一种存储器件、钨形核层及其制备方法

摘要

本申请公开了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。利用该方法制备钨形核层，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。

权利要求

1.一种钨形核层的制备方法，其特征在于，应用于化学气相沉积设备；所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；

根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；所述对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理包括：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备；

利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线包括：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行多次钨形核层的制备，并记录每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系；

利用每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系绘制所述膜层厚度曲线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区包括：根据所述膜层厚度曲线的非稳定工作区长度，确定预设次数；

利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备包括：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在预设数量的暖机晶圆表面分别制备钨形核层，所述预设数量等于所述预设次数；

或

利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在无晶圆条件下重复进行钨形核层制备工艺预设次数。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层之后还包括：当预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度大于或等于预设值时，所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理，并返回利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理包括：利用化学反应工艺或气体吹扫工艺对所述化学气相沉积设备的腔体进行清洗，以去除所述化学气相沉积设备的腔体内壁和气体输出装置表面附着的钨形核层中间产物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层包括：通过所述化学气相沉积设备的气体装置交替通入硅烷和六氟化钨，以在晶圆表面形成所述钨形核层。

8.一种钨形核层，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的钨形核层的制备方法制备获得。

9.一种存储器件，其特征在于，包括如权利要求8所述的钨形核层。

说明书

一种存储器件、钨形核层及其制备方法

技术领域

[0001] 本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种存储器件、钨形核层及其制备方法。

背景技术

[0002] 在动态随机存储存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)和三维NAND闪存(3D NAND flash)器件等存储器件的制备工艺中，钨/氮化钨材料被广泛应用于铜制程之后的互联结构中。

[0003] 由于在上述存储器件的制备过程中，由于阻挡层的存在，使得钨形核层(W Nucleation)的生长只能采用基于硅烷(SiH4)的脉冲成核方式(Pulse Nucleation Layer，PNL)工艺。在该工艺中，通常通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)机台交替通入硅烷和六氟化钨气体在预设条件下反应的方式，在晶圆上形成一层钨形核层，之后基于钨形核层制备钨体层。

[0004] 但是在实际生产过程中发现，采用脉冲成核方式制备钨形核层时，钨形核层的厚度会随着化学气相沉积设备制备次数发生改变，从而导致形成于晶圆上的钨形核层的厚度差别较大，为后续的钨体层的制备工艺参数的选择增加了难度，极易出现形成在钨形核层上的钨体层内部出现空洞，甚至无法在钨形核层上沉积钨体层的情况出现。

发明内容

[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，以实现基于脉冲成核工艺制备厚度均一的钨形核层的目的。

[0006] 为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

[0007] 一种钨形核层的制备方法，应用于化学气相沉积设备；所述钨形核层的制备方法包括：

[0008] 获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；

[0009] 根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；

[0010] 利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。

[0011] 可选的，所述获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线包括：

[0012] 利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行多次钨形核层的制备，并记录每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系；

[0013] 利用每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系绘制所述膜层厚度曲线。

[0014] 可选的，所述根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区包括：

[0015] 根据所述膜层厚度曲线的非稳定工作区长度，确定预设次数；

[0016] 利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区。

[0017] 可选的，所述利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备包括：

[0018] 利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在预设数量的暖机晶圆表面分别制备钨形核层，所述预设数量等于所述预设次数；

[0019] 或

[0020] 利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在无晶圆条件下重复进行钨形核层制备工艺预设次数。

[0021] 可选的，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层之后还包括：

[0022] 当预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度大于或等于预设值时，所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理，并返回利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区的步骤。

[0023] 可选的，所述对所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理包括：

[0024] 利用化学反应工艺或气体吹扫工艺对所述化学气相沉积设备的腔体进行清洗，以去除所述化学气相沉积设备的腔体内壁和气体输出装置表面附着的钨形核层中间产物。

[0025] 可选的，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层包括：

[0026] 通过所述化学气相沉积设备的气体装置交替通入硅烷和六氟化钨，以在晶圆表面形成所述钨形核层。

[0027] 一种钨形核层，由上述任一项所述的钨形核层的制备方法制备获得。

[0028] 一种存储器件，包括如上述一项所述的钨形核层。

[0029] 从上述技术方案可以看出，本发明实施例提供了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法在利用化学气相沉积设备制备钨形核层之前，首先获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，为对化学气相沉积设备进行预处理提供依据，然后根据该膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区，最后利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。发明人研究发现，每个化学气相沉积设备的膜层厚度曲线中都有一段较长的稳定工作区，在该稳定工作区中，化学气相沉积设备制备的钨形核层厚度不再随着钨形核层的制备次数发生较大变化，也就是说在该稳定工作区中，化学气相沉积设备制备的钨形核层厚度趋于稳定。因此在利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层时，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。

附图说明

[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

[0031] 图1和图2为现有技术中利用气相化学沉积设备采用基于硅烷的脉冲成核方式制备的钨形核层的结构示意图；

[0032] 图3为本申请的一个实施例提供的一种钨形核层的制备方法的流程示意图；

[0033] 图4为本申请的一个实施例提供的一种化学气相沉积设备的膜层厚度曲线的示意图；

[0034] 图5为本申请的另一个实施例提供的一种钨形核层的制备方法的流程示意图；

[0035] 图6为本申请的又一个实施例提供的一种钨形核层的制备方法的流程示意图；

[0036] 图7为本申请的再一个实施例提供的一种钨形核层的制备方法的流程示意图；

[0037] 图8为本申请的一个优选实施例提供的一种钨形核层的制备方法的流程示意图；

[0038] 图9为本申请的另一个优选实施例提供的一种钨形核层的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

[0039] 正如背景技术所述，现有技术中采用基于硅烷的脉冲成核方式制备钨形核层的过程中，钨形核层的厚度会随着化学气相沉积设备制备次数发生改变，从而导致形成于晶圆上的钨形核层的厚度差别较大，为后续的钨体层的制备工艺参数的选择增加了难度，极易出现形成在钨形核层上的钨体层内部出现空洞，甚至无法在钨形核层上沉积钨体层的情况出现。

[0040] 更具体地说，参考图1和图2，在图1和图2中，标号10表示晶圆，标号20表示钨形核层，标号30表示氮化钨阻挡层，标号40表示氧化物结构；发明人研究发现，利用化学气相沉积设备连续进行钨形核层的制备时，钨形核层的厚度会发生负偏移；也就是说，利用化学气相沉积设备进行钨形核层的制备时，钨形核层的厚度会由图1所示的钨形核层厚度向图2所示的钨形核层厚度变化；假设在后续的钨体层制备过程中，将制备参数以图1所示的钨形核层厚度为基础进行设置，那么在当采用基于硅烷的脉冲成核方式制备的钨形核层的厚度与图1所示的钨形核层厚度相差较小时，可以较好的形成钨体层；但是随着化学气相沉积设备进行钨形核层的制备次数的增加，其形成的钨形核层的厚度会逐渐向图2所示的钨形核层厚度靠近，最后稳定在图2所示的钨形核层厚度附近，这就会导致在以图2所示的钨形核层为基础进行钨体层的制备时就极易出现钨体层内部空洞，甚至难以在该厚度的钨形核层上形成钨体层，从而对最终形成的存储器件的电学性能造成不良影响。

[0041] 同样的，假设在后续的钨体层制备过程中，将制备参数以图2所示的钨形核层厚度为基础进行设置，那么在当采用基于硅烷的脉冲成核方式制备的钨形核层的厚度与图1所示的钨形核层厚度相差较小时，就极易导致后续的钨体层内部出现空洞，甚至难以在该厚度的钨形核层上形成钨体层。

[0042] 有鉴于此，本申请实施例提供了一种钨形核层的制备方法，应用于化学气相沉积设备；所述钨形核层的制备方法包括：

[0043] 获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；

[0044] 根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；

[0045] 利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。

[0046] 从上述技术方案可以看出，所述钨形核层的制备方法在利用化学气相沉积设备制备钨形核层之前，首先获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，为对化学气相沉积设备进行预处理提供依据，然后根据该膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区，最后利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。发明人研究发现，每个化学气相沉积设备的膜层厚度曲线中都有一段较长的稳定工作区，在该稳定工作区中，化学气相沉积设备制备的钨形核层厚度不再随着钨形核层的制备次数发生较大变化，也就是说在该稳定工作区中，化学气相沉积设备制备的钨形核层厚度趋于稳定。因此在利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层时，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。

[0047] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0048] 本申请实施例提供了一种钨形核层的制备方法，如图3所示，应用于化学气相沉积设备；所述钨形核层的制备方法包括：

[0049] S101：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；

[0050] S102：根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；

[0051] S103：利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。

[0052] 所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线如图4所示，在图4中，横坐标为利用化学气相沉积设备制备钨形核层的次数(或者晶圆数量)；对于曲线L1而言，纵坐标为厚度，对于曲线L2而言，纵坐标为方块电阻。

[0053] 发明人获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线的过程如图5所示，包括：

[0054] S1011：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行多次钨形核层的制备，并记录每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系；

[0055] S1012：利用每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系绘制所述膜层厚度曲线。

[0056] 具体地说，发明人通过利用一台对腔体初始化后的化学气相沉积设备连续地在多个晶圆表面制备钨形核层，记录每个晶圆表面制备的钨形核层的先后顺序，测量并记录制备在每个晶圆表面的钨形核层的厚度，以获得每次制备的钨形核层的厚度与制备次数的对应关系；

[0057] 然后利用得到的数据，以化学气相沉积设备制备钨形核层的次数为横轴，以与横轴对应的钨形核层厚度为纵轴数据进行膜层厚度曲线的制备；

[0058] 最终获得的膜层厚度曲线如图4中的L1曲线所示。

[0059] 并且发明人对所述膜层厚度曲线的形成原理进行了研究：在基于硅烷的脉冲成核方式制备钨形核层的过程中，如图6所示，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层包括：

[0060] S1031：通过所述化学气相沉积设备的气体装置交替通入硅烷和六氟化钨，以在晶圆表面形成所述钨形核层。

[0061] 具体地说，通过所述化学气相沉积设备的气体装置交替通入硅烷和六氟化钨，以在晶圆表面形成所述钨形核层具体过程包括：首先通过所述化学气相沉积设备的气体装置(showerhead)通入硅烷气体，硅烷与气体装置中的氟化铝(AlF3)在预设条件下反应生成钨形核层中间产物(SiH4+AlF3→SiH4-xFx)；然后排出硅烷气体，通入六氟化钨(WF6)气体，部分钨形核层中间产物随着六氟化钨的通入被带到晶圆表面，这部分钨形核层中间产物与六氟化钨反应生成钨形核层(SiH4-xFx+WF6→W)，在所述气体装置表面附着的钨形核层中间产物达到饱和的过程中，钨形核层在晶圆表面的厚度会逐渐变薄，钨形核层的厚度逐渐增加，与图4所示的曲线L1和L2相符合。

[0062] 当上述反应过程达到饱和状态时，此时可以通过对化学气相沉积设备进行腔体初始化处理，以移除化学气相沉积设备的气体装置表面的钨形核层中间产物，使得氟化铝(AlF3)再次暴露出来。

[0063] 从图4中的曲线L1可以看出，随着化学气相沉积设备制备钨形核层的次数的不断增加，钨形核层的厚度逐渐趋于稳定，我们把这个钨形核层厚度趋于稳定的区域称为膜层厚度曲线的稳定工作区；当化学气相沉积设备工作于该稳定工作区时，其制备的钨形核层的厚度基本趋于一致。因此，我们可以根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使其处于该稳定工作区，从而可以利用该化学气相沉积设备制备厚度均一的钨形核层。

[0064] 具体地，参考图7，所述根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区包括：

[0065] S1021：根据所述膜层厚度曲线的非稳定工作区长度，确定预设次数；

[0066] S1022：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区。

[0067] 从图4的L1中可以看出，所述膜层厚度曲线的非稳定工作区是指位于曲线L1前端的区域，该段长度在25-35之间；因此，所述预设次数的取值范围就可以为25-35，包括端点值，例如可以是：25、27、30、32、35等。本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。

[0068] 在本申请的一个具体实施例中，参考图8，所述利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备包括：

[0069] S10221：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在预设数量的暖机晶圆表面分别制备钨形核层，所述预设数量等于所述预设次数；

[0070] 或

[0071] 利用腔体初始化后的化学气相沉积设备，在无晶圆条件下重复进行钨形核层制备工艺预设次数。

[0072] 需要说明的是，本实施例提供了两种利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备的方法：

[0073] 可以是利用预设数量的暖机晶圆进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备在非稳定工作区制备的钨形核层均形成于预设数量的暖机晶圆表面，从而使所述化学气相沉积设备工作于稳定工作区。

[0074] 也可以是通过设置化学气相沉积设备的first wafer condition的重复次数为预设次数，使得化学气相沉积设备在无晶圆条件下重复进行钨形核层制备工艺预设次数，从而使所述化学气相沉积设备工作于稳定工作区。

[0075] 本申请对利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备的具体方式并不做限定，具体视实际情况而定。

[0076] 在上述实施例的基础上，在本申请的一个优选实施例中，如图9所示，所述利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层之后还包括：

[0077] S104：当预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度大于或等于预设值时，所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理，并返回利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区的步骤。

[0078] 需要说明的是，当预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度大于或等于预设值时，也就是设备的腔体内装置表面附着的钨薄膜厚度达到一定值时，附着在这些地方的一定厚度的钨薄膜会通过影响化学气相沉积设备的散热和反应速率等参数，从而影响化学气相沉积设备的工作性能。因此在当预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度大于或等于预设值时，所述化学气相沉积设备自动进行腔体初始化处理，以去除附着在腔体内装置表面的钨形核层中间产物及钨薄膜，保证化学气相沉积设备的正常工作性能。

[0079] 所述预设值的具体取值根据化学气相沉积设备的参数不同而有所不同，本申请对其具体取值并不做限定，具体视实际情况而定。

[0080] 另外还需要说明的是，预处理后的化学气相沉积设备制备的钨薄膜总厚度不仅包括制备的钨形核层的厚度，还包括后续制备的钨体层等钨薄膜的厚度。

[0081] 但是当对化学气相沉积设备进行腔体初始化处理后，该化学气相沉积设备又会工作于图4的曲线L1所示的非稳定工作区，因此需要返回根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理的步骤，对该化学气相沉积设备重新进行预处理以使其工作于稳定工作区。

[0082] 在上述实施例的基础上，本申请的又一个实施例提供了一种对所述化学气相沉积设备进行腔体初始化处理的具体过程，包括：

[0083] 利用化学反应工艺或气体吹扫工艺对所述化学气相沉积设备的腔体进行清洗，以去除所述化学气相沉积设备的腔体内壁和气体输出装置表面附着的钨形核层中间产物。

[0084] 其中，利用化学反应工艺(dry clean)对腔体进行清洗，是指将可与钨形核层中间产物反应的气体冲入腔体中，以使该气体与附着在内壁和气体装置上的钨形核层中间产物及钨薄膜进行反应，从而达到去除这些钨形核层中间产物及钨薄膜的目的；

[0085] 利用气体吹扫工艺对腔体进行清洗，是指利用惰性气体对腔体内壁和气体装置进行吹扫，以实现去除附着在内壁和气体装置上的钨形核层中间产物的目的。

[0086] 相应的，本申请实施例还提供了一种钨形核层，所述钨形核层由上述任一实施例所述的钨形核层的制备方法制备获得。

[0087] 相应的，本申请实施例还提供了一种存储器件，包括如上述实施例所述的钨形核层。

[0088] 可选的，所述存储器件可以是动态随机存储存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)，还可以是三维NAND闪存(3D NAND flash)器件。

[0089] 综上所述，本申请实施例提供了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法在利用化学气相沉积设备制备钨形核层之前，首先获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，为对化学气相沉积设备进行预处理提供依据，然后根据该膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区，最后利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。发明人研究发现，每个化学气相沉积设备的膜层厚度曲线中都有一段较长的稳定工作区，在该稳定工作区中，化学气相沉积设备制备的钨形核层厚度不再随着钨形核层的制备次数发生较大变化，也就是说在该稳定工作区中，化学气相沉积设备制备的钨形核层厚度趋于稳定。因此在利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层时，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。

[0090] 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

[0091] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。