一种变色OLED器件及其制备方法转让专利

申请号 : CN201710760970.5

文献号 : CN107565039B

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发明人 : 于军胜赵聃王子君周殿力

申请人 : 电子科技大学

摘要 :

本发明公开了一种变色OLED器件及其制备方法,属于发光二极管器件技术领域,其目的在于提供了一种变色OLED器件及其制备方法。该器件包括ITO玻璃、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电子型中间层、空穴型中间层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层、阴极电极。该方法为依次在ITO玻璃上蒸镀第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电子型中间层、空穴型中间层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层、阴极电极,形成有机电致发光器件。

权利要求 :

1.一种变色OLED器件,其特征在于,从下往上依次为:ITO玻璃(1)、第一空穴注入层(2)、第一空穴传输层(3)、第一发光层(4)、第一电子传输层(5)、第一电子注入层(6)、电子型中间层(7)、空穴型中间层(8)、第二空穴注入层(9)、第二空穴传输层(10)、第二发光层(11)、第二电子传输层(12)、第二电子注入层(13)、阴极电极(14);电子型中间层(7)为C60,空穴型中间层(8)为CuPc或Rubrene;电子型中间层(7)与第一电子传输层(5)的最低非占据轨道之间的能级差为1.0~3.0电子伏特,并且空穴型中间层(8)与第二空穴传输层(10)的最高占据轨道之间的能级差为0~1.0电子伏特;电子型中间层(7)或空穴型中间层(8)吸收峰所在的波段与第一发光层(4)或第二发光层(11)的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0 nm~100 nm。

2.如权利要求1所述的一种变色OLED器件,其特征在于,第一发光层(4)包括主体材料、客体染料,客体染料的掺杂体积为第一发光层(4)体积的5%~18%;第二发光层(11)包括主体材料、客体染料,客体染料的掺杂体积为第二发光层(11)体积的5%~18%。

3.如权利要求2所述的一种变色OLED器件,其特征在于,主体材料为荧光主体材料或磷光主体材料,客体染料为荧光客体染料或磷光客体染料。

4.如权利要求3所述的一种变色OLED器件,其特征在于,荧光主体材料为8-羟基喹啉铝、9,10-二(萘基-2-yl)蒽或者2-特-丁基-9,10-二(萘基-2-yl)蒽;

磷光主体材料为4,4’-二(咔唑-9-yl)联苯、1,3-二(咔唑-9-yl)-苯、4,4’,4”-三(咔唑-9-yl)三苯胺、1,4-二(三苯甲硅烷基)苯、1,3-二(三苯甲硅烷基)苯或者聚乙烯咔唑;

荧光客体染料为红光染料、绿光染料、蓝光染料或者黄光染料,红光染料为3-(二氰基亚甲基)-5,5-二甲基-1-(二甲基胺基-苯乙烯)环乙烯、4-(二氰亚甲基)-2-特-丁基-6-(1,

1,7,7-四甲基久洛尼定-4-yl-乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-特-丁基-6-(1,1,7,

7-四甲基久洛尼定-9-enyl)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-i-丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-enyl)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、

4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(p-二甲氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃中的一种或多种;绿光染料为8-羟基喹啉铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝、喹吖啶酮,N,N’-二甲基-喹吖啶酮、香豆素6,香豆素、二氟 [6-异亚甲基丙酮-N-(2-(1H)-喹啉甲基-kN)-(6-异亚甲基丙酮-2-喹啉甲基-kN1)] 硼中的一种或多种;蓝光染料为N,N’-二(萘亚甲基-1-yl)-N,N’-二(苯基-联苯胺、4,4’-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1’-联苯、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯、1,4-双 [2-(3-N-乙烷咔唑)乙烯基] 苯、1-4-二- [4-(N,N-二-苯)胺基] 苯乙烯基-苯、苝中的一种或多种;黄光染料为5,6,11,12-四苯基并四苯;

磷光客体染料为Ir、Pt、Os或Re 金属配合物,其中Ir、Pt、Os 和Re 金属配合物分为红光染料、绿光染料、蓝光染料和黄光染料,红光染料为三(1-苯并异喹啉)铱配合物、双(1-苯并异喹啉)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯 [b] 噻吩-2-yl-吡啶)(乙酰丙酮)铱配合物、双-二苯 [f,h] 喹喔啉-N,C2)(乙酰丙酮)、双(2,4-二苯喹喔啉-N,C2’)(乙酰丙酮)铱配合物、二-(2-苯喹啉-N,C2’)(乙酰丙酮)铱配合物、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂配合物的一种或多种;绿光染料为三(2-苯吡啶)铱配合物、双(1,2-二苯-1H-苯咪唑)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯吡啶)(乙酰丙酮)铱配合物、三 [2-(p-甲苯基)吡啶] 铱配合物、双 [3,5-二(2-吡啶)-1,2,4-三唑] 铂配合物、3,5-二(2-吡啶)氯甲苯铂配合物的一种或多种;蓝光染料为双(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯-(2-羧基吡啶))铱配合物、双(2,4-二氟苯吡啶)四(1-吡唑)硼酸铱配合物、三((3,5-二氟-4-苯腈)吡啶)铱配合物、三(N-二苯并呋喃-N’-甲基咪唑)铱配合物、3,5-二((2-吡啶)-1,2,4-三唑)铂配合物的一种或多种;黄光染料为2-(对叔丁基-苯基)-苯并噻唑(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-(9,9-二乙基-9H-芴-2-yl)-1-苯-1H-苯并咪唑-N,C3)(乙酰丙酮)铱配合物或者双(2-甲基联苯甲酰- [f,h] 喹喔啉)(乙酰丙酮)铱配合物的一种或多种。

5.如权利要求1所述的一种变色OLED器件,其特征在于,第一空穴传输层(3)的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物、螺形结构聚合物中的一种或多种的组合;第二空穴传输层(10)的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物、螺形结构聚合物中的一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的一种变色OLED器件,其特征在于,第一电子传输层的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料、有机硫材料中的一种或多种的组合;第二电子传输层的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料、有机硫材料中的一种或多种的组合。

7.一种变色OLED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,清洗并吹干ITO玻璃(1);

步骤二,将ITO玻璃(1)移入真空镀膜室中,并依次在ITO玻璃(1)上蒸镀第一空穴注入层(2)、第一空穴传输层(3)、第一发光层(4)、第一电子传输层(5)、第一电子注入层(6)、电子型中间层(7)、空穴型中间层(8)、第二空穴注入层(9)、第二空穴传输层(10)、第二发光层(11)、第二电子传输层(12)、第二电子注入层(13)、阴极电极(14),形成有机电致发光器件;

所述电子型中间层(7)为C60,所述空穴型中间层(8)为CuPc或Rubrene;电子型中间层(7)与第一电子传输层(5)的最低非占据轨道之间的能级差为1.0~3.0电子伏特,并且空穴型中间层(8)与第二空穴传输层(10)的最高占据轨道之间的能级差为0~1.0电子伏特;电子型中间层(7)或空穴型中间层(8)吸收峰所在的波段与第一发光层(4)或第二发光层(11)的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0 nm~100 nm;

步骤三,将步骤二制备好的器件在手套箱进行封装,手套箱为氮气氛围。

8.如权利要求7所述的一种变色OLED器件的制备方法,其特征在于,第一空穴注入层(2)、第一空穴传输层(3)、第一发光层(4)、第一电子传输层(5)、第一电子注入层(6)、电子型中间层(7)、空穴型中间层(8)、第二空穴注入层(9)、第二空穴传输层(10)、第二发光层(11)、第二电子传输层(12)、第二电子注入层(13)、阴极电极(14)是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB 膜中的一种或者几种方式制备于ITO玻璃(1)上。

说明书 :

一种变色OLED器件及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于发光二极管器件技术领域,涉及一种变色OLED器件。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(OLED)主要采用有机发光小分子以及高分子聚合物作为发光材料,并采用蒸镀或者旋涂的方式制备而成,目前OLED照明产品和OLED显示面板已经量产。在OLED显示面板中,一个像素点通常由三色(红、绿、蓝色)OLED元器件紧密排列更称,通过分别调节三色OLED元器件的发光强度实现彩色显示的功能。颜色可调的有机发光二极管(Color Tunable OLED)可以在单个OLED器件中实现颜色可调的功能,这样不仅可以大大简化制备工艺,特别是可以简化复杂的掩膜版制备,从而降低OLED的制作成本,而且可以最小化像素点从而提高OLED显示屏的分辨率。因此颜色可调OLED器件有望在下一代OLED显示屏中应用。
[0003] 一般来说,在OLED有机材料中,空穴的迁移率是电子迁移率的10-1000倍左右,因而激子复合区域通常在邻近电子传输层一侧的发光层附近,复合区域总宽约30nm,中心处的激子密度最高、并沿两侧激子密度逐步递减。材料的电荷迁移率,是随电压变化而变的,电子的迁移率与空穴的迁移率变化趋势也有很大不同,电子迁移率随电压增加比空穴相应值要快得多,因此在OLED器件中,发光层中的复合区域是随驱动电压增加而从邻近电子传输层一侧向邻近空穴传输层一侧移动的。对多基色层复合发光层结构的白光OLED,当驱动电压增加时,复合区域的中心从一种基色层移到另一基色层,从而不同基色层中的激子数目出现此消彼涨的情况,基色贡献比例发生明显变化,从而发光颜色改变明显。
[0004] 但是现有技术中,颜色可调OLED器件需要在较大的外加电压变化下实现不同颜色的显示,造成器件寿命较短,稳定性不佳等缺点。

发明内容

[0005] 基于以上技术问题,本发明提供了一种变色OLED器件及其制备方法,采用叠层器件的结构,减少串联的发光层所需要的电压,在实现颜色可变的同时提高器件的寿命,并且优化后可实现良好的性能,可以解决现有的颜色可调OLED器件在较大的外加电压变化下实现不同颜色显示造成的器件寿命短,稳定性不佳等缺点问题。
[0006] 为解决以上技术问题,本发明采用的技术方案如下:
[0007] 一种变色OLED器件,从下往上依次为:ITO玻璃、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电子型中间层、空穴型中间层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层、阴极电极。
[0008] 其中,电子型中间层与第一电子传输层的最低非占据轨道之间的能级差为1.0~3.0电子伏特,并且空穴型中间层与第二空穴传输层的最高占据轨道之间的能级差为0~
1.0电子伏特。
[0009] 其中,电子型中间层或空穴型中间层吸收峰所在的波段与第一发光层或第二发光层的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm~100nm。
[0010] 其中,第一发光层包括主体材料、客体染料,客体染料的掺杂体积为第一发光层体积的5%~18%;第二发光层包括主体材料、客体染料,客体染料的掺杂体积为第二发光层体积的5%~18%。
[0011] 其中,主体材料为荧光主体材料或磷光主体材料,客体染料为荧光客体染料或磷光客体染料。
[0012] 其中,荧光主体材料为8-羟基喹啉铝、9,10-二(萘基-2-yl)蒽或者2-特-丁基-9,10-二(萘基-2-yl)蒽;
[0013] 磷光主体材料为4,4’-二(咔唑-9-yl)联苯、1,3-二(咔唑-9-yl)-苯、4,4’,4”-三(咔唑-9-yl)三苯胺、1,4-二(三苯甲硅烷基)苯、1,3-二(三苯甲硅烷基)苯或者聚乙烯咔唑;
[0014] 荧光客体染料为红光染料、绿光染料、蓝光染料或者黄光染料,红光染料为3-(二氰基亚甲基)-5,5-二甲基-1-(二甲基胺基-苯乙烯)环乙烯、4-(二氰亚甲基)-2-特-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-yl-乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-特-丁基-6-(1,
1,7,7-四甲基久洛尼定-9-enyl)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-i-丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-enyl)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(p-二甲氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃中的一种或多种;绿光染料为8-羟基喹啉铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝、喹吖啶酮,N,N’-二甲基-喹吖啶酮、香豆素6,香豆素、二氟[6-异亚甲基丙酮-N-(2-(1H)-喹啉甲基-kN)-(6-异亚甲基丙酮-2-喹啉甲基-kN1)]硼中的一种或多种;蓝光染料为N,N’-二(萘亚甲基-1-yl)-N,N’-二(苯基-联苯胺、4,4’-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1’-联苯、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯、1,4-双[2-(3-N-乙烷咔唑)乙烯基]苯、1-4-二-[4-(N,N-二-苯)胺基]苯乙烯基-苯、苝中的一种或多种;黄光染料为5,6,11,12-四苯基并四苯;
[0015] 磷光客体染料为Ir、Pt、Os或Re金属配合物,其中Ir、Pt、Os和Re金属配合物分为红光染料、绿光染料、蓝光染料和黄光染料,红光染料为三(1-苯并异喹啉)铱配合物、双(1-苯并异喹啉)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯[b]噻吩-2-yl-吡啶)(乙酰丙酮)铱配合物、双-二苯[f,h]喹喔啉-N,C2)(乙酰丙酮)、双(2,4-二苯喹喔啉-N,C2’)(乙酰丙酮)铱配合物、二-(2-苯喹啉-N,C2’)(乙酰丙酮)铱配合物、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂配合物的一种或多种;绿光染料为三(2-苯吡啶)铱配合物、双(1,2-二苯-1H-苯咪唑)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯吡啶)(乙酰丙酮)铱配合物、三[2-(p-甲苯基)吡啶]铱配合物、双[3,5-二(2-吡啶)-1,2,4-三唑]铂配合物、3,5-二(2-吡啶)氯甲苯铂配合物的一种或多种;蓝光染料为双(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯-(2-羧基吡啶))铱配合物、双(2,4-二氟苯吡啶)四(1-吡唑)硼酸铱配合物、三((3,5-二氟-4-苯腈)吡啶)铱配合物、三(N-二苯并呋喃-N’-甲基咪唑)铱配合物、3,5-二((2-吡啶)-1,2,4-三唑)铂配合物的一种或多种;黄光染料为2-(对叔丁基-苯基)-苯并噻唑(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-(9,9-二乙基-9H-芴-2-yl)-1-苯-1H-苯并咪唑-N,C3)(乙酰丙酮)铱配合物或者双(2-甲基联苯甲酰-[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱配合物的一种或多种。
[0016] 其中,第一空穴传输层的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物、螺形结构聚合物中的一种或多种的组合;第二空穴传输层的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物、螺形结构聚合物中的一种或多种的组合。
[0017] 其中,第一电子传输层的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料、有机硫材料中的一种或多种的组合;第二电子传输层的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料、有机硫材料中的一种或多种的组合。
[0018] 一种变色OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
[0019] 步骤一,清洗并吹干ITO玻璃;
[0020] 步骤二,将ITO玻璃移入真空镀膜室中,并依次在ITO玻璃上蒸镀第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电子型中间层、空穴型中间层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层、阴极电极,形成有机电致发光器件;
[0021] 步骤三,将步骤二制备好的器件在手套箱进行封装,手套箱为氮气氛围。
[0022] 在测试时,测试器件的电流-电压-亮度特性曲线,并测试器件的发光光谱特性。
[0023] 其中,第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电子型中间层、空穴型中间层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层、阴极电极是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式制备于ITO玻璃上。
[0024] 综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
[0025] 本发明所提供一种有机电致发光器件及其制备方法,采用电子型中间层和空穴型中间层的组合作为第一发光单元和第二发光单元之间的电荷生成层,在电子型中间层或空穴型中间层吸收峰所在的波段与第一发光层或第二发光层的电致发光发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm~100nm时,由第一发光层或第二发光层电致激发的光可以被电子型中间层或空穴型中间层吸收,并产生光生激子,光生激子在电子型中间层和空穴型中间层的界面处分离成电子和空穴,之后电子和空穴在外加电场的作用下分别注入第一发光单元和第二发光单元。通过利用中间层与两侧传输层能级差的不同,调节驱动电压则可以改变载流子从中间层向两侧发光层的传输能力,从而改变两侧发光层的发光强度,实现变色OLED器件。本研究从结构设计的角度开辟了一条独具特色的途径。本发明提供制备的有机电致发光器件,具有颜色可变,寿命长,亮度高,发光效率高,器件稳定性好等优点。

附图说明

[0026] 图1是本发明的实施例1-5的结构示意图;
[0027] 图2是本发明的实施例1的光谱随电压变化图;
[0028] 图3是本发明实施例1-5的色坐标CIE随电压变化图;
[0029] 图4是本发明实施例1-5中各器件的各项参数;
[0030] 图中标记:1-ITO玻璃、2-第一空穴注入层、3-第一空穴传输层、4-第一发光层、5-第一电子传输层、6-第一电子注入层、7-电子型中间层、8-空穴型中间层、9-第二空穴注入层、10-第二空穴传输层、11-第二发光层、12-第二电子传输层、13-第二电子注入层、14-阴极电极。

具体实施方式

[0031] 下面结合实施例对本发明作进一步的描述,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他所用实施例,都属于本发明的保护范围。
[0032] 一种变色OLED器件,包括ITO玻璃1,ITO玻璃1上从里至外依次附着第一发光单元、电子型中间层7、空穴型中间层8、第二发光单元、阴极电极14;第一发光单元从里至外依次附着第一空穴注入层2、第一空穴传输层3、第一发光层4、第一电子传输层5和第一电子注入层6;第二发光单元从里至外依次附着第二空穴注入层9、第二空穴传输层10、第二发光层11、第二电子传输层13和第二电子注入层。第一发光层4和第二发光层11为颜色不同的发光材料,所述电子型中间层7和空穴型中间层8为有机材料。
[0033] 电子型中间层7与第一电子传输层5的最低非占据轨道(LUMO)之间的能级差(ΔE)为1.0~3.0电子伏特,并且空穴型中间层8与第二空穴传输层10的最高占据轨道(HOMO)之间的能级差为0~1.0电子伏特
[0034] 电子型中间层7或空穴型中间层8吸收峰所在的波段与第一发光层4或第二发光层11的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm~100nm,且在所述波段光的照射下能够产生光生激子。
[0035] 第一发光层4和所述第二发光层11为橙光或红光或蓝光或绿光发光材料。第一发光层4包括主体材料、客体染料,客体染料掺杂在主体材料内,客体染料的掺杂体积为第一发光层4体积的5%~18%;第二发光层11包括主体材料、客体染料,客体染料掺杂在主体材料内,客体染料的掺杂体积为第二发光层11体积的5%~18%。
[0036] 主体材料为荧光主体材料或磷光主体材料,客体染料为荧光客体染料或磷光客体染料。
[0037] 该荧光主体材料为8-羟基喹啉铝、9,10-二(萘基-2-yl)蒽或者2-特-丁基-9,10-二(萘基-2-yl)蒽。
[0038] 该磷光主体材料为4,4’-二(咔唑-9-yl)联苯、1,3-二(咔唑-9-yl)-苯、4,4’,4”-三(咔唑-9-yl)三苯胺、1,4-二(三苯甲硅烷基)苯、1,3-二(三苯甲硅烷基)苯或者聚乙烯咔唑。
[0039] 荧光客体染料为红光染料、绿光染料、蓝光染料或者黄光染料,红光染料为3-(二氰基亚甲基)-5,5-二甲基-1-(二甲基胺基-苯乙烯)环乙烯、4-(二氰亚甲基)-2-特-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-yl-乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-特-丁基-6-(1,
1,7,7-四甲基久洛尼定-9-enyl)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-i-丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-enyl)-4H-吡喃、4-(二氰亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(p-二甲氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃中的一种或多种;绿光染料为8-羟基喹啉铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝、喹吖啶酮,N,N’-二甲基-喹吖啶酮、香豆素6,香豆素、二氟[6-异亚甲基丙酮-N-(2-(1H)-喹啉甲基-kN)-(6-异亚甲基丙酮-2-喹啉甲基-kN1)]硼中的一种或多种;蓝光染料为N,N’-二(萘亚甲基-1-yl)-N,N’-二(苯基-联苯胺、4,4’-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1’-联苯、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯、1,4-双[2-(3-N-乙烷咔唑)乙烯基]苯、1-4-二-[4-(N,N-二-苯)胺基]苯乙烯基-苯、苝中的一种或多种;黄光染料为5,6,11,12-四苯基并四苯。
[0040] 磷光客体染料为Ir、Pt、Os或Re金属配合物,其中Ir、Pt、Os和Re金属配合物分为红光染料、绿光染料、蓝光染料和黄光染料,红光染料为三(1-苯并异喹啉)铱配合物、双(1-苯并异喹啉)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯[b]噻吩-2-yl-吡啶)(乙酰丙酮)铱配合物、双-二苯[f,h]喹喔啉-N,C2)(乙酰丙酮)、双(2,4-二苯喹喔啉-N,C2’)(乙酰丙酮)铱配合物、二-(2-苯喹啉-N,C2’)(乙酰丙酮)铱配合物、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂配合物的一种或多种;绿光染料为三(2-苯吡啶)铱配合物、双(1,2-二苯-1H-苯咪唑)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯吡啶)(乙酰丙酮)铱配合物、三[2-(p-甲苯基)吡啶]铱配合物、双[3,5-二(2-吡啶)-1,2,4-三唑]铂配合物、3,5-二(2-吡啶)氯甲苯铂配合物的一种或多种;蓝光染料为双(3,5-二氟-2-(2-吡啶)苯-(2-羧基吡啶))铱配合物、双(2,4-二氟苯吡啶)四(1-吡唑)硼酸铱配合物、三((3,5-二氟-4-苯腈)吡啶)铱配合物、三(N-二苯并呋喃-N’-甲基咪唑)铱配合物、3,5-二((2-吡啶)-1,2,4-三唑)铂配合物的一种或多种;黄光染料为2-(对叔丁基-苯基)-苯并噻唑(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱配合物、双(2-(9,9-二乙基-9H-芴-2-yl)-1-苯-1H-苯并咪唑-N,C3)(乙酰丙酮)铱配合物或者双(2-甲基联苯甲酰-[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱配合物的一种或多种。
[0041] 第一空穴传输层3的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物、螺形结构聚合物中的一种或多种的组合;第二空穴传输层10的材料为芳香族二胺类化合物、芳香族三胺类化合物、咔唑类化合物、星形三苯胺类化合物、呋喃类化合物、螺形结构化合物、螺形结构聚合物中的一种或多种的组合。
[0042] 第一电子传输层5的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料、有机硫材料中的一种或多种的组合;第二电子传输层13的材料为金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氮杂环化合物、蒽类化合物、有机硅材料、有机硼材料、有机硫材料中的一种或多种的组合。
[0043] 一种变色OLED器件的制备方法,包括以下步骤:
[0044] 步骤一,清洗并吹干ITO玻璃1;
[0045] 步骤二,将ITO玻璃1移入真空镀膜室中,并依次在ITO玻璃1上蒸镀第一空穴注入层2、第一空穴传输层3、第一发光层4、第一电子传输层5、第一电子注入层6、电子型中间层7、空穴型中间层8、第二空穴注入层9、第二空穴传输层10、第二发光层11、第二电子传输层
13、第二电子注入层、阴极电极14,形成有机电致发光器件;
[0046] 步骤三,将步骤二制备好的器件在手套箱进行封装,手套箱为氮气氛围。
[0047] 在测试时,测试器件的电流-电压-亮度特性曲线,并测试器件的发光光谱特性。
[0048] 第一空穴注入层2、第一空穴传输层3、第一发光层4、第一电子传输层5、第一电子注入层6、电子型中间层7、空穴型中间层8、第二空穴注入层9、第二空穴传输层10、第二发光层11、第二电子传输层13、第二电子注入层、阴极电极14是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式制备于ITO玻璃1上。
[0049] 使用物理气相沉积制备的变色OLED器件,援用两种颜色的发光材料(有机染料),并且增加电子型中间层7和空穴型中间层8,其中所述电子型中间层7与第一电子传输层5的最低非占据轨道(LUMO)之间的能级差(ΔE)为1.0~3.0电子伏特,并且空穴型中间层8与第二空穴传输层10的最高占据轨道(HOMO)之间的能级差为0~1.0电子伏特,并且所述电子型中间层7或空穴型中间层8吸收峰所在的波段与第一发光层4或第二发光层11的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm~100nm。选用的两种颜色的有机染料也就确定了可调色彩的范围,可调节颜色范围一般在色坐标CIE 1931图中两种颜色路径上,其调色机理是因为电子型中间层7和空穴型中间层8的组合作为第一发光单元和第二发光单元之间的电荷生成层,在电子型中间层7或空穴型中间层8吸收峰所在的波段与第一发光层4或第二发光层11的电致发光发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm~100nm时,由第一发光层4或第二发光层11电致激发的光可以被电子型中间层7或空穴型中间层8吸收,并产生光生激子,光生激子在电子型中间层7和空穴型中间层8的界面处分离成电子和空穴,之后分离的电子和空穴在外加电场的作用下分别注入第一发光单元和第二发光单元,通过改变第一发光层4和第二发光层11中点载流子的平衡,实现两个发光层相对发光强度的改变,实现了变色OLED器件在较小的电压变化下颜色改变。本发明可通过使用任意两种不同颜色的发光材料,使用一组与两侧载流子传输层能级差不同且吸收峰所在的波段与第一发光层4或第二发光层
11的电致发光光谱峰值的波段之间的差值在0nm~100nm的有机材料分别作为电子型中间层7和空穴型中间层8,即可实现颜色可调OLED器件的制备,且寿命长,重复性高、性能稳定、性能高。
[0050] 实施例1
[0051] 如图1所示,器件结构中的第一空穴注入层2和第二空穴注入层9为MoO3(三氧化钼),第一空穴传输层3和第二空穴传输层10为NPB(C44H32N2),第一发光层4的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为Ir(piq)2(acac)(C35H27N2O2Ir),第一电子传输层5和第二电子传输层13为Bphen(4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲,第一电子注入层6和第二电子注入层为LiF(氟化锂),电子型中间层7为C60(富勒烯),空穴型中间层8为CuPc(酞菁铜),第二发光层11的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为FIrpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱),阴极电极14为铝。整个器件结构描述为:
[0052] 玻璃衬底/ITO/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:5%Ir(piq)2(acac)(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/C60(5nm)/CuPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:10%FIrpic(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)
[0053] 制备方法如下:
[0054] 步骤一,用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对透明导电基片ITO(氧化铟锡)玻璃进行超声清洗,清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层,ITO膜的方块电阻为10Ω/sq,膜厚为180nm。
[0055] 步骤二,将清洗后的ITO玻璃1用紫外臭氧处理15分钟。
[0056] 步骤三,将处理后的透明衬底传入真空度为10-4Pa的有机蒸镀室,按照器件结构依次蒸镀各功能层和金属电极。其中,金属电极为Al,厚度为150nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控。
[0057] 步骤四,将做好的器件传送到手套箱进行封装,手套箱为99.9%氮气氛围。
[0058] 在测试时,测试器件的电流-电压-亮度特性曲线,并测试器件的发光光谱特性。
[0059] 实施例1制作的为器件A。
[0060] 实施例2
[0061] 如图1所示,器件结构中的第一发光层44的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为FIrpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱),第二发光层1111的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为Ir(piq)2(acac)(C35H27N2O2Ir)。整个器件结构描述为:
[0062] 玻璃衬底/ITO/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:10%FIrpic(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/C60(5nm)/CuPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:5%Ir(piq)2(acac)(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)
[0063] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0064] 实施例2制作的为器件B。
[0065] 实施例3
[0066] 如图1所示,器件结构中的第一发光层4的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为FIrpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱),第二发光层11的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为DCJTB(4-二氰甲烯基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃)。整个器件结构描述为:
[0067] 玻璃衬底/ITO/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:8%FIrpic(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/C60(5nm)/CuPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:5%DCJTB(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)
[0068] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0069] 实施例3制作的为器件C。
[0070] 实施例4
[0071] 如图1所示,器件结构中的第一发光层4的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为DCJTB(4-二氰甲烯基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃),第二发光层11的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为FIrpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱)。整个器件结构描述为:
[0072] 玻璃衬底/ITO/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:5%DCJTB(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/C60(5nm)/CuPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:8%FIrpic(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)
[0073] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0074] 实施例4制作的为器件D。
[0075] 实施例5
[0076] 如图1所示,器件结构中的第一发光层4的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为Ir(piq)2(acac)(C35H27N2O2Ir),第二发光层11的主体材料为CBP(C36H24N2),客体染料为FIrpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱),电子型中间层7为C60(富勒烯),空穴型中间层8为Rubrene(红荧烯)。整个器件结构描述为:
[0077] 玻璃衬底/ITO/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:8%Ir(piq)2(acac)(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/C60(5nm)/Rubrene(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(30nm)/CBP:5%FIrpic(30nm)/BPhen(40nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)
[0078] 器件的制备流程与实施例1相似。
[0079] 实施例5制作的为器件E。
[0080] 如上所述即为本发明的实施例。前文所述为本发明的各个优选实施例,各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提,各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用,所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述发明人的发明验证过程,并非用以限制本发明的专利保护范围,本发明的专利保护范围仍然以其权利要求书为准,凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化,同理均应包含在本发明的保护范围内。