阵列基板及其制造方法和显示装置

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置。该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的间隔层、第一导电图形层和第二导电图形层，所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域。本发明避免了小丘产生在交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间时容易造成的导电图形层之间的短接，降低了线缺陷发生的概率，从而提高了显示面板的良率，保证了产品的显示效果。

权利要求

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的间隔层、第一导电图形层和第二导电图形层，所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域，所述间隔层设置于对应位于所述交叠区域上方的所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层和所述交叠区域一一对应设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔层的材料为有机膜材料。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔层的厚度范围为 至

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电图形层为栅线，所述第二导电图形层为数据线。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括有源层和刻蚀阻挡层；所述有源层位于所述栅线的上方，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述间隔层位于所述刻蚀阻挡层之上，所述数据线位于所述间隔层之上。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和所述有源层，所述刻蚀阻挡层上设置有第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层，所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域，所述间隔层设置于对应位于所述交叠区域上方的所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层和所述交叠区域一一对应设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电图形层为栅线，所述第二导电图形层为数据线，所述在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层包括：在衬底基板上形成栅线；

在所述栅线上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔形成于所述刻蚀阻挡层中；

在所述间隔层上形成数据线、源极和漏极，所述源极位于所述第一过孔中以与所述有源层连接，所述漏极位于所述第二过孔中以与所述有源层连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述在所述刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔包括：在所述刻蚀阻挡层上沉积间隔材料层；对所述间隔材料层和所述刻蚀阻挡层进行构图工艺，形成间隔层、第一过孔和第二过孔。

10.一种显示装置，其特征在于，包括相对设置的对置基板和上述权利要求1至6任一所述的阵列基板。

说明书

阵列基板及其制造方法和显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

[0002] 在传统的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)背板的制作工艺中，常采用厚铝工艺进行栅线的制作。

[0003] 由于铝自身热膨胀系数较大，因此铝在高温(约300℃左右)的情况下容易产生小丘。而在背板工艺中的绝缘层的制作及退火工艺中产生的温度均远高于300℃，又因为采用了厚铝工艺制作栅线，因此在背板工艺中，小丘产生的几率大大提高。由于栅线和数据线在衬底基板上投影的交叠区域处的栅线和数据线之间间隔的距离较小，如果小丘产生在交叠区域处的栅线和数据线之间，则将容易造成交叠区域处的栅线和数据线的短接，形成线缺陷，而且小丘的大小通常小于1微米，即使在显微镜下也很难观察出，造成线缺陷的检出非常困难。

[0004] 因此在现有技术中，栅线与数据线在衬底基板上投影的交叠区域处的栅线和数据线之间产生的小丘容易造成交叠区域处的栅线与数据线的短接，形成线缺陷，导致产品的良率下降，影响了产品的显示效果。

发明内容

[0005] 本发明提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，用于避免小丘产生时造成的第一导电图形层和第二导电图形层之间的短接，提高显示面板的良率，从而保证产品的显示效果。

[0006] 为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的间隔层、第一导电图形层和第二导电图形层，所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域。

[0007] 可选地，所述间隔层的材料为有机膜材料。

[0008] 可选地，所述间隔层的厚度范围为 至

[0009] 可选地，所述第一导电图形层为栅线，所述第二导电图形层为数据线。

[0010] 可选地，该阵列基板还包括有源层和刻蚀阻挡层；所述有源层位于所述栅线的上方，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述间隔层位于所述刻蚀阻挡层之上，所述数据线位于所述间隔层之上。

[0011] 可选地，所述刻蚀阻挡层上设置有第一过孔和第二过孔，所述数据线还通过第一过孔和第二过孔与所述有源层连接。

[0012] 为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

[0013] 在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层，所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间，且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域。

[0014] 可选地，所述第一导电图形层为栅线，所述第二导电图形层为数据线，所述在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层包括：

[0015] 在衬底基板上形成栅线；

[0016] 在所述栅线上形成绝缘层；

[0017] 在所述绝缘层上形成有源层；

[0018] 在所述有源层上形成刻蚀阻挡层；

[0019] 在所述刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔；

[0020] 在所述间隔层上形成数据线，所述数据线位于所述第一过孔和所述第二过孔中以与所述有源层连接。

[0021] 可选地，所述在所述刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔包括：在所述刻蚀阻挡层上沉积间隔材料层；对所述间隔材料层和所述刻蚀阻挡层进行构图工艺，形成间隔层、第一过孔和第二过孔。

[0022] 为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括相对设置的对置基板和上述的阵列基板。

[0023] 本发明的有益效果：

[0024] 本发明所提供的阵列基板及其制造方法和显示装置中，间隔层设置在第一导电图形层和第二导电图形层之间，且间隔层在衬底基板上的投影覆盖第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板上的投影的交叠区域，从而增大交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，且起到隔离交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层的作用，避免了小丘产生在交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间时容易造成的导电图形层之间的短接，降低了线缺陷发生的概率，从而提高了显示面板的良率，保证了产品的显示效果。

附图说明

[0025] 图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；

[0026] 图2为实施例一中间隔层、第一导电图形层和第二导电图形层的俯视图；

[0027] 图3为实施例二中在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层的流程图；

[0028] 图4为形成栅线的示意图；

[0029] 图5为在形成绝缘层的示意图；

[0030] 图6为沉积有源材料层的示意图；

[0031] 图7为形成有源层的示意图；

[0032] 图8为沉积刻蚀阻挡层的示意图；

[0033] 图9为沉积间隔材料层的示意图；

[0034] 图10为对间隔材料层进行曝光的示意图；

[0035] 图11为对半曝光部分和完全曝光部分进行显影的示意图；

[0036] 图12为形成第一过孔和第二过孔的示意图；

[0037] 图13为形成间隔层的示意图；

[0038] 图14为沉积数据线材料层的示意图；

[0039] 图15为形成数据线、源极和漏极的示意图。

具体实施方式

[0040] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的阵列基板及其制造方法和显示装置进行详细描述。

[0041] 图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为实施例一中间隔层、第一导电图形层和第二导电图形层的俯视图，如图1和图2所示，该阵列基板包括衬底基板11和位于衬底基板11上的间隔层12、第一导电图形层和第二导电图形层，间隔层12设置于第一导电图形层和第二导电图形层之间，且间隔层12在衬底基板11上的投影M覆盖第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板11上的投影的交叠区域N。

[0042] 本实施例中，间隔层12设置于对应位于交叠区域N上方的第一导电图形层和第二导电图形层之间，从而使得对应位于交叠区域N上方的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离增大。

[0043] 本实施例中，间隔层12的数量为多个。优选地，间隔层12的数量等于交叠区域N的数量。

[0044] 优选地，间隔层12在衬底基板11上的投影M的面积大于或等于第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板11上的投影的交叠区域N的面积。

[0045] 优选地，间隔层12的材料为有机膜材料。相比于光阻材料，有机膜材料的透过率较高，且有机膜材料可以承受更高的温度，有机膜材料通常可以承受200℃左右的高温，而一般光阻材料只能承受150℃以下的温度，在高温环境中，有机膜材料释放的气体比光阻材料要少，从而不影响产品的显示效果。因此本实施例中的间隔层12采用有机膜材料具有明显的优势。

[0046] 优选地，间隔层12的形状呈梯形结构。本实施例中，间隔层12还可以设置为其他形状，本实施例对于间隔层的形状不作任何限制。

[0047] 本实施例中，间隔层12的厚度范围为 至 优选地，间隔层12的厚度为

[0048] 本实施例中，第一导电图形层为栅线13，第二导电图形层为数据线14。

[0049] 本实施例中，栅线13的材料为铝。

[0050] 具体地，间隔层12设置于栅线13和数据线14之间，且间隔层12在衬底基板11上的投影M覆盖栅线13和数据线14在衬底基板11上的投影的交叠区域N。

[0051] 具体地，间隔层12设置于对应位于交叠区域N上方的栅线13和数据线14之间，从而使得对应位于交叠区域N上方的栅线13和数据线14之间的距离增大。

[0052] 如图2所示，优选地，间隔层12在衬底基板11上的投影M的面积大于或等于栅线13和数据线14在衬底基板11上的投影的交叠区域N的面积。

[0053] 进一步地，阵列基板还包括薄膜晶体管和刻蚀阻挡层15，薄膜晶体管包括栅极、源极16、漏极17和有源层18，其中，有源层18位于栅线13的上方，刻蚀阻挡层15位于有源层18之上且覆盖衬底基板11，间隔层12位于刻蚀阻挡层15之上，数据线14位于间隔层12之上。

[0054] 需要说明的是，本实施例中，优选地，以栅线13作为栅极。

[0055] 进一步地，阵列基板还包括绝缘层19，绝缘层19位于栅线13之上。具体地，有源层18位于绝缘层19之上。

[0056] 进一步地，刻蚀阻挡层15上设置有第一过孔151和第二过孔152，源极16通过第一过孔151与有源层18连接，漏极17通过第二过孔152与有源层18连接，从而形成薄膜晶体管。

[0057] 本实施例所提供的阵列基板中，间隔层设置在第一导电图形层和第二导电图形层之间，且间隔层在衬底基板上的投影覆盖第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板上的投影的交叠区域，增大了交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，且起到隔离交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层的作用，从而避免了小丘产生在交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间时容易造成的导电图形层之间的短接，降低了线缺陷发生的概率，从而提高了显示面板的良率，保证了产品的显示效果。同时，本实施例所提供的阵列基板中，由于增大了交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，从而降低了第一导电图形层与第二导电图形层之间产生的寄生电容。

[0058] 本发明实施例二提供了一种阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法用于制造上述实施例一所提供的阵列基板，该制造方法包括：

[0059] 在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层，间隔层设置于第一导电图形层和第二导电图形层之间，且间隔层在衬底基板上的投影覆盖第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板上的投影的交叠区域。

[0060] 本实施例中，优选地，第一导电图形层为栅线，第二导电图形层为数据线。

[0061] 具体地，间隔层设置于栅线和数据线之间，且间隔层在衬底基板上的投影覆盖栅线和数据线在衬底基板上的投影的交叠区域。

[0062] 图3为实施例二中在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层的流程图，如图3所示，具体地，在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层包括：

[0063] 步骤201、在衬底基板上形成栅线。

[0064] 具体地，步骤201包括：在衬底基板上沉积栅线材料层，对栅线材料层进行构图工艺形成栅线。

[0065] 如图4所示，在衬底基板11上沉积栅线材料层，对栅线材料层进行构图工艺形成栅线13。

[0066] 本实施例中，优选地，以栅线13作为栅极。

[0067] 步骤202、在栅线上形成绝缘层。

[0068] 具体地，步骤202包括：在栅线上沉积绝缘层。

[0069] 如图5所示，在栅线13上沉积绝缘层19，绝缘层19覆盖衬底基板11。

[0070] 步骤203、在绝缘层上形成有源层。

[0071] 具体地，步骤203包括：

[0072] 步骤203a、在绝缘层上沉积有源材料层。

[0073] 如图6所示，在绝缘层19上沉积有源材料层21。

[0074] 步骤203b、对有源材料层进行构图工艺，形成有源层。

[0075] 如图7所示，对有源材料层21进行构图工艺，形成有源层18。

[0076] 步骤204、在有源层上形成刻蚀阻挡层。

[0077] 具体地，步骤204包括：在有源层上沉积刻蚀阻挡层。

[0078] 如图8所示，在有源层18上沉积刻蚀阻挡层15，刻蚀阻挡层15覆盖衬底基板11。

[0079] 步骤205、在刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔。

[0080] 具体地，步骤205包括：

[0081] 步骤205a、在刻蚀阻挡层上沉积间隔材料层。

[0082] 如图9所示，在刻蚀阻挡层15上沉积间隔材料层22，间隔材料层22为有机膜材料。

[0083] 步骤205b、将掩膜板对应设置在间隔材料层的上方，通过掩膜板对间隔材料层进行曝光，形成未曝光部分、半曝光部分和完全曝光部分。

[0084] 如图10所示，掩膜板23包括完全遮光区域231、半透光区域232和开口区域233，光线穿过开口区域233照射到对应的间隔材料层22形成完全曝光部分221，完全遮挡光线的完全遮光区域231对应的间隔材料层22的部分为未曝光部分222，半透光区域232对应的间隔材料层22的部分为半曝光部分223。

[0085] 步骤205c、对曝光后的衬底基板进行显影，去除完全曝光部分对应的间隔材料层及半曝光部分对应的部分间隔材料层，形成间隔中间图形。

[0086] 如图11所示，对曝光后的衬底基板11进行显影，去除完全曝光部分223及部分的半曝光部分221，形成间隔中间图形224。

[0087] 步骤205d、对完全曝光部分对应的刻蚀阻挡层进行刻蚀工艺，形成第一过孔和第二过孔。

[0088] 如图12所示，对完全曝光部分221对应的刻蚀阻挡层15进行刻蚀工艺，形成第一过孔151和第二过孔152。

[0089] 步骤205e、对间隔中间图形224进行灰化工艺，形成间隔层。

[0090] 如图13所示，对间隔中间图形224进行灰化工艺，去除部分间隔中间图形224，形成间隔层12。

[0091] 本步骤中，采用干刻设备进行灰化工艺。

[0092] 步骤206、在间隔层上形成数据线、源极和漏极。

[0093] 具体地，步骤206包括：

[0094] 步骤206a、在间隔层上沉积数据线材料层。

[0095] 如图14所示，在间隔层12上沉积数据线材料层24，数据线材料层23为源漏极材料层。

[0096] 步骤206b、对数据线材料层进行构图工艺，形成数据线、源极和漏极。

[0097] 如图15所示，对数据线材料层24进行构图工艺，形成数据线14、源极16和漏极17，数据线14形成于间隔层12上，源极16形成于第一过孔151中以实现与有源层18连接，漏极17形成于第二过孔152中以实现与有源层18连接。

[0098] 本实施例中，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等工艺。

[0099] 本实施例中，优选地，构图工艺中的刻蚀工艺采用湿法刻蚀。

[0100] 本实施例中，优选地，间隔层12形成在栅线13与数据线14之间，且间隔层12在衬底基板11上的投影M覆盖栅线13和数据线14在衬底基板11上的投影的交叠区域N。

[0101] 本实施例所提供的阵列基板的制造方法用于制造上述实施例一所提供的阵列基板，其他具体说明和描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。

[0102] 本实施例所提供的阵列基板的制造方法中，间隔层形成于第一导电图形层和第二导电图形层之间，且间隔层在衬底基板上的投影覆盖第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板上的投影的交叠区域，从而增大交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，且起到隔离交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层的作用，避免了小丘产生在交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间时容易造成的导电图形层之间的短接，降低了线缺陷发生的概率，从而提高了显示面板的良率，保证了产品的显示效果。同时，本实施例所提供的阵列基板的制造方法由于增大了交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，从而降低了第一导电图形层与第二导电图形层之间产生的寄生电容。

[0103] 本发明实施例三还提供了一种显示装置，该显示装置包括相对设置的对置基板和上述实施例一所提供的阵列基板。该阵列基板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。

[0104] 本实施例所提供的显示装置中，间隔层设置在第一导电图形层和第二导电图形层之间，且间隔层在衬底基板上的投影覆盖第一导电图形层和第二导电图形层在衬底基板上的投影的交叠区域，从而增大交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，且起到隔离交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层的作用，避免了小丘产生在交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间时容易造成的导电图形层之间的短接，降低了线缺陷发生的概率，从而提高了显示面板的良率，保证了产品的显示效果。同时，本实施例所提供的显示装置中，由于增大了交叠区域处的第一导电图形层和第二导电图形层之间的距离，从而降低了第一导电图形层与第二导电图形层之间产生寄生电容。

[0105] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。