半导体装置及其制造方法转让专利

申请号 : CN201710516059.X

文献号 : CN107546196B

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发明人 : 岩井裕次宫胁胜巳

摘要 :

本发明涉及半导体装置及其制造方法,涉及适合用作高频电子部件的半导体装置及其制造方法,本发明的目的在于得到一种利用封装树脂进行封装,具有针对电磁波的屏蔽功能,且能够实现小型化的半导体装置及其制造方法。本发明所涉及的半导体装置具有:引线框架,其具有第1端子和用于接地的第2端子;封装树脂,其将所述引线框架覆盖;露出部,其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出;以及导电性材料,其将所述封装树脂的表面覆盖,在所述露出部与所述第2端子接触。