膜的膜面的面积优选为小于载体基材的基材面的面积。并且，在本发明中，当将载体基材的基材面的直径设为Cμm、将器件晶片的基材面的直径设为Dμm、将临时粘接膜的膜面的直径设为Tμm时，更优选为满足(C-200)≥T≥D。另外，当将载体基材的基材面的直径设为Cμm、将器件晶片的基材面的直径设为Dμm，将与临时粘接膜的载体基材接触的一侧的膜面的直径设为TCμm、将与临时粘接膜的器件晶片接触的一侧的膜面的直径设为TDμm时，优选为满足(C-200)≥TC＞TD≥D。通过设为这种结构，能够进一步抑制因直接对临时粘接膜实施高温及真空下的处理引起的临时粘接膜的变形、改质。
[0343] 另外，所谓临时粘接膜的膜面的面积是指从相对于载体基材垂直的方向观察时的面积，不考虑膜面的凹凸。关于器件晶片的基材面也相同。即，在此所谓的器件晶片的基材面例如为与图1的61a面相对应的面，是设置有装置芯片的一侧的面。关于临时粘接膜的膜面等的直径也同样地考虑。
[0344] 并且，所谓临时粘接膜的膜面的直径T是指，当将与临时粘接膜的载体基材接触的一侧的膜面的直径设为TCμm、将与临时粘接膜的器件晶片接触的一侧的膜面的直径设为TμDm时，T＝(TC+TD)/2。载体基材的基材面的直径及器件晶片的基材面的直径是指与临时粘接膜接触侧的表面的直径。
[0345] 另外，关于载体基材等，虽然规定为“直径”，但载体基材等并非必须为数学意义上的圆形(正圆)，只要大致为圆形即可。在非正圆的情况下，将换算为相同面积的正圆时的直径设为上述直径。
[0346] 并且，作为机械性或化学性处理，可在薄膜化处理之后进行如下处理：形成从薄型化器件晶片60a的背面61b1贯穿硅基板的贯穿孔(未图示)，并在该贯穿孔内形成硅贯穿电极(未图示)。
[0347] 并且，可在将载体基材12与器件晶片60临时粘接之后至剥离前的期间进行加热处理。作为加热处理的一例，可举出在进行机械或化学处理时进行加热。
[0348] 加热处理中的最高到达温度优选为80～400℃，更优选为130℃～400℃，进一步优选为180℃～350℃。加热处理中的最高到达温度优选设为低于临时粘接膜的分解温度的温度。加热处理中，优选在最高到达温度下加热30秒钟～30分钟，更优选在最高到达温度下加热1分钟～10分钟。
[0349] 接着，如图1(D)所示，使载体基材12从薄型化器件晶片60a剥离。剥离时的温度优选为40℃以下，还能够设为30℃以下。作为剥离时的温度的下限值例如为0℃以上，优选为10℃以上。本发明的剥离在能够在15～35℃左右的常温下进行的这一点上价值较高。
[0350] 剥离的方法并无特别限定，但是优选为将薄型化器件晶片60a固定，从载体基材层叠体的端部向相对于薄型化器件晶片60a垂直的方向提拉而进行剥离。此时，关于剥离界面，优选在载体基材12与临时粘接膜11的界面剥离。剥离时的提拉速度优选为30～100mm/分钟的速度，更优选为40～80mm/分钟的速度。此时，优选载体基材12与临时粘接膜11的界面的粘附强度A、器件晶片表面61a与临时粘接膜11的粘附强度B满足以下的式。
[0351] A＜B 式(A)
[0352] 并且，剥离时的提拉端部时的力优选为0.33N/mm以下，还能够设为0.2N/mm以下。作为下限值，优选为0.07N/mm以上。此时的能够使用测力计进行测定。
[0353] 并且，如图1(E)所示，能够通过从薄型化器件晶片60a去除临时粘接膜11来获得薄型化器件晶片。
[0354] 临时粘接膜11的去除方法例如可举出：将临时粘接膜以保持原状态剥离去除的方法；利用剥离液去除临时粘接膜的方法(利用剥离液使临时粘接膜膨润之后进行剥离去除的方法、对临时粘接膜喷射剥离液而进行破坏去除的方法、使临时粘接膜溶解于剥离液而溶解去除的方法等)；通过光化射线、放射线或热的照射使临时粘接膜分解、气化而去除的方法等。从削减溶剂的使用量的观点观点考虑，优选为以保持薄膜状的状态进行去除。并且，从减少器件晶片表面的损伤的观点考虑，优选为溶解去除。将临时粘接膜以保持原状态剥离去除的方法是指，不进行使用剥离液等的化学处理，而是在临时粘接剂保持原状态下进行剥离，更优选为将临时粘接膜以保持薄膜状的状态进行剥离去除的方法。将临时粘接膜以保持膜状的状态下进行剥离时，优选为机械剥离。为了将临时粘接膜以保持薄膜状的状态去除，器件晶片表面61a与临时粘接膜11的粘附强度B优选为满足以下式(B)。
[0355] B≤4N/cm····式(B)
[0356] 当利用剥离液去除临时保护膜时，能够优选使用以下剥离液。
[0357] ＜剥离液＞
[0358] 作为剥离液，能够使用水及溶剂(有机溶剂)。
[0359] 并且，作为剥离液，优选为溶解临时粘接膜11的有机溶剂。作为有机溶剂，例如可举出：脂肪族烃类(己烷、庚烷、ISOPAR E、H、G(Esso Chemistry K.K.制造)、柠檬烯、对-萜烷、壬烷、十烷、十二烷、萘烷等)、芳香族烃类(甲苯、二甲苯、氟苯甲醚、均三甲苯、偏三甲苯、乙基苯基、丙基苯基、枯烯、正丁基苯、仲丁基苯基、异丁酯苯基、叔丁基苯基、戊基苯、异戊酯苯基、(2,2-二甲基丙基)苯基、1-苯基己烷、1-苯基庚烷、1-苯基辛烷、1-苯基壬烷、1-苯基十烷、环丙基苯基、环己基苯基、2-乙基甲苯、1,2-二乙基苯基、邻-异丙基甲苯、茚满、1,2,3,4-四氢萘、3-乙基甲苯、间-异丙基甲苯、1,3-二异丙基苯基、4-乙基甲苯、1，4-二乙基苯基、对-异丙基甲苯、1,4-二异丙基苯基、4-叔丁基甲苯、1,4-二叔丁基苯基、1,3-二乙基苯基、1,2,3-三甲基苯基、1,2,4-三甲基苯基、4-叔丁基-邻二甲苯、1,2,4-三乙基苯基、
1,3,5-三乙基苯基、1,3,5-三异丙基苯基、5-叔丁基-间二甲苯、3,5-二叔丁基甲苯、1,2,3,
5-四甲基苯基、1,2,4,5-四甲基苯基、五甲基苯基等)、卤化烃(二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烯、单氯苯等)、极性溶剂。作为极性溶剂，可举出：醇类(甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、1-丁醇、
1-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-壬醇、1-癸醇、苄醇、乙二醇单甲醚、2-乙氧基乙醇、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单己醚、三乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、聚乙二醇单甲醚、聚丙二醇、四乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单苄基醚、乙二醇单苯基醚、丙二醇单苯基醚、甲基苯基甲醇、正戊醇、甲基戊醇等)、酮类(丙酮、甲基乙基酮、乙基丁基酮、甲基异丁基酮、环己酮等)、酯类(乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸苄基酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、二乙基邻苯二甲酸酯、乙酰丙酸丁酯等)、其他(三乙基磷酸酯、三甲苯酚基磷酸酯、N-苯基乙醇胺、N-苯基二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、4-(2-羟基乙基)吗啉、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮等)等。
1,3,5-三乙基苯基、1,3,5-三异丙基苯基、5-叔丁基-间二甲苯、3,5-二叔丁基甲苯、1,2,3,
5-四甲基苯基、1,2,4,5-四甲基苯基、五甲基苯基等)、卤化烃(二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烯、单氯苯等)、极性溶剂。作为极性溶剂，可举出：醇类(甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、1-丁醇、
1-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-壬醇、1-癸醇、苄醇、乙二醇单甲醚、2-乙氧基乙醇、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单己醚、三乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、聚乙二醇单甲醚、聚丙二醇、四乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单苄基醚、乙二醇单苯基醚、丙二醇单苯基醚、甲基苯基甲醇、正戊醇、甲基戊醇等)、酮类(丙酮、甲基乙基酮、乙基丁基酮、甲基异丁基酮、环己酮等)、酯类(乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸苄基酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、二乙基邻苯二甲酸酯、乙酰丙酸丁酯等)、其他(三乙基磷酸酯、三甲苯酚基磷酸酯、N-苯基乙醇胺、N-苯基二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、4-(2-羟基乙基)吗啉、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮等)等。
[0360] 另外，从剥离性的观点考虑，剥离液可含有碱、酸及表面活性剂。在调配这些成分时，调配量优选分别为剥离液的0.1～5.0质量％。
[0361] 而且，从剥离性的观点考虑，也优选为将两种以上的有机溶剂及水、两种以上的碱、酸及表面活性剂混合的形态。
[0362] 作为碱，例如能够使用：磷酸三钠、磷酸三钾、磷酸三铵、磷酸二钠、磷酸二钾、磷酸二铵、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铵、碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸氢铵、硼酸钠、硼酸钾、硼酸铵、氢氧化钠、氢氧化铵、氢氧化钾及氢氧化锂等无机碱剂、或单甲胺、二甲胺、三甲胺、单乙胺、二乙胺、三乙胺、单异丙胺、二异丙胺、三异丙胺、正丁胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、乙烯亚胺、乙二胺、吡啶、四甲基氢氧化铵等有机碱剂。这些碱剂能够单独使用或组合使用两种以上。
[0363] 作为酸，能够使用：卤化氢、硫酸、硝酸、磷酸、硼酸等无机酸、或甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、三氟甲磺酸、乙酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乳酸、草酸、酒石酸等有机酸。
[0364] 作为表面活性剂，能够使用阴离子系、阳离子系、非离子系、两性离子系的表面活性剂。此时，相对于碱性水溶液的总量，表面活性剂的含量优选为1～20质量％，更优选为1～10质量％。
[0365] 通过将表面活性剂的含量设为上述范围内，而存在能够进一步提高临时粘接膜11与薄型化器件晶片60a的剥离性的趋势。
[0366] 作为阴离子系表面活性剂并无特别限定，可举出：脂肪酸盐类、松脂酸盐类、羟基烷烃磺酸盐类、烷烃磺酸盐类、二烷基磺基琥珀酸盐类、直链烷基苯磺酸盐类、支链烷基苯磺酸盐类、烷基萘磺酸盐类、烷基二苯基醚(二)磺酸盐类、烷基苯氧基聚氧乙烯烷基磺酸盐类、聚氧乙烯烷基磺基苯基醚盐类、N-烷基-N-油烯基牛磺酸钠类、N-烷基磺基琥珀酸单酰胺二钠盐类、石油磺酸盐类、硫酸化蓖麻油、硫酸化牛脂油、脂肪酸烷基酯的硫酸酯盐类、烷基硫酸酯盐类、聚氧乙烯烷基醚硫酸酯盐类、脂肪酸单甘油酯硫酸酯盐类、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸酯盐类、聚氧乙烯苯乙烯基苯基醚硫酸酯盐类、烷基磷酸酯盐类、聚氧乙烯烷基醚磷酸酯盐类、聚氧乙烯烷基苯基醚磷酸酯盐类、苯乙烯-顺丁烯二酸酐共聚物的部分皂化物类、烯烃-顺丁烯二酸酐共聚物的部分皂化物类、萘磺酸盐甲醛缩合物类等。其中，能够尤其优选地使用烷基苯磺酸盐类、烷基萘磺酸盐类、烷基二苯基醚(二)磺酸盐类。
[0367] 作为阳离子系表面活性剂并无特别限定，能够使用以往公知的表面活性剂。可举出：烷基胺盐类、季铵盐类、烷基咪唑鎓盐、聚氧乙烯烷基胺盐类、聚乙烯聚胺衍生物。
[0368] 作为非离子系表面活性剂并无特别限定，可举出：聚乙二醇型的高级醇环氧乙烷加成物、烷基苯酚环氧乙烷加成物、烷基萘酚环氧乙烷加成物、苯酚环氧乙烷加成物、萘酚环氧乙烷加成物、脂肪酸环氧乙烷加成物、多元醇脂肪酸酯环氧乙烷加成物、高级烷基胺环氧乙烷加成物、脂肪酸酰胺环氧乙烷加成物、油脂的环氧乙烷加成物、聚丙二醇环氧乙烷加成物、二甲基硅氧烷-环氧乙烷嵌段共聚物、二甲基硅氧烷-(环氧丙烷-环氧乙烷)嵌段共聚物、多元醇型的甘油的脂肪酸酯、季戊四醇的脂肪酸酯、山梨糖醇及山梨糖醇酐的脂肪酸酯、蔗糖的脂肪酸酯、多元醇的烷基醚、烷醇胺类的脂肪酸酰胺等。其中，优选为具有芳香环与环氧乙烷链的表面活性剂，更优选为烷基取代或无取代的苯酚环氧乙烷加成物或者烷基经取代或无取代的萘酚环氧乙烷加成物。
[0369] 作为两性离子系表面活性剂并无特别限定，可举出：烷基二甲基氧化胺等氧化胺系、烷基甜菜碱等甜菜碱系、烷基胺基脂肪酸钠等胺基酸系。尤其是可优选地使用可具有取代基的烷基二甲基氧化胺、可具有取代基的烷基羧基甜菜碱、可具有取代基的烷基磺基甜菜碱。具体而言，能够使用日本特开2008-203359号公报的段落编号[0256]的式(2)所示出的化合物、日本特开2008-276166号公报的段落编号[0028]的式(I)、式(II)、式(VI)所示出的化合物、日本特开2009-47927号公报的段落编号[0022]～[0029]所示出的化合物。
[0370] 进而根据需要也能够含有如消泡剂及硬水软化剂这样的添加剂。
[0371] 将载体基材12从薄型化器件晶片60a剥离时，优选为不进行任何处理而从薄型化器件晶片60a的端部向相对于器件晶片垂直的方向提拉而进行剥离。并且，作为去除器件晶片表面61a上的临时粘接膜11的方法，优选以保持薄膜状的状态去除。
[0372] 若将载体基材12与临时粘接膜11的界面的粘附强度设为A，将器件晶片表面61a与临时粘接膜11的粘附强度设为B，则通过同时满足上述式(A)及(B)，能够以上述形态从器件晶片去除载体基材12、临时粘接膜11。
[0373] 将载体基材12从薄型化器件晶片60a剥离之后，根据需要对薄型化器件晶片60a实施各种公知的处理，从而制造具有薄型化器件晶片60a的半导体装置。
[0374] 并且，在临时粘接膜附着于载体基材的情况下，能够通过去除临时粘接膜而使载体基材再生。作为去除临时粘接膜的方法，可举出：保持薄膜状的状态；通过刷子、超声波、冰粒子、气雾剂的吹附物理性去除的方法；使其溶解于水溶液或有机溶剂中而溶解去除的方法；通过光化射线、放射线、热的照射使其分解、气化的方法等的化学性去除方法，根据载体基材能够利用以往已知的清洗方法。
[0375] 例如，在使用硅基板作为载体基材的情况下，能够使用以往已知的硅晶片的清洗方法，例如作为在进行化学性去除时使用的水溶液或有机溶剂，可举出：强酸、强碱、强氧化剂或这些的混合物，具体而言，可举出：硫酸、盐酸、氢氟酸、硝酸、有机酸等酸类；四甲基铵、氨、有机碱等碱类；过氧化氢等氧化剂；或氨与过氧化氢的混合物、盐酸与过氧化氢水的混合物、硫酸与过氧化氢水的混合物、氢氟酸与过氧化氢水的混合物、氢氟酸与氟化铵的混合物等。
[0376] 从使用经再生的载体基材的情况下的粘接性的观点考虑，优选为使用载体基材清洗液。载体基材清洗液优选为含有pKa小于0的酸(强酸)与过氧化氢。作为pKa小于0的酸，可从碘化氢、高氯酸、溴化氢、氯化氢、硝酸、硫酸等无机酸或烷基磺酸、芳基磺酸等有机酸中选择。从载体基材上的临时粘接膜的清洗性的观点考虑，优选为无机酸，最优选为硫酸。
[0377] 作为过氧化氢，能够优选地使用30质量％的过氧化氢水，上述强酸与30质量％的过氧化氢水的混合比以质量比计优选为0.1:1～100:1，更优选为1:1～10:1，最优选为3:1～5:1。
[0378] ＜＜第二实施方式＞＞
[0379] 以下，一并参考图2对经过制造层叠体的工序的半导体装置的制造方法的第二实施方式进行进行说明。对与上述第一实施方式相同的部分赋予相同的符号而省略其说明。
[0380] 图2(A)～(E)分别为对载体基材与器件晶片的临时粘接进行说明的示意剖视图(图2(A)、(B))，表示临时粘接于载体基材上的器件晶片被薄型化的状态(图2(C))、将载体基材与器件晶片进行剥离之状态(图2(D))、从器件晶片去除临时粘接膜之后的状态(图2(E))的示意剖视图。
[0381] 该实施方式中，如图2(A)所示，在器件晶片的表面61a上形成临时粘接膜的这一点与上述第一实施方式不同。
[0382] 在器件晶片60的表面61a上设置临时粘接膜11a时，能够通过在器件晶片60的表面61a应用(优选为涂布)临时粘接剂，接着进行干燥(烘烤)而形成。干燥例如能够在60～150℃下进行10秒钟～2分钟。
[0383] 接着，如图2(B)所示，压接载体基材12和器件晶片60，从而临时粘接载体基材12和器件晶片60。接着，如图2(C)所示，对硅基板61的背面61b实施机械或化学处理，如图2(C)所示，使硅基板61的厚度变薄，从而获得薄型化器件晶片60a。接着，如图2(D)所示，使载体基材12从薄型化器件晶片60a剥离。而且，如图2(E)所示，从薄型化器件晶片60a去除临时粘接膜11。
[0384] ＜＜以往的实施方式＞＞
[0385] 接着，对以往的实施方式进行说明。
[0386] 图3是对以往的粘接性载体基材与器件晶片的临时粘接状态的解除进行说明的示意剖视图。
[0387] 在以往的实施方式中，如图3所示，使用在载体基材12上设置有由以往的临时粘接剂形成的临时粘接膜11b而成的粘接性载体基材100a作为粘接性载体基材100a，除此以外，与参考图1来说明的顺序同样地，临时粘接粘接性载体基材100a和器件晶片，进行器件晶片中的硅基板的薄膜化处理，接着与上述顺序同样地，从粘接性载体基材100a剥离薄型化器件晶片60a。
[0388] 然而，根据以往的临时粘接剂，通过较高的粘接力临时支承器件晶片，难以不对器件晶片造成损伤而容易地解除对器件晶片的临时支承。例如，若为了使器件晶片与载体基材的临时粘接变得充分而采用以往的临时粘接剂内粘接性较高的临时粘接剂，则成为器件晶片与载体基材的临时粘接过强的趋势。因此，为了解除该过强的临时粘接，例如如图3所示，在薄型化器件晶片60a的背面贴附胶带(例如，切割胶带)70，在从粘接性载体基材100a剥离薄型化器件晶片60a的情况下，容易产生如下不良情况：结构体从设置有结构体的装置芯片62剥离等，从而破损装置芯片62。
[0389] 另一方面，若采用以往的临时粘接剂内粘接性较低的临时粘接剂，则虽然能够容易解除对器件晶片的临时支承，但毕竟器件晶片与载体基材的临时粘接过于弱，容易产生无法通过载体基材可靠地支承器件晶片的不良情况。
[0390] 相对于此，本发明的层叠体表现充分的粘接性，并且能够容易地解除器件晶片60与载体基材12的临时粘接。即，根据本发明的层叠体，能够通过较高的粘接力临时粘接器件晶片60，并且能够不对薄型化器件晶片60a造成损伤而容易地解除对薄型化器件晶片60a的临时粘接。
[0391] 本发明的半导体装置的制造方法不限定于上述实施方式，能够进行适当的变形、改良等。
[0392] 并且，在上述实施方式中，作为器件晶片可举出硅基板，但并不限定于此，还可以是能够在半导体装置的制造方法中供至机械或化学处理的任意的被处理部件。
[0393] 并且，在上述实施方式中，作为对器件晶片(硅基板)的机械或化学处理，可举出器件晶片的薄膜化处理及硅贯穿电极的形成处理，但并不限定于这些，也可举出半导体装置的制造方法中所需的任意处理。
[0394] 除此以外，在上述实施方式中所例示的器件晶片中的装置芯片的形状、尺寸、数量、配置部位等为任意，并无限定。
[0395] 实施例
[0396] 以下，通过实施例对本发明进行进一步具体说明，但本发明只要不脱离其宗旨，则并不限定于以下实施例。另外，除非另有指明，则“份”、“％”为质量基准。
[0397] ＜临时粘接用组合物的制备＞
[0398] 混合以下临时粘接用组合物的各成分来设为均匀的溶液之后，利用具有5μm孔径的聚四氟乙烯制过滤器进行过滤，从而制备了临时粘接用组合物。
[0399] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例1～14、17～18，比较例6～9)＞＞[0400] ·下述表1中记载的粘合剂：表1中记载的质量份
[0401] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：5质量份
[0402] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：5质量份
[0403] ·MagafacF-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0404] ·均三甲苯(Toyo Gosei Co.,Ltd制造)：190质量份
[0405] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例15)＞＞
[0406] ·树脂P-6：表1中记载的质量份
[0407] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0408] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0409] ·氟苯甲醚(Toyo Gosei Co.,Ltd制造)：400质量份
[0410] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：3质量份
[0411] ·MagafacF-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0412] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例16)＞＞
[0413] ·树脂P-7：表1中记载的质量份
[0414] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0415] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0416] ·N-乙基-2-吡咯烷酮(MARUZEN CHEMICAL TRADING CO.,LTD.制造)：400质量份[0417] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：3质量份
[0418] ·MagafacF-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0419] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例19)＞＞
[0420] ·下述表1中记载的粘合剂：表1中记载的质量份
[0421] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：1质量份
[0422] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：1质量份
[0423] ·KP-341(Shin-Etsu Chemical.Co.,Ltd.制造)：0.05质量份
[0424] ·均三甲苯(Toyo Gosei Co.,Ltd制造)：300质量份
[0425] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例20)＞＞
[0426] 将KP-341的添加量设为0.002质量份，除此以外，以与实施例19相同的方式制备了临时粘接用组合物。
[0427] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例21)＞＞
[0428] 将KP-341的添加量设为0.9质量份，除此以外，以与实施例19相同的方式制备了临时粘接用组合物。
[0429] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例15)＞＞
[0430] ·树脂P-6：表1中记载的质量份
[0431] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0432] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0433] ·氟苯甲醚(Toyo Gosei Co.,Ltd制造)：400质量份
[0434] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：3质量份
[0435] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0436] ＜＜临时粘接用组合物的组成(实施例16)＞＞
[0437] ·树脂P-7：表1中记载的质量份
[0438] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0439] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0440] ·N-乙基-2-吡咯烷酮(MARUZEN CHEMICAL TRADING CO.,LTD.制造)：400质量份[0441] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：3质量份
[0442] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0443] ＜＜临时粘接用组合物的组成(比较例1)＞＞
[0444] ·树脂P-6：表1中记载的质量份
[0445] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0446] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0447] ·氟苯甲醚(Toyo Gosei Co.,Ltd制造)：400质量份
[0448] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.工業制造)：0.8质量份
[0449] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0450] ＜＜临时粘接用组合物的组成(比较例2)＞＞
[0451] ·树脂P-6：表1中记载的质量份
[0452] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0453] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0454] ·氟苯甲醚(Toyo Gosei Co.,Ltd制造)：400质量份
[0455] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：0.5质量份
[0456] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0457] ＜＜临时粘接用组合物的组成(比较例3)＞＞
[0458] ·树脂P-7：表1中记载的质量份
[0459] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0460] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0461] ·N-乙基-2-吡咯烷酮(MARUZEN CHEMICAL TRADING CO.,LTD.制造)：400质量份[0462] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：0.8质量份
[0463] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0464] ＜＜临时粘接用组合物的组成(比较例4)＞＞
[0465] ·树脂P-7：表1中记载的质量份
[0466] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：10质量份
[0467] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：10质量份
[0468] ·N-乙基-2-吡咯烷酮(MARUZEN CHEMICAL TRADING CO.,LTD.制造)：400质量份[0469] ·TOTM(DAIHACHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)：0.5质量份
[0470] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0471] ＜＜临时粘接用组合物的组成(比较例5)＞＞
[0472] ·树脂P-8：表1中记载的质量份
[0473] ·Irganox 1010(BASF公司制造)：5质量份
[0474] ·Sumilizer TP-D(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)：5质量份
[0475] ·2-庚酮(KH NEOCHEM CO.,LTD.制造)：200质量份
[0476] ·Magafac F-553(DIC CORPORATION制造)：0.1质量份
[0477] [表1]
[0478]
[0479] 表1中记载的化合物的商品名及制造商名称为如下。
[0480] ＜粘合剂＞
[0481] [表2]
[0482]
[0483] ＜层叠体的形成(实施例1～16、18～21，比较例1～11)＞
[0484] 在设有多个凸块且宽度500μm、深度100μm的实施了边缘修整(edge trimming)处理的直径12英寸硅晶片(1英寸为2.54cm)的表面上，一面利用晶片接合装置(Tokyo Electron Limited制造，Synapse V)使表1中记载的临时粘接用组合物以50rpm旋转，一面在30秒钟的期间中滴加15mL。将转速提高至600rpm并保持30秒钟，然后，一面使硅晶片旋转一面向硅晶片外周部及硅晶片背面供给均三甲苯40秒钟，对附着于硅晶片外周部及硅晶片背面上的临时粘接用组合物进行清洗。使用加热板在110℃下加热3分钟，进而在190℃下加热3分钟，由此在硅晶片的表面上形成了临时粘接膜。
[0485] 接着，对于形成有临时粘接膜的一侧的面，通过晶片接合装置(Tokyo Electron Limited制造，Synapse V)在真空下、190℃下以0.11MPa的压力对另一片12英寸的硅晶片(载体基材)进行3分钟压接，获得层叠体。另外，此时的临时粘接膜的厚度为40μm。
[0486] 接着，使用背面研磨机(back grinder)DFG8540(DISCO Corporation制造)将上述层叠体的先使用的硅晶片侧研磨至35μm的厚度，获得经薄型化的层叠体。
[0487] 上述层叠体的经薄型化的硅晶片的直径为299mm。
[0488] ＜层叠体的形成(实施例17)＞
[0489] 将载体基材改为玻璃(Corning Incorporated制，EAGLE XG)，除此以外，以与实施例1相同地方式进行来制作了层叠体。
[0490] ＜薄型化之后的端面处理(实施例1～17、19～21，比较例1～9)＞
[0491] 以载体基材为下表面，一面通过晶片接合装置(Tokyo Electron Limited制造，Synapse V)使经薄型化的层叠体以300rpm旋转，一面在距硅晶片的端部20mm的位置在10秒钟的期间中滴加15mL的均三甲苯。接着，将转速提高至1000rpm，在30秒钟的期间中滴加45mL的均三甲苯。之后，在将转速保持于1000rpm的状态下旋转20秒钟，使硅晶片表面干燥。
[0492] 利用光学显微镜对所得的层叠体从相对于设有多个凸块的直径12英寸硅晶片垂直的方向进行观察，结果可确认，临时粘接膜的基材面的直径比载体基材的基材面的直径小250μm以上。并且，临时粘接膜的与载体基材接触的一侧的膜面的直径大于与器件晶片接触的一侧的膜面的直径。
[0493] ＜层叠体的形成(实施例18)＞
[0494] 未进行薄型化之后的端面处理，除此以外，以与实施例1相同的方式进行来制作了层叠体。
[0495] 利用光学显微镜对所得的层叠体从设有多个凸块的直径12英寸硅晶片的上部进行观察，结果可确认，临时粘接膜的直径相对于载体基材的直径为150μm以下。并且，临时粘接膜的与载体基材接触的一侧的膜面的直径大于与器件晶片接触的一侧的膜面的直径。
[0496] ＜薄型化之后的晶片的翘曲＞
[0497] 关于上述薄型化之后的层叠体，利用薄膜应力测定装置FLX-2320-S(Toho Technology Corporation制造)进行翘曲(曲率半径)的测量，以以下基准进行了评价。另外，与翘曲的方向无关地以绝对值进行了评价。
[0498] A：翘曲的值为20μm以下
[0499] B：翘曲的值大于20μm且为40μm以下
[0500] C：翘曲的值大于40μm
[0501] ＜薄型化之后的浮起评价＞
[0502] 关于上述薄型化之后的层叠体，对晶片边缘进行观察，以以下基准进行了评价。
[0503] A：利用临时粘接剂完全粘接于晶片边缘。
[0504] B：晶片边缘局部剥离，晶片与临时粘接剂分开。
[0505] C：晶片边缘在整个圆周上剥离，晶片与临时粘接剂分开。
[0506] ＜薄型化之后的剥离评价＞
[0507] 将薄型化之后的层叠体的经研磨的面设为下侧，利用切割胶带贴片机将下侧的硅晶片与切割框架一同固定于切割胶带中央。之后，利用晶片解除接合器晶片接合装置(Tokyo Electron Limited制，Synapse Z)在25℃下，将上侧的硅晶片向相对于下侧的硅晶片垂直的方向以50mm/分钟的速度提拉，确认是否能够在另一硅晶片未破裂的情况下通过0.33N/mm以下的力进行剥离。另外，力的测定使用测力计(IMADA CO.,LTD.制，ZTS-100N)来进行。
[0508] 在表中，将提拉侧的硅晶片未破裂而能够进行剥离的表示为“可能”，将除此以外的表示为“不可”。
[0509] ＜临时粘接膜的拉伸弹性模量E的测定＞
[0510] 本试验测定用临时粘接膜由以下方法来制造。
[0511] 在8英寸硅晶片的表面通过旋转涂布机(MS-A300，MIKASA Corporation.制造)一边以50rpm旋转，一边在30秒钟的期间内滴加15mL的表1中记载的临时粘接用组合物。将转速提高至600rpm而保持30秒钟。使用加热板，以110℃加热3分钟，进而以190℃加热3分钟，由此在硅晶片的表面形成了临时粘接膜。之后，从硅晶片手动剥离了临时粘接膜。
[0512] 对所得的本试验测定用的临时粘接膜，在临时粘接膜的温度成为25℃的条件下，根据JIS K 7161:1994来测定了拉伸弹性模量E。将结果示于下述表中。单位为MPa。
[0513] ＜临时粘接膜的表面自由能的测定＞
[0514] 本试验测定用的临时粘接膜由以下方法来制造。
[0515] 在8英寸硅晶片的表面通过旋转涂布机(MS-A300，MIKASA Corporation.制造)一边以50rpm旋转，一边在30秒钟期间内滴加了15mL的表1中记载的临时粘接用组合物。将转速提高至600rpm而保持30秒钟。使用加热板，以110℃加热3分钟，进而以190℃加热3分钟，由此在硅晶片的表面形成了临时粘接膜。
[0516] 所获得的本试验测定用的临时粘接膜的表面自由能通过如下方法而获得：通过接触角计(Kyowa Interface Science Co.,Ltd制，DM-301)来测定将3μL的水、乙二醇及二碘甲烷分别滴加于临时粘接膜时的接触角，利用分析软件“FAMAS”(内置于上述DM-301)，根据扩展Fowkes式成立联立线性方程并求解。将结果示于下述表中。单位为mJ/m2。
[0517] ＜临时粘接膜的剪切储存弹性模量G’的测定＞
[0518] 使用在上述临时粘接膜的拉伸弹性模量E的测定中制作的试验测定用的临时粘接膜，在临时粘接膜的温度成为190℃的条件下，根据JIS K 7244-6:1999来测定了剪切储存弹性模量G’。将结果示于下述表中。单位为MPa。
[0519] ＜临时粘接膜的拉伸储存弹性模量E’的测定＞
[0520] 使用在上述临时粘接膜的拉伸弹性模量E的测定中制作的试验测定用的临时粘接膜，在临时粘接膜的温度成为25℃的条件下，根据JIS K 7244-4:1999来测定了拉伸储存弹性模量E’。将结果示于下述表中。单位为MPa。
[0521] ＜熔融粘度＞
[0522] 本试验测定用的临时粘接膜通过以下方法来制造。在8英寸硅晶片的表面通过旋转涂布机(MS-A300，MIKASA Corporation.制造)一边以50rpm旋转，一边以30秒钟期间内滴加15mL的表1中记载的临时粘接用组合物。将转速提高至300rpm而保持30秒钟。使用加热板，以110℃加热3分钟，进而以190℃加热3分钟，由此在硅晶片的表面形成了临时粘接膜。之后，从晶片手动剥离临时粘接膜。
[0523] 使用所获得的本试验测定用的临时粘接膜，以5℃/分钟的速度升温至250℃，根据JIS K 6862:1984来测定了熔融粘度。
[0524] 将结果示于下述表中。单位为Pa·s。
[0525] ＜熔体流动速率(MFR)＞
[0526] 使用在上述临时粘接膜的熔融粘度中制作的试验测定用的临时粘接膜，根据JIS K 7210:1999来测定了临时粘接膜在温度200℃、负载10Kg时的MFR。
[0527] 将结果示于下述表中。单位为g/10分钟。
[0528] ＜塑性变形开始压力P60＞
[0529] 通过旋涂法将临时粘接用组合物涂布于硅晶片上，形成40μm厚度的临时粘接膜，从而获得试验片。关于所获得的试验片，在临时粘接膜成为60℃的条件下，将由5mm×10mm的硅构成的芯片从与临时粘接膜的膜面垂直的方向按压5秒钟。去除芯片之后，利用光学显微镜观察接触有芯片的部位，将按压部位的膜厚降低10μm以上时的力设为塑性变形开始压力。单位为MPa。
[0530]
[0531]
[0532] 由上述结果明确可知，本发明的层叠体中，获得了能够在规定的条件下进行剥离，且即使薄型化后也难以翘曲的层叠体。相对于此，比较例的层叠体无法剥离。
[0533] 尤其，通过将硅酮化合物的调配量设为少量，从而能够有效地抑制了浮起。
[0534] 符号说明
[0535] 11、11a-临时粘接膜，12-载体基材，60-器件晶片，60a-薄型化器件晶片，61-硅基板，61a-表面，61b、61b1-背面，62-装置芯片，63-结构体，70-胶带，100、100a-粘接性载体基材。