粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

摘要

提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。

权利要求

1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，所述大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且所述大致球状突起的平均最大直径bave相对于所述大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上且为2.0以下。

2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述比bave/aave为1.3～2.0。

3.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起的平均最大直径bave为2.5μm以下。

4.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，b/a为1.2以上的大致球状突起在存在于所述粗糙化处理面的大致球状突起中所占的比率为60％以上，所述b/a是所述大致球状突起的最大直径b相对于大致球状突起的颈部直径a的比。

5.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起的平均根部间隔距离为0.1～0.3μm。

6.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起以1～10个/μm2的面密度存在。

7.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔仅在一侧具有所述粗糙化处理面，并且高倾斜大致球状突起在所述大致球状突起的总数中所占的比率为30～60％，所述高倾斜大致球状突起为连结大致球状突起的根部分界线的中点和所述大致球状突起的顶点的线、与基准线所成的锐角为85°以下的大致球状突起，所述基准线平行于所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面。

8.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔具有0.5～5μm的厚度。

9.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其用于对印刷电路板用的绝缘树脂层转印凹凸形状。

10.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其用于利用半加成法(SAP)的印刷电路板的制作。

11.一种带载体铜箔，其具备：

载体箔；

设置于该载体箔上的剥离层；以及

权利要求1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其在该剥离层上以所述粗糙化处理面作为外侧的方式设置。

12.一种覆铜层叠板，其是使用权利要求1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔或权利要求11所述的带载体铜箔而得到的。

13.一种印刷电路板，其是使用权利要求1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔或权利要求11所述的带载体铜箔而得到的。

说明书

粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

技术领域

[0001] 本发明涉及粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。

背景技术

[0002] 近年来，作为适于电路的微细化的印刷电路板的制造方法，广泛采用SAP(半加成，semi-additive process)法。SAP法是极其适于形成微细的电路的方法，作为其一个例子，使用带载体粗糙化处理铜箔而进行。例如，如图1及2所示，使用预浸料12和底漆层13，将具备粗糙化表面的极薄铜箔10、与在基底基材11a具备下层电路11b而成的绝缘树脂基板11上面压接而使其密合(工序(a))；剥离载体箔(未图示)后，根据需要通过激光穿孔形成导通孔14(工序(b))。接着，通过蚀刻去除极薄铜箔，从而使赋予了粗糙化表面轮廓的底漆层13露出(工序(c))。对该粗糙化表面施加了化学镀铜15(工序(d))后，通过使用了干膜16的曝光及显影以规定的图案进行掩蔽(工序(e))，施加电镀铜17(工序(f))。将干膜16去除而形成布线部分17a(工序(g))后，通过蚀刻将相邻的布线部分17a、17a间的不需要的化学镀铜15去除(工序(h))，从而得到以规定的图案形成的布线18。

[0003] 对于这样使用了粗糙化处理铜箔的SAP法，粗糙化处理铜箔自身在激光穿孔后通过蚀刻而被去除(工序(c))。而且，由于粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的凹凸形状被转印到去除了粗糙化处理铜箔的层叠体表面，因此在其后的工序中，能够确保绝缘层(例如底漆层13或不存在其的情况下为预浸料12)与镀覆电路(例如布线18)的密合性。需要说明的是，也广泛采用不进行与工序(c)相当的铜箔去除工序的MSAP(模拟半加成，modified·semi-additive process)法，但由于必需在显影后的蚀刻工序(相当于工序(h))中通过蚀刻将铜箔层和化学镀铜层这2层去除，因此与仅通过化学镀铜层1层的蚀刻去除而完成的SAP法相比，必需进行更深的蚀刻。因此，必需考虑到更多的蚀刻量而使电路间隔缩小一些，因此可以说MSAP法在微细电路形成性方面比SAP法差了一些。即，对于更微细的电路形成的目的，SAP法更有利。

[0004] 另一方面，已知有控制了粗糙化颗粒形状的带载体粗糙化处理铜箔。例如，专利文献1(日本特开2013-199082号公报)中公开了一种带载体铜箔，其特征在于，在极薄铜层表面具有颗粒长度的10％的位置的颗粒根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm、且颗粒长度L1与颗粒根部的平均直径D1的比L1/D1为15以下的粗糙化处理层。该专利文献1中，优选的是，在极薄铜层表面，颗粒长度的50％的位置的颗粒中央的平均直径D2与颗粒根部的平均直径D1的比D2/D1为1～4，并且颗粒中央的平均直径D2与颗粒长度的90％的位置的颗粒前端D3的比D2/D3为0.8～1.0。另外，专利文献1的实施例中公开了粗糙化颗粒的长度为2.68μm以上。

[0005] 现有技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本特开2013-199082号公报

发明内容

[0008] 发明要解决的问题

[0009] 如前所述，对于使用了粗糙化处理铜箔的SAP法，粗糙化处理铜箔自身在激光穿孔后通过蚀刻而被去除(工序(c))。而且，由于粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的凹凸形状被转印到去除了粗糙化处理铜箔的层叠体表面，因此在其后的工序中，能够确保绝缘层(例如底漆层13或不存在其的情况下为预浸料12)与镀覆电路(例如布线18)的密合性。但是，由于适于提高与镀覆电路的密合性的表面轮廓有大致变为粗糙的凹凸的倾向，因此在工序(h)中对化学镀铜的蚀刻性容易降低。即，为了使化学镀铜的陷入粗糙的凹凸的成分、残留铜消失，需要更多的蚀刻。

[0010] 本发明人等此次得到如下见解：通过在具有具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起的粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔中，使大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且使大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上，能够提供在用于SAP法时，能对层叠体赋予不仅优异的镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。另外，通过使用上述粗糙化处理铜箔，从而在SAP法中的干膜显影工序中，能够实现极其微细的干膜分辨率。

[0011] 因此，本发明的目的在于，提供一种在用于SAP法时，能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性、及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。另外，本发明的又一目的在于，提供具备这样的粗糙化处理铜箔的带载体铜箔。

[0012] 根据本发明的一个实施方式，提供一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，前述粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，前述大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且前述大致球状突起的平均最大直径bave相对于前述大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。

[0013] 根据本发明的另一实施方式，提供一种带载体铜箔，其具备：载体箔；设置于该载体箔上的剥离层；以及上述实施方式的粗糙化处理铜箔，其在该剥离层上以前述粗糙化处理面作为外侧的方式设置。

[0014] 根据本发明的另一实施方式，提供一种覆铜层叠板，其是使用上述实施方式的粗糙化处理铜箔或上述实施方式的带载体铜箔而得到的。

[0015] 根据本发明的另一实施方式，提供一种印刷电路板，其是使用上述实施方式的粗糙化处理铜箔或上述实施方式的带载体铜箔而得到的。

附图说明

[0016] 图1是用于说明SAP法的工序流程图，为示出前半工序(工序(a)～(d))的图。

[0017] 图2是用于说明SAP法的工序流程图，为示出后半工序(工序(e)～(h))的图。

[0018] 图3为示出本发明的粗糙化处理铜箔中的大致球状颗粒的示意截面图。

[0019] 图4A为具有包含高倾斜大致球状颗粒的波纹的表面的粗糙化处理铜箔的示意截面图。

[0020] 图4B为图4A中用框包围的部分的放大截面图，为用于说明高倾斜大致球状颗粒的定义的图。

[0021] 图5为示出在SAP法中良好地进行分辨的干膜图案的一个例子的照片。

[0022] 图6为示出在SAP法未良好地进行分辨的干膜图案的一个例子的照片。

具体实施方式

[0023] 定义

[0024] 以下示出为了限定本发明而使用的用语或参数的定义。

[0025] 本说明书中，“大致球状突起”是指具有带有大致球状的圆的大概形状的突起，与针状、柱状、细长的形状等各向异性的形状的突起或颗粒区别开。如图3示意性地所示，由于大致球状突起32由通过与铜箔表面30连结的沙漏状的根部部分34与铜箔表面30连结，因此不能形成完全的球体，但除根部部分34以外的部分为大致球状即可。因此，对于大致球状突起，只要保持为带有大致球状的圆的大致形状，就允许一些凹凸、变形等的存在。需要说明的是，也可以将上述突起简称为球状突起，如上所述，由于不能形成完全的球体，因此应当理解为上述的大致球状突起的意思。

[0026] 本说明书中，如图3示意性地所示，“大致球状突起的颈部直径a”是指在大致球状突起32中与铜箔表面30连结的沙漏状的根部部分34的直径，即，相向的沙漏之间的最短距离的意思。另外，“大致球状突起的平均颈部直径aave”是指：用树脂制作粗糙化处理铜箔的2
具备大致球状突起的表面轮廓的重复形状并在所得树脂制重复的表面(例如435μm 的区域)测定的、N个大致球状突起的颈部直径a1、a2、···、aN的平均值(即(a1+a2+···+aN)/N的值)。关于树脂制重复的制作，根据本说明书的实施例中记载的各条件进行即可。

[0027] 本说明书中，如图3示意性地所示，“大致球状突起的最大直径b”为在与铜箔表面30平行的方向测定的大致球状突起32的最大直径。另外，“大致球状突起的平均最大直径bave”为在粗糙化处理铜箔的表面(例如435μm2的区域)测定的N个大致球状突起的最大直径b1、b2、···、bN的平均值(即(b1+b2+···+bN)/N的值)。

[0028] 本说明书中，如图3示意性地所示，“大致球状突起的高度c”是指：以在相对于铜箔表面30垂直的方向测定的大致球状突起32的根部部分34作为基准的高度。另外，“大致球状突起的平均高度cave”是指：在粗糙化处理铜箔的截面轮廓(例如25μm的基准长度)测定的N个大致球状突起的高度c1、c2、···、cN的平均值(即(c1+c2+···+cN)/N的值)。

[0029] 本说明书中，如图3示意性地所示，“大致球状突起的根部间隔距离d”是指：相邻的大致粒状颗粒30的根部部分以水平计的间隔距离，即大致粒状颗粒30的根部部分34的沙漏状部分与相邻的大致球状颗粒32的根部部分34的沙漏状部分的最短距离。另外，“大致球状突起的平均根部间隔距离dave”是指：用树脂制作粗糙化处理铜箔的具备大致球状突起的表面轮廓的重复形状并且在所得树脂制重复表面(例如435μm2)测定的、N个大致球状突起的间的根部间隔距离d1、d2、···、dN-1的平均值(即(d1+d2+···+dN-1)/(N-1)的值)。关于树脂制重复的制作，根据本说明书的实施例中记载的各条件进行即可。

[0030] 本说明书中，如图4A及4B示意性地所示，“高倾斜大致球状突起”是指：大致球状突起32中，连结大致球状突起32的根部分界线(根部部分34的分界线)的中点C和大致球状突起32的顶点V的线LVC与基准线LB所成的锐角θ为85°以下的突起，所述基准线LB平行于粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面。另外，“高倾斜大致球状突起在大致球状突起的总数中所占的比率”是指：在粗糙化处理铜箔的截面轮廓(例如10μm的基准长度)中测定的、高倾斜大致球状突起的数NH相对于大致球状突起的总数NA的比率，即100×NH/NA(％)。

[0031] 大致球状突起的颈部直径a、最大直径b及根部间隔距离d可以通过使用市售的图像分析装置和软件对由SEM观察获得的图像实施二值化处理等图像处理来测定。作为那样的图像分析装置的例子，可列举出NIRECOCORPORATION制的LUZEX AP。关于图像处理，根据本说明书的实施例中记载的各条件进行即可。

[0032] 本说明书中，“表面峰间的平均距离(Peak spacing)”是指：从使用三维表面结构分析显微镜得到的试样表面的凹凸相关的信息中去除高频的波纹成分后、对峰的波形数据进行滤波而提取出的数据中的、峰间的平均距离。

[0033] 本说明书中，“波纹的最大高低差(Wmax)”是指：从使用三维表面结构分析显微镜而得到的试样表面的凹凸的信息中，使用滤波器提取波纹的波形数据时的波形数据的高低差的最大值(波形的最大峰高度与最大谷深度的和)。

[0034] 表面峰间的平均距离(Peak spacing)及波纹的最大高低差(Wmax)均可以使用市售的三维表面结构分析显微镜(例如，zygoNewView5032(Zygo Corporation制))和市售的分析软件(例如MetroProVer.8.0.2)，将低频滤波器设定为11μm的条件来进行测定。此时，使箔的被测定面与试样台密合并固定，在试样片的1cm见方的范围内之中，在108μm×144μm的视野中选择6点进行测定，优选采用由6处测定点得到的测定值的平均值作为代表值。

[0035] 本说明书中，载体箔的“电极面”是指在载体箔制作时接触阴极的一侧的面。

[0036] 本说明书中，载体箔的“析出面”是指：在载体箔制作时电解铜析出来的一侧的面，即不接触阴极的一侧的面。

[0037] 粗糙化处理铜箔

[0038] 由本发明得到的铜箔为粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。如图3示意性地所示，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起32。这些大致球状突起32的平均高度cave为2.60μm以下。另外，大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。这样，在具有具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起的粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔中，通过使大致球状突起的平均高度cave为2.60μm以下、并且使大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上，从而能够提供在用于SAP法时，能对层叠体赋予不仅优异的镀覆电路密合性而且对化学镀铜的蚀刻性也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。另外，通过使用上述粗糙化处理铜箔，从而在基于SAP法的干膜显影工序中，能够实现极微细的干膜分辨率。

[0039] 镀覆电路密合性与对化学镀铜的蚀刻性本来就难以兼具，但根据本发明，出乎预料地能兼具这两者。即，如前所述，由于适于提高与镀覆电路的密合性的表面轮廓通常会有变为粗糙的凹凸的倾向，因此在图2的工序(h)中，化学镀铜的蚀刻性容易降低。即，为了使化学镀铜的陷入粗糙的凹凸的成分、残留铜消失，需要更多的蚀刻。但是，利用本发明的粗糙化处理铜箔，会实现这样的蚀刻量的降低并能够确保优异的镀覆电路密合性。可以认为这是因为，通过将大致球状突起的平均高度cave设定为低至2.60μm以下，从而避免由上述粗糙的凹凸引起的上述蚀刻性的降低；而另一方面，通过将上述比bave/aave设为1.2以上，能够改善伴随大致球状突起的平均高度cave降低所带来的与镀覆电路密合性的问题。对此可以认为，由图3所理解那样，上述比bave/aave越大，大致球状突起32在与铜箔表面30连结的根部部分34越大幅地成为沙漏状，因此在被转印成所述形状的绝缘层(例如底漆层13或不存在其的情况下为预浸料12)中，能够发挥基于源自大致球状突起32的沙漏形状的锚固效果，能实现优异的与镀覆电路的密合性。而且可以认为，通过能够兼具那样优异的密合性和对化学镀铜优异的蚀刻性，在SAP法中的干膜显影工序中，能够实现极微细的干膜分辨率。因此，本发明的粗糙化处理铜箔优选用于利用半加成法(SAP)的印刷电路板的制作。换句话说，则也可以说本发明的粗糙化处理铜箔优选用于将凹凸形状转印到印刷电路板用的绝缘树脂层上。

[0040] 本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。即，粗糙化处理铜箔可以在两侧具有粗糙化处理面，也可以仅在一侧具有粗糙化处理面。在两侧具有粗糙化处理面的情况下，用于SAP法时，激光照射侧的面(与绝缘树脂密合的面相反侧的面)也被粗糙化，因此激光吸收性提高，结果激光穿孔性也提高。

[0041] 粗糙化处理面具备多个大致球状突起32，这些多个大致球状突起32由铜颗粒形成。即，各个大致球状突起32基本上由1个铜颗粒构成。铜颗粒可以由金属铜形成，也可以由铜合金形成。但是，铜颗粒为铜合金的情况下，有时对铜蚀刻液的溶解性降低或因合金成分向铜蚀刻液中的混入而导致蚀刻液的寿命降低，因此优选铜颗粒由金属铜形成。

[0042] 大致球状突起32的平均高度cave为2.60μm以下，优选为1.5μm以下、更优选为1.0μm以下、进一步优选为0.6μm以下。若为这些范围内，则对化学镀铜的蚀刻性显著提高。对平均高度cave的下限值没有特别限定，平均高度cave优选为0.2μm以上、更优选为0.4μm以上。

[0043] 大致球状突起32的平均最大直径bave相对于大致球状突起32的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上，优选为1.2～5.0、更优选为1.3～3.0、进一步优选为1.3～2.0、特别优选为1.4～1.7。若为这些范围内，则能够充分发挥利用源自大致球状突起32的沙漏形状的锚固效果，镀覆电路密合性及干膜分辨率提高。

[0044] 大致球状突起32的平均颈部直径aave优选为0.1～2.0μm、更优选为0.2～1.0μm、进一步优选为0.3～0.6μm。平均颈部直径aave为2.0μm以下时，即使在线/间隔(L/S)＝5μm/5μm的微细电路图案中，在线宽内也能够存在2个以上的大致球状突起，因此镀覆电路密合性及干膜分辨率提高。

[0045] 大致球状突起32的平均最大直径bave优选为2.5μm以下、更优选为0.2～2.5μm、进一步优选为0.3～1.5μm、特别优选为0.4～1.2μm、最优选为0.4～0.8μm。若为这些范围内，则能够充分发挥利用源自大致球状突起32的沙漏形状的锚固效果，镀覆电路密合性及干膜分辨率提高。

[0046] b/a为1.2以上的大致球状突起32在存在于粗糙化处理面的大致球状突起32中所占的比率，所述b/a是大致球状突起32的最大直径b相对于大致球状突起32的颈部直径a的比，以个数基准计优选为60％以上、更优选为70％以上、进一步优选为80％以上、特别优选为90％以上。在这些范围内时，能够充分发挥利用源自大致球状突起32的沙漏形状的锚固效果，镀覆电路密合性及干膜分辨率提高。

[0047] 大致球状突起32的平均根部间隔距离d优选为0.10～0.30μm、更优选为0.15～0.25μm。在这些范围内时，能够充分发挥利用源自大致球状突起32的沙漏形状的锚固效果，镀覆电路密合性及干膜分辨率提高。

[0048] 优选大致球状突起32以1～10个/μm2的面密度存在、更优选2～5个/μm2、进一步优选3～5个/μm2。在这些范围内时，能够充分发挥利用源自大致球状突起32的沙漏形状的锚固效果，镀覆电路密合性及干膜分辨率提高。

[0049] 粗糙化处理面通常具有波纹，起因于该波纹而大致球状突起32会倾斜。特别是粗糙化处理铜箔仅在一侧具有粗糙化处理面的情况下，高倾斜大致球状突起在大致球状突起32的总数中所占的比率优选为30～60％、更优选为35～57％、进一步优选为40～57％。如前所述，高倾斜大致球状突起为连结大致球状突起32的根部分界线的中点C和大致球状突起
32的顶点V的线LVC与基准线LB所成的锐角θ为85°以下的大致球状突起，所述基准线LB平行于粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面。高倾斜大致球状突起的比率为60％以下时，在SAP法中，在对粗糙化处理铜箔进行蚀刻去除而赋予了源自粗糙化处理面的凹凸形状的基材表面，能够减少曝光时的起因于凹凸的光的漫反射，从而更有利地进行干膜的固化，其结果，干膜抗蚀剂的分辨率进一步改善。另外，高倾斜大致球状突起的比率为30％以上时，对基材的密合性进一步改善。因此，通过使高倾斜大致球状突起的比率为30～60％，能够提供在兼顾干膜分辨率和与基材的密合性方面更优异的粗糙化处理铜箔。

[0050] 对本发明的粗糙化处理铜箔的厚度没有特别限定，优选为0.1～18μm、更优选为0.5～10μm、进一步优选为0.5～7μm、特别优选为0.5～5μm、最优选为0.5～3μm。需要说明的是，本发明的粗糙化处理铜箔不仅限于对通常的铜箔的表面进行了粗糙化处理而成者，也可以为对带载体铜箔的铜箔表面进行了粗糙化处理而成者。

[0051] 粗糙化处理铜箔的制造方法

[0052] 对由本发明得到的粗糙化处理铜箔的优选制造方法的一个例子进行说明，但由本发明得到的粗糙化处理铜箔，不限定于以下说明的方法，只要能够实现本发明的粗糙化处理铜箔的表面轮廓，可以通过所有的方法来制造。

[0053] (1)铜箔的准备

[0054] 作为粗糙化处理铜箔的制造中使用的铜箔，可以使用电解铜箔及轧制铜箔这两者。对铜箔的厚度没有特别限定，优选为0.1～18μm、更优选为0.5～10μm、进一步优选为0.5～7μm、特别优选为0.5～5μm、最优选为0.5～3μm。以带载体铜箔的形态准备铜箔的情况下，铜箔可以通过化学镀铜法及电解镀铜法等湿式成膜法、溅射及化学蒸镀等干式成膜法、或者它们的组合来形成。

[0055] 对于粗糙化处理前的铜箔的要实施粗糙化处理的面没有特别限定，波纹的最大高低差(Wmax)优选为6.0μm以下、更优选为0.1～2.0μm、进一步优选为0.2～1.3μm，并且，表面峰间的平均距离(Peak spacing)优选为100μm以下、更优选为3～70μm、进一步优选为5～30μm。为这样的范围内的Wmax及Peaks pacing时，经后续的粗糙化处理，能够良好地形成高倾斜大致球状突起在大致球状突起的总数中所占的比率优选为30～60％、更优选为35～57％、进一步优选为40～57％的粗糙化处理面。例如，以带载体铜箔的形态准备铜箔的情况下，上述范围内的低Peak spacing和Wmax的实现可以如下进行：通过对将载体箔制成电解制箔时使用的旋转阴极的表面以规定顺序的抛光进行研磨来调节表面粗糙度。即，经这样调节的旋转阴极的表面轮廓被转印到载体箔的电极面，这样通过在赋予了理想的表面轮廓的载体箔的电极面上借助剥离层形成铜箔，从而能够对实施了铜箔的粗糙化处理的侧(即处于剥离层的相反侧的一侧)的面赋予表面轮廓。优选的抛光的顺序为大于#1000且小于#
3000、更优选为#1500～#2500、特别优选为#2000。这样通过在上述范围内适宜选择抛光的顺序，能够控制铜箔表面的波纹，从而将高倾斜大致球状颗粒的比率控制为目标那样。

[0056] (2)粗糙化处理

[0057] 使用铜颗粒对铜箔的至少一个表面进行粗糙化。该粗糙化通过使用了粗糙化处理用铜电解溶液的电解来进行。该电解优选经2阶段的镀覆工序进行。在第1阶段的镀覆工序中，优选使用包含铜浓度8～12g/L及硫酸浓度200～280g/L的硫酸铜溶液，在液温20～40℃、电流密度15～35A/dm2、时间5～25秒的镀覆条件下进行电沉积。在第2阶段的镀覆工序中，优选使用包含铜浓度65～80g/L及硫酸浓度200～280g/L的硫酸铜溶液，在液温45～55℃及电流密度5～30A/dm2、时间5～25秒的镀覆条件下进行电沉积。对于各阶段的电量，优选以第1阶段的镀覆工序中的电量Q1相对于第2阶段的镀覆工序中的电量Q2的比(Q1/Q2)成为1.5～2.5的方式进行设定。比Q1/Q2低于1.5时，大致球状突起的沙漏状部分变小(即比b/a变小)、能招致镀覆电路密合性的降低。另一方面，比Q1/Q2超过2.5时，大致球状突起的沙漏状部分变大(即比b/a变大)，粗糙化颗粒变得容易脱落。

[0058] (3)防锈处理

[0059] 根据期望，可以对粗糙化处理后的铜箔实施防锈处理。防锈处理优选包括使用了锌的镀覆处理。使用了锌的镀覆处理可以为镀锌处理及镀锌合金处理中的任意者；镀锌合金处理中，特别优选锌-镍合金处理。锌-镍合金处理只要是至少包含Ni及Zn的镀覆处理即可，还可以包含Sn、Cr、Co等其他元素。锌-镍合金镀覆中的Ni/Zn附着比率以质量比计优选为1.2～10、更优选为2～7、进一步优选为2.7～4。另外，防锈处理优选还包含铬酸盐处理，该铬酸盐处理更优选在使用了锌的镀覆处理后对包含锌的镀覆的表面进行。通过这样，能够进一步提高防锈性。特别优选的防锈处理为锌-镍合金镀处理和其后的铬酸盐处理的组合。

[0060] (4)硅烷偶联剂处理

[0061] 根据期望，可以对铜箔实施硅烷偶联剂处理，形成硅烷偶联剂层。由此，能够提高耐湿性、耐化学试剂性及与粘接剂等的密合性等。硅烷偶联剂层可以通过对硅烷偶联剂进行适宜稀释并涂布、干燥来形成。作为硅烷偶联剂的例子，可列举出：4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等环氧官能性硅烷偶联剂；或γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性硅烷偶联剂；或γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性硅烷偶联剂或乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷等烯烃官能性硅烷偶联剂；或γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等丙烯酸类官能性硅烷偶联剂；或咪唑硅烷等咪唑官能性硅烷偶联剂；或三嗪硅烷等三嗪官能性硅烷偶联剂等。

[0062] 带载体铜箔

[0063] 本发明的粗糙化处理铜箔可以以带载体铜箔的形态提供。该情况下，带载体铜箔具备：载体箔；设置于该载体箔上的剥离层；以及本发明的粗糙化处理铜箔，其在该剥离层上以粗糙化处理面作为外侧的方式设置。当然，对于带载体铜箔，除了使用本发明的粗糙化处理铜箔以外，也可以采用公知的层构成。

[0064] 载体箔是用于支撑粗糙化处理铜箔从而提高其处理性的箔。作为载体箔的例子，可列举出铝箔、铜箔、对表面进行了金属涂布的树脂薄膜等，优选为铜箔。铜箔可以为轧制铜箔及电解铜箔中任意者。载体箔的厚度典型而言为200μm以下，优选为12μm～35μm。

[0065] 载体箔的剥离层侧的面优选具有0.5～1.5μm的十点表面粗糙度Rzjis，更优选为0.6～1.0μm。Rzjis可以根据JIS B 0601：2001来决定。通过对载体箔的剥离层侧的面预先赋予这样的十点表面粗糙度Rzjis，能够容易对在其上借助剥离层而制作的本发明的粗糙化处理铜箔赋予理想的表面轮廓。

[0066] 剥离层为具有减弱载体箔的剥离强度、担保该强度的稳定性、进而抑制在高温下的压制成形时能在载体箔与铜箔之间引起的相互扩散的功能的层。对于剥离层，通常在载体箔的一个面形成，也可以在两面形成。剥离层可以为有机剥离层及无机剥离层中任意者。作为有机剥离层中所使用的有机成分的例子，可列举出：含氮有机化合物、含硫有机化合物、羧酸等。作为含氮有机化合物的例子，可列举出：三唑化合物、咪唑化合物等，其中，三唑化合物在剥离性容易稳定的方面是优选的。作为三唑化合物的例子，可列举出：1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N’,N’-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。作为含硫有机化合物的例子，可列举出：巯基苯并噻唑、硫代氰尿酸、2-苯并咪唑硫醇等。作为羧酸的例子，可列举出单羧酸、二羧酸等。另一方面，作为无机剥离层中所使用的无机成分的例子，可列举出：Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn、铬酸盐处理膜等。需要说明的是，对于剥离层的形成，只要通过使载体箔的至少一个表面接触含剥离层成分的溶液，将剥离层成分固定于载体箔的表面等进行即可。载体箔向含剥离层成分的溶液的接触通过向含剥离层成分的溶液的浸渍、含剥离层成分的溶液的喷雾、含剥离层成分的溶液的流下等进行即可。另外，剥离层成分向载体箔表面的固定通过含剥离层成分的溶液的吸附、干燥、含剥离层成分的溶液中的剥离层成分的电沉积等进行即可。剥离层的厚度典型而言为1nm～1μm、优选为5nm～500nm。

[0067] 作为粗糙化处理铜箔，使用上述本发明的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理可以为实施使用了铜颗粒的粗糙化的处理，作为步骤，首先在剥离层的表面以铜箔的形式形成铜层，然后至少进行粗糙化即可。关于粗糙化的详细情况，如前所述。需要说明的是，铜箔优选应当利用作为带载体铜箔的优点，以极薄铜箔的形态构成。作为极薄铜箔的优选的厚度为0.1μm～7μm、更优选为0.5μm～5μm、进一步优选为0.5μm～3μm。

[0068] 可以在剥离层与铜箔之间设置其他功能层。作为那样的其他功能层的例子，可列举出辅助金属层。辅助金属层优选由镍和/或钴形成。辅助金属层的厚度优选设为0.001～3μm。

[0069] 覆铜层叠板

[0070] 本发明的粗糙化处理铜箔或带载体铜箔优选用于印刷电路板用覆铜层叠板的制作。即，根据本发明的优选实施方式，可提供使用上述粗糙化处理铜箔或上述带载体铜箔而得到的覆铜层叠板。通过使用本发明的粗糙化处理铜箔或带载体铜箔，从而能够提供特别适于SAP法的覆铜层叠板。该覆铜层叠板具备：本发明的带载体铜箔、和密合于该粗糙化处理面而设置的树脂层。带载体铜箔可以设置于树脂层的单面，也可以设置于两面。树脂层包含树脂、优选绝缘性树脂。树脂层优选为预浸料和/或树脂片。预浸料是使合成树脂浸渗于合成树脂板、玻璃板、玻璃织布、玻璃无纺布、纸等基材而得到的复合材料的总称。作为绝缘性树脂的优选的例子，可列举出：环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、聚苯醚树脂、酚醛树脂等。另外，作为构成树脂片的绝缘性树脂的例子，可列举出：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等绝缘树脂。另外，从提高绝缘性等观点出发，树脂层中可以含有包含二氧化硅、氧化铝等各种无机颗粒的填料颗粒等。对树脂层的厚度没有特别限定，优选为1～1000μm、更优选为2～400μm、进一步优选为3～200μm。树脂层可以由多个层构成。预浸料和/或树脂片等树脂层也可以借助预先涂布于铜箔表面的底漆树脂层而设置于带载体极薄铜箔。

[0071] 印刷电路板

[0072] 本发明的粗糙化处理铜箔或带载体铜箔优选用于印刷电路板的制作，特别优选用于利用半加成法(SAP)的印刷电路板的制作。即，根据本发明的优选实施方式，可提供使用前述粗糙化处理铜箔或上述带载体铜箔而得到的印刷电路板。通过使用本发明的粗糙化处理铜箔或带载体铜箔，从而能提供在印刷电路板的制造中能对层叠体赋予不仅优异的镀覆电路密合性、而且对化学镀铜蚀刻性也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。另外，通过使用上述粗糙化处理铜箔，从而在SAP法中的干膜显影工序中，能够实现极其微细的干膜分辨率。因此，能够提供实施了极其微细的电路形成的印刷电路板。本实施方式的印刷电路板包含依次层叠有树脂层、铜层的层构成。SAP法的情况下，由于本发明的粗糙化处理铜箔在图1的工序(c)中被去除，因此通过SAP法制作的印刷电路板已经不含本发明的粗糙化处理铜箔、而仅残留自粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面转印的表面轮廓。另外，对于树脂层，有关覆铜层叠板如上所述。在任意情况下，印刷电路板均可以采用公知的层构成。作为有关印刷电路板的具体例，可列举出：在预浸料的单面或两面粘接本发明的极薄铜箔并固化而制成层叠体的基础上，进行电路形成而得到的单面或两面印刷电路板；对它们进行多层化而成的多层印刷电路板等。另外，作为其他具体例，也可以列举出在树脂薄膜上形成本发明的极薄铜箔而形成电路的柔性印刷电路板、COF、TAB带等。进而，作为其他具体例，可列举出：对本发明的极薄铜箔涂布上述的树脂层而形成带有树脂的铜箔(RCC)，将树脂层作为绝缘粘接材料层层叠于上述的印刷基板后，将极薄铜箔作为布线层的全部或一部分通过模拟/半加成(MSAP)法、消减法等方法形成了电路的积层布线板、去除极薄铜箔并通过半加成(SAP)法形成了电路的积层布线板；在半导体集成电路上交替地重复带有树脂的铜箔的层叠和电路形成的直接积层晶圆(direct buildup on wafer)等。作为进一步发展的具体例，也可以列举出：将上述带有树脂的铜箔层叠于基材并进行电路形成而得到的的天线元件；借助粘接剂层层叠于玻璃、树脂薄膜并形成了图案的面板/显示器用电子材料、窗玻璃用电子材料；在本发明的极薄铜箔上涂布导电性粘接剂而成的电磁波屏蔽/薄膜等。本发明的带载体极薄铜箔特别适于SAP法。例如，在通过SAP法进行电路形成的情况下，可采用图1及2所示的构成。

[0073] [实施例]

[0074] 通过以下的例子更具体地对本发明进行说明。

[0075] 例1～6

[0076] 如下地进行带载体箔的粗糙化处理铜箔的制作及评价。

[0077] (1)载体箔的制作

[0078] 作为铜电解液使用以下所示的组成的硫酸铜溶液；作为阴极使用算术平均表面粗糙度Ra(根据JIS B 0601：2001)为0.20μm的钛制的旋转电极；作为阳极使用DSA(尺寸稳定性阳极)，在溶液温度45℃、电流密度55A/dm2下进行电解，得到厚度12μm的电解铜箔作为载体箔。此时，作为旋转阴极，使用以#1000的抛光对表面进行研磨而调节了表面粗糙度的电极。根据JIS B0601：2001对所得载体箔的电极侧的面的十点平均粗糙度Rzjis进行测定，结果为0.9μm。另外，所得载体箔的析出侧的面的十点平均粗糙度Rzjis为0.6μm。

[0079] <硫酸铜溶液的组成>

[0080] ‐铜浓度：80g/L

[0081] ‐硫酸浓度：260g/L

[0082] ‐双(3-磺丙基)二硫化物浓度：30mg/L

[0083] ‐二烯丙基二甲基氯化铵聚合物浓度：50mg/L

[0084] ‐氯浓度：40mg/L

[0085] (2)剥离层的形成

[0086] 将经酸洗处理的载体用铜箔的电极面侧在CBTA(羧基苯并三唑)浓度1g/L、硫酸浓度150g/L及铜浓度10g/L的CBTA水溶液中、在液温30℃下浸渍30秒钟，使CBTA成分吸附于载体箔的电极面。这样，在载体用铜箔的电极面的表面形成CBTA层作为有机剥离层。

[0087] (3)辅助金属层的形成

[0088] 将形成有有机剥离层的载体用铜箔浸渍于使用硫酸镍而制作的镍浓度20g/L的溶液中，在液温45℃、pH3、电流密度5A/dm2的条件下，使厚度0.001μm相当的附着量的镍附着于有机剥离层上。这样在有机剥离层上形成镍层作为辅助金属层。

[0089] (4)极薄铜箔形成

[0090] 将形成有辅助金属层的载体用铜箔浸渍于以下所示的组成的硫酸铜溶液，在溶液温度50℃、电流密度5～30A/dm2下进行电解，在辅助金属层上形成了厚度3μm的极薄铜箔。

[0091] <溶液的组成>

[0092] ‐铜浓度：60g/L

[0093] ‐硫酸浓度：200g/L

[0094] 在例1中，采用如下条件：作为测定装置使用zygo  New  View5032(ZygoCorporation制)；作为分析软件使用Metro Pro Ver.8.0.2；将低频滤波器设为11μm，对极薄铜箔的析出面(与辅助金属层及剥离层处于相反侧的面)进行波纹的最大高低差(Wmax)及表面峰间的平均距离(Peak spacing)的测定。此时，使极薄铜箔与试样台密合并固定，在试样片的1cm见方的范围内之中，在108μm×144μm的视野中选择6点进行测定，采用由6处测定点得到的测定值的平均值作为代表值。其结果，极薄铜箔的析出面(处于与剥离层相反的面)的Wmax为1.38μm、Peak spacing为21.37μm。

[0095] (5)粗糙化处理

[0096] 对上述的极薄铜箔的析出面进行粗糙化处理。该粗糙化处理通过以下的2阶段镀覆来进行。在第1阶段的镀覆工序中，使用包含铜浓度10.0～11.5g/L及硫酸浓度230～2
250g/L的硫酸铜溶液，在液温20～40℃、电流密度10～25A/dm的镀覆条件下进行电沉积。
在第2阶段的镀覆工序中，使用包含铜浓度65～75g/L及硫酸浓度230～250g/L的硫酸铜溶液，在液温50～55℃及电流密度5～15A/dm2的镀覆条件下进行电沉积。对于各阶段的电量，以第1阶段的镀覆工序中的电量Q1相对于第2阶段的镀覆工序中的电量Q2的比(Q1/Q2)成为
2.1(例1)、1.8(例2)、2.4(例3)、1.9(例4)、1.7(例5)、1.6(例6)或1.2(例7)的方式来设定。
通过在上述条件的范围内适宜变动，制作例1～6的6种粗糙化处理铜箔。

[0097] (6)防锈处理

[0098] 对粗糙化处理后的带载体箔的极薄铜箔的两面进行包含无机防锈处理及铬酸盐处理的防锈处理。首先，作为无机防锈处理，使用焦磷酸浴，在焦磷酸钾浓度80g/L、锌浓度0.2g/L、镍浓度2g/L、液温40℃、电流密度0.5A/dm2下进行锌-镍合金防锈处理。接着，作为铬酸盐处理，在锌-镍合金防锈处理的基础上，进而形成铬酸盐层。该铬酸盐处理在铬酸浓度为1g/L、pH11、溶液温度25℃、电流密度1A/dm2下进行。

[0099] (7)硅烷偶联剂处理

[0100] 对实施了上述防锈处理的铜箔进行水洗，然后立即进行硅烷偶联剂处理，使硅烷偶联剂吸附在粗糙化处理面的防锈处理层上。该硅烷偶联剂处理如下进行：通过使用纯水作为溶剂、3-氨基丙基三甲氧基硅烷浓度为3g/L的溶液，以喷淋的方式该溶液吹送到粗糙化处理面来进行吸附处理。硅烷偶联剂的吸附后，最终利用电热器使水分蒸发，从而得到具备厚度3μm的粗糙化处理铜箔的带载体铜箔。

[0101] (8)粗糙化处理铜箔的评价

[0102] 对所得粗糙化处理铜箔，对包含大致球状突起的表面轮廓的各特性如下地进行。

[0103] <颈部直径a和根部间隔距离d的测定>

[0104] 用树脂制作粗糙化处理铜箔的具备大致球状突起的表面轮廓的重复形状，对所得树脂制重复的表面轮廓进行SEM观察并进行图像分析，由此测定大致球状突起的颈部直径a和平均根部间隔距离d。具体的步骤如下。首先，对带载体铜箔和预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制、GHPL-830NSF、厚度0.1mm)进行热压接来制作覆铜层叠板。然后，剥离该带载体铜箔的载体后，将粗糙化处理铜箔蚀刻去除。对这样转印有残留的固化后的预浸料(即树脂制重复)的表面轮廓的表面进行SEM观察(5000倍)，并通过图像分析装置(NIRECO CORPORATION制、LUZEXAP)进行图像分析。对435μm2的区域测定颈部直径a和根部间隔距离d，求出它们的平均值(即平均颈部直径aave和平均根部间隔距离dave)。

[0105] 具体的图像分析的步骤如下。首先，利用图像处理软件对通过SEM拍摄到的图像进行二值化处理(阈值0～110)。在这样得到的二值化图像中，为了将结合的颗粒彼此分离，利用逻辑滤波器(Logic filter)进行圆形切取处理。接着，通过平滑化处理去除了轮廓的噪声后，通过逻辑滤波器将作为噪声的微小的颗粒去除。然后，对检测到的各个颗粒算出颈部直径a和根部间隔距离d。各处理中采用的条件如下以下。

[0106] ‐二值化处理：阈值0～110(图像处理软件中可设定的二值化的阈值为0～255。0对应于完全的黑，255对应于完全的白。)

[0107] ‐逻辑滤波器圆形提取：6(程度)

[0108] ‐逻辑滤波器指定尺寸颗粒的消除(cut)：消除0.03μm2以下的颗粒

[0109] <最大直径b的测定>

[0110] 对粗糙化处理铜箔的具备大致球状突起的表面轮廓进行SEM观察(5000倍)，并通过图像分析装置(NIRECO CORPORATION制、LUZEX_AP)进行图像分析。对435μm2的区域测定大致球状突起的最大直径b，求出它们的平均值(即平均最大直径bave)。

[0111] 具体的图像分析的步骤如下。首先，利用图像处理软件对通过SEM拍摄到的图像进行空间滤波处理。该空间滤波处理通过在利用平均化而减少原图像的噪声后，利用拉普拉斯滤波法(Laplacian Filter)强调轮廓线来进行。接着，对图像进行二值化处理(阈值64～165)。将这样得到的二值化图像的轮廓线扩大，从而使大致球状突起作为一个一个颗粒能被识别。然后，利用用于将颗粒彼此分离的逻辑滤波器实施圆形提取处理。接着，通过平滑化处理去除了轮廓的噪声后，通过逻辑滤波器将作为噪声的微小颗粒去除。然后，对检测到的各个颗粒算出平均最大直径b。各处理中采用的条件如下。

[0112] ‐二值化处理：阈值64～145(图像处理软件中可设定的二值化的阈值为0～255。0对应于完全的黑，255对应于完全的白。)

[0113] ‐逻辑滤波器指定尺寸颗粒去除：0.05μm2

[0114] ‐逻辑滤波器圆形提取：10(程度)

[0115] ‐逻辑滤波器指定尺寸颗粒去除：0.05μm2

[0116] <高度c的测定>

[0117] 由粗糙化处理铜箔的表面利用FIB(聚焦离子束，Focused Ion Beam)加工制作截面，对该截面进行SEM观察(5000倍)，对在箔面方向(相对于厚度方向垂直的方向)的基准长度处于25μm的范围的各个大致球状突起的高度进行测定。

[0118] <大致球状颗粒的倾斜角的测定>

[0119] 在例1中，将粗糙化处理铜箔在粗糙化处理面侧与预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制、GHPL-830NSF、厚度0.1mm)压接并使之粘贴合。由粗糙化处理铜箔的表面通过CP(截面抛光)加工制作截面，对该截面进行SEM观察，对在箔面方向(相对于厚度方向垂直的方向)的基准长度处于10μm的范围的各个大致球状突起的倾斜角进行测定。具体而言，首先，如图4A所示，以铜箔整体进入视野的低倍率(例如5000倍)的方式进行SEM观察而得到的截面SEM图像中，与铜箔的粗糙化处理面相反侧的面平行地引基准线LB。由于与粗糙化处理面相反侧的面为未进行粗糙化处理的较平坦的面，因此可以在上述低倍率下以直线的形式引基准线LB。接着，如图4B所示，将SEM的倍率放大至10000倍，在放大的截面SEM图像的基准线LB的基准长度为10μm的范围中，引连结大致球状突起的根部分界线的中点C和大致球状突起的顶点V的线LVC，算出线LVC与基准线LB所成的锐角为85°以下的大致球状突起在大致球状突起的总数中所占的比率A。同样地操作，对粗糙化处理面的其他2个视野中也算出上述比率A，采用合计算3个视野中算出的比率A的平均值。

[0120] (9)覆铜层叠板的制作

[0121] 使用带载体极薄铜箔制作覆铜层叠板。首先，在内层基板的表面借助预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制、GHPL-830NSF、厚度0.1mm)层叠带载体极薄铜箔的极薄铜箔，在压力4.0MPa、温度220℃下进行90分钟热压接后，剥离载体箔，制作覆铜层叠板。

[0122] (10)SAP评价用层叠体的制作

[0123] 接着，用硫酸/过氧化氢系蚀刻液将覆铜层叠板表面的铜箔全部去除后，进行脱脂、Pd系催化剂赋予、及活化处理。对经这样活化的表面进行化学镀铜(厚度：1μm)，得到在SAP法中即将粘贴干膜前的层叠体(以下，称为SAP评价用层叠体)。这些工序根据SAP法的公知的条件进行。

[0124] (11)SAP评价用层叠体的评价

[0125] 对上述所得SAP评价用层叠体，如下地进行各种特性的评价。

[0126] <镀覆电路密合性(剥离强度)>

[0127] 使干膜粘贴于SAP评价用层叠体，进行曝光及显影。通过图案镀覆使以显影的干膜掩蔽的层叠体析出厚度19μm的铜层后，剥离干膜。用硫酸·过氧化氢系蚀刻液将表露出的化学镀铜去除，制成高度20μm、宽度10mm的剥离强度测定用样品。根据JIS C 6481(1996)，测定从评价用样品剥离铜箔时的剥离强度。

[0128] <蚀刻性>

[0129] 用硫酸/过氧化氢系蚀刻液对SAP评价用层叠体进行每次0.1μm的蚀刻，测量表面的铜完全消失为止的量(深度)。对于测量方法，用光学显微镜(500倍)来确认。更详细而言，重复每进行0.1μm蚀刻时通过光学显微镜确认铜的有无的操作，使用由(蚀刻的次数)×0.1μm得到的值(μm)作为蚀刻性的指标。例如，蚀刻性为1.2μm是指，进行12次0.1μm的蚀刻时，用光学显微镜检测不到残留铜(即0.1μm×12次＝1.2μm)。即，该值越小，越能够以少的次数的蚀刻将表面的铜去除。即是指：该值越小、蚀刻性越良好的含义。

[0130] <干膜分辨率(最小L/S)>

[0131] 在SAP评价用层叠体的表面上粘贴厚度25μm的干膜，使用形成了线/间隔(L/S)为2μm/2μm到15μm/15μm的图案的掩模，进行曝光及显影。此时的曝光量设为125mJ。用光学显微镜(500倍)观察显影后的样品的表面，采用可没有问题地进行显影的L/S中的最小的(即最微细的)L/S作为干膜分辨率的指标。例如，作为干膜分辨率评价的指标的最小L/S＝10μm/10μm是指，从L/S＝15μm/15μm到10μm/10μm为止，能够没有问题地分辨。例如，能够没有问题地分辨的情况下，如图5所示，在干膜图案间观察到鲜明的对比度，而不能良好地进行分辨的情况下，如图6所示，在干膜图案间观察到黑的部分、未观察到鲜明的对比度。

[0132] 例7(比较)

[0133] 以粗糙化处理中的、第1阶段的镀覆工序中的电量Q1相对于第2阶段的镀覆工序中的电量Q2的比(Q1/Q2)不足1.5的方式进行设定，除此以外，与关于例1～6叙述的步骤同样地操作，进行带载体粗糙化处理铜箔的制作及评价。

[0134] 例8(比较)

[0135] 按照专利文献1(日本特开2013-199082号公报)的实施例2中的记载，通过以下步骤进行粗糙化处理，除此以外，与关于例1～6叙述的步骤同样地操作，进行带载体粗糙化处理铜箔的制作及评价。

[0136] (粗糙化处理)

[0137] 使用以下的液组成的镀覆液实施粗糙化镀覆，由此进行粗糙化处理。此时粗糙化颗粒形成时的对极限电流密度比设为3.10，电镀温度设为50℃。

[0138] <粗糙化处理用镀覆液的组成>

[0139] -Cu：15g/L

[0140] -H2SO4：100g/L

[0141] -W：3mg/L

[0142] -十二烷基硫酸钠添加量：10ppm

[0143] 例9

[0144] 作为旋转阴极，使用以#2000的抛光对表面进行研磨而调节了表面粗糙度的电极，除此以外，与例1同样地操作，进行带载体粗糙化处理铜箔的制作及评价。需要说明的是，粗糙化处理前的极薄铜箔的析出面的Wmax为1.00μm、Peak spacing为20.28μm。

[0145] 例10

[0146] 在载体用铜箔的析出面侧进行有机剥离层的形成，除此以外，与例1同样地操作，进行带载体粗糙化处理铜箔的制作及评价。粗糙化处理前的极薄铜箔的析出面的Wmax为0.71μm、Peak spacing为52.13μm。

[0147] 结果

[0148] 例1～10中的得到的评价结果如表1及2所示。

[0149] [表1]

[0150]

[0151] [表2]

[0152]

[0153] 表1如所示，在例1～6中均是，镀覆电路密合性、蚀刻性及干膜分辨率均良好。另一方面，如表2所示，由于aave/bave比低，因此为本发明的范围外的例7(比较)中，镀覆电路密合性差、干膜分辨率也差。另外，由于平均高度cave高，因此为本发明的范围外的例8(比较)中，蚀刻性差。另外，对于高倾斜大致球状突起的比率在30～60％的范围内的例9，与上述范围外的例1及10相比，干膜分辨率与镀覆电路密合性的兼具更优异。