一种新型ESD保护结构及其实现方法

摘要

本发明公开了一种新型ESD保护结构及其实现方法，该新型ESD保护结构包括：半导体基体；生成于所述半导体基体中的第一N阱和第二N阱；设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，通过本发明，可增加ESD保护结构回滞效应的维持电压。

权利要求

1.一种新型ESD保护结构，其特征在于，该ESD保护结构包括：

半导体基体(80)；

生成于所述半导体基体中的第一N阱(60)和第二N阱(70)；

设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)相隔离设置于所述第一N阱上部，P型ESD植入层(40)设置于所述第二高浓度N型掺杂(22)下方，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一N阱、ESD植入层(40)、第二高浓度N型掺杂(22)构成所述硅控整流器，所述第一高浓度N型掺杂(20)与第一高浓度P型掺杂(28)相连组成该新型ESD保护结构的阳极A。

2.如权利要求1所述的一种新型ESD保护结构，其特征在于：第二高浓度P型掺杂(24)、第三高浓度N型掺杂(26)隔离设置于第二N阱上部，构成所述二极管结构。

3.如权利要求2所述的一种新型ESD保护结构，其特征在于：利用金属连接所述第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)至一电阻的一端，所述电阻的另一端连接至所述第三高浓度N型掺杂(26)作为该新型ESD保护结构的阴极K。

4.如权利要求3所述的一种新型ESD保护结构，其特征在于：所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)、第三高浓度N型掺杂(26)间用氧化层(10)隔离。

5.如权利要求4所述的一种新型ESD保护结构，其特征在于：所述第一高浓度P型掺杂(28)与第一高浓度N型掺杂(20)之间的距离S的范围为0.5um～20um。

6.如权利要求5所述的一种新型ESD保护结构，其特征在于：该第一高浓度P型掺杂(28)的左侧、第三高浓度N型掺杂(26)的右侧放置氧化层(10)用于隔离其他器件。

7.如权利要求6所述的一种新型ESD保护结构，其特征在于：所有隔离用的氧化层(10)的深度均超过掺杂区的深度。

8.一种新型ESD保护结构的实现方法，包括如下步骤：

步骤一，提供一半导体基体(80)；

步骤二，于该半导体基体中生成第一N阱(60)与第二N阱(70)；

步骤三，在所述第一N阱中形成硅控整流器，在所述第二N阱中形成二极管结构，将第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)隔离设置于所述第一N阱上部，将P型ESD植入层(40)设置于所述第二高浓度N型掺杂(22)下方，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一N阱、ESD植入层(40)、第二高浓度N型掺杂(22)构成所述硅控整流器，将该第一高浓度P型掺杂(28)与该第一高浓度N型掺杂(20)相连组成该新型ESD保护结构的阳极。

9.如权利要求8所述的一种新型ESD保护结构的实现方法，其特征在于：于步骤三中，将第二高浓度P型掺杂(24)、第三高浓度N型掺杂(26)隔离设置于第二N阱上部，构成所述二极管结构。

10.如权利要求9所述的一种新型ESD保护结构的实现方法，其特征在于，于步骤三后，还包括：利用金属连接该第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)至一电阻的一端，所述电阻的另一端连接至所述第三高浓度N型掺杂(26)作为该新型ESD保护结构的阴极。

说明书

一种新型ESD保护结构及其实现方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种硅控整流器型的新型ESD保护结构及其实现方法。

背景技术

[0002] 在静电(ESD，Electro-Static Discharge)保护设计领域，硅控整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)因具有ESD泄流能力强和寄生电容小的特性而广受重视，但是该类器件存在两个严重缺陷限制了其应用：第一个缺陷是回滞效应(Snapback)的触发电压很高，因为其触发电压主要受N阱对P阱的反向击穿电压限制；第二个缺陷是回滞效应(Snapback)的维持电压很低，很容易导致闩锁效应。

[0003] 针对触发电压较高这个缺陷，产业界提出了各种方案来降低回滞效应(Snapback)的触发电压，如图1和图2所示的硅控整流器型ESD保护结构。

[0004] 图1所示的硅控整流器型ESD保护结构是在N阱和P阱之间插入一个横跨N阱和P阱的高浓度的N型掺杂，从而达到降低N阱对P阱的反向击穿电压的目的，具体来说，图1所示的硅控整流器(SCR)型ESD保护结构包括多个浅沟道隔离层(STI，Shallow  Trench Isolation)10、高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度P型掺杂(P+)22、高浓度N型掺杂(N+)24、高浓度N型掺杂(N+)26、高浓度P型掺杂(P+)28、N阱(N-Well)50、P阱(P-Well)60、基体(Psub)70。

[0005] 整个ESD保护结构置于基体(Psub)70上，在基体(Psub)70左边生成一个N阱(N-Well)50，在基体(Psub)70右边生成一个P阱(P-Well)60，高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度P型掺杂(P+)22置于N阱(N-Well)50上部，高浓度P型掺杂(P+)22、N阱(N-Well)50以及基体(Psub)70构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(N+)20与N阱(N-Well)50形成扩散电阻等效连接至该PNP三极管基极，高浓度P型掺杂(P+)22与N阱(N-Well)50构成该PNP三极管的发射极PN结，基体(Psub)70与N阱(N-Well)50构成该PNP三极管之集电极PN结，高浓度N型掺杂(N+)26、高浓度P型掺杂(P+)28置于P阱(P-Well)60上部，N阱(N-Well)50、基体(Psub)70/P阱(P-Well)60与高浓度N型掺杂(N+)26构成等效NPN三极管结构，N阱(N-Well)50与基体(Psub)70构成该NPN三极管之集电极PN结，基体(Psub)70/P阱(P-Well)60与高浓度N型掺杂(N+)26构成等效NPN三极管的发射极PN结，高浓度P型掺杂(P+)26、P阱(P-Well)60、基体(Psub)70构成扩散电阻连接至该等效NPN三极管的基极，高浓度N型掺杂(N+)24置于N阱(N-Well)50与P阱(P-Well)60分界处上方，高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度P型掺杂(P+)22、高浓度N型掺杂(N+)24、高浓度N型掺杂(N+)26、高浓度P型掺杂(P+)28间用浅沟道隔离层(STI，Shallow Trench Isolation)10隔离；用金属连接高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度P型掺杂(P+)24构成该ESD保护结构的阳极A，高浓度N型掺杂(N+)26、高浓度P型掺杂(P+)28相连后连接至ESD保护结构的阴极K。

[0006] 图2所示的硅控整流器型ESD保护结构是在图1所示的硅控整流器型ESD保护结构的基础上，将右侧的高浓度N型掺杂(N+)26、高浓度P型掺杂(P+)28向右移动，在新空出来的P阱(P-Well)60的上方增加一N型栅极(30)，该栅极(30)与高浓度掺杂26连接至硅控整流器之阴极，构成N型栅控二极管，通过引入N型栅控二极管(Gated Diode)，进一步降低N阱对P阱的反向击穿电压，从而达到进一步降低硅控整流器回滞效应的触发电压的目的，但是即使如此，图2所示的硅控整流器的触发电压还是比较高的，而且该触发电压也是受限于既有的工艺参数，调整自由度不大。

[0007] 针对维持电压比较低的这个缺陷，产业界一般通过增加硅控整流器N阱中的高浓度P型掺杂(22)到P阱中的高浓度N型掺杂(26)的距离(c+d)来实现，如图1所示；或者通过外接二极管来实现，如图3所示。

[0008] 图3所示现有技术的NPN三极管型ESD保护结构包括氧化层(OX)10、高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度N型掺杂(N+)22、高浓度P型掺杂(P+)24、高浓度N型掺杂(N+)26、P型ESD植入层(ESD IMP)40、N阱(N-Well)60、N阱(N-Well)70、P型基体(Psub)80、电阻R。

[0009] 整个ESD保护结构置于P型基体(Psub)80上，在P型基体(Psub)80中生成两个N阱(N-Well)60/70，两个N阱(N-Well)60/70间仍由P型基体(Psub)80隔离(两个N阱(N-Well)60/70不能重叠)，高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度N型掺杂(N+)22置于左边N阱(N-Well)60上部，高浓度N型掺杂(N+)20、左边N阱(N-Well)60、P型ESD注入层(ESD IMP)40与高浓度N型掺杂(N+)22构成NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(N+)22为该三极管的集电极，高浓度N型掺杂(N+)20为三极管的发射极，高浓度P型掺杂(P+)24、高浓度N型掺杂(N+)26置于右边N阱(N-Well)70上部，高浓度P型掺杂(P+)24、高浓度N型掺杂(N+)26构成二极管结构，高浓度N型掺杂(N+)20、高浓度N型掺杂(N+)22、高浓度P型掺杂(P+)24、高浓度N型掺杂(N+)26间用氧化层(OX)10隔离，P型ESD植入层(ESD IMP)40置于集电极N结(高浓度N型掺杂(N+)22)下方；用金属连接高浓度N型掺杂(N+)22、高浓度P型掺杂(P+)24至电阻R之一端，电阻R之另一端连接至高浓度N型掺杂(N+)26即ESD保护结构的阴极K，高浓度N型掺杂(N+)20为ESD保护结构的阳极A。

[0010] 其中，N阱(N-Well)60用于将左边位于N阱(N-Well)60内的NPN结构与右边位于N阱(N-Well)70内的二极管结构隔离。

[0011] 但是上述外接并联电阻的正向导通二极管的方法的缺点是每增加一级正向导通二极管仅能将维持电压增大0.6伏至0.8伏左右，另外这种方法的缺点是大大增加了ESD保护结构的整体版图面积。

发明内容

[0012] 为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种新型ESD保护结构及其实现方法，其增加了ESD保护结构回滞效应的维持电压。

[0013] 为达上述及其它目的，本发明提出一种新型ESD保护结构，该ESD保护结构包括：

[0014] 半导体基体；

[0015] 生成于所述半导体基体中的第一N阱和第二N阱；

[0016] 设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构。

[0017] 进一步地，第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)相隔离设置于所述第一N阱上部，P型ESD植入层(40)设置于所述第二高浓度N型掺杂(22)下方，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一N阱(60)、ESD植入层(40)、第二高浓度N型掺杂(22)构成所述硅控整流器，第二高浓度P型掺杂(24)、第三高浓度N型掺杂(26)隔离设置于第二N阱上部，构成所述二极管结构。

[0018] 进一步地，所述第一高浓度N型掺杂(20)与第一高浓度P型掺杂(28)相连组成该新型ESD保护结构的阳极A，利用金属连接所述第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)至一电阻的一端，所述电阻的另一端连接至所述第三高浓度N型掺杂(26)作为该新型ESD保护结构的阴极K。

[0019] 进一步地，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)、第三高浓度N型掺杂(26)间用氧化层(10)隔离。

[0020] 进一步地，所述第一高浓度P型掺杂(28)与第一高浓度N型掺杂(20)之间的距离S的范围为0.5um～20um。

[0021] 进一步地，该第一高浓度P型掺杂(28)的左侧、第三高浓度N型掺杂(26)的右侧放置氧化层(10)用于隔离其他器件。

[0022] 进一步地，所有隔离用的氧化层(10)的深度均超过掺杂区的深度。

[0023] 进一步地，利用金属连接所述第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)至一电阻的一端，所述电阻的另一端连接至所述第三高浓度N型掺杂(26)作为该新型ESD保护结构的阴极K。

[0024] 为达到上述目的，本发明还提供一种新型ESD保护结构的实现方法，包括如下步骤：

[0025] 步骤一，提供一半导体基体；

[0026] 步骤二，于该半导体基体中生成第一N阱与第二N阱；

[0027] 步骤三，在所述第一N阱中形成硅控整流器结构，在所述第二N阱中形成二极管结构。

[0028] 进一步地，于步骤三中，将第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)隔离设置于所述第一N阱上部，将ESD植入层(40)设置于所述第二高浓度N型掺杂(22)下方，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一N阱(60)、P型ESD植入层(40)、第二高浓度N型掺杂(22)构成所述硅控整流器，将第二高浓度P型掺杂(24)、第三高浓度N型掺杂(26)隔离设置于第二N阱上部，构成所述二极管结构。

[0029] 进一步地，于步骤三后，还包括：

[0030] 将该第一高浓度P型掺杂(28)与该第一高浓度N型掺杂(20)相连组成该新型ESD保护结构的阳极A，利用金属连接该第二高浓度N型掺杂(22)、第二高浓度P型掺杂(24)至一电阻的一端，所述电阻的另一端连接至所述第三高浓度N型掺杂(26)作为该新型ESD保护结构的阴极K。

[0031] 与现有技术相比，本发明一种新型ESD保护结构及其实现方法，其通过在现有ESD保护结构的三极管的基础上，在现有ESD保护结构的三极管的第一N阱的最左侧加入第一高浓度P型掺杂(28)，将该第一高浓度P型掺杂(28)和第一高浓度N型掺杂(20)同时连接到该新型ESD保护结构的阳极A，本发明通过将连结至阳极A的第一高浓度N型掺杂(20)插入于第一高浓度P型掺杂(28)和第二高浓度N型掺杂(22)之间的方法，来大大降低第一高浓度P型掺杂(28)向N阱射入少数载流子(空穴)到达N阱(60)与P型ESD植入层界面(40)的效率，从而大大降低寄生的PNP三级的电流增益，从而实现增加该新型ESD保护结构回滞效应的维持电压的目的，同时可以通过调节第一高浓度N型掺杂(20)的N+结的大小，深度以及第一高浓度N型掺杂(20)与第一高浓度P型掺杂(28)之间的距离S来实现调节维持电压的目的。并且在较佳情况下，本发明所提及的新型ESD P+/N-Well/PESD/N+(即28/60/40/22)器件的维持电压可以达到某理想值，实现即使将外界的并联正向导通二极管(即24/26)去除也能满足ESD保护电路的设计需求，从而大大节省集成电路设计的版图面积。

附图说明

[0032] 图1为一现有技术的ESD保护结构的示意图；

[0033] 图2为另一现有技术的ESD保护结构的示意图；

[0034] 图3为又一现有技术的ESD保护结构的示意图；

[0035] 图4为本发明一种新型ESD保护结构之较佳实施例的电路结构图；

[0036] 图5为本发明一种新型ESD保护结构的实现方法的步骤流程图；

[0037] 图6为本发明的应用场景示意图。

具体实施方式

[0038] 以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

[0039] 图4为本发明一种新型ESD保护结构之较佳实施例的电路结构图。如图4所示，本发明一种新型ESD保护结构，包括氧化层(OX)10、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22、第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26、第一高浓度P型掺杂28、P型ESD植入层(ESD IMP)40、N阱(N-Well)60、N阱(N-Well)70、P型基体(P-Sub)80、电阻R。

[0040] 整个ESD保护结构置于P型基体(P-Sub)80上，在P型基体(P-Sub)80中生成两个N型阱N阱：第一N阱(N-Well)60和第二N阱(N-Well)70，两个N阱(N-Well)60/70间仍由P型基体(P-Sub)80隔离(两个N阱(N-Well)60/70不能重叠)，第一高浓度P型掺杂28、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22置于左边第一N阱(N-Well)60上部，P型ESD植入层(ESD IMP)40置于第二高浓度N型掺杂22下方，第一高浓度P型掺杂28、第一N阱60、P型ESD植入层(ESD IMP)40以及第二高浓度N型掺杂22构成硅控整流器，第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26置于右边第二N阱(N-Well)70上部，第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26构成二极管结构，第一高浓度P型掺杂28、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22、第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26间用氧化层(OX)10隔离，较佳地，第一高浓度P型掺杂28与第一高浓度N型掺杂20之间的距离S，即氧化层(OX)10，的范围为0.5um～20um，第一高浓度P型掺杂28的左侧、第三高浓度N型掺杂26的右侧也放置氧化层(OX)10隔离以将本ESD保护结构与其他器件隔离，P型ESD植入层(ESD IMP)40置于第二高浓度N型掺杂22(集电极N结)下方，所有隔离用的氧化层(OX)10的深度均超过掺杂区(第一高浓度P型掺杂28、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22+ESD植入层(ESD IMP)40、第二高浓度P型掺杂
24、第三高浓度N型掺杂26)的深度；用金属连接第二高浓度N型掺杂22、第二高浓度P型掺杂
24至电阻R之一端，电阻R之另一端连接至第三高浓度N型掺杂26即ESD保护结构阴极K，第一高浓度N型掺杂20与第一高浓度P型掺杂28相连组成本发明之新型ESD保护结构的阳极A。

[0041] 其中，第一N阱(N-Well)60和第一N阱(N-Well)70用于将位于第一N阱(N-Well)60内的硅控整流器结构与位于第二N阱(N-Well)70内的二极管结构隔离。

[0042] 图5为本发明一种新型ESD保护结构的实现方法的步骤流程图。如图5所示，本发明一种新型ESD保护结构的实现方法，包括如下步骤：

[0043] 步骤501，提供一半导体基体，在本发明具体实施例中，提供一P型基体(P-Sub)80。

[0044] 步骤502，于该半导体基体中生成两个N阱，即第一N阱(N-Well)60、第二N阱(N-Well)70，在本发明具体实施例中，在P型基体(P-Sub)80中生成两个N阱，两个N阱60/70间仍由P型基体(P-Sub)80隔离(两个N阱60/70不能重叠)，在本发明较佳实施例中，第一N阱生成于P型基体左侧，第二N阱生成于P型基体右侧。

[0045] 步骤503，在第一N阱60中形成硅控整流器，在第二N阱70中形成二极管结构。具体地说，将第一高浓度P型掺杂28、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22置于左边第一N阱(N-Well)60上部，P型ESD植入层(ESDIMP)40置于第二高浓度N型掺杂22下方，第一高浓度P型掺杂28、第一N阱60、P型ESD植入层(ESD IMP)40、第二高浓度N型掺杂22构成硅控整流器结构，将第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26置于右边第二N阱(N-Well)70上部，第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26构成二极管结构，第一高浓度P型掺杂28、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22、第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26间用氧化层(OX)10隔离，较佳地，第一高浓度P型掺杂28与第一高浓度N型掺杂20之间的距离S，即氧化层(OX)10，的范围为0.5um～20um，较佳地，第一高浓度P型掺杂28的左侧、第三高浓度N型掺杂26的右侧也放置氧化层(OX)10隔离以将本ESD保护结构与其他器件隔离。
所有隔离用的氧化层(OX)10的深度均超过掺杂区(第一高浓度P型掺杂28、第一高浓度N型掺杂20、第二高浓度N型掺杂22+P型ESD植入层(ESD IMP)40、第二高浓度P型掺杂24、第三高浓度N型掺杂26)的深度。

[0046] 步骤504，构建该新型ESD保护结构的阳极A与阴极K，即将第一高浓度P型掺杂28与该第一高浓度N型掺杂20相连组成该新型ESD保护结构的阳极A，利用金属连接该第二高浓度N型掺杂22、第二高浓度P型掺杂24至一电阻R的一端，电阻R的另一端连接至第三高浓度N型掺杂26作为该新型ESD保护结构的阴极K。

[0047] 可见本发明是在已有的图3所示的NPN三极管型ESD和图1所示的硅控整流器型ESD基础上提出，本发明之新型ESD保护结构的硅控整流器由P+/N-Well/PESD/N+(即28/60/40/22)结构构成，可以通过调整P型的ESD IMP(ESD植入层(ESD IMP)40)离子注入的剂量来调整回滞效应的触发电压；另外本发明通过直接连接至阳极的第一高浓度N型掺杂20插入于第一高浓度P型掺杂28和第二高浓度N型掺杂22之间的方法，来降低第一高浓度P型掺杂28向N阱射入的少数载流子(空穴)到达N阱(60)与P型ESD植入层(40)的界面的效率，从而降低寄生的PNP(28/60/40)三极管的电流增益，从而实现增加该新型ESD保护结构回滞效应的维持电压的目的，同时本发明可以通过调节第一高浓度N型掺杂20的大小，深度以及第一高浓度N型掺杂20与第一高浓度P型掺杂28之间的距离S(较佳地，S的范围为0.5um～20um)来调节维持电压，并且在较佳情况下，本发明所提及的新型ESD P+/N-Well/PESD/N+(即28/60/
40/22)保护结构的维持电压可以达到理想值，实现即使将外接的并联正向导通二极管(即
24/26)去除也能满足ESD保护电路设计的需要，从而大大节省ESD保护电路设计的整体版图面积。

[0048] 可以将本发明的新型ESD保护结构应用到ESD保护电路中的输入输出端的保护电路中和电源对地的保护电路中，来提升芯片整体的ESD防护能力，如图6所示。

[0049] 综上所述，本发明一种新型ESD保护结构及其制作方法，其通过在现有三极管的基础上，在三极管的第一N阱的最左侧加入第一高浓度P型掺杂28，将该第一高浓度P型掺杂28和第一高浓度N型掺杂20同时连接到该新型ESD保护结构的阳极，将原先NPN型ESD保护结构转化成硅控整流器型ESD保护结构，在本发明的新型硅控整流器型的ESD保护结构中，第一高浓度N型掺杂20实际上起到保护环(Guard Ring)的作用，可以大大降低第一高浓度P型掺杂28向N阱射入的少数载流子(空穴)到达N阱(60)与P型ESD植入层界面(40)的效率，从而降低寄生的PNP(28/60/40)三极管的电流增益，从而实现增加该新型ESD器件回滞效应的维持电压的目的，同时本发明可以通过调节第一高浓度N型掺杂20的大小，深度以及第一高浓度N型掺杂20与第一高浓度P型掺杂28之间的距离S来调节维持电压，并且在较佳情况下，本发明所提及的新型ESDP+/N-Well/PESD/N+(即28/60/40/22)器件的维持电压可以达到理想值，实现即使将外界的并联正向导通二极管(即24/26)去除也能满足ESD保护电路设计，从而大大节省ESD保护电路设计的整体版图面积。

[0050] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。