量子点AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法

摘要

一种量子点AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法，涉及白光LED显示与照明领域。量子点AAO曲面薄膜包括呈曲面或平面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内嵌有量子点纳米晶，该量子点AAO曲面薄膜能够将量子点封装其中，同时可提高量子点的散热效率；量子点AAO曲面薄膜的制备方法的工艺简单，可制得将量子点封装其中的曲面薄膜。量子点薄膜透镜包括呈帽形的透镜，以及上述的量子点AAO曲面薄膜，量子点AAO曲面薄膜贴合于透镜的内表面，该量子点薄膜透镜用于封装形成量子点转换白光LED。

权利要求

1.一种量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其特征在于，量子点AAO曲面薄膜包括呈曲面或平面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜，所述多孔阵列阳极氧化铝薄膜的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径，所述多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内嵌有量子点纳米晶，量子点AAO曲面薄膜的制备方法包括以下步骤：在外表面呈曲面的Al基板上生长形成多孔阵列阳极氧化铝薄膜，所述Al基板外表面的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径；

在所述多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内均匀嵌入量子点纳米晶，

其中，所述多孔阵列阳极氧化铝薄膜的生长方法为：

取纯度≥99.999％的Al基板，去油、去氧化层、抛光，得到预处理后的Al基板；

将预处理后的Al基板进行两次阳极氧化，得到生长有氧化铝薄膜的Al基板；

将生长有氧化铝薄膜的Al基板进行处理，去除Al基板。

2.根据权利要求1所述的量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其特征在于，预处理的方式是：将Al基板，首先用质量分数为92％～97％的丙酮溶液超声15～25分钟，其次用蒸馏水冲洗；再置于浓度为0.8～1.2mol/L的NaOH溶液中8～13分钟，用蒸馏水洗净；之后于450～520℃退火3～4小时，冷却；接着在0℃下，置于体积比[V(C2H5OH)：V(HClO4)＝3～4：1]的混合溶液中恒压电化学抛光，电压8～12V，抛光4～6分钟。

3.根据权利要求1所述的量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其特征在于，两次阳极氧化的方法是：采用0℃，浓度为0.2～0.4mol/L的H2C2O溶液做电解液，铅板做阴极，电压35～

45V，进行第一次氧化3.5～4.5小时；在56～62℃下，先用H3PO4和H2CrO4的混合液泡1.5～

2.5小时，再在相同条件下进行第二次氧化2.5～3.5小时。

4.根据权利要求1所述的量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其特征在于，去除Al基板的方法是：在0℃下，将硫酸铜和盐酸组成的腐蚀液倒入玻璃容器，将塑料滤网固定在所述玻璃容器内，将生长有氧化铝薄膜的Al基板置于所述塑料滤网上，所述Al基板位于腐蚀液中，直至Al基板消失，得到多孔氧化铝板；

在30℃或室温下，使用磷酸溶液去除所述多孔氧化铝板上的阻碍层。

5.一种量子点薄膜透镜，其特征在于，其包括呈帽形的透镜，以及如权利要求1所述的量子点AAO曲面薄膜，所述量子点AAO曲面薄膜贴合于所述透镜的内表面。

6.一种如权利要求5所述的量子点薄膜透镜的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：在所述透镜的内表面旋涂一薄层硅胶；再将所述量子点AAO曲面薄膜贴合于所述透镜的内表面，固化。

7.一种量子点转换白光LED，其特征在于，其包括引线框架、位于所述引线框架内的LED蓝光芯片，以及如权利要求5所述的量子点薄膜透镜，所述量子点薄膜透镜封盖于所述引线框架的开口，且所述量子点AAO曲面薄膜朝向所述引线框架的开口内，所述引线框架与所述量子点薄膜透镜之间灌封有硅胶。

8.一种如权利要求7所述的量子点转换白光LED的封装方法，其特征在于，其包括以下步骤：将所述量子点薄膜透镜盖于所述引线框架的开口上，所述量子点AAO曲面薄膜朝向所述引线框架的开口内，使所述量子点薄膜透镜和所述引线框架之间形成封闭的空间，在所述空间内灌封硅胶，固化。

说明书

量子点AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转

换白光LED、封装方法

技术领域

[0001] 本发明涉及白光LED显示与照明领域，且特别涉及一种量子点 AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法。

背景技术

[0002] 近年来，量子点材料逐渐受到重视，特别是量子点具有光谱随尺寸可调、发光半峰宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能，受到LED与LCD背光行业的广泛关注。目前商业化的显示照明用白光LED采用蓝光芯片激发黄色荧光粉进行混光得到，虽然通过高显色荧光粉掺杂能够得到较高显色指数Ra，但受到材料本身能级结构限制，发射谱太宽，单色性较差，尤其特殊显色指数 R9值难以大幅度提升，色域覆盖面积不宽。为此，引入量子点调节 LED的显色性能，是该类器件的未来发展方向。

[0003] 量子点材料的可靠封装成为封装量子点转换白光LED过程中需要考虑的重要问题。基于on-chip方式的量子点转换白光LED不但封装简单，而且能够直接利用现有的大功率LED封装工艺，快速实现商业化，是目前该领域研究的主流。然而由于量子点材料的温度稳定性差，而且量子点材料进行光转换过程中光致发热较严重，量子点的自吸收使得其本身温度呈现不断升高的趋势，过高的温度一方面导致量子点发生热猝灭，另一方面使得光转换效率下降，形成恶性循环，严重影响器件的光学性能。

[0004] 因此，需要一种能提高量子点材料的光-热稳定性，增强器件可靠性的封装方式。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种量子点AAO曲面薄膜，其能够将量子点封装其中，同时可提高量子点的散热效率。

[0006] 本发明的另一目的在于提供一种量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其工艺简单，可制得将量子点封装其中的曲面薄膜。

[0007] 本发明的另一目的在于提供一种量子点薄膜透镜，其用于封装形成量子点转换白光LED。

[0008] 本发明的另一目的在于提供一种量子点薄膜透镜的制备方法，其工艺简单。

[0009] 本发明的另一目的在于提供一种量子点转换白光LED，其可靠性强。

[0010] 本发明的另一目的在于提供一种量子点转换白光LED的封装方法，该方法简单，可靠性强。

[0011] 本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

[0012] 本发明提出一种量子点AAO曲面薄膜，其包括呈曲面或平面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内嵌有量子点纳米晶。

[0013] 一种量子点AAO曲面薄膜的制备方法，其包括以下步骤：

[0014] 在外表面呈曲面的Al基板上生长形成多孔阵列阳极氧化铝薄膜，Al基板外表面的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径；

[0015] 在多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内均匀嵌入量子点纳米晶。

[0016] 进一步地，在本发明较佳实施例中，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的生长方法为：

[0017] 取纯度≥99.999％的Al基板，去油、去氧化层、抛光，得到预处理后的Al基板；

[0018] 将预处理后的Al基板进行两次阳极氧化，得到生长有氧化铝薄膜的Al基板；

[0019] 将生长有氧化铝薄膜的Al基板进行处理，去除Al基板。

[0020] 进一步地，在本发明较佳实施例中，预处理的方式是：将Al基板，首先用质量分数为92％～97％的丙酮溶液超声15～25分钟，其次用蒸馏水冲洗；再置于浓度为0.8～1.2mol/L的NaOH溶液中8～13分钟，用蒸馏水洗净；之后于450～520℃退火3～4小时，冷却；
接着在 0℃下，置于体积比[V(C2H5OH)：V(HClO4)＝3～4：1]的混合溶液中恒压电化学抛光，电压8～12V，抛光4～6分钟。

[0021] 进一步地，在本发明较佳实施例中，两次阳极氧化的方法是：采用0℃，浓度为0.2～0.4mol/L的H2C2O溶液做电解液，铅板做阴极，电压35～45V，进行第一次氧化3.5～4.5小时；在56～62℃下，先用 H3PO4和H2CrO4的混合液泡1.5～2.5小时，再在相同条件下进行第二次氧化2.5～3.5小时。

[0022] 进一步地，在本发明较佳实施例中，去除Al基板的方法是：

[0023] 在0℃下，将硫酸铜和盐酸组成的腐蚀液倒入玻璃容器，将塑料滤网固定在玻璃容器内，将生长有氧化铝薄膜的Al基板置于塑料滤网上，Al基板位于腐蚀液中，直至Al基板消失，得到多孔氧化铝板；

[0024] 在30℃或室温下，使用磷酸溶液去除多孔氧化铝板上的阻碍层。

[0025] 一种量子点薄膜透镜，其包括呈帽形的透镜，以及上述的量子点AAO曲面薄膜，量子点AAO曲面薄膜贴合于透镜的内表面。

[0026] 一种量子点薄膜透镜的制备方法，其包括以下步骤：

[0027] 在透镜的内表面旋涂一薄层硅胶；再将量子点AAO曲面薄膜贴合于透镜的内表面，固化。

[0028] 一种量子点转换白光LED，其包括引线框架、位于引线框架内的LED蓝光芯片，以及上述的量子点薄膜透镜，量子点薄膜透镜封盖于引线框架的开口，且量子点AAO曲面薄膜朝向引线框架的开口内，引线框架与量子点薄膜透镜之间灌封有硅胶。

[0029] 一种量子点转换白光LED的封装方法，其包括以下步骤：

[0030] 将量子点薄膜透镜盖于引线框架的开口上，量子点AAO曲面薄膜朝向引线框架的开口内，使量子点薄膜透镜和引线框架之间形成封闭的空间，在空间内灌封硅胶，固化。

[0031] 本发明实施例的量子点AAO曲面薄膜、量子点薄膜透镜、制备方法及量子点转换白光LED、封装方法的有益效果是：本发明实施例的量子点AAO曲面薄膜包括呈曲面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的曲率半径等于透镜内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜的孔道内嵌有量子点纳米晶，该量子点AAO 曲面薄膜能够将量子点封装其中，同时可提高量子点的散热效率；量子点AAO曲面薄膜的制备方法的工艺简单，可制得将量子点封装其中的曲面薄膜。本发明实施例的量子点薄膜透镜包括呈帽形的透镜，以及上述的量子点AAO曲面薄膜，量子点AAO曲面薄膜贴合于透镜的内表面，该量子点薄膜透镜用于封装形成量子点转换白光LED；量子点薄膜透镜的制备方法的工艺简单。本发明实施例的量子点转换白光LED包括引线框架、位于引线框架内的LED蓝光芯片，以及上述的量子点薄膜透镜，量子点薄膜透镜封盖于引线框架的开口，且量子点AAO曲面薄膜朝向引线框架的开口内，引线框架与量子点薄膜透镜之间灌封有硅胶，该量子点转换白光LED的可靠性强；量子点转换白光LED的封装方法简单，可靠性强。

附图说明

[0032] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

[0033] 图1～图3为本发明实施例提供的量子点AAO曲面薄膜在制备过程中的结构示意图；

[0034] 图4为本发明实施例提供的量子点AAO曲面薄膜的结构示意图；

[0035] 图5～图6为本发明实施例提供的量子点薄膜透镜在制备过程中的结构示意图；

[0036] 图7为本发明实施例提供的量子点薄膜透镜的结构示意图；

[0037] 图8～图9为本发明实施例提供的量子点转换白光LED在封装过程中的结构示意图；

[0038] 图10为本发明实施例提供的量子点转换白光LED的结构示意图。

[0039] 图标：100-量子点AAO曲面薄膜；110-多孔阵列阳极氧化铝薄膜；120-量子点纳米晶；130-Al基板；200-量子点薄膜透镜；210-透镜；220-硅胶层；300-量子点转换白光LED；310-引线框架；320-LED 蓝光芯片；330-荧光粉胶层；340-硅胶。

具体实施方式

[0040] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

[0041] 因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0042] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

[0043] 在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0044] 在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0045] 第一实施例

[0046] 参见图4所示，本实施例提供一种量子点AAO曲面薄膜100，其包括呈曲面或平面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜110，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110呈平面为曲面曲率半径无穷大的特例，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的曲率半径等于透镜210内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的孔道内嵌有量子点纳米晶120(量子点材料)。本实施例中的多孔阵列阳极氧化铝薄膜110是呈曲面。

[0047] 参见图1至图4所示，本实施例还提供上述量子点AAO曲面薄膜100的制备方法，其包括以下步骤：

[0048] S101、如图1和图2所示，在外表面呈曲面的Al基板130上生长形成多孔阵列阳极氧化铝(AAO)薄膜，Al基板130外表面的曲率半径等于透镜210内表面的曲率半径。

[0049] S102、如图3和图4所示，利用旋涂工艺，在多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的孔道内均匀嵌入量子点纳米晶120，形成量子点AAO 曲面薄膜100。

[0050] 其中，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的生长方法为：

[0051] A.预处理：取纯度≥99.999％的Al基板130，去油、去氧化层、抛光，得到预处理后的Al基板130。Al基板130的纯度对制得的量子点AAO曲面薄膜100的透明度、膜孔(即孔道)大小的一致性影响很大：Al基板130的纯度越高，膜的透明度和膜孔大小的一致性就越好。

[0052] 预处理的具体方式是：将Al基板130，首先用质量分数为 92％～97％的丙酮溶液超声除油15～25分钟，其次用蒸馏水冲洗；再置于浓度为0.8～1.2mol/L的NaOH溶液中8～13分钟，除去氧化层，用蒸馏水洗净；之后于450～520℃退火3～4小时，冷却；接着在0℃下，置于体积比[V(C2H5OH)：V(HClO4)＝3～4：1]的混合溶液中恒压电化学抛光，电压8～12V，抛光4～6分钟，为的是提高表面平整度。

[0053] 本实施例是将纯度99.999％的Al基板130，首先用质量分数为 95％的丙酮溶液超声20分钟，其次用蒸馏水冲洗；再置于浓度为 1mol/L的NaOH溶液中10分钟，用蒸馏水洗净；之后于500℃退火 4小时，冷却；接着在0℃下，置于体积比[V(C2H5OH)：V(HClO4) ＝4：1]的混合溶液中恒压电化学抛光，电压10V，抛光5分钟。

[0054] B.阳极氧化：将预处理后的Al基板130进行两次阳极氧化，得到生长有氧化铝薄膜的Al基板130。量子点AAO曲面薄膜100孔道内电解液的流动有利于维持温度的恒定，提高模板的有序度；不同电解液极大影响量子点AAO曲面薄膜100的孔径；电压轻微影响量子点AAO曲面薄膜100的孔径，较大影响孔密度。

[0055] 两次阳极氧化的具体方法是：采用0℃，浓度为0.2～0.4mol/L的草酸(H2C2O)溶液做电解液，铅板做阴极，电压35～45V，进行第一次氧化3.5～4.5小时；在56～62℃下，先用H3PO4(质量分数5％～7％) 和H2CrO4(质量分数1.5％～2％)的混合液泡1.5～2.5小时，去除第一次氧化形成的氧化膜，再在相同条件下进行第二次氧化2.5～3.5小时。

[0056] 本实施例是采用0℃，浓度为0.3mol/L的草酸(H2C2O)溶液做电解液，铅板做阴极，电压40V，进行第一次氧化4小时；在60℃下，先用H3PO4(质量分数6％)和H2CrO4(质量分数1.8％)的混合液泡2小时，再在相同条件下进行第二次氧化3小时。

[0057] C.去除Al基板130：将生长有氧化铝薄膜的Al基板130进行处理，去除Al基板130。

[0058] 去除Al基板130的具体方法是：

[0059] 在0℃下，将硫酸铜和盐酸组成的腐蚀液(由质量百分比为75％饱和硫酸铜和质量百分比为25％的盐酸组成的混合液)倒入玻璃容器，将塑料滤网(孔径2um，孔周期3um，厚度1um)固定在玻璃容器内，将生长有氧化铝薄膜的Al基板置于塑料滤网上进行脱膜，Al基板位于腐蚀液中，肉眼观察底部无铝，样品变透明，表示Al基板消失，得到多孔氧化铝板；

[0060] 在30℃或室温下，使用质量分数为5％的磷酸溶液去除多孔氧化铝板上的阻碍层，具体是将带有阻碍层的多孔氧化铝板转移到磷酸溶液的表面，阻碍层朝下，多孔氧化铝板的孔朝上，放置45分钟后即可得到具有通孔的多孔阵列阳极氧化铝薄膜。

[0061] 第二实施例

[0062] 参见图7所示，本实施例提供一种量子点薄膜透镜200，其包括呈帽形的透镜210和量子点AAO曲面薄膜100。量子点AAO曲面薄膜100包括呈曲面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜110，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的曲率半径等于透镜210内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的孔道内嵌有量子点纳米晶120；量子点AAO 曲面薄膜100通过硅胶层220贴合于透镜210的内表面。

[0063] 参见图1至图7所示，本实施例还提供上述的量子点薄膜透镜 200的制备方法，其包括以下步骤：

[0064] S201、参见图1和图2所示，在外表面呈曲面的Al基板130上生长形成多孔阵列阳极氧化铝薄膜110，Al基板130外表面的曲率半径等于透镜210内表面的曲率半径。

[0065] S202、参见图3和图4所示，利用旋涂工艺，在多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的孔道内均匀嵌入量子点纳米晶120，形成量子点AAO 曲面薄膜100。

[0066] S203、参见图5至图7所示，在透镜210的内表面旋涂一薄层硅胶，形成硅胶层220；再将量子点AAO曲面薄膜100贴合于透镜210 的内表面，固化，形成量子点薄膜透镜200。

[0067] 其中，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的生长方法为：

[0068] A.预处理：取纯度99.999％的Al基板130，首先用质量分数为 92％的丙酮溶液超声除油25分钟，其次用蒸馏水冲洗；再置于浓度为0.8mol/L的NaOH溶液中13分钟，除去氧化层，用蒸馏水洗净；之后于450℃退火4小时，冷却；接着在0℃下，置于体积比[V (C2H5OH)：V(HClO4)＝3：1]的混合溶液中恒压电化学抛光，电压12V，抛光6分钟，为的是提高表面平整度。

[0069] B.阳极氧化：将预处理后的Al基板130，采用0℃，浓度为 0.2mol/L的草酸(H2C2O)溶液做电解液，铅板做阴极，电压45V，进行第一次氧化4.5小时；在56℃下，先用H3PO4(质量分数5％) 和H2CrO4(质量分数1.5％)的混合液泡2.5小时，去除第一次氧化形成的氧化膜，再在相同条件下进行第二次氧化2.5小时。

[0070] C.去除Al基板130：将生长有氧化铝薄膜的Al基板130进行处理，去除Al基板130。

[0071] 第三实施例

[0072] 参见图10所示，本实施例提供一种量子点转换白光LED300，其包括引线框架310、位于引线框架310内的LED蓝光芯片320，位于引线框架310内、且覆盖于LED蓝光芯片320上的荧光粉胶层330，以及量子点薄膜透镜200。量子点薄膜透镜200包括呈帽形的透镜210 和量子点AAO曲面薄膜100。量子点AAO曲面薄膜100包括呈曲面的多孔阵列阳极氧化铝薄膜110，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的曲率半径等于透镜210内表面的曲率半径，多孔阵列阳极氧化铝薄膜 110的孔道内嵌有量子点纳米晶120；量子点AAO曲面薄膜100通过硅胶层220贴合于透镜210的内表面。量子点薄膜透镜200封盖于引线框架310的开口，且量子点AAO曲面薄膜100朝向引线框架310 的开口内，引线框架310与量子点薄膜透镜200之间灌封有硅胶340。

[0073] 本发明实施例利用曲率半径契合透镜210内表面的多孔阵列阳极氧化铝(AAO)薄膜，在孔道内均匀嵌入量子点纳米晶120后形成的量子点AAO曲面薄膜100，可将量子点材料固化在多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的纳米阵列管中。最后形成的量子点转换白光 LED300，由于量子点材料被固化在纳米阵列管中，形成链式结构，有效遏制热团簇现象，并且量子点转换白光LED300工作时，氧气和湿气大部分作用于链式结构两端的量子点颗粒，中间的量子点颗粒被有效的保护，从而保持量子点的光转换效率，提高了量子点转换白光 LED300的热稳定性，增强器件可靠性。

[0074] 参见图1至图10所示，本实施例还提供上述的量子点转换白光 LED300的封装方法，其包括以下步骤：

[0075] S301、在外表面呈曲面的Al基板130上生长形成多孔阵列阳极氧化铝薄膜110，Al基板130外表面的曲率半径等于透镜210内表面的曲率半径。

[0076] S302、利用旋涂工艺，在多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的孔道内均匀嵌入量子点纳米晶120，形成量子点AAO曲面薄膜100。

[0077] S303、在透镜210的内表面旋涂一薄层硅胶，形成硅胶层220；再将量子点AAO曲面薄膜100贴合于透镜210的内表面，固化，形成量子点薄膜透镜200。

[0078] S304、将量子点薄膜透镜200盖于引线框架310的开口上，量子点AAO曲面薄膜100朝向引线框架310的开口内，使量子点薄膜透镜200和引线框架310之间形成封闭的空间，在空间内灌封硅胶340，固化，形成量子点转换白光LED300。

[0079] 其中，多孔阵列阳极氧化铝薄膜110的生长方法为：

[0080] A.预处理：取纯度99.999％的Al基板130，首先用质量分数为 97％的丙酮溶液超声除油15分钟，其次用蒸馏水冲洗；再置于浓度为1.2mol/L的NaOH溶液中8分钟，除去氧化层，用蒸馏水洗净；之后于520℃退火3小时，冷却；接着在0℃下，置于体积比[V (C2H5OH)：V(HClO4)＝4：1]的混合溶液中恒压电化学抛光，电压8V，抛光4分钟，为的是提高表面平整度。

[0081] B.阳极氧化：将预处理后的Al基板130，采用0℃，浓度为 0.4mol/L的草酸(H2C2O)溶液做电解液，铅板做阴极，电压35V，进行第一次氧化3.5小时；在62℃下，先用H3PO4(质量分数7％) 和H2CrO4(质量分数2％)的混合液泡1.5小时，去除第一次氧化形成的氧化膜，再在相同条件下进行第二次氧化3.5小时。

[0082] C.去除Al基板130：将生长有氧化铝薄膜的Al基板130进行处理，去除Al基板130。

[0083] 综上所述，本发明实施例的量子点AAO曲面薄膜能够将量子点封装其中，同时可提高量子点的散热效率；量子点AAO曲面薄膜的制备方法的工艺简单，可制得将量子点封装其中的曲面薄膜；量子点薄膜透镜用于封装形成量子点转换白光LED；量子点薄膜透镜的制备方法的工艺简单；量子点转换白光LED的可靠性强；量子点转换白光LED的封装方法简单，可靠性强。

[0084] 以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。