半导体装置封装转让专利
申请号 : CN201710451949.7
文献号 : CN107527889B
文献日 : 2019-09-06
发明人 : 凯·史提芬·艾斯格 , 邱基综 , 李彗华
申请人 : 日月光半导体制造股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种半导体装置封装,其包括:
第一导电基底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,且在所述第一导电基底的所述第一表面中界定第一腔,所述第一腔具有底部表面;
第一半导体裸片,其安置于所述第一腔的所述底部表面上;
电介质层,其安置于所述第一半导体裸片、所述第一导电基底的所述第一表面和所述第二表面上且填充所述第一腔,其中所述电介质层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
第一经图案化导电层,其安置于所述电介质层的所述第一表面上;
第二经图案化导电层,其安置于所述电介质层的所述第二表面上;
多个第一互连结构,其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层;以及多个第二互连结构,其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一导电基底的所述第二表面和所述第二经图案化导电层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:第二导电基底,其具有第一表面和第二表面,所述第二导电基底的所述第一表面与所述第一导电基底的所述第一表面相对,第二腔界定于所述第二导电基底的所述第一表面中,所述第二导电基底的所述第二腔具有顶部表面;
第二半导体裸片,其安置于所述第二腔的所述顶部表面上,所述电介质层囊封所述第二导电基底的所述第一表面和所述第二表面且囊封所述第二半导体裸片;
其中所述第二导电基底的所述第二表面通过所述多个第一互连结构电连接到所述第一经图案化导电层,且所述第二半导体裸片通过所述多个第二互连结构电连接到所述第二经图案化导电层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述第一半导体裸片通过所述第一导电基底和所述第二互连结构电连接到所述第二半导体裸片。
4.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其进一步包括:第四裸片,其安置于所述第二导电基底的所述第二表面上,其中所述第四裸片电连接到所述第一经图案化导电层。
5.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述第一和第二导电基底中的至少一者界定至少一个弯曲结构。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:第一焊料掩模,其安置于所述电介质层的所述第一表面上;以及第二焊料掩模,其安置于所述电介质层的所述第二表面上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:第三裸片,其安置于所述第一腔的所述底部表面上,其中所述第三裸片电连接到所述第二经图案化导电层。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括:连接元件,其安置于所述电介质层中,其中所述连接元件电连接到所述第一经图案化导电层和所述第二经图案化导电层中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述连接元件是金属组件或填充有导电材料的穿孔。
10.一种半导体装置封装,其包括:
导电基底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,且在所述第一导电基底的所述第一表面中界定腔,所述腔具有底部表面;
第一半导体裸片,其安置于所述腔的所述底部表面上;
第二半导体裸片,其安置于所述第一半导体裸片上;
电介质层,其安置于所述导电基底的所述第一表面、所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上且填充所述腔,其中所述电介质层具有第一表面;
第一经图案化导电层和第二经图案化导电层,其安置于所述电介质层的所述第一表面上;
多个第一互连结构,其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层;以及多个第二互连结构,其在所述电介质层中且电连接到所述第二半导体裸片和所述第二经图案化导电层。
11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其进一步包括:多个第三互连结构,其安置于所述电介质层中且电连接到所述导电基底的所述第一表面以及所述第一和第二经图案化导电层中的一者。
12.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述第一半导体裸片具有连接到所述第一经图案化导电层的第一活性表面以及在所述腔的所述底部表面上的第二表面,且所述第二半导体裸片具有连接到所述第二经图案化导电层的第一活性表面以及在所述第一半导体裸片的所述第一活性表面上的第二表面。
13.根据权利要求12所述的半导体装置封装,其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片横向地偏移。
14.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其进一步包括在所述导电基底的所述第二表面上的表面修整层。
15.一种半导体装置封装,其包括:
导电基底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,且在所述导电基底的所述第一表面中界定腔,所述腔具有底部表面;
第一半导体裸片,其安置于所述腔的所述底部表面上;
第一电介质层,其安置于所述导电基底的所述第一表面和所述第一半导体裸片上,其中所述第一电介质层具有第一表面;
第一经图案化导电层,其安置于所述第一电介质层上且电连接到所述第一半导体裸片;
第二半导体裸片,其安置于所述第一经图案化导电层上;
第二电介质层,其安置于所述第一经图案化导电层、所述第一电介质层的所述第一表面以及所述第二半导体裸片上;以及第二经图案化导电层,其安置于所述第二电介质层上且电连接到所述第二半导体裸片。
16.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其进一步包括:多个互连结构,其安置于所述第一电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层。
17.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其进一步包括:多个互连结构,其安置于所述第一电介质层中且电连接到所述导电基底的所述第一表面和所述第一经图案化导电层。
18.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其进一步包括:多个互连结构,其安置于所述第二电介质层中且电连接到所述第一经图案化导电层和所述第二经图案化导电层。
19.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其进一步包括:多个互连结构,其安置于所述第二电介质层中且电连接到所述第二半导体裸片和所述第二经图案化导电层。
20.根据权利要求15所述的半导体装置封装,其进一步包括:第三裸片,其安置于所述腔中且电连接到所述第一经图案化导电层。
说明书 :
半导体装置封装
技术领域
背景技术
半导体装置封装中且同时防止或缓解寄生电容可为挑战性的。
发明内容
对的第二表面。第一腔由所述第一导电基底界定且形成于所述第一导电基底的第一表面
中。所述第一腔具有底部表面。所述第一半导体裸片安置于所述第一腔的底部表面上。所述
电介质层安置于所述第一半导体裸片、所述第一导电基底的第一表面和第二表面上且填充
所述第一腔。所述电介质层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一经
图案化导电层安置于所述电介质层的第一表面上。所述第二经图案化导电层安置于所述电
介质层的第二表面上。所述多个第一互连结构安置于所述电介质层中且电连接到所述第一
半导体裸片和所述第一经图案化导电层。所述多个第二互连结构安置于所述电介质层中且
电连接到所述第一导电基底的所述第二表面和所述第二经图案化导电层。
面。所述导电基底界定形成于所述第一导电基底的第一表面中的腔。所述腔具有底部表面。
所述第一半导体裸片安置于所述腔的底部表面上。所述第二半导体裸片安置于所述腔的底
部表面上。所述电介质层安置于所述导电基底的第一表面、所述第一半导体裸片和所述第
二半导体裸片上且填充所述腔。所述电介质层具有第一表面。所述第一经图案化导电层和
第二经图案化导电层安置于所述电介质层的第一表面上。所述多个第一互连结构安置于所
述电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层。所述多个第二
互连结构安置于所述电介质层中且电连接到所述第二半导体裸片和所述第二经图案化导
电层。
面。所述导电基底界定形成于所述导电基底的第一表面中的腔。所述腔具有底部表面。所述
第一半导体裸片安置于所述腔的底部表面上。所述第一电介质层安置于所述导电基底的第
一表面和所述第一半导体裸片上。所述第一电介质层具有第一表面。所述第一经图案化导
电层安置于所述第一电介质层上且电连接到所述第一半导体裸片。所述第二半导体裸片安
置于所述第一经图案化导电层上。所述第二电介质层安置于所述第一经图案化导电层、所
述第一电介质层的所述第一表面以及所述第二半导体裸片上。所述第二经图案化导电层安
置于所述第二电介质层上且电连接到所述第二半导体裸片。
附图说明
具体实施方式
导电基底结构用于当一或多个半导体装置安置于引线框的裸片脚座中时缓解或消除寄生
电容。
件为本发明的实施例的优点是不因此布置而有偏差。
互连结构801和821、连接元件90,以及导电连接件75。
对的表面101b。导电基底102具有第一表面102u以及与第一表面102u相对的表面102b。导电
基底101和102的材料可包含(例如)铜(Cu)或另一金属或金属合金或其它导电材料。在一些
实施例中,导电基底101和102可构成裸片脚座或可为裸片脚座的部分。包含导电基底101和
导电基底102的至少部分地大体上对称的结构的实施方案可实现半导体装置封装1的减少
翘曲。另外,大量组件可集成到具有大体上对称结构的引线框中。在一些实施例中,通过在
连接元件90的相对侧上安置导电基底101和导电基底102,具有距连接元件90大体上相同最
小距离的每一导电基底可实现半导体装置封装1的减少翘曲以及大量组件到引线框中的集
成。
对于在保护层70的形成中涉及的应力减少的应力)。弯曲结构60可进一步帮助跨越导电基
底101和102再分布应力,跨越导电基底101和102更均匀地分摊应力,或将应力点从导电基
底101和102的一个部分转移到导电基底101和102的另一部分。不同弯曲结构60可具有不同
曲率半径和/或可相对于导电基底101的表面101b或导电基底102的第一表面102u形成不同
的锥形角度。
体裸片20和半导体裸片24安置于腔30的底部表面301上。半导体裸片22安置于腔32的上部
表面321上。
的一些实施例。
合剂层48可例如为导电凝胶或环氧树脂膜(与导电材料混合的环氧树脂)或其它导电材料。
在一些实施例中,半导体裸片24具有第一表面241以及与第一表面241相对的第二表面242,
且半导体裸片22具有第一表面221以及与第一表面221相对的第二表面222。半导体裸片24
也通过导电粘合剂层48结合到腔30的底部表面301。半导体裸片26具有第一表面261以及与
第一表面261相对的第二表面262。半导体裸片26的表面262通过导电粘合剂层48结合到导
电基底102的表面102b。
半导体裸片24可例如为控制裸片。裸片26安置于导电基底102的表面102b上。裸片26通过互
连结构801电连接到经图案化导电层80。
部表面301。在一些实施例中,导电粘合剂层48可接触半导体裸片20的一或多个侧壁的一部
分。导电粘合剂层48将半导体裸片20附接到导电基底101。半导体裸片24的布置类似于半导
体裸片20(例如,半导体裸片24类似地经由导电粘合剂附接到底部表面301)。
覆盖大体上整个上部表面321。在一些实施例中,导电粘合剂层48可接触半导体裸片22的一
或多个侧壁的一部分。导电粘合剂层48将半导体裸片22附接到导电基底102。
第一表面101u和第二表面101b,且囊封半导体裸片20和24的至少一部分。保护层70还囊封
和/或覆盖导电基底102的第一表面102u和表面102b的至少一部分且囊封半导体裸片22的
至少一部分。在一些实施例中,保护层70的材料可包含聚丙烯树脂;然而,可另外或替代地
使用其它合适的材料。
片22的第一表面221。互连结构801电连接到导电基底101的第一表面101u,且互连结构821
电连接到导电基底102的第一表面102u。导电基底102的表面102b通过所述多个互连结构
801电连接到经图案化导电层80。半导体裸片22通过所述多个互连结构821电连接到导电层
82。在一些实施例中,裸片20通过导电基底101和互连结构821电连接到裸片22。
它导电材料。
中,绝缘层50和52可包含焊料掩模。绝缘层50和52中的一者或两者的材料可包含聚丙烯树
脂和/或其它绝缘材料。导电连接件75(例如,焊料球)安置于经图案化导电层80上。
于导电基底中的一或多者的外部侧壁或其它侧壁中的凹部),且所述凹部可包含圆化拐角。
所述凹部可由导电基底的侧壁的底部部分界定(例如,可延伸到所述侧壁和表面101b或表
面102u连接的拐角)。在另一实施例中,导电基底101和导电基底102的弯曲结构60可填充有
保护层70。弯曲结构可帮助减少或防止在个别半导体装置封装1从较大封装(例如,从面板)
的分离(例如,单粒化)期间对保护层70的损坏。
包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。在一些实施例中,连接元件90是填
充有导电材料的金属组件(例如,金属框架)或穿孔。
多个通孔(例如与从顶部经图案化导电层80延伸到底部经图案化导电层82的通孔相比)。制
造此相对短通孔可较容易。导电/电流路径的此缩减也可帮助避免信号衰减或干扰。
面101b。导电基底102具有第一表面102u以及与第一表面102u相对的表面102b。导电基底
101和102的材料包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。例如通过钻孔(例
如,通过在初始导电基底中钻至少两个孔,进而形成单独导电基底101和102以及连接元件
90)而形成连接元件90。第一表面101u界定腔30(例如,第一表面101u具备腔30,或腔30形成
于第一表面101u中)。第一表面102u界定腔32(例如,第一表面102u具备腔32,或腔32形成于
第一表面102u中)。腔30具有底部表面301。腔32具有上部表面321。在一些实施例中,导电基底101具备腔30且未经蚀刻以形成腔30(例如,在导电基底101的上述提供之后未经蚀刻)。
即,未通过蚀刻技术移除导电基底101的第一表面101u。可提供相对稳健或强结构的导电基
底101的未经蚀刻结构相对较容易处置以促进后续电测量/测试。导电基底101界定一或多
个弯曲结构60。导电基底101的弯曲结构60经平滑且可帮助再分布应力以避免在层压期间
对保护层70的损坏。导电基底102的结构可以相似方式形成。
半导体裸片20安置于腔30中的导电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以将半导体裸片20附接
到腔30的底部表面301。半导体裸片22、24和26可以类似方式安置。
烯树脂或其它合适材料。保护层70的一部分在层压期间熔化。导电层80'通过涂覆、溅镀、电镀或另一合适的技术而安置于保护层70的第一表面701上。导电层82'通过涂覆、溅镀、电镀
或另一合适的技术而安置于保护层70的第二表面702上。导电层80'和82'可包含(例如)铝
或铜或其合金(例如AlCu)。
形成。经图案化光致抗蚀剂层74和76可包含正光致抗蚀剂或其它合适材料。
分暴露。
案化导电层82的至少一部分。绝缘层50和52中的一者或两者的材料可包含聚丙烯树脂或另
外或替代地使用的其它绝缘材料。接着在由绝缘层50界定的通孔37上安置或形成导电连接
件75以形成如图1中所说明的半导体装置封装1。导电连接件75可包含(例如)一或多个焊料
球。通孔37安置于经图案化导电层80上方。
面101b。导电基底102具有第一表面102u以及与第一表面102u相对的表面102b。导电基底
101和102的材料包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。例如通过钻孔(例
如,通过在初始导电基底中钻至少两个孔,进而形成单独导电基底101和102以及连接元件
90)而形成连接元件90。第一表面101u界定腔30(例如,第一表面101u具备腔30,或腔30形成
于第一表面101u中)。第一表面102u界定腔32(例如,第一表面102u具备腔32,或腔32形成于
第一表面102u中)。导电基底101和102界定一或多个弯曲结构60。
半导体裸片20安置于腔30中的导电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以将半导体裸片20附接
到腔30的底部表面301。半导体裸片22、24和26可以类似方式安置。
烯树脂或其它合适材料。保护层70的一部分在层压期间熔化。导电层80'通过涂覆、溅镀、电镀或另一合适的技术而安置于保护层70的第一表面701上。导电层82'通过涂覆、溅镀、电镀
或另一合适的技术而安置于保护层70的第二表面702上。
上且经图案化光致抗蚀剂层76安置于导电层82'上。经图案化光致抗蚀剂层74和76可通过
涂覆或另一合适的技术而形成。经图案化光致抗蚀剂层74和76可包含正光致抗蚀剂或其它
合适材料。
蚀刻或钻孔而移除。在蚀刻之后,经图案化导电层80和82以及互连结构801和821的形成完
成。
分暴露。
一部分且绝缘层52覆盖经图案化导电层82的至少一部分。绝缘层50和52中的一者或两者的
材料可包含聚丙烯树脂和/或其它绝缘材料。参考图3J,导电连接件75安置或形成于通孔37
中以形成如图1中所说明的半导体装置封装1。导电连接件75可包含一或多个焊料球。
件不再相对于图4A描述。在半导体装置封装2中,包含导电基底101,同时省略额外导电基
底。导电基底101的材料包含例如铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。半导体装置封
装2包含导电基底101的表面101b上的表面修整层78。表面修整层78可包含任何合适的导电
材料(例如包含例如镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、Cu和金属的组合)。
301上的表面202。半导体裸片22具有电连接到经图案化导电层82的活性表面221和安置于
半导体裸片20的活性表面201上的表面222。半导体裸片20安置于腔30的底部表面301上且
半导体裸片22安置于半导体裸片20的活性表面201上。
至少一者可为电力裸片,且半导体裸片20、22和24中的至少一者可为控制裸片。导电基底
101的第一表面101u通过互连结构801和821电连接到半导体裸片20的活性表面201和堆叠
半导体裸片22的活性表面221。堆叠裸片结构提供了在引线框和引线框的低区域(例如,表
面积)中集成大量组件。半导体裸片20的活性表面201与半导体裸片22的表面222大体上共
面。半导体裸片20的活性表面201沿着半导体裸片22的表面222的侧延伸。
部分,且至少部分地填充腔30。保护层70中的互连结构801电连接到半导体裸片20和经图案
化导电层80。保护层70中的互连结构821电连接到半导体裸片22和经图案化导电层82。保护
层70中的互连结构841电连接到半导体裸片24和经图案化导电层84。互连结构841电连接到
导电基底101的表面101u以及经图案化导电层80和经图案化导电层82中的一者。
半导体裸片22的对应侧面或表面并不对准)。半导体裸片20输出的电流可通过导电粘合剂
层48传送到导电基底101且通过经图案化导电层80传送到互连结构801。半导体裸片22输出
的电流可通过半导体裸片20和导电粘合剂层48传送到导电基底101且通过经图案化导电层
82传送到互连结构821。半导体裸片20和22的偏移可按需要实施(例如,可制作为大或小)。
导电基底101的材料例如为铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。导电基底101在导电
基底101的第一表面101u中界定腔30。腔30具有底部表面301。
底部表面301上的导电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以将半导体裸片20附接到腔30的底
部表面301。半导体裸片20具有活性表面201以及与第一表面201相对的第二表面202。半导
体裸片22具有活性表面221以及与第一表面221相对的第二表面222。半导体裸片22通过导
电粘合剂层48堆叠于半导体裸片20的活性表面201上。半导体裸片24具有活性表面241以及
与第一表面241相对的第二表面242。半导体裸片24安置于腔30的底部表面301上的导电粘
合剂层48上。
含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
的表面221的一部分、半导体裸片24的表面241的一部分以及导电基底101的表面101u的一
部分暴露。
正光致抗蚀剂或其它合适材料。
包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
使用的其它绝缘材料。表面修整层78安置于导电基底101的第二表面101b上且填充或形成
于通孔37中。表面修整层78可包含任何合适的导电材料(例如镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银
(Ag)、Cu和/或金属的组合)。在至少一个实施例中,表面修整层78可安置于导电基底101的
第二表面101b上且覆盖至少部分地填充弯曲结构60的保护层70的一部分。在至少一个实施
例中,表面修整层例如为绝缘层,例如焊料掩模。接着,导电连接件75填充到或形成于通孔
37中,因此形成如图4A中所说明的半导体装置封装2。
件不再相对于图4A描述。导电基底101在导电基底101的第一表面101u中界定腔30。腔30具
有底部表面301。半导体裸片22具有连接到经图案化导电层80的活性表面221和腔30的底部
表面301上的表面222。半导体裸片20具有连接到经图案化导电层82的活性表面201和半导
体裸片22的活性表面221上的表面202。半导体裸片22安置于腔30的底部表面301上,且半导
体裸片20安置于半导体裸片22的活性表面221上。
一者可为电力裸片,且半导体裸片20、22和24中的一者可为控制裸片。导电基底101的第一
表面101u通过互连结构801和821电连接到半导体裸片22的活性表面221和堆叠半导体裸片
20的活性表面201。
过导电粘合剂层48传送到导电基底101且通过经图案化导电层80传送到互连结构801。半导
体裸片20输出的电流可通过半导体裸片22和导电粘合剂层48传送到导电基底101且通过经
图案化导电层82传送到互连结构821。半导体裸片20和22的偏移可按需要来实施(例如,可
制作为大或小)。
101b。导电基底101的材料包含例如铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。导电基底
101在导电基底101的第一表面101u中界定腔30。腔30具有底部表面301。导电基底101界定
弯曲结构60。
底部表面301中的导电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以将半导体裸片22附接到腔30的底
部表面301。半导体裸片22具有活性第一表面221以及与第一表面221相对的第二表面222。
半导体裸片20具有活性表面201以及与第一表面201相对的表面202。半导体裸片20通过导
电粘合剂层48堆叠于半导体裸片22的活性表面221上。半导体裸片24具有活性第一表面241
以及与第一表面241相对的第二表面242。半导体裸片24安置于腔30的底部表面301上的导
电粘合剂层48上。
含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
的表面221的一部分、半导体裸片24的表面241的一部分以及导电基底101的表面101u的一
部分暴露。
致抗蚀剂层74可包含正光致抗蚀剂或其它合适材料。
包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
使用的其它绝缘材料。表面修整层78安置于导电基底101的表面101b上且填充到通孔37中。
当表面修整层78可包含任何合适的导电材料(例如包含例如镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银
(Ag)、Cu和金属的组合)时填充于弯曲结构60中的保护层70从表面修整层78暴露。在一个实
施例中,所述表面修整层可安置于导电基底101的表面101b上且覆盖至少部分地填充弯曲
结构60的保护层70。在一些实施例中,所述表面修整层是例如绝缘层,例如焊料掩模。接着,导电连接件75填充到通孔37中以完成如图6A中所说明的半导体装置封装3。
对于图8描述。在图8中,半导体装置封装4包含导电基底101、半导体裸片20、22和24、导电粘合剂层48、保护层70a和72a、绝缘层50、经图案化导电层80、82、84和86、互连结构801、821、
841和861,以及导电连接件75。
成于保护层70a上且电连接到半导体裸片20。半导体裸片22通过导电粘合剂层48结合到经
图案化导电层80。半导体裸片24通过导电粘合剂层48结合到经图案化导电层80。保护层72a
形成于经图案化导电层80上和保护层70a的表面701a上。保护层72a覆盖半导体裸片22的至
少一部分。经图案化导电层82安置于电介质层72a上且电连接到半导体裸片22。
构801形成于保护层70a中。互连结构801电连接到导电基底101的表面101u和经图案化导电
层80。半导体裸片20的活性表面201通过互连结构801电连接到经图案化导电层80。半导体
裸片22具有活性表面221和表面222。半导体裸片20通过导电粘合剂层48结合到半导体裸片
20的活性表面201。互连结构821形成于保护层72a中。互连结构821连接到经图案化导电层
80和经图案化导电层82。半导体裸片22的活性表面222通过互连结构821连接到经图案化导
电层82。半导体裸片24具有活性表面241和表面242。半导体裸片24通过导电粘合剂层48结
合到腔30的底部表面301。半导体裸片20的活性表面201通过经图案化导电层80和互连结构
801连接到半导体裸片24的活性表面241。互连结构801和821以及经图案化导电层80和82的
材料可包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
101b。导电基底101界定弯曲结构60。导电基底101的材料例如为铜或另一金属或金属合金
或其它导电材料。导电基底101在导电基底101的第一表面101u中界定腔30。腔30具有底部
表面301。
例中,导电粘合剂层48可包含裸片附接膜。半导体裸片20安置于腔30的底部表面301中的导
电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以将半导体裸片20附接到腔30的底部表面301。半导体裸
片20具有活性第一表面201以及与第一表面201相对的第二表面202。半导体裸片24安置于
腔30的底部表面301中的裸片附接膜49上。裸片附接膜49用以将半导体裸片24附接到腔30
的底部表面301。半导体裸片24具有活性第一表面241以及与第一表面201相对的第二表面
242。
然而,另外或替代地可使用其它合适的材料。导电层80'安置于保护层70a的表面701a上。导
电层80'的材料可包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
24的表面241的一部分以及导电基底101的表面101u的一部分暴露。
22通过导电粘合剂层48安置于互连结构801上。半导体裸片20和22可为电力裸片,且半导体
裸片24可为控制裸片。
(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
连结构801的表面的一部分暴露。
地使用的其它绝缘材料。接着,导电连接件75填充到或形成于通孔37中,因此形成如图8中
所说明的半导体装置封装4。
相对的表面101b。导电基底101界定上部弯曲结构60'。导电基底101的材料例如为铜或另一
金属或金属合金或其它导电材料。腔30是从导电基底101的第一表面101u界定。腔30具有底
部表面301。
的底部表面301中的导电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以将半导体裸片20附接到腔30的
底部表面301。半导体裸片20具有活性第一表面201以及与第一表面201相对的第二表面
202。半导体裸片24安置于腔30的底部表面301中的导电粘合剂层48上。导电粘合剂48用以
将半导体裸片24附接到腔30的底部表面301。半导体裸片24具有活性第一表面241以及与第
一表面201相对的第二表面242。在一些实施例中,导电粘合剂层48可为裸片附接膜。在一些
实施例中,半导体裸片20可为电力裸片且半导体裸片24可为控制器。
树脂;然而,另外或替代地可使用其它合适的材料。导电层80'安置于保护层70a的表面701a
上。导电层80'的材料可包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
24的表面241的一部分以及导电基底101的表面101u的一部分暴露。
的导电基底101的一部分是通过蚀刻移除以形成弯曲结构60。
裸片。
721b。在一些实施例中,保护层72a的材料可包含聚丙烯树脂;然而,另外或替代地可使用其它合适的材料。导电层82'安置于保护层72a的表面721a上,且导电层84安置于保护层72a的
表面721b上。导电层82'和84的材料可包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材
料。
连结构801的表面的一部分暴露。
构821是通过光刻技术而形成。互连结构821和导电层82的材料可包含(例如)铜或另一金属
或金属合金或其它导电材料。
地使用的其它绝缘材料。参考图10M,导电连接件75填充到通孔37中。接着,表面修整层78形成于导电层84上以形成半导体装置封装5。表面修整层78可包含任何合适的导电材料(例如
镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、Cu和金属的组合)。
对的表面101b。导电基底102具有第一表面102u以及与第一表面102u相对的表面102b。导电
基底101和102的材料包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。例如通过钻孔
(例如,通过在初始导电基底中钻至少两个孔,进而形成单独导电基底101和102以及连接元
件90)而形成连接元件90。导电基底101在导电基底101的第一表面101u中界定腔30,且导电
基底102在导电基底102的第一表面102u中界定腔。腔30具有底部表面301。腔32具有上部表
面321。导电基底101界定一或多个弯曲结构60。导电基底101的弯曲结构60经平滑且可帮助
再分布应力以避免在层压期间对保护层70的损坏。导电基底101的结构可以与导电基底102
相同或相似方式形成,例如以形成本文所描述的导电基底的任何适当方式。
(与导电材料混合的环氧树脂)。半导体裸片20安置于腔30中的导电粘合剂层48上。导电粘
合剂48用以将半导体裸片20附接到腔30的底部表面301。半导体裸片22、24和26可通过导电
粘合剂层48的附接而安置。
丙烯树脂;然而,另外或替代地可使用其它合适的材料。导电层80'安置于保护层70的表面
701上且导电层82'安置于保护层70的第二表面702上。导电层80'和82'的材料可包含(例
如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
体裸片22的表面221的一部分、半导体裸片24的表面241的一部分以及导电基底101的表面
101u的一部分暴露。
材料。
刻工艺等合适的技术而移除。在蚀刻之后,保护层70的第一表面701的一部分暴露且保护层
70的第二表面702的一部分暴露。
案化导电层82的至少一部分。绝缘层50和52中的一者或两者的材料可包含聚丙烯树脂或另
外或替代地使用的其它绝缘材料。接着,导电连接件75填充或形成于通孔37中,因此形成半
导体装置封装6。导电连接件75可包含一或多个焊料球。通孔37安置于经图案化导电层80
上。
对的表面101b。导电基底102具有第一表面102u以及与第一表面102u相对的表面102b。导电
基底101和102的材料包含(例如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。例如通过钻孔
(例如,通过在初始导电基底中钻至少两个孔,进而形成单独导电基底101和102以及连接元
件90)而形成连接元件90。腔30是从导电基底101的第一表面101u界定。腔32是从导电基底
102的第一表面102u界定。腔30具有底部表面301。腔32具有上部表面321。导电基底101界定
一或多个弯曲结构60。导电基底101的弯曲结构60经平滑,且可帮助再分布应力以避免在层
压期间对保护层70的损坏。导电基底101的结构可以与导电基底102相同或相似的方式形
成,例如以本文所描述的任何适当方式。
(与导电材料混合的环氧树脂)。半导体裸片20安置于腔30中的导电粘合剂层48上。导电粘
合剂48用以将半导体裸片20附接到腔30的底部表面301。半导体裸片22、24和26可通过导电
粘合剂层48的附接而安置。
丙烯树脂;然而,另外或替代地可使用其它合适的材料。导电层80'安置于保护层70的表面
701上且导电层82'安置于保护层70的第二表面702上。导电层80'和82'的材料可包含(例
如)铜或另一金属或金属合金或其它导电材料。
体裸片22的表面221的一部分、半导体裸片24的表面241的一部分以及导电基底101的表面
101u的一部分暴露。
材料。
适的技术而移除。在蚀刻之后,保护层70的第一表面701的一部分暴露且保护层70的第二表
面702的一部分暴露。
案化导电层82的至少一部分。绝缘层50和52中的一者或两者的材料可包含聚丙烯树脂或另
外或替代地使用的其它绝缘材料。接着,导电连接件75填充或形成于通孔37中,以形成半导
体装置封装7。导电连接件75可包含一或多个焊料球。通孔37安置于经图案化导电层80上。
件或情形极接近于发生的情况。举例来说,当结合数值使用时,术语可指代小于或等于所述
数值的±10%的变化范围,例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小
于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%、或小于或等
于±0.05%。因此,参考两个值的术语“近似相等”可指代所述两个值的比率处于0.9与1.1
之间(包含性)的范围内。
含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围,如同明确地指定每一数值和子范围一般。
介入组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
实精神和范围的情况下,作出各种改变且取代等效物。所述说明可能未必按比例绘制。归因
于制造工艺和容差,本发明中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说
明的本发明的其它实施例。应将本说明书及图式视为说明性的而非限制性的。可做出修改,
以使具体情况、材料、物质组成、方法或工艺适应于本发明的目标、精神和范围。所有所述修改都既定在所附权利要求书的范围内。虽然本文中所揭示的方法已参考按特定次序执行的
特定操作加以描述,但应理解,可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这
些操作以形成等效方法。因此,除非本文中特别指示,否则操作的次序和分组并非本发明的
限制。