一种激光加工晶圆的方法及装置

摘要

本发明提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法包括至少两束激光光束并由聚焦元件对至少两束激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；首先由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束以高频形式分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽；然后由激光光束的聚焦点以低频形式对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。本发明能够在保持激光器发射激光光束的功率不变的情况下，仅通过改变至少两束激光光束的焦深位置分别实现对预定切割道切割沟槽和缝隙的目的，进而简化了加工装置的结构，提高加工精确性和激光光束的稳定性，提高了晶圆加工效果，同时还实现简化装置的效果以适合生产推广。

权利要求

1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括将由分束器分束出的加工光束经相控型硅基液晶调整形成的至少两束具有第一面积圆形光斑的激光光束，并且在经相控型硅基液晶调整所述至少两条激光光束之间的夹角后、然后由聚焦元件对至少两束具有第一面积圆形光斑的激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；

首先由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束分别同时以较高频率对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽；

然后由具有第二面积圆形光斑的激光光束的聚焦点以较低频率对沟槽之间的缝隙进行刻蚀，所述第一面积大于第二面积；其中，所述方法是通过相控型硅基液晶调整激光光束之间的夹角改变聚焦点的位置，以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束对晶圆上表面进行加刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由具有第二面积圆形光斑的激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀；

并且，当由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽之前，还包括：将由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧曝光一设定时间；

在所述设定时间内对曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置；

判断曝光位置和沟槽的预定位置是否一致，如果是，则执行下一步；如果否，则根据曝光位置和预定位置控制相控型硅基液晶对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置包括：获取预定切割道的信息、聚焦元件的位置信息和参数信息确定聚焦元件的位置调整参数；

根据位置调整参数调整所述聚焦元件。

3.一种激光加工晶圆的装置，其特征在于，包括：

激光器，用于发射出激光光束；

相控型硅基液晶，用于将由分束器分束出的加工光束经相控型硅基液晶调整形成的至少两束具有第一面积圆形光斑的激光光束，并且在经相控型硅基液晶调整所述至少两条激光光束之间的夹角后、然后由聚焦元件对至少两束具有第一面积圆形光斑的激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；用以控制由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束对晶圆上表面进行加工并在预定切割道两侧形成沟槽、或由具有第二面积圆形光斑的激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀；另外还用于对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条具有第一面积圆形光斑的激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀；

聚焦元件，用于对至少两束具有第一面积圆形光斑的激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；

晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并调整所述晶圆的空间位置以在所述晶圆上表面的预定切割道进行刻蚀，所述第一面积大于第二面积；其中，并且，所述装置还包括：

曝光检测组件，用于在设定时间内对曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述曝光检测组件包括：

分束器，用于将激光光束分束形成加工光束和检测光束，并分别将加工光束发射至所述相控型硅基液晶，第二激光子光束发射至透镜组件；

透镜组件，用于将检测光束聚焦发射至CCD装置；

CCD装置，用于激光光束对晶圆上表面的预定切割道两侧曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置。

说明书

一种激光加工晶圆的方法及装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及装置。

背景技术

[0002] 近年来，随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及芯片集成度的不断提高，金属互连线之间、多层布线之间的寄生电容以及金属导线的电阻急剧增大，导致了RC延迟、功耗增加等一系列问题，限制了高速电子元器件的发展。当器件特征尺寸小于90nm后，晶圆必须使用低介电常数材料来代替传统的SiO2层(K＝3.9～4.2)，常用的Low-K材料有道康宁公司的FOx及多孔SiLK材料、应用材料公司的黑金刚石系列低K薄膜材料、Novellus System的CORAL、英特尔的CDO以及NEC公司的FCN+有机层等等。

[0003] Low-K材料的使用也带来了一些问题。不论是机械强度还是粘附性，Low-K材料都远远不如SiO2，这对划片工艺提出了挑战。最为常见的问题是，在划片过程中由于较低的机械强度及粘附力，使得Low-K材料粘连在划片刀上，这不仅降低了划片的效率，同时也带来了绝缘层从金属层表面被剥离以及产生碎屑并扩散到其它功能区域等严重影响良率的后果。激光加工具有非接触、精度高、适用材料范围广、加工路径灵活可控等优点，是用来对晶圆划片以及解决上述问题的有力方案。据了解，苹果公司已经强制要求供应商提供的晶圆必须采用激光切割Low-K材料的工艺(即：Laser Grooving工艺)，这使得封测厂对此类工艺技术及设备的需求大为提升。严格地说，激光束不是“切割”Low-K材料，而是依靠激光能量产生的高温融化金属层及层间介质层，这样的激光切割产生械应力很小，因而不会发生分层或剥离等问题。另外，滨松光子学株式会社还发明了“隐形切割”的技术，这种技术是利用对晶圆具有透射性波长的激光聚焦在晶圆内部形成改质层，再借助外力使晶圆沿着改质层裂开为单独的芯片。利用隐形切割技术，可以避免在划片过程中产生碎屑对芯片功能区造成污染，但是当晶圆上面覆盖有隔离层或其它功能层时，这将会影响激光的透过，从而影响改质层的形成。因此，在使用隐形切割时，也应首先使用激光去除晶圆上表面Low-K层等材料。

[0004] 但是，在通过调整功率的方法实现低功率加工沟槽、高功率加工缝隙的工艺时，由于激光器在调整功率时的波纹影响导致激光光束发生波动，进而该工艺刻蚀精度低。

发明内容

[0005] 本发明提供的激光加工晶圆的方法及装置，能够在保持激光器发射激光光束的功率不变的情况下，仅通过改变至少两束激光光束的焦深位置分别实现对预定切割道切割沟槽和缝隙的目的，进而简化了加工装置的结构，提高加工精确性和激光光束的稳定性，提高了晶圆加工效果，同时还实现简化装置的效果以适合生产推广。

[0006] 第一方面，本发明提供一种激光加工晶圆的方法，所述方法包括至少两束激光光束并由聚焦元件对至少两束激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；

[0007] 首先由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束以较高频率分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽；

[0008] 然后由激光光束的聚焦点以较低频率对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0009] 可选地，所述方法是通过调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置，以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0010] 可选地，所述通过调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置包括：

[0011] 获取预定切割道的信息、聚焦元件的位置信息和参数信息确定聚焦元件的位置调整参数；

[0012] 根据位置调整参数调整所述聚焦元件。

[0013] 可选地，所述方法是通过调整晶圆的位置以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0014] 可选地，所述方法是通过调整激光光束之间的夹角改变聚焦点的位置，以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行加刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0015] 可选地，当由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽之前，还包括：

[0016] 将由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧曝光一设定时间；

[0017] 在所述设定时间内对曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置；

[0018] 判断曝光位置和沟槽的预定位置是否一致，如果是，则执行下一步；如果否，则根据曝光位置和预定位置控制相控型硅基液晶对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀。

[0019] 第二方面，本发明提供一种激光加工晶圆的装置，包括：

[0020] 激光器，用于发射出激光光束；

[0021] 聚焦元件，用于对至少两束激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；

[0022] 调整单元，用于调整聚焦元件、或晶圆加工平台、或激光光束之间的夹角用以控制由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行加工并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀；

[0023] 晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并调整所述晶圆的空间位置以在所述晶圆上表面的预定切割道进行刻蚀。

[0024] 可选地，所述装置包括：

[0025] 第一调整单元，与聚焦元件连接，并用于调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置；

[0026] 或第二调整单元，设置于晶圆加工平台内，并用于通过改变晶圆加工平台的位置调整晶圆的位置；

[0027] 或第三调整单元，用于调整激光光束之间的夹角改变聚焦点的位置。

[0028] 可选地，所述装置还包括：

[0029] 曝光检测组件，用于在设定时间内对曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置；

[0030] 相控型硅基液晶，用于对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀。

[0031] 可选地，所述曝光检测组件包括：

[0032] 分束器，用于将激光光束分束形成加工光束和检测光束，并分别将加工光束发射至所述相控型硅基液晶，第二激光子光束发射至透镜组件；

[0033] 透镜组件，用于将检测光束聚焦发射至CCD装置；

[0034] CCD装置，用于激光光束对晶圆上表面的预定切割道两侧曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置。

[0035] 本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法及装置解决了在通过调整功率的方法实现低功率加工沟槽、高功率加工缝隙的工艺时，由于激光器在调整功率时的波纹影响导致激光光束发生波动，进而该工艺刻蚀精度低的问题。本实施例中所述方法在保持激光器发射激光光束的功率不变的情况下，通过改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置，具体是首先由激光光束处于聚焦元件和聚焦点之间所对应的至少两个离焦点分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽，其中，首先由第一、二激光光束的离焦点分别同时对预定切割道两侧以较高频率进行刻蚀并形成两个小的沟槽，第一方面通过先刻蚀出两个沟槽减小刻蚀缝隙时的物理阻力，还能够避免直接由高功率的聚焦点加工预定切割道造成Low-K层导致的边缘剥离情况；第二方面通过第一、二激光光束的离焦点分别同时对预定切割道两侧进行刻蚀有效的控制热效应往中间进行扩散，进而不影响器件本身；第三方面还能够通过对刻蚀后形成的沟槽进行检测达到对缝隙刻蚀的预测效果；然后由第一、二激光光束的聚焦点以较低频率对沟槽之间的缝隙进行刻蚀，所述聚焦点通过将第一、二激光光束的能量进行重叠且效果分布均一，并使得聚焦点具有高功率并达到刻蚀缝隙的效果，一方面可以仅仅通过改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置实现分别切割沟槽和缝隙的效果，进而简化了加工装置的结构，有效的减小由于光学器件加工导致的光斑色散、畸变等情况，并有效提高了所述晶圆加工的精确度；另一方面，所述方法通过提高激光光束的稳定性，达到提高晶圆加工效果。

附图说明

[0036] 图1为本发明一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；

[0037] 图2为本发明另一实施例激光加工晶圆的方法的流程图；

[0038] 图3为本发明一实施例激光加工晶圆的装置的结构示意图；

[0039] 图4为图3中A的结构示意图；

[0040] 图5为本发明一实施例激光加工晶圆的方法的效果示意图。

具体实施方式

[0041] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0042] 本发明实施例提供一种激光加工晶圆的方法，如图1所示，所述方法包括至少两束激光光束并由聚焦元件对至少两束激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；

[0043] S11、由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽；

[0044] S12、由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0045] 本发明实施例提供的激光加工晶圆的方法解决了在通过调整功率的方法实现低功率加工沟槽、高功率加工缝隙的工艺时，由于激光器在调整功率时的波纹影响导致激光光束发生波动，进而该工艺刻蚀精度低的问题。本实施例中所述方法在保持激光器发射激光光束的功率不变的情况下，通过改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置，具体是首先由激光光束处于聚焦元件和聚焦点之间所对应的至少两个离焦点以较低频率分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽，其中，首先由第一、二激光光束的离焦点分别同时对预定切割道两侧进行刻蚀并形成两个小的沟槽，第一方面通过先刻蚀出两个沟槽减小刻蚀缝隙时的物理阻力，还能够避免直接由高功率的聚焦点加工预定切割道造成Low-K层导致的边缘剥离情况；第二方面通过第一、二激光光束的离焦点分别同时对预定切割道两侧进行刻蚀有效的控制热效应往中间进行扩散，进而不影响器件本身；第三方面还能够通过对刻蚀后形成的沟槽进行检测达到对缝隙刻蚀的预测效果；然后由第一、二激光光束的聚焦点以较高频率对沟槽之间的缝隙进行刻蚀，所述聚焦点通过将第一、二激光光束的能量进行重叠且效果分布均一，并使得聚焦点具有高功率并达到刻蚀缝隙的效果，一方面可以仅仅通过改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置实现分别切割沟槽和缝隙的效果，进而通过减少所使用光学器件的数量，有效的减小由于光学器件加工导致的光斑色散、畸变等情况，并有效提高了所述晶圆加工的精确度；另一方面，所述方法通过提高激光光束的稳定性，达到提高晶圆加工效果。

[0046] 可选地，如图2所示，所述方法是通过调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置，以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0047] 具体的，本实施例中主要是保持晶圆加工平台的位置，并通过与聚焦元件连接的第一调整单元调整该聚焦元件的位置改变第一、二激光光束的聚焦点位置，首先通过第一调整单元将聚焦点的位置调整到第一位置，并使得晶圆在聚焦元件和聚焦点之间通过在晶圆上表面预定切割道两侧并处于离焦状态的第一、二激光光束射进行刻蚀并分别形成沟槽；然后通过第一调整单元将聚焦点的位置调整到第二位置，并使第一、二激光光束的聚焦点处于晶圆上表面上，并由将第一、二激光光束能量重叠且分布均匀的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀并形成凹槽。

[0048] 其中，所述第一调整单元与聚焦元件连接，并带动聚焦元件在沿激光光束的方向移动。

[0049] 可选地，所述通过调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置包括：

[0050] 获取预定切割道的信息、聚焦元件的位置信息和参数信息确定聚焦元件的位置调整参数；

[0051] 根据位置调整参数调整所述聚焦元件。

[0052] 可选地，所述方法是通过调整晶圆的位置以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0053] 具体的，本实施例中所述方法保持聚焦元件的位置不变，首先第一调整单元移动晶圆加工平台使夹持在晶圆加工平台上的晶圆向靠近聚焦元件方向移动并使其处在聚焦元件和聚焦点之间通过在晶圆上表面预定切割道两侧并处于离焦状态的第一、二激光光束射进行刻蚀并分别形成沟槽；然后第二调整单元移动晶圆加工平台使夹持在晶圆加工平台上的晶圆向远离聚焦元件方向移动并使其第一、二激光光束的聚焦点上并由将第一、二激光光束能量重叠且分布均匀的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀并形成凹槽。

[0054] 其中，第二调整单元设置于晶圆加工平台内，并带动所述加工平台在垂直于晶圆加工平台方向进行上下移动。

[0055] 可选地，所述方法是通过调整激光光束之间的夹角改变聚焦点的位置，以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行加刻蚀并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀。

[0056] 具体的，本实施例中所述方法保持聚焦元件和晶圆的位置不变，首先通过第三调整单元增大第一、二激光光束之间的夹角使得聚焦点向远离聚焦元件的方向移动，使得晶圆在聚焦元件和聚焦点之间通过在晶圆上表面预定切割道两侧并处于离焦状态的第一、二激光光束射进行刻蚀并分别形成沟槽；然后通过第三调整单元缩小第一、二激光光束之间的夹角使得聚焦点向靠近聚焦元件的方向移动使第一、二激光光束的聚焦点处于晶圆上表面上，然后由将第一、二激光光束能量重叠且分布均匀的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀并形成凹槽。

[0057] 其中，所述第三调整单元设置于聚焦元件之前，进而调整第一、二激光光束入射至聚焦元件时的夹角。同时，所述第三调整单元还可为相控型硅基液晶。

[0058] 或者，本实施例中所述方法还可通过同时调整聚焦元件的位置和激光光束之间的夹角，或聚焦元件的位置和晶圆的位置，或晶圆的位置和激光光束之间的夹角，或聚焦元件的位置、晶圆的位置和激光光束之间的夹角来改变聚焦点的位置。

[0059] 可选地，当由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽之前，还包括：

[0060] 将由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧曝光一设定时间；

[0061] 在所述设定时间内对曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置；

[0062] 判断曝光位置和沟槽的预定位置是否一致，如果是，则执行下一步；如果否，则根据曝光位置和预设位置控制相控型硅基液晶对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀。

[0063] 具体的，本实施例中所述方法在处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对晶圆上表面的预定切割道两侧进行刻蚀并形成沟槽之前需要对第一、二激光光束在所述预定切割道所加工的位置进行检测，保证第一、二激光光束对预定切割道的预定位置进行切割，避免对晶圆有效区域的损坏。所述方法首先当所述晶圆处于聚焦元件和聚焦点之间后，第一、二激光光束仅对晶圆上表面进行短时间的曝光实现加工位置标记，并通过曝光检测组件进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置，然后由控制器判断曝光位置是否和预先确定的沟槽预定位置一致，当其不一致时，根据曝光位置和预设位置控制相控型硅基液晶对第一、二激光光束之间的夹角进行微调整，直至第一、二激光光束的曝光位置与预定位置一致后才开始对所述预定切割道进行刻蚀并形成沟槽。

[0064] 本发明实施例还提供一种激光加工晶圆的装置，如图3所示，所述装置包括：

[0065] 激光器，用于发射出激光光束；

[0066] 聚焦元件，用于对至少两束激光光束进行聚焦并汇聚至一点形成聚焦点；

[0067] 调整单元，用于调整聚焦元件、或晶圆加工平台、或激光光束之间的夹角用以控制由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束对晶圆上表面进行加工并在预定切割道两侧形成沟槽、或由激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀；

[0068] 晶圆加工平台，用于夹持住所述晶圆并调整所述晶圆的空间位置以在所述晶圆上表面的预定切割道进行刻蚀。

[0069] 本发明实施例提供的激光加工晶圆的装置可在保持激光器发射激光光束的功率不变的情况下，通过改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置来实现对预定切割道刻蚀沟槽和缝隙的效果，具体是首先通过调整单元调整聚焦元件、或晶圆加工平台、或第一、二激光光束之间的夹角使得晶圆处于聚焦元件和聚焦点之间，然后由第一、二激光光束的离焦点分别同时对夹持在晶圆加工平台上的所述晶圆上表面预定切割道两侧进行刻蚀并对应形成两个小的沟槽，然后调整单元调整聚焦元件、或晶圆加工平台、或第一、二激光光束之间的夹角使得晶圆上表面的预定切割道处在聚焦点上，然后由第一、二激光光束的聚焦点对沟槽之间的缝隙进行刻蚀，所述聚焦点通过将第一、二激光光束的能量进行重叠且效果分布均一，并使得聚焦点具有高功率并达到刻蚀缝隙的效果，所述装置可仅通过调整元件调整聚焦元件、或晶圆加工平台、或第一、二激光光束之间的夹角改变聚焦点与晶圆的相对位置即改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置实现分别切割沟槽和缝隙的效果，进而通过减少所使用光学器件的数量，有效的减小由于光学器件加工导致的光斑色散、畸变等情况，并有效提高了所述晶圆加工的精确度和激光光束的稳定性，达到提高晶圆加工效果。

[0070] 可选地，所述装置包括：

[0071] 第一调整单元，与聚焦元件连接，并用于调整聚焦元件的位置改变聚焦点的位置；

[0072] 或第二调整单元，设置于晶圆加工平台内，并用于通过改变晶圆加工平台的位置调整晶圆的位置；

[0073] 或第三调整单元，用于调整激光光束之间的夹角改变聚焦点的位置。

[0074] 可选地，所述装置还包括：

[0075] 曝光检测组件，用于在所述设定时间内对曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置；

[0076] 相控型硅基液晶，用于对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀。

[0077] 可选地，所述曝光检测组件包括：

[0078] 分束器，用于将激光光束分束形成加工光束和检测光束，并分别将加工光束发射至所述相控型硅基液晶，第二激光子光束发射至透镜组件；

[0079] 透镜组件，用于将检测光束聚焦发射至CCD装置；

[0080] CCD装置，用于激光光束对晶圆上表面的预定切割道两侧曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置。

[0081] 综上所述，如图3和图4所示，本实施例所述装置包括光纤准直器2、起偏器3、扩束准直元件4对激光器1发出的激光光束进行前期处理形成平行光束，然后由分束晶体5将激光光束分为检测光束和加工光束，加工光束经过相控型硅基液晶6后形成第一激光光束、第二激光光束并射入聚焦元件阵列7、光阑8进而对晶圆上表面Low-K层进行加工；检测光束依次射入第四分束晶体18、透镜组件19、CCD装置20或成像装置20实现在所述设定时间内对曝光进行检测，其中，主要是通过CCD装置20对第一、二激光光束在所述预定切割道上的曝光进行检测并获取在预定切割道上的曝光位置，然后控制器根据曝光位置和预定位置控制相控型硅基液晶对激光光束进行微调整以使由处于聚焦元件和聚焦点之间的至少两条激光光束分别同时对沟槽的预定位置进行刻蚀。图5所示为使用离焦方法实现激光加工晶圆效果示意图。首先由第一、二激光光束的离焦点分别同时对预定切割道两侧以较高频率进行刻蚀并形成两个小的沟槽。然后由第一、二激光光束的聚焦点以较低频率对沟槽之间的缝隙进行刻蚀，所述聚焦点通过将第一、二激光光束的能量进行重叠且效果分布均一，并使得聚焦点具有高功率并达到刻蚀缝隙的效果。本实施例加工的优点可以表现为先刻蚀出两个沟槽减小刻蚀缝隙时的物理阻力，能够避免直接由高功率的聚焦点加工预定切割道造成Low-K层导致的边缘剥离情况，且两离焦点分别同时对预定切割道两侧进行刻蚀有效的控制热效应往中间进行扩散，进而不影响器件本身，又提高了加工效率。而且仅仅通过改变至少两束激光光束相对于晶圆上表面的焦深位置实现分别切割沟槽和缝隙的目的，进而简化了加工装置的结构，提高加工精确性和激光光束的稳定性，提高了晶圆加工效果。

[0082] 本实施例的装置，可以用于执行上述方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。

[0083] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。