导电基板

摘要

提供一种导电基板，其具有：透明基材；金属层，其形成在所述透明基材的至少一个表面上；及黑化层，其形成在所述透明基材的至少一个表面上。所述黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物。所述镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物。

权利要求

1.一种导电基板，具有：透明基材；

金属层，形成在所述透明基材的至少一个表面上；以及黑化层，形成在所述透明基材的至少一个表面上，其中，

所述黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物，所述镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物。

2.根据权利要求1所述的导电基板，其中：通过X射线光电子分光法测定所述黑化层时，就Ni 2p3/2光谱的峰值强度之比而言，在单质镍的峰值强度为100的情况下，镍氧化物的峰值强度为70以上且80以下，镍氢氧化物的峰值强度为65以上。

3.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中：所述金属层含有铜。

4.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中：在所述透明基材的至少一个表面上，从透明基材侧依次形成所述金属层和所述黑化层。

5.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中：在所述透明基材的至少一个表面上，从透明基材侧依次形成所述黑化层、所述金属层以及所述黑化层。

6.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中：所述黑化层的厚度为100nm以下。

7.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中：就所述黑化层而言，波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值为40％以下。

8.根据权利要求1或2所述的导电基板，其中：具备网状配线。

说明书

导电基板

技术领域

[0001] 本发明涉及一种导电基板。

背景技术

[0002] 如专利文献1公开的那样，以前使用了一种触控面板用透明导电薄膜，其中，在高分子薄膜上作为透明导电膜形成了ITO(氧化铟锡)膜。

[0003] 然而，近年来具备触控面板的显示器正趋于大画面化，与此相应地，触控面板用透明导电薄膜等导电基板也需要进行大面积化。但是，由于ITO的电阻值较高，所以存在不能应对导电基板大面积化的问题。

[0004] 为此，例如像专利文献2、3公开的那样，进行了以铜等金属箔取代ITO膜的研讨。但是，例如在取代ITO膜而使用金属箔的情况下，由于金属箔具有金属光泽，所以存在反射会导致显示器的视认性下降的问题。

[0005] 因此，研讨了一种不仅形成了由铜等构成的金属层还形成了由黑色材料构成的黑化层的导电基板。

[0006] 现有技术文献

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献1：日本国特开2003－151358号公报

[0009] 专利文献2：日本国特开2011－018194号公报

[0010] 专利文献3：日本国特开2013－069261号公报

发明内容

[0011] 发明要解决的课题

[0012] 但是，为了作为具有配线图案的导电基板，形成金属层和黑化层后，需要对金属层和黑化层进行蚀刻以形成预期图案，然而，就相对于蚀刻液的反应性而言，金属层和黑化层差异很大。为此，如果要对金属层和黑化层同时进行蚀刻，则存在哪个层都无法蚀刻为目的形状的情况或者存在平面内不能进行均匀蚀刻而导致产生尺寸偏差的情况，所以存在不能同时对金属层和黑化层进行蚀刻的问题。

[0013] 鉴于上述现有技术的问题，在本发明的一方面，以提供一种具备可同时进行蚀刻的金属层和黑化层的导电基板为目的。

[0014] 用于解决课题的手段

[0015] 为了解决上述课题，在本发明的一方面，提供一种导电基板，具有：

[0016] 透明基材；

[0017] 金属层，形成在所述透明基材的至少一个表面上；以及

[0018] 黑化层，形成在所述透明基材的至少一个表面上，

[0019] 所述黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物，

[0020] 所述镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物。

[0021] 发明的效果

[0022] 根据本发明的一方面，能够提供一种具备可同时进行蚀刻的金属层和黑化层的导电基板。

附图说明

[0023] 图1A：本发明实施方式的导电基板的剖面图。

[0024] 图1B：本发明实施方式的导电基板的剖面图。

[0025] 图2A：本发明实施方式的导电基板的剖面图。

[0026] 图2B：本发明实施方式的导电基板的剖面图。

[0027] 图3：本发明实施方式的具备网状配线的导电基板的俯视图。

[0028] 图4A：图3的A－A’线的剖面图。

[0029] 图4B：图3的A－A’线的剖面图。

[0030] 图5：卷对卷(Roll to Roll)溅射装置的说明图。

具体实施方式

[0031] 以下对本发明的导电基板和导电基板的制造方法的实施方式进行说明。

[0032] (导电基板)

[0033] 本实施方式的导电基板可具有：透明基材；形成在透明基材的至少一个表面上的金属层；以及形成在透明基材的至少一个表面上的黑化层。另外，黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物，作为镍化合物可包括镍氧化物和镍氢氧化物。

[0034] 需要说明的是，本实施方式的导电基板包括：在对金属层等进行图案化之前的在透明基材的表面上具有金属层和黑化层的基板；以及对金属层等进行了图案化的基板、即、配线基板。就对金属层和黑化层进行了图案化之后的导电基板而言，透明基材包括没有被金属层等覆盖的区域，所以可使光透过，为透明导电基板。

[0035] 这里，首先在以下对本实施方式的导电基板所包含的各部件进行说明。

[0036] 作为透明基材对其并无特别限定，优选可使用能使可视光透过的绝缘体薄膜、玻璃基板等。

[0037] 作为能使可视光透过的绝缘体薄膜，例如，优选可使用聚酰胺(PA)系薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)系薄膜、环烯烃(cycloolefin)系薄膜、聚酰亚胺(PI)系薄膜、聚碳酸酯(PC)系薄膜等。尤其是作为能使可视光透过的绝缘体薄膜的材料，较好可使用聚酰胺(PA)、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COP(环烯烃聚合物)，PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺、聚碳酸酯等。

[0038] 对透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电基板时所要求的强度、静电容量、光透明率等进行任意选择。作为透明基材的厚度，例如可为10μm以上且200μm以下。尤其是在使用于触控面板的用途的情况下，透明基材的厚度优选为20μm以上且120μm以下，较好为20μm以上且100μm以下。在使用于触控面板的用途的情况下，例如在尤其需要使显示器的整体厚度较薄的用途中，透明基材的厚度优选为20μm以上且50μm以下。

[0039] 透明基材的全光透明率(total light transmittance)较高为佳，例如，全光透明率优选为30％以上，较好为60％以上。通过将透明基材的全光透明率设为上述范围，例如在使用于触控面板的用途的情况下，可充分确保显示器的视认性。

[0040] 需要说明的是，透明基材的全光透明率可通过JIS K 7361－1中规定的方法进行评价。

[0041] 接下来对金属层进行说明。

[0042] 对构成金属层的材料并无特别限定，可选择具有符合用途的导电率的材料，然而，从导电性较佳且容易进行蚀刻处理的角度来看，作为构成金属层的材料优选使用铜。即，金属层优选含有铜。

[0043] 在金属层含有铜的情况下，构成金属层的材料优选为例如包括Cu和从Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中选择的至少1种以上的金属的铜合金、或者为包括铜和从上述金属中选择的1种以上的金属的材料。另外，金属层也可为由铜构成的铜层。

[0044] 对金属层的形成方法并无特别限定，然而，为了不使光透明率下降，优选为采用不在其他部件和金属层之间设置粘接剂的方式形成金属层。即，金属层优选为直接形成在其他部件的上表面。需要说明的是，金属层可形成在黑化层或者透明基材的上表面。为此，金属层优选为直接形成在黑化层或者透明基材的上表面。

[0045] 为了在其他部件的上表面直接形成金属层，金属层优选具有采用干式镀法进行了成膜的金属薄膜层。作为干式镀法，对其并无特别限定，然而例如可采用蒸镀法、溅射法、离子镀法等。尤其从容易对膜厚进行控制的角度来看，优选使用溅射法。

[0046] 另外，在使金属层更厚的情况下，实施干式镀之后可采用湿式镀法进行层叠。具体而言，例如可在透明基材或者黑化层上采用干式镀法形成金属薄膜层，然后将该金属薄膜层作为供电层，并采用作为湿式镀法的一种的电解镀来形成金属镀层。

[0047] 需要说明的是，在如上所述仅采用干式镀法对金属层进行成膜的情况下，金属层可由金属薄膜层构成。另外，在采用干式镀法和湿式镀法的组合的方式形成金属层的情况下，金属层可由金属薄膜层和金属镀层构成。

[0048] 如上所述，通过仅采用干式镀法或者采用干式镀法和湿式镀法的组合的方式形成金属层，可在透明基材或者黑化层上不经由粘接剂直接形成金属层。

[0049] 对金属层的厚度并无特别限定，在金属层作为配线使用的情况下，可根据供给至该配线的电流的大小、配线的宽度等进行任意选择。

[0050] 然而，如果金属层过厚，则为了形成配线图案而进行蚀刻时所需的时间较长，容易产生侧蚀，导致出现难以形成细线等的问题。为此，金属层的厚度优选为5μm以下，较好为3μm以下。

[0051] 另外，尤其从降低导电基板的电阻值并可充分进行电流供给的观点来看，例如，金属层的厚度优选为50nm以上，较好为60nm以上，最好为150nm以上。

[0052] 需要说明的是，在金属层如上所述具有金属薄膜层和金属镀层的情况下，金属薄膜层的厚度和金属镀层的厚度的合计优选为位于上述范围内。

[0053] 在金属层由金属薄膜层构成的情况或者由金属薄膜层和金属镀层构成的情况的任一情况下，对金属薄膜层的厚度也无特别限定，然而优选为例如50nm以上且500nm以下。

[0054] 接下来对黑化层进行说明。

[0055] 金属层具有金属光泽，所以仅在透明基材上通过对金属层进行蚀刻来形成配线时，配线会对光进行反射，例如在作为触控面板用配线基板来使用的情况下，存在显示器的视认性下降的问题。因此，研讨了一种设置黑化层的方法。但是，由于存在金属层和黑化层的相对于蚀刻液的反应性大不相同的情况，如果要对金属层和黑化层同时进行蚀刻，则存在金属层、黑化层都不能被蚀刻为预期形状或者其尺寸发生偏差等的问题。为此，在以前研讨的导电基板中，需要对金属层和黑化层采用不同的步骤进行蚀刻，难以对金属层和黑化层同时、即、采用一个步骤进行蚀刻。

[0056] 因此，本发明的发明人对一种可与金属层同时进行蚀刻的黑化层、即、相对于蚀刻液的反应性较优、在与金属层同时进行蚀刻的情况下也能被图案化为预期形状、且可对尺寸偏差的发生进行抑制的黑化层进行了研讨。还发现，通过使黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物，并使该镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物，黑化层相对于蚀刻液的反应性与金属层的情况基本相同，并完成了本发明。

[0057] 就本实施方式的导电基板的黑化层而言，如上所述，黑化层可含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物，并且作为镍化合物可包括镍氧化物和镍氢氧化物。这里，对黑化层中含有的铜化合物并无特别限定，然而例如可列举出氧化物和/或氢氧化物。为此，黑化层可含有例如单质镍、镍氧化物以及镍氢氧化物，还可含有从单质铜、铜氧化物以及铜氢氧化物中选择的1种以上的物质。

[0058] 通过如上所述使黑化层含有镍氧化物，黑化层可变为能对金属层表面的光反射进行抑制的颜色，并可发挥作为黑化层的功能。尤其通过使其也含有铜化合物，不仅能使其对金属层表面的光反射进行抑制，还能提高其作为黑化层的功能。

[0059] 另外，通过再使其含有镍氢氧化物，还可提高其相对于蚀刻液的反应性，以使其具有与金属层基本相同的相对于蚀刻液的反应性。

[0060] 对黑化层中含有的各成分的比例并无特别限定，可根据导电基板所要求的光反射的抑制程度、相对于蚀刻液的反应性的程度等进行任意选择，并不需要特别限定。然而，经本发明的发明人的研讨可知，从充分提高相对于蚀刻液的反应性的观点来看，例如在对黑化层采用X射线光电子分光法(XPS)进行测定时，优选为在黑化层中含有可被识别为峰值(peak)左右的镍氢氧化物。

[0061] 尤其当对黑化层采用X射线光电子分光法(XPS)进行测定时，就Ni 2p3/2光谱(spectrum)的峰值强度之比而言，在单质镍的峰值强度为100的情况下，优选为，镍氧化物的峰值强度为70以上且80以下，镍氢氧化物的峰值强度为65以上。其目的在于，通过使黑化层以相对于单质镍即金属镍的预定比例来含有镍氧化物和镍氢氧化物，不仅可提高其作为黑化层的对光反射进行抑制的功能，还可提高其相对于蚀刻液的反应性。

[0062] 对黑化层的形成方法并无特别限定，只要是可使其含有上述各成分的形成方法，可选择任意的方法。然而，从可比较容易地对黑化层的成分进行控制以使其含有上述各成分的角度来看，优选使用溅射法。

[0063] 需要说明的是，黑化层优选为不经由粘接剂而直接形成在透明基材、金属层等其他部件的上表面。另外，通过采用干式镀法对黑化层进行成膜，可使黑化层不经由粘接剂而直接形成在其他部件的上表面。为此，从该观点来看，黑化层的成膜方法也优选为溅射法。

[0064] 在采用溅射法对本实施方式的导电基板的黑化层进行成膜的情况下，可使用含有镍和铜的合金靶材。需要说明的是，在黑化层中作为金属成分不含有镍和铜以外的成分的情况下，可使用由镍和铜组成的合金靶材。

[0065] 另外，可在向腔体内供给氧气和水蒸气的同时使用上述靶材并通过溅射法形成黑化层。据此可形成黑化层，其中，作为镍化合物，包括来自供给至腔体内的氧气和靶材中的镍的镍氧化物、以及来自供给至腔体内的水蒸气和靶材中的镍的镍氢氧化物。

[0066] 此时，通过对供给至腔体内的氧气和水蒸气的比例进行选择，可对黑化层中含有的成分的比例进行选择。

[0067] 尤其是为了容易地对供给至黑化层的氧气和水蒸气的量进行调整，优选向腔体内同时进行惰性气体、氧气以及水蒸气的供给，并对各自的分压进行调整。需要说明的是，作为惰性气体对其并无特别限定，可优选使用氩气、氦气。另外，就水蒸气而言，还可作为与惰性气体的混合气体来进行供给。

[0068] 在如上所述对黑化层进行成膜时，对供给至腔体内的惰性气体、氧气以及水蒸气的各气体的供给比例并无特别限定，可根据黑化层的目标成分等进行任意选择。

[0069] 例如，为了使对成膜了的黑化层采用X射线光电子分光法(XPS)进行测定时的Ni 2p3/2光谱的峰值强度之比成为上述较佳的强度比，优选进行预备试验等，以对各气体的供给条件进行选择。

[0070] 对黑化层的厚度并无特别限定，可根据导电基板所要求的对光反射进行抑制的程度等进行任意选择。

[0071] 黑化层的厚度例如优选为20nm以上，较好为30nm以上。黑化层具有对金属层的光反射进行抑制的功能，但在黑化层的厚度较薄的情况下，存在不能充分对金属层的光反射进行抑制的情况。相对于此，通过将黑化层的厚度设为20nm以上，可更确实地对金属层表面的光反射进行抑制，为优选。

[0072] 另外，对黑化层厚度的上限值并无特别限定，但如果过厚，则形成配线时的蚀刻所需的时间变长，会导致成本上升。为此，黑化层的厚度优选为100nm以下，较好为50nm以下。

[0073] 接下来对导电基板的构成例进行说明。

[0074] 如上所述，本实施方式的导电基板可具有透明基材、金属层以及黑化层。此时，对金属层和黑化层的在透明基材上的层叠顺序并无特别限定。另外，金属层和黑化层也可分别形成为多层。然而，为了对金属层表面的光反射进行抑制，黑化层优选配置在金属层表面中的尤其要对光反射进行抑制的面上。在尤其需要对金属层表面的光反射进行抑制的情况下，也可为黑化层被形成在金属层的上表面和下面的层叠结构、即、金属层被黑化层夹着的结构。

[0075] 以下参考图1A、图1B、图2A以及及图2B对具体构成例进行说明。图1A、图1B、图2A以及图2B示出了本实施方式的导电基板的与透明基材、金属层以及黑化层的层叠方向平行的面的剖面图的例子。

[0076] 本实施方式的导电基板例如可具有在透明基材的至少一个表面上从透明基材侧开始依次进行了金属层和黑化层的层叠的结构。

[0077] 具体而言，例如可如图1A所示的导电基板10A那样，在透明基材11的一个表面11a侧按金属层12和黑化层13的顺序进行各为一层的层叠。另外，还可如图1B所示的导电基板10B那样，在透明基材11的一个表面11a侧和另一个表面(其他表面)11b侧分别按金属层
12A、12B和黑化层13A、13B的顺序进行各为一层的层叠。需要说明的是，金属层12(12A、12B)和黑化层13(13A、13B)层叠顺序并不限定于图1A和图1B所示的例子，也可从透明基材11侧开始按黑化层13(13A、13B)和金属层12(12A、12B)的顺序进行层叠。

[0078] 另外，例如还可为在透明基材11的一个表面侧设置了多层黑化层的结构。在此情况下，例如可为在透明基材的至少一个表面上从透明基材侧开始依次形成了黑化层、金属层以及黑化层的结构。

[0079] 具体而言，例如可如图2A所示的导电基板20A那样，在透明基材11的一个表面11a侧依次进行第1黑化层131、金属层12以及第2黑化层132的层叠。

[0080] 在此情况下，也可为在透明基材11的两个表面上都进行了金属层、第1黑化层以及第2黑化层的层叠的结构。具体而言，可如图2B所示的导电基板20B那样，在透明基材11的一个表面11a侧和另一个表面11b侧分别依次进行第1黑化层131A、131B、金属层12A、12B以及第2黑化层132A、132B的层叠。

[0081] 需要说明的是，图1B、图2B中示出的是，在透明基材的两个表面上都进行了金属层和黑化层的层叠的情况下，在透明基材11的上下所层叠了的层为以透明基材11为对称面的对称配置的例子，但并不限定于该形态。例如，在图2B中，也可使透明基材11的一个表面11a侧的结构为与图1A的结构同样地依次进行了金属层12和黑化层13的层叠的形态，由此使透明基材11的上下所层叠了层为非对称结构。

[0082] 至此对本实施方式的导电基板进行了说明，在本实施方式的导电基板中，透明基材上设置了金属层和黑化层，所以可对金属层的光反射进行抑制。

[0083] 对本实施方式的导电基板的光反射程度并无特别限定，然而，例如为了对在作为触控面板用导电基板而使用的情况下的显示器上的配线的视认性进行抑制，黑化层的波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值较低为佳。例如，就黑化层而言，波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值优选为40％以下，较好为30％以下，最好为
20％以下。

[0084] 就反射率的测定而言，可通过向导电基板的黑化层照射光来进行测定。具体而言，例如可如图1A所示那样，在透明基材11的一个表面11a侧依次进行了金属层12和黑化层13的层叠的情况下，对黑化层13的表面A照射光，以将光照射至黑化层13，由此进行测定。另外，可使波长为400nm以上且700nm以下的光例如以波长为1nm的间隔如上所述针对导电基板的黑化层14进行照射，并将所测定的值的平均值作为该黑化层的波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值。

[0085] 本实施方式的导电基板如上所述例如可优选作为触控面板用导电基板来使用。在此情况下，可为导电基板上具备网状配线的结构。

[0086] 具备网状配线的导电基板可通过对至此说明的本实施方式的导电基板的金属层和黑化层进行蚀刻而获得。

[0087] 例如，可采用两层配线作为网状配线。具体构成例子如图3所示。图3是对具备网状配线的导电基板30从金属层和黑化层的层叠方向的上表面侧进行观察的图。图3所示的导电基板30具有透明基材11、与图中Y轴方向平行的多个配线31A以及与X轴方向平行的配线31B。需要说明的是，配线31A、31B是通过对金属层进行蚀刻而形成的，在该配线31A、31B的上表面和/或下表面上还形成了图中未示的黑化层。另外，黑化层被蚀刻为与配线31A、31B相同的形状。

[0088] 对透明基材11和配线31A、31B的配置并无特别限定。透明基材11和配线的配置的构成例子示于图4A、图4B。图4A、图4B为图3的A－A’线的剖面图。

[0089] 首先，如图4A所示，可在透明基材11的上、下表面上分别配置配线31A、31B。需要说明的是，图4A中在配线31A、31B的上表面上还配置了黑化层32A、32B，其形状被蚀刻为与配线相同。

[0090] 另外，如图4B所示，也可使用一组透明基材11，采用对一个透明基材11进行夹持的方式在上、下表面上配置配线31A、31B，并且，一个配线31B可被配置在透明基材11之间。在此情况下，配线31A、31B的上表面也配置了形状被蚀刻为与配线相同的黑化层32A、32B。需要说明的是，如上所述，对黑化层和金属层的配置并无特别限定。为此，无论在图4A和图4B的哪种情况下，黑化层32A、32B和配线31A、31B的配置都可上下颠倒。另外，例如还可设置多层黑化层。

[0091] 然而，黑化层优选为配置在金属层表面中的尤其要对光反射进行抑制的面上。为此，在图4B所示的导电基板中，例如，在需要对来自图中下表面侧的光的反射进行抑制的情况下，优选将黑化层32A、32B的位置和配线31A、31B的位置颠倒。另外，除了黑化层32A、32B之外，还可在配线31A、31B和透明基材11之间分别再设置黑化层。

[0092] 就图3和图4A所示的具备网状配线导电基板而言，例如可根据如图1B所示那样的在透明基材11的两个表面都具备金属层12A、12B和黑化层13A、13B的导电基板来形成。

[0093] 如果以使用图1B的导电基板进行形成的情况为例进行说明，则首先对透明基材11的一个表面11a侧的金属层12A和黑化层13A进行蚀刻，以使与图1B中Y轴方向平行的多个线状图案沿X轴方向按预定的间隔进行配置。需要说明的是，图1B中的X轴方向表示与各层的宽度方向平行的方向。另外，图1B中的Y轴方向表示与图1B中的纸面垂直的方向。

[0094] 接下来，对透明基材11的另一个表面11b侧的金属层12B和黑化层13B进行蚀刻，以使与图1B中X轴方向平行的多个线状图案按预定的间隔沿Y轴方向进行配置。

[0095] 通过以上操作可形成图3和图4A所示的具有网状配线的导电基板。需要说明的是，也可对透明基材11的两个表面同时进行蚀刻。即，也可同时对金属层12A、12B和黑化层13A、13B进行蚀刻。另外，就图4A中的在配线31A、31B和透明基材11之间还具有形状被图案化为与配线31A、31B相同的黑化层的导电基板而言，其可通过使用图2B所示的导电基板并同样地进行蚀刻而制成。

[0096] 图3所示的具有网状配线的导电基板也可通过使用两个图1A或图2A所示的导电基板来形成。如果以使用图1A的导电基板来形成的情况为例进行说明，则首先分别对两个图1A所示的导电基板的金属层12和黑化层13进行蚀刻，以使与X轴方向平行的多个线状图案被配置为沿Y轴方向隔开预定的间隔。之后，再采用将通过上述蚀刻处理在各导电基板上所形成的线状图案相互交叉配置的方式对两个导电基板进行贴合，由此可获得具有网状配线的导电基板。对贴合两个导电基板时的贴合面并无特别限定。例如，通过将层叠了金属层12等的图1A中的表面A与没有层叠金属层12等的图1A中的表面11b进行贴合，可获得图4B所示的结构。

[0097] 需要说明的是，黑化层优选为配置在金属层表面中的尤其要对光反射进行抑制的面上。为此，在图4B所示的导电基板中，在需要对来自图中下表面侧的光的反射进行抑制的情况下，优选将黑化层32A、32B的位置和配线31A、31B的位置颠倒配置。另外，除了黑化层32A、32B之外，还可在配线31A、31B和透明基材11之间再设置黑化层。

[0098] 另外，例如也可通过对透明基材11的没有层叠金属层12等的图1A中的两个表面11b进行贴合，以使剖面为图4A所示的结构。

[0099] 需要说明的是，对图3、图4A以及图4B所示的具有网状配线的导电基板中的配线宽度、配线间的距离并无特别限定，例如，可根据配线中流动的电流量等进行选择。

[0100] 另外，在图3、图4A以及图4B中，尽管示出了通过对直线形状的配线进行组合以形成网状配线(配线图案)的例子，但并不限定于该形态，构成配线图案的配线可为任意形状。例如，为了不与显示器的画像之间产生干涉纹(moiré)，构成网状配线图案的配线的形状可分别为弯曲成锯齿状的线(之字状直线)等的各种形状。

[0101] 就这样的具有由两层配线构成的网状配线的导电基板而言，例如可优选作为投影型静电容量式触控面板的导电基板来使用。

[0102] (导电基板的制造方法)

[0103] 接下来对本实施方式的导电基板的制造方法的构成例进行说明。

[0104] 本实施方式的导电基板的制造方法可具有：

[0105] 在透明基材的至少一个表面侧形成金属层的金属层形成步骤；以及[0106] 在透明基材的至少一个表面侧形成黑化层的黑化层形成步骤。

[0107] 另外，在黑化层形成步骤中，可进行如下黑化层的成膜，即，该黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物，镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物。

[0108] 以下对本实施方式的导电基板的制造方法进行说明。通过本实施方式的导电基板的制造方法，可较佳地制造上述的导电基板。为此，关于以下所说明的部分以外的部分，由于其可为与上述导电基板时相同的结构，所以省略其说明。

[0109] 需要说明的是，如上所述，在本实施方式的导电基板中，对金属层和黑化层在透明基材上被配置时的层叠顺序并无特别限定。另外，也可分别形成多层的金属层和黑化层。为此，对上述金属层形成步骤和黑化层形成步骤的实施顺序、实施次数并无特别限定，可配合所要形成的导电基板的结构在任意时机实施任意次数。

[0110] 以下对各步骤进行说明。

[0111] 首先，对金属层形成步骤进行说明。

[0112] 在金属层形成步骤中，可在透明基材的至少一个表面侧形成金属层。

[0113] 需要说明的是，对供金属层形成步骤或者黑化层形成步骤中所使用的透明基材的种类并无特别限定，然而，如上所述，可优选使用能使可视光透过的树脂基板(树脂薄膜)、玻璃基板等。另外，根据需要，还可进行预先将透明基材切断为任意尺寸的处理等。

[0114] 另外，金属层如上所述优选具有金属薄膜层。另外，金属层也可具有金属薄膜层和金属镀层。为此，金属层形成步骤可具有例如采用干式镀法形成金属薄膜层的步骤。另外，金属层形成步骤还可具有采用干式镀法形成金属薄膜层的步骤、以及将该金属薄膜层作为供电层并采用作为湿式镀法的一种的电镀法来形成金属镀层的步骤。

[0115] 作为在金属薄膜层形成步骤中所使用的干式镀法，对其并无特别限定，例如，可采用蒸镀法、溅射法或者离子镀法等。需要说明的是，作为蒸镀法可优选使用真空蒸镀法。作为在金属薄膜层形成步骤中所使用的干式镀法，尤其从容易对膜厚进行控制的角度来看，采用溅射法更佳。

[0116] 就金属薄膜层而言，例如可使用卷对卷溅射装置较佳地进行成膜。

[0117] 以下以使用卷对卷溅射装置的情况为例，对金属薄膜层形成步骤进行说明。

[0118] 图5示出了卷对卷溅射装置50的构成例。

[0119] 卷对卷溅射装置50具有将其大部分的构成部件都进行了收藏的框体51。

[0120] 框体51内具有用于供给要进行金属薄膜层成膜的基材的卷出辊52、成膜辊(can roll)53、溅射阴极(Cathode)54a～54d、卷取辊55等。另外，在要进行金属薄膜层成膜的基材的搬送路径上，除了上述各辊以外，还可任意地设置导辊、加热器56等。

[0121] 对成膜辊53的结构也无特别限定，然而，优选被构成为，例如在其表面上进行镀硬质铬的处理，在其内部进行从框体51的外部所供给的冷媒或者热媒的循环，以可将温度调整至大致一定。

[0122] 溅射阴极54a～54d优选为磁电管(magnetron)阴极式，并与成膜辊53对向配置。对溅射阴极54a～54d的尺寸并无特别限定，然而，就溅射阴极54a～54d的沿要进行金属薄膜层成膜的基材的宽度方向的尺寸而言，优选为大于要进行金属薄膜层成膜的基材的宽度。

[0123] 要进行金属薄膜层成膜的基材被搬送至作为卷对卷真空成膜装置的卷对卷溅射装置50内，并通过与成膜辊53对向的溅射阴极54a～54d进行金属薄膜层的成膜。

[0124] 在使用卷对卷溅射装置50进行金属薄膜层成膜的情况下，将与所要成膜的成分相对应的靶材安装在溅射阴极54a～54d上。接下来，通过真空泵57a、57b对卷出辊52上设置了用于要进行金属薄膜层成膜的基材的装置内进行真空排气，之后，可采用气体供给单元58将氩气等溅射气体导入框体51内。对气体供给单元58的结构并无特别限定，然而可使用图中未示的气体贮藏罐。另外，还可构成为，在气体贮藏罐和框体51之间，按照气体的种类分别设置质量流量控制器(MFC)581a、581b和阀门582a、582b，以对各气体的向框体51内的供给量进行控制。图5中示出了设置2组质量流量控制器和阀门的例子，然而，对设置数量并无特别限定，可根据所要使用的气体种类数来选择设置数量。在将溅射气体供给至框体51内时，优选对溅射气体的流量以及在真空泵57b和框体51之间所设置的压力调整阀59的开度进行调整，以使装置内例如保持在0.13Pa以上且1.3Pa以下，并实施成膜。

[0125] 在此状态下，可一边从卷出辊52以例如每分钟0.5m～10m的速度对基材进行搬送，一边从与溅射阴极54a～54d连接的溅射用直流电源提供电力以进行溅射放电。据此，可在基材上连续地进行预期的金属薄膜层的成膜。

[0126] 需要说明的是，在卷对卷溅射装置50上，除了上述部件以外还可设置任意的部件。例如，如图5所示，可设置用于对框体51内的真空度进行测定的真空计60a、60b、排气阀61a、
61b等。

[0127] 接下来对金属镀层形成步骤进行说明。对通过湿式镀法实施金属镀层形成步骤的条件、即、电镀处理的条件并无特别限定，可采用常用方法中的各种条件。例如，通过将形成了金属薄膜层的基材供给至具有金属镀液的镀槽，并对电流密度、基材的搬送速度进行控制，可形成金属镀层。

[0128] 接下来对黑化层形成步骤进行说明。

[0129] 黑化层形成步骤如上所述是在透明基材的至少一个表面侧进行黑化层成膜的步骤。对黑化层的成膜手段并无特限定，然而可优选使用溅射法。其原因在于，藉由溅射法，可比较容易地形成含有单质铜和/或铜化合物以及单质镍和镍化合物并且镍化合物为镍氧化物和镍氢氧化物的层。

[0130] 在通过溅射法进行黑化层成膜的情况下，例如可使用上述的卷对卷溅射装置50。由于上面已经对卷对卷溅射装置的结构进行了叙述，所以这里省略其说明。

[0131] 在使用卷对卷溅射装置50进行黑化层成膜的情况下，例如将含有镍和铜的合金靶材安装在溅射阴极54a～54d上。接下来，通过真空泵57a、57b对卷出辊52上设置了要进行黑化层成膜的基材的装置内进行真空排气。

[0132] 之后，通过气体供给单元58将包括氧气和水蒸气的溅射气体导入框体51内。此时，优选对溅射气体的流量以及在真空泵57b和框体51之间所设置的压力调整阀59的开度进行调整，以使装置内保持在例如0.13Pa且以上13Pa以下，并实施成膜。

[0133] 需要说明的是，为了容易地对供给至黑化层的氧气和水蒸气的量进行调整，优选向框体51内同时进行惰性气体、氧气以及水蒸气的供给，并对各自的分压进行调整。所以，溅射气体优选含有惰性气体、氧气以及水蒸气。作为惰性气体，对其并无特别限定，可优选使用氩气、氦气。另外，对水蒸气而言，可作为与惰性气体的混合气体来进行供给。

[0134] 对溅射气体中的氧气和水蒸气的比例并无特别限定，可根据要进行成膜的黑化层的成分等进行选择。

[0135] 例如，就镍氢氧化物而言，在对成膜了的黑化层采用X射线光电子分光法(XPS)进行测定时，黑化层中所包括的镍氢氧化物优选为可被识别为峰值左右。

[0136] 另外，尤其是对成膜了的黑化层通过X射线光电子分光法(XPS)进行测定时，就Ni 2p3/2光谱的峰值强度之比而言，在单质镍的峰值强度为100的情况下，镍氧化物的峰值强度优选为70以上且80以下，镍氢氧化物的峰值强度优选为65以上。为此，优选对各气体的供给量进行调整，以使通过X射线光电子分光法对成膜了的黑化层进行测定的结果为上述结果。

[0137] 另外，在对黑化层进行成膜时，优选事先对气体的供给配管的配置进行调整，以使沿导电基板宽度方向整体上的黑化层中的相对于单质镍的镍氧化物和镍氢氧化物位于例如上述预期的范围。

[0138] 在此状态下，可一边从卷出辊52对基材以例如每分钟0.5m～10m的速度进行搬送，一边采用与溅射阴极54a～54d连接的溅射用直流电源提供电力以进行溅射放电。据此，可在基材上连续地进行预期的黑化层的成膜。

[0139] 另外，通过这里所述的导电基板的制造方法所获得的导电基板还可为具有网状配线的导电基板。在此情况下，除了上述步骤之外，还可具有通过对金属层和黑化层进行蚀刻以形成配线的蚀刻步骤。

[0140] 在该蚀刻步骤中，例如首先在导电基板的最表面形成光阻(resist)，其具有与要通过蚀刻除去的部分相对应的开口部。在图1A所示的导电基板的情况下，可在导电基板上所配置的黑化层13的露出表面A上形成光阻。需要说明的是，对具有与要通过蚀刻除去的部分相对应的开口部的光阻的形成方法并无特别限定，然而，例如可采用光刻(photolithography)法等与现有技术相同的方法来形成。

[0141] 接下来，从光阻的上表面进行蚀刻液的供给，据此可对金属层12和黑化层13进行蚀刻。

[0142] 需要说明的是，如图1B所示，在透明基材11的两个表面都配置了金属层和黑化层的情况下，也可在导电基板的最表面A、B上分别形成具有预定形状的开口部的光阻，并对透明基材11的两个表面上所形成的金属层12A、12B和黑化层13A、13B同时进行蚀刻。

[0143] 另外，就透明基材11的两侧所形成的金属层12A、12B和黑化层13A、13B而言，还可一侧一侧地进行蚀刻处理。即，例如首先对金属层12A和黑化层13A进行蚀刻，之后，再对金属层12B和黑化层13B进行蚀刻。

[0144] 由于本实施方式的形成在导电基板上的黑化层示出了与金属层同样的针对蚀刻液的反应性，所以对蚀刻步骤中所使用的蚀刻液并无特别限定，优选可使用在进行金属层蚀刻时常用的蚀刻液。作为蚀刻液，例如可优选使用氯化铁(ferric chloride)和盐酸的混合水溶液。对蚀刻液中的氯化铁和盐酸的含量并无特别限定，然而，例如氯化铁的含有比例优选为5重量％以上且50重量％以下，较好为10重量％以上且30重量％以下。另外，例如蚀刻液优选含有1重量％以上且50重量％以下的比例的盐酸，较好含有1重量％以上且20重量％以下的比例的盐酸。需要说明的是，剩余部分可为水。

[0145] 蚀刻液可在室温下使用，然而为了提高反应性，优选对其进行加热，例如可加热至40℃以上且50℃以下。

[0146] 由于上面已经对通过上述蚀刻步骤所获得的网状配线的具体形态进行了叙述，所以这里省略其说明。

[0147] 另外，如上所述，在通过将两个如图1A、图2A所示的在透明基材11的一个表面侧具有金属层和黑化层的导电基板贴合在一起以形成具有网状配线的导电基板的情况下，还可设置导电基板贴合步骤。此时，对两个导电基板的贴合方法并无特别限定，例如可使用粘接剂等进行粘接。

[0148] 以上对本实施方式的导电基板和导电基板的制造方法进行了说明。根据该导电基板，黑化层的针对蚀刻液的反应性也较优，金属层和黑化层可具有针对蚀刻液的大致相同的反应性。为此，在对金属层和黑化层同时进行蚀刻处理的情况下，可将金属层和黑化层都图案化为预期形状，并可抑制尺寸不均的发生。所以可同时对金属层和黑化层进行蚀刻。

[0149] 另外，由于黑化层可对金属层的光反射进行抑制，例如在作为触控面板用导电基板的情况下，可对配线表面的光反射进行抑制，并可提高显示器的视认性。

[0150] 实施例

[0151] 以下基于具体的实施例和比较例进行说明，然而本发明并不限定于这些实施例。

[0152] (评价方法)

[0153] 通过如下方法对实施例和比较例中所制作的试料进行了评价。

[0154] (1)基于X射线光电子分光法(XPS)的测定

[0155] 测定是采用X射线光电子分光装置(PHI社制，形式：QuantaSXM)进行的。需要说明的是，X射线源使用了单色化Al(1486.6eV)。

[0156] 如后所述，在以下的各实施例和比较例中，制作了具有图2A所示的结构的导电基板。所以，对图2A中的露出于第2黑化层132的外部的表面132a进行了Ar离子蚀刻，并对自最表面开始的10nm深的内部的Ni 2p3/2光谱进行了测定。根据所获得的光谱，分别计算出了当单质镍即金属镍的峰值高度(强度)为100时的镍氧化物和镍氢氧化物的峰值高度(强度)。

[0157] (2)反射率测定

[0158] 测定中，采用分光光度计(岛津制作所制，形式：UV－2600)并通过入射角为5°的正反射法对黑化层的波长为400nm～700nm的范围的光的反射率的平均值进行了计算。测定时，使上述波长范围内的光以波长为1nm的间隔进行变化和照射，并对各波长的反射率进行测定，然后将其平均值作为黑化层的波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值。

[0159] 在以下的各实施例和比较例中，制作了具有图2A所示的结构的导电基板。为此，针对图2A中的露出于第2黑化层132的外部的表面132a，进行了波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值的测定和计算。需要说明的是，各实施例和比较例中所测定和计算的黑化层的波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值在表1中被表示为反射率。

[0160] (3)蚀刻试验

[0161] 蚀刻试验中使用了由氯化铁为10重量％、盐酸为1重量％以及剩余部分为水所组成的蚀刻液。

[0162] 将各实施例和比较例中所制作的导电基板在没有形成光阻等的条件下于温度为25℃的蚀刻液中浸渍60sec，之后，从蚀刻液中将其取出。接下来，通过水洗，对导电基板上所付着的蚀刻液进行了充分的清洗。

[0163] 对在蚀刻液中进行了浸渍并被进行了水洗后的导电基板进行目视观察，并对透明基材上是否残留了金属层和黑化层进行了观察。

[0164] 在没有残存金属层和黑化层的情况下、即、不能确认到残渣的情况下，表示其为具有可同时进行蚀刻的金属层和黑化层的导电基板。然而，在金属层和黑化层的至少一个残存了的情况下、即、可确认到残渣的情况下，则表示成膜了的金属层和黑化层不能被同时进行蚀刻。

[0165] (试料的制作条件)

[0166] 作为实施例和比较例，在以下所说明的条件下对导电基板进行了制作，并通过上述评价方法进行了评价。

[0167] [实施例1]

[0168] 制作了具有图2A所示结构的导电基板。

[0169] (黑化层形成步骤)

[0170] 首先，将宽度为500mm、厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二酯树脂(PET)制透明基材安放在图5所示的卷对卷溅射装置50的卷出辊52上。需要说明的是，针对作为透明基材而使用的聚对苯二甲酸乙二酯树脂制透明基材，通过JIS K 7361－1中规定的方法对其全光透明率进行了评价，所得的结果为97％。

[0171] 另外，在溅射阴极54a～54d上安装了含有65wt％的镍和35wt％的铜的镍铜合金靶材。

[0172] 接下来，将卷对卷溅射装置50的加热器56加热至100℃，并对透明基材进行加热，以除去基材中含有的水分。

[0173] 接下来，将框体51内排气至1×10－4Pa之后，将氩气、氧气、水蒸气导入框体51内。需要说明的是，就水蒸气而言，是作为室温下含有饱和水分的氩气被导入的。氩气、氧气、含有水分的氩气(氩气·水分的混合气体)按表1所示的供给量被供给至框体51内，并将框体
51内的压力调整为2Pa。

[0174] 接下来，一边从卷出辊52对透明基材以每分钟2m的速度进行搬送，一边通过与溅射阴极54a～54d连接的溅射用直流电源提供电力，以进行溅射放电，由此在透明基材上连续地对黑化层进行成膜。通过该操作，在透明基材上形成了厚度为50nm的第1黑化层131。

[0175] 需要说明的是，进行第1黑化层的成膜时，如上所述使用了镍铜合金的靶材，并在向框体51内导入了氩气、氧气、水蒸气的条件下进行了溅射。为此，第1黑化层可含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物。

[0176] (金属层形成步骤)

[0177] 然后，将进行了第1黑化层的成膜的透明基材设置在卷出辊52上，并将安装在溅射阴极54a～54d上的靶材变更为铜靶材。接下来，将卷对卷溅射装置50的框体51内排气至1×10－4Pa，之后，仅将氩气导入框体51，并将压力调整为0.3Pa，除此之外都与形成第1黑化层时相同，据此，在第1黑化层的上表面作为金属层形成了厚度为200nm的铜层。

[0178] (黑化层形成步骤)

[0179] 接下来，将进行了第1黑化层和金属层的成膜的透明基材置放在卷出辊52上，并在与形成第1黑化层131时相同的条件下，在金属层12的上表面形成了第2黑化层132。

[0180] 针对所制作的导电基板的试料，进行了基于上述X射线光电子分光法(XPS)的测定、反射率的测定以及蚀刻试验的评价。结果示于表1。

[0181] [实施例2～实施例4]

[0182] 形成第1黑化层和第2黑化层时，向框体51内供给的氩气、氧气以及含有水分的氩气(氩气·水分混合气体)的流量为表1所示的值，除此之外都与实施例1同样，据此，进行了导电基板的制作，并进行了评价。

[0183] 结果示于表1。

[0184] [比较例1]

[0185] 形成第1黑化层和第2黑化层时，向框体51内供给的氩气和氧气的流量为表1所示的值，并没有供给含有水分的氩气(氩气·水分混合气体)，除此之外都与实施例1相同，据此，进行了导电基板的制作。另外，对所制作的导电基板也进行了上述的评价。

[0186] 结果示于表1。

[0187]

[0188] 由表1所示的结果可知，在实施例1～实施例4的试料中，通过对黑化层采用X射线光电子分光法进行评价，确认到了单质镍、镍氧化物以及镍氢氧化物的峰值，所以可确认其含有各成分。

[0189] 然而，就比较例1而言，并没有确认到镍氢氧化物的明确的峰值。需要说明的是，就比较例1而言，尽管单质镍的峰值强度为100时的镍氢氧化物的强度为58，但这是镍氢氧化物的峰值位置的XPS测定数据的强度，为基线(base line)的强度。

[0190] 需要说明的是，就实施例1～实施例4而言，如表1所示，可确认到单质镍为100时的氧化镍和氢氧化镍的比例分别为，氧化镍：70以上且80以下，氢氧化镍：65以上。

[0191] 另外，通过对实施例1～实施例4中所制作的导电基板进行蚀刻试验可确认到，不论就哪个试料而言，蚀刻后的PET薄膜上都没有发现黑化层和金属层的残渣。所以可确认到，黑化层也示出了良好的蚀刻性，并且黑化层和金属层可被同时进行蚀刻。

[0192] 另外，在实施例1～实施例4中，黑化层的波长为400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值为40.0％以下，所以可确认到，黑化层充分抑制了金属层表面的光反射。

[0193] 然而，在比较例1的导电基板中，进行蚀刻试验时在PET薄膜上确认到了黑化层的残渣。即，可确认到，比较例1的导电基板上所形成的黑化层的相对于蚀刻液的反应性较低，不能对黑化层和金属层同时进行蚀刻。

[0194] 由以上结果可知，在黑化层含有单质铜和/或铜化合物以及单质镍和镍化合物，并且镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物的情况下，可确认到黑化层具有相对于蚀刻液的良好的反应性。另外，在黑化层含有上述成分的情况下，还可确认到，可同时对黑化层和金属层进行蚀刻。

[0195] 以上基于实施方式和实施例等对导电基板进行了说明，然而，本发明并不限定于上述实施方式和实施例等。在权利要求书记载的本发明的要旨的范围内，还可进行各种各样的变形和变更。

[0196] 本申请主张基于2015年4月28日向日本国专利厅提交的特愿2015－091714号的优先权，并将特愿2015－091714号的全部内容引用于本国际申请。

[0197] 符号说明

[0198] 10A、10B、20A、20B、30 导电基板

[0199] 11 透明基材

[0200] 12、12A、12B 金属层

[0201] 13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B 黑化层[0202] 31A、31B 配线