阵列基板及其制备方法、显示面板

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层；在非显示区形成半导体图案，半导体图案用于减少标记区域与相邻区域之间的段差；形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。通过在非显示区形成半导体图案，并刻蚀标记区域的第二绝缘层，减小了标记区域与相邻区域之间的段差，改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤，提升了摩擦配向良率。本发明实施例还提出了一种采用上述制备方法制备而成的阵列基板，同时还提出了一种包括该阵列基板的显示面板。

权利要求

1.一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区和非显示区，其特征在于，包括：在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层；

在非显示区形成用于减少标记区域与相邻区域之间的段差的半导体图案，所述半导体图案包括在标记区域之外的非显示区形成的第二半导体图案；

在非显示区的标记区域形成第二标记图案；

形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体图案与位于显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置，并通过一次构图工艺形成。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体图案包括在非显示区的标记区域形成的第一半导体图案。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第一半导体图案。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的源漏电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第二标记图案。

8.一种阵列基板，其特征在于，采用权利要求1-7中任意一项所述的制备方法制备。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。

说明书

阵列基板及其制备方法、显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

[0002] 液晶显示面板(liquid crystal displays,LCDs)包括阵列基板、彩膜基板和其间的液晶层。在阵列基板和彩膜基板上分别涂布配向膜，对配向膜进行配向处理后，将阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶面板。现有的配向技术有非摩擦(Non-Rubbing)型和摩擦(Rubbing)型两大类。非摩擦型配向技术包括光配向和离子束配向等。虽然光配向和离子束配向技术具有较好的配向效果，但生产效率低、成本高，较少在LCD领域中应用。摩擦型配向是在配向膜表面用绒布滚轮进行接触式的定向机械摩擦，摩擦配向膜表面所提供的能量使配向膜的分子链因延伸而定向排列，从而控制液晶配向排列。摩擦型配向因其摩擦时间短，量产性高而广泛应用。

[0003] LCD面板制程中，存在一些位于摩擦方向上的标记区域，当位于摩擦方向上的标记区域与相邻区域的段差超过阈值时，在进行摩擦配向时，会因绒布表面毛细纤维的压入力度、与配向膜的接触强度发生变化，损伤摩擦辊轮的绒布纤维。绒布纤维损伤后，导致摩擦辊轮对显示区进行摩擦配向时出现摩擦不良，引起液晶偏转紊乱。在黑态时，液晶发生偏转，形成摩擦方向上的黑线不良。

发明内容

[0004] 本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有摩擦配向时存在的损伤摩擦滚轮绒布纤维的缺陷。

[0005] 为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区和非显示区，该制备方法包括：

[0006] 在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层；

[0007] 在非显示区形成用于减少标记区域与相邻区域之间的段差的半导体图案；

[0008] 形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。

[0009] 可选地，所述第一标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。

[0010] 可选地，所述半导体图案与位于显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置，并通过一次构图工艺形成。

[0011] 可选地，所述半导体图案包括在非显示区的标记区域形成的第一半导体图案。

[0012] 可选地，所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第一半导体图案。

[0013] 可选地，所述半导体图案包括在标记区域之外的非显示区形成的第二半导体图案。

[0014] 可选地，制备方法还包括在标记区域形成第二标记图案，所述第二标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的源漏电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。

[0015] 可选地，所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第二标记图案。

[0016] 为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板采用以上所述的制备方法制备而成。

[0017] 为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板，包括前述的阵列基板。

[0018] 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，通过在非显示区形成半导体图案，并采用构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，减小了标记区域与相邻区域之间的段差。从而改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤，降低了黑态下摩擦方向上的黑线不良，提升了摩擦配向良率。同时，标记区域与相邻区域之间的段差减小，有利于配向液均匀扩散及液晶的均匀扩散，对由此导致的液晶配向不良等显示异常起到了一定的预防作用，提升了画面品质。

[0019] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

[0020] 附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

[0021] 图1a和1b分别示出了位于阵列基板非显示区的标记区域1和标记区域2的结构示意图；

[0022] 图2为本发明实施例阵列基板的制备方法流程图；

[0023] 图3为本发明第一实施例中形成第一绝缘层后的结构示意图；

[0024] 图4为本发明第一实施例中形成第一半导体图案后的结构示意图；

[0025] 图5为本发明第一实施例中形成源电极和漏电极后的结构示意图；

[0026] 图6a和6b为本发明第一实施例中形成第二绝缘层并刻蚀后的结构示意图；

[0027] 图7为本发明第二实施例中形成第二半导体图案后的结构示意图；

[0028] 图8为本发明第二实施例中形成第二标记图案后的结构示意图；

[0029] 图9a和9b为本发明第二实施例中形成第二绝缘层并刻蚀后的结构示意图。

[0030] 附图标记说明：

[0031] 1—标记区域；          2—标记区域；          11—栅电极；

[0032] 12—第一标记图案；     21—第一绝缘层；       31—有源层；

[0033] 32—第一半导体图案；   33—第二半导体图案；   41—源电极；

[0034] 42—漏电极；           43—第二标记图案；     51—第二绝缘层；

[0035] 60—标记区域。

具体实施方式

[0036] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

[0037] 经本申请发明人研究发现，LCD面板制程中，非显示区存在信号线走线、阵列基板检测图形、液晶面板检测图形以及各掩膜板对位和曝光机需要的必备图形标记。一般来说，在设计中会将非显示区的标记移动到非摩擦方向上，以避免在摩擦方向上出现段差较大的标记。但对于一些特殊的标记，例如，曝光机所需的对位标记、用于固定玻璃位置的标记等，则无法将其移动到非摩擦方向上。这些位于摩擦方向上的标记埋下了摩擦配向不良的隐患。

[0038] 图1a示出了位于摩擦方向上非显示区的标记区域1的结构示意图。标记区域1自下向上依次包括位于基底上的第一标记图案12、第一绝缘层21和第二绝缘层51。从图1a中可以看出，由于第一标记图案12的存在，导致标记区域1与相邻区域之间存在段差H1，段差H1约为第一标记图案12的厚度。当段差H1超过阈值时，在进行摩擦配向时，段差H1会损伤摩擦辊轮的绒布纤维，进而导致显示区摩擦配向不良，引起液晶偏转紊乱。

[0039] 图1b示出了位于摩擦方向上非显示区的标记区域2的结构示意图。标记区域2自下向上依次包括位于基底上的第一标记图案12、第一绝缘层21、第二标记图案43和第二绝缘层51。从图1b中可以看出，由于第一标记图案12和第二标记图案43的存在，导致标记区域2与相邻区域之间存在段差H2，段差H2约为第一标记图案12的厚度H11与第二标记图案43的厚度H14的和，即段差H2约为H11+H14。当段差H2超过阈值时，在进行摩擦配向时，段差H2会损伤摩擦辊轮的绒布纤维，进而导致显示区摩擦配向不良，引起液晶偏转紊乱。

[0040] 为了克服现有阵列基板制程中，标记区域与相邻区域之间段差过大，容易损伤摩擦辊轮的绒布纤维，导致在对显示区进行摩擦配向时出现摩擦配像不良，引起液晶偏转紊乱的技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法。

[0041] 图2为本发明实施例阵列基板的制备方法流程图，阵列基板包括显示区和非显示区，该方法包括：

[0042] S1：在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层；

[0043] S2：在非显示区形成用于减少标记区域与相邻区域之间的段差的半导体图案；

[0044] S3：形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。

[0045] 其中，第一标记图案可以与位于显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置，并通过一次构图工艺形成；

[0046] 半导体图案可以与位于显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置，并通过一次构图工艺形成。

[0047] 在一个实施例中，半导体图案包括在非显示区的标记区域形成的第一半导体图案。

[0048] 通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，可以包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第一半导体图案。

[0049] 在另一个实施例中，半导体图案包括在标记区域之外的非显示区形成的第二半导体图案。

[0050] 其中，还包括在标记区域形成第二标记图案，第二标记图案可以与位于显示区的薄膜晶体管的源漏电极同层设置，并通过一次构图工艺形成。

[0051] 通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层包括：通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，或完全去除标记区域的第二绝缘层，暴露出标记区域的第二标记图案。

[0052] 本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，通过在非显示区形成半导体图案，并采用构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层，减小了标记区域与相邻区域之间的段差。从而改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤，降低了黑态下摩擦方向上的黑线不良，提升了摩擦配向良率。同时，标记区域与相邻区域之间的段差减小，有利于配向液均匀扩散及液晶的均匀扩散，对由此导致的液晶配向不良等显示异常起到了一定的预防作用，提升了画面品质。

[0053] 本发明实施例中，将半导体图案与薄膜晶体管的有源层同层设置并通过一次构图工艺形成，从而不会增加阵列基板的掩膜次数，具有广泛的应用前景。

[0054] 下面将通过阵列基板的制备过程详细介绍本发明实施例的技术方案。其中，实施例中所说的“构图工艺”包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。

[0055] 本实施例中，“相邻区域”是指，位于非显示区且与标记区域相邻的区域。

[0056] 第一实施例：

[0057] 图3～图6为本发明第一实施例制备阵列基板的示意图。图中虚线左侧示意为显示区，虚线右侧示意为非显示区。

[0058] 第一次构图工艺：在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层，优选地，第一标记图案与显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置，具体包括：在基底上沉积栅金属薄膜，在栅金属薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅电极、栅线和第一标记图案位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶，暴露出栅金属薄膜；对完全曝光区域的栅金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成栅电极11、栅线(图中未示出)和第一标记图案12，栅电极11位于显示区，第一标记图案12位于非显示区的标记区域60；在形成上述图案的基底上沉积第一绝缘层21，如图3所示。其中，基底可以采用玻璃基底或石英基底，栅金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种，栅绝缘薄膜可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合层。

[0059] 第二次构图工艺：在非显示区的标记区域形成第一半导体图案，优选地，第一半导体图案与显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置，具体包括：在第一绝缘层21上沉积有源薄膜，在有源薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在有源层和第一半导体图案位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶，暴露出有源薄膜；对完全曝光区域的有源薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成有源层31和第一半导体图案32，有源层31位于显示区，第一半导体图案32位于非显示区的标记区域60，如图4所示。在这里，第一半导体图案32用于减少标记区域与相邻区域之间的段差。其中，有源薄膜可以是非晶硅、多晶硅或微晶硅材料，也可以是金属氧化物材料，金属氧化物材料可以是铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO)。

[0060] 第三次构图工艺：形成源漏电极，具体包括：在有源层上沉积源/漏金属薄膜，在源/漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在源电极、漏电极和数据线位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶，暴露出源/漏金属薄膜；对完全曝光区域的源/漏金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成源电极41、漏电极42和数据线(图中未示出)，如图5所示。其中，源/漏金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。

[0061] 第四次构图工艺：形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。具体包括：在形成前述图案的基底上沉积绝缘薄膜，并在绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在显示区的过孔位置和非显示区的标记区域形成完全曝光区域，无光刻胶，在其它位置形成未曝光区域，保留光刻胶；刻蚀掉显示区的过孔位置的绝缘薄膜，形成第二绝缘层，并对非显示区的标记区域的第二绝缘层进行刻蚀。对标记区域的第二绝缘层进行刻蚀时，会出现两种不同的结果：

[0062] 第一种结果：当第二绝缘层厚度足够厚时，通过刻蚀标记区域的第二绝缘层，可以使得标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，而不会暴露出标记区域的第一半导体图案32，如图6a所示。由于第一半导体图案32的绝缘性能比较好，所以，虽然标记区域60的第二绝缘层51较薄，但不会影响阵列基板的绝缘性能。

[0063] 第二种结果：当第二绝缘层厚度不太厚时，通过刻蚀标记区域的第二绝缘层，可以完全去除标记区域的第二绝缘层，从而暴露出标记区域的第一半导体图案32，如图6b所示。同样，第一半导体图案32可以保证非显示区的绝缘性能。

[0064] 在第四次构图工艺中，通过对标记区域的第二绝缘层进行刻蚀，减小了标记区域与相邻区域之间的段差，在图6a中，标记区域60与相邻区域之间的段差减小为0，显然小于图1a中段差H1。在图6b中，虽然暴露出了第一半导体图案32，但在通常的制程中，第一半导体图案32的厚度H13要小于第二绝缘层的厚度H12(如图1a所示)，因此，图6b中的标记区域60与相邻区域之间的段差H1’要小于图1a中的段差H1。

[0065] 本发明实施例中，通过在非显示区的标记区域形成第一半导体图案，并刻蚀标记区域的第二绝缘层，使得标记区域与相邻区域之间的段差为0或减小，从而改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤，降低了黑态下摩擦方向上的黑线不良，提升了摩擦配向良率。同时，标记区域与相邻区域之间的段差为0或减小，有利于配向液均匀扩散及液晶的均匀扩散，对由此导致的液晶配向不良等显示异常起到了一定的预防作用，提升了画面品质。

[0066] 本发明实施例制备的阵列基板，包括：

[0067] 设置在基底上的栅电极11和第一标记图案12，第一标记图案12位于非显示区的标记区域60；

[0068] 覆盖栅电极11和第一标记图案12的第一绝缘层21；

[0069] 设置在第一绝缘层21上的有源层31和位于标记区域的第一半导体图案32；

[0070] 设置在有源层上31的源电极41和漏电极42；

[0071] 设置在源电极41和漏电极42上的第二绝缘层51，第二绝缘层51覆盖第一半导体图案32或暴露出第一半导体图案32。

[0072] 第二实施例：

[0073] 第一次构图工艺，在非显示区的标记区域形成第一标记图案，并形成覆盖非显示区的第一绝缘层，优选地，第一标记图案与显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置。如图3所示。本实施例的第一次构图工艺与第一实施例的第一次构图工艺相同，这里不再赘述。

[0074] 第二次构图工艺，在标记区域之外的非显示区形成第二半导体图案，优选地，第二半导体图案与显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置，具体包括：在第一绝缘层21上沉积有源薄膜，在有源薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在有源层、第二半导体图案位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶，暴露出有源薄膜；对完全曝光区域的有源薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成有源层31和位于标记区域之外的非显示区的第二半导体图案33，如图7所示。其中，有源薄膜可以是非晶硅、多晶硅或微晶硅材料，也可以是金属氧化物材料，金属氧化物材料可以是铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO)。

[0075] 第三次构图工艺：形成源电极、漏电极和位于标记区域的第二标记图案。具体包括：在形成前述图案的基底上沉积源/漏金属薄膜，在源/漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，在源电极、漏电极、数据线和第二标记图案位置形成未曝光区域，保留光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，无光刻胶，暴露出源/漏金属薄膜；对完全曝光区域的源/漏金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成源电极41、漏电极42、数据线(图中未示出)和第二标记图案43。如图8所示。其中，源/漏金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。

[0076] 第四次构图工艺：形成覆盖非显示区的第二绝缘层，通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。具体包括：在形成前述图案的基底上沉积绝缘薄膜，并在绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶；采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在显示区的过孔位置和非显示区的标记区域形成完全曝光区域，无光刻胶，在其它位置形成未曝光区域，保留光刻胶；刻蚀掉显示区的过孔位置的绝缘薄膜，形成第二绝缘层，并对非显示区的标记区域的第二绝缘层进行刻蚀。对标记区域的第二绝缘层进行刻蚀时，会出现两种不同的结果：

[0077] 第一种结果：当第二绝缘层厚度足够厚时，通过刻蚀标记区域的第二绝缘层，可以使得标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐，而不会暴露出标记区域的第一标记图案43，如图9a所示。在这里，相邻区域中设置的第二半导体图案33，增加了标记区域及相邻区域的第二绝缘层的厚度，所以不会影响阵列基板的绝缘性能。

[0078] 第二种结果：当第二绝缘层厚度不太厚时，通过刻蚀标记区域的第二绝缘层，可以完全去除标记区域的第二绝缘层，从而暴露出标记区域的第二标记图案43，如图9b所示。同样，相邻区域设置的第二半导体图案33，保证了非显示区的绝缘性能。

[0079] 在第四次构图工艺中，通过对标记区域的第二绝缘层进行刻蚀，减小了标记区域与相邻区域之间的段差，在图9a中，标记区域60与相邻区域之间的段差减小为0，显然小于图1b中段差H2。在图9b中，虽然暴露出了第二标记图案43，但相邻区域设置的第二半导体图案33提高了相邻区域的高度，从而使得标记区域与相邻区域之间的段差约等于第一标记图案12的厚度与第二标记图案43的厚度之和然后减去第二半导体图案的厚度，图9b中标记区域与相邻区域之间的段差约为H11+H14-H13，显然，图9b中的段差H2’小于图1b中的段差H2。

[0080] 本发明实施例中，通过相邻区域设置的第二半导体图案，并刻蚀标记区域的第二绝缘层，使得标记区域与相邻区域之间的段差为0或减小，从而改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤，降低了黑态下摩擦方向上的黑线不良，提升了摩擦配向良率。同时，标记区域与相邻区域之间的段差为0或减小，有利于配向液均匀扩散及液晶的均匀扩散，对由此导致的液晶配向不良等显示异常起到了一定的预防作用，提升了画面品质。

[0081] 本发明实施例制备的阵列基板，包括：

[0082] 设置在基底上的栅电极11和第一标记图案12，第一标记图案12位于非显示区的标记区域60；

[0083] 覆盖栅电极11和第一标记图案12的第一绝缘层21；设置在第一绝缘层21上的有源层31和位于标记区域之外的非显示区的第二半导体图案33；

[0084] 设置在标记区域的第二标记图案43；

[0085] 设置在源电极41和漏电极42上的第二绝缘层51，第二绝缘层51覆盖第二标记图案43或暴露出第二标记图案43。

[0086] 本发明实施例同样适用于形成水平电场模式的阵列基板，在形成水平电场时，在第一标记图案下方还设置有公共电极图案。通常，公共电极图案的厚度在400-500埃，因公共电极图案的厚度较小，因此可以采用与上述实施例相同的方法减小标记区域与相邻区域之间的段差。

[0087] 在实际应用中，非显示区的标记图案还可以是位于第二绝缘层上的过孔图案，基于前述实施例的发明构思，可以在过孔图案的下方设置半导体图案，从而减小过孔图案的深度，使得过孔图案处的段差减小，改善段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤。

[0088] 第三实施例：

[0089] 基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板采用前述实施例的制备方法制备而成。

[0090] 第四实施例：

[0091] 基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括采用前述实施例的阵列基板。显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

[0092] 在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0093] 在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0094] 虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。