本发明公开了一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法及装置，其方法包括以下步骤：将气相二氧化硅加入到脱酸炉内，对靠近出料口处的所述脱酸炉内的不同区域进行实时监测，并按照所述脱酸炉内监测到的温度不同，进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和所述无料区的温度之间的区域为虚料区；分别对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测；通过控制所述料位的高度，来调整所述实料区、虚料区和无料区内的温度，来达到所述料位的平衡。本发明通过直接采用了对脱酸炉内的不同区域的温度的实时监测，不但可以精确的调整料位的平衡，而且还能满足生产工艺要求与产品质量的稳定。
1.一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，包括以下步骤：
将气相二氧化硅加入到脱酸炉内，对靠近出料口处的所述脱酸炉内的不同区域进行实时监测，并按照所述脱酸炉内监测到的温度不同，进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和所述无料区的温度之间的区域为虚料区；
分别对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测；
通过控制所述料位的高度，来调整所述实料区、虚料区和无料区内的温度，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃，来达到所述料位的平衡；
其中,在对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测时，通过反复的对所述脱酸炉内加料或出料的控制，来记录所述脱酸炉内所述实料区和无料区的温度变化，并分别记录所述实料区和无料区的温度在变化中的最高温度和最低温度，其中，最高温度为所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，最低温度为所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
将实时监测到的实料区、虚料区和无料区内的温度与所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断所述料位的高度是否在料位平衡位置，并向所述脱酸炉内加料或减料，进而调整所述料位的位置，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～
2.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，当所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止加料和加快出料，来降低所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度下降。
3.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，当所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止出料和快速加料，来提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。
4.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，当所述实料区和虚料区内的温度的数值均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，通过停止加料和缓慢出料，来缓慢降低所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度降低。
5.根据权利要求1所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，其特征在于，所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，通过停止出料和缓慢加料，来缓慢提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。
6.一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡装置，其特征在于，包括：温度显示装置、设置在脱酸炉内的多个与温度显示装置相连接的温度传感器、以及与所述温度传感器相连接的区域划分模块，所述区域划分模块通过接收到所述温度传感器对靠近出料口处的所述脱酸炉内的不同区域进行实时监测的温度信息，对所述脱酸炉内进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和所述无料区的温度之间的区域为虚料区；
所述温度显示装置用于对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测，所述温度显示装置与PLC控制器相连接，所述PLC控制器与所述脱酸炉的进料管和出料口的开关相连接，所述PLC控制器用于控制所述进料管和出料口的开关，进而控制所述脱酸炉内的料位高度，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃；
其中,所述温度显示装置上设置有温差计算模块和指令模块，
所述温差计算模块与所述实料区、虚料区和无料区内的温度传感器相连接，用于计算和显示所述实料区与所述虚料区之间温差、以及所述虚料区与所述无料区之间的温差；
所述指令模块与所述PLC控制器和所述温差计算模块相连接，用于接收所述温差计算模块的计算结果，并在所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃时，向所述PLC控制器发送控制所述进料管和出料口的开关进行关闭的指令；
所述温差计算模块还包括存储模块和料位分析控制模块，
所述存储模块用于记录所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
所述料位分析控制模块与所述PLC控制器、温度传感器和存储模块相连接，用于接收所述实料区、虚料区和无料区内的温度传感器的温度信息，并将接收到的实料区、虚料区和无料区内的温度信息与所述存储模块所记录的所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断所述料位的高度是否在料位平衡位置，并将加料或减料信息发送给所述PLC控制器。
7.根据权利要求6所述的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡装置，其特征在于，所述料位分析控制模块包括与所述PLC控制器相连接的第一出料控制模块、第一加料控制模块、第二出料控制模块和第二加料控制模块，所述第一出料控制模块用于在所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，发送停止加料和加快出料信号给所述PLC控制器，来降低所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度下降；
所述第一加料控制模块用于在所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，发送停止出料和加快加料信号给所述PLC控制器，来提高所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度升高；
所述第二出料控制模块用于在所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，发送停止加料和缓慢出料信号给所述PLC控制器，来缓慢降低所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度降低；
所述第二加料控制模块用于所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，发送停止出料和缓慢加料信号给所述PLC控制器，来缓慢提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。
控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法及装置
技术领域
[0001] 本发明涉及气相法二氧化硅生产技术领域，具体涉及一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法及装置。
背景技术
[0002] 气相法二氧化硅(气相白碳黑)是极其重要的高科技超微细无机新材料之一，由于其粒径很小，因此比表面积大，表面吸附力强，表面能大，化学纯度高、分散性能好、热阻、电阻等方面具有特异的性能，以其优越的稳定性、补强性、增稠性和触变性，在众多学科及领域内独具特性，有着不可取代的作用。
[0003] 目前，在气相二氧化硅生产工艺过程中，脱酸炉是主要的生产设备之一，该设备的运行效率高低不但决定着气相二氧化硅的主要指标PH值控制是否平稳，而且其尾气跑料也影响着气相二氧化硅的收率、生产装置能否平稳运行及副产收酸质量；因此，脱酸炉料位控制平稳与否在工艺过程中显得非常重要。而一般在气相二氧化硅生产过程中，通常是通过视镜、尾气温度的变化、炉头开孔来观察控制沸腾炉内的料位。但是，由于视镜的材质与气相二氧化硅属同种物质，因此会发生相似相容进而溶解，导致视镜的透明度而失效；而尾气温度容易受环境的变化带来一定的影响，因此，通过尾气温度的变化来判断炉内的料位的准确率较低；通过炉头开孔来直接观察，会瞬间打破生产运行的平衡，进而影响喷嘴入炉反应速度，直接影响产品粒径形成的波动，即影响着产品命脉质量。因此，一种在脱酸炉的料位观察控制方法亟待解决。
发明内容
[0004] 针对上述现有技术存在的不足之处，本发明提供了一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法及装置。
[0005] 本发明的技术方案提供了一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法，包括以下步骤：
[0006] 将气相二氧化硅加入到脱酸炉内，对靠近出料口处的所述脱酸炉内的不同区域进行实时监测，并按照所述脱酸炉内监测到的温度不同，进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和所述无料区的温度之间的区域为虚料区；
[0007] 分别对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测；
[0008] 通过控制所述料位的高度，来调整所述实料区、虚料区和无料区内的温度，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃，来达到所述料位的平衡。
[0009] 进一步的，还包括：在对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测时，通过反复的对所述脱酸炉内加料/出料的控制，来记录所述脱酸炉内所述实料区和无料区的温度变化，并分别记录所述实料区和无料区的温度在变化中的最高温度和最低温度，其中，最高温度为所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，最低温度为所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
[0010] 将实时监测到的实料区、虚料区和无料区内的温度与所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断所述料位的高度是否在料位平衡位置，并向所述脱酸炉内加料/减料，进而调整所述料位的位置，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃。
[0011] 进一步的，当所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止加料和加快出料，来降低所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度下降。
[0012] 进一步的，当所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止出料和快速加料，来提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。
[0013] 进一步的，当所述实料区和虚料区内的温度的数值均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，通过停止加料和缓慢出料，来缓慢降低所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度降低。
[0014] 进一步的，所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，通过停止出料和缓慢加料，来缓慢提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。
[0015] 本发明的技术方案还提供了一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡装置，温度显示装置、设置在脱酸炉内的多个与温度显示装置相连接的温度传感器、以及与所述温度传感器相连接的区域划分模块，
[0016] 所述区域划分模块通过接收到所述温度传感器对靠近出料口处的所述脱酸炉内的不同区域进行实时监测的温度信息，对所述脱酸炉内进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和所述无料区的温度之间的区域为虚料区；
[0017] 所述温度显示装置用于对所述实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测，所述温度显示装置与PLC控制器相连接，所述PLC控制器与所述脱酸炉的进料管和出料口的开关相连接，所述PLC控制器用于控制所述进料管和出料口的开关，进而控制所述脱酸炉内的料位高度，使所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃。
[0018] 进一步的，所述温度显示装置上设置有温差计算模块和指令模块，[0019] 所述温差计算模块与所述实料区、虚料区和无料区内的温度传感器相连接，用于计算和显示所述实料区与所述虚料区之间温差、以及所述虚料区与所述无料区之间的温差；
[0020] 所述指令模块与所述PLC控制器和所述温差计算模块相连接，用于接收所述温差计算模块的计算结果，并在所述实料区与所述虚料区之间温差为250～350℃、所述虚料区与所述无料区之间的温差为500～600℃时，向所述PLC控制器发送控制所述进料管和出料口的开关进行关闭的指令。
[0021] 进一步的，所述温差计算模块还包括存储模块和料位分析控制模块，[0022] 所述存储模块用于记录所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
[0023] 所述料位分析控制模块与所述PLC控制器、温度传感器和存储模块相连接，用于接收所述实料区、虚料区和无料区内的温度传感器的温度信息，并将接收到的实料区、虚料区和无料区内的温度信息与所述存储模块所记录的所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断所述料位的高度是否在料位平衡位置，并将加料/减料信息发送给所述PLC控制器。
[0024] 进一步的，所述料位分析控制模块包括与所述PLC控制器相连接的第一出料控制模块、第一加料控制模块、第二出料控制模块和第二加料控制模块，
[0025] 所述第一出料控制模块用于在所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，发送停止加料和加快出料信号给所述PLC控制器，来降低所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度下降；
[0026] 所述第一加料控制模块用于在所述实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，发送停止出料和加快加料信号给所述PLC控制器，来提高所述料位的高度，使所述虚料区和所述无料区的温度升高；
[0027] 所述第二出料控制模块用于在所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，发送停止加料和缓慢出料信号给所述PLC控制器，来缓慢降低所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度降低；
[0028] 所述第二加料控制模块用于所述实料区和虚料区内的温度均接近在所述脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于所述无料区的温度时，发送缓慢加料信号给所述PLC控制器，来缓慢提高所述料位的高度，使所述实料区和所述虚料区的温度升高。
[0029] 本发明提供的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法及装置，通过对脱酸炉内的实料区、虚料区及无料区内的温度的实时监测，通过调整脱酸炉内的料位高低，使实料区与虚料区之间温差为250～350℃、虚料区与无料区之间的温差为500～600℃，进而使料位平衡；总之，本发明通过直接采用了对脱酸炉内的不同区域的温度的实时监测，不但可以精确的调整料位的平衡，而且还能满足生产工艺要求与产品质量的稳定。
附图说明
[0030] 图1为本发明示例性实施例的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法的流程图；
[0031] 图2为本发明示例性实施例的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡装置的结构示意图；
[0032] 图3为本发明示例性实施例的一种温度显示装置的模块的示意图；
[0033] 图4为本发明示例性实施例的温差计算模块的示意图；
[0034] 图5为本发明示例性实施例的料位分析控制模块的示意图。
[0035] 图中：1-出料口，2-无料区，3-虚料区，4-实料区。
具体实施方式
[0036] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0037] 因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038] 图1为根据本发明的一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡方法的一个实施例的流程图，包括以下步骤：
[0039] 步骤S101，将气相二氧化硅加入到脱酸炉内，对靠近出料口处的脱酸炉内的不同区域进行实时监测，并按照脱酸炉内监测到的温度不同，进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区，温度最低的区域为无料区，温度在所述实料区和无料区的温度之间的区域为虚料区；
[0040] 步骤S102，分别对实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测；
[0041] 步骤S103，通过控制料位的高度，来调整实料区、虚料区和无料区内的温度，使实料区与虚料区之间温差为250～350℃、虚料区与无料区之间的温差为500～600℃，来达到料位的平衡。
[0042] 在一个实施例中，还包括：在对实料区、虚料区和无料区内的温度进行实时监测时，通过反复的对脱酸炉内加料/出料的控制，来记录脱酸炉内实料区和无料区的温度变化，并分别记录实料区和无料区的温度在变化中的最高温度和最低温度，其中，最高温度为脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，最低温度为脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
[0043] 将实时监测到的实料区、虚料区和无料区内的温度与脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断料位的高度是否在料位平衡位置，并向脱酸炉内加料/减料，进而调整料位的位置，使实料区与虚料区之间温差为250～350℃、虚料区与无料区之间的温差为500～600℃。
[0044] 在一个实施例中，当实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止加料和加快出料，来降低料位的高度，使虚料区和无料区的温度下降。因为在实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，说明料位极高，因此需及时调整加大出料量。
[0045] 在一个实施例中，当实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，通过停止出料和快速加料，来提高料位的高度，使实料区和虚料区的温度升高。因为当实料区、虚料区和无料区内的温度均接近在脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，说明料位过低，尾气正在流向合格产品，应停止出料，并进行快速加料。
[0046] 在一个实施例中，当实料区和虚料区内的温度的数值均接近在脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于无料区的温度时，通过停止加料和缓慢出料，来缓慢降低料位的高度，使实料区和虚料区的温度降低。因为当实料区和虚料区内的温度的数值均接近在脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于无料区的温度时，说明料位偏高需要微调整，因此需要通过停止加料和缓慢出料，来缓慢降低料位的高度。
[0047] 在一个实施例中，当实料区和虚料区内的温度均接近在脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于无料区的温度时，通过停止出料和缓慢加料，来缓慢提高料位的高度，使实料区和所述虚料区的温度升高。因为当实料区和虚料区内的温度均接近在脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于无料区的温度时，说明料位偏低需要微调整，因此来缓慢提高料位的高度，使实料区和虚料区的温度升高。
[0048] 如图2所示，本发明提供一种控制气相二氧化硅生产过程中的料位平衡装置，包括：温度显示装置、设置在脱酸炉内的多个与温度显示装置相连接的温度传感器、以及与温度传感器相连接的区域划分模块，
[0049] 区域划分模块通过接收到温度传感器对靠近出料口1处的脱酸炉内的不同区域进行实时监测的温度信息，对脱酸炉内进行水平区域划分，即温度最高的区域为实料区4，温度最低的区域为无料区2，温度在实料区4和无料区2的温度之间的区域为虚料区3；
[0050] 温度显示装置用于对实料区4、虚料区3和无料区2内的温度进行实时监测，温度显示装置与PLC控制器相连接，PLC控制器与脱酸炉的进料管和出料口1的开关相连接，PLC控制器用于控制进料管和出料口1的开关，进而控制脱酸炉内的料位高度，使实料区4与虚料区3之间温差为250～350℃、虚料区3与无料区2之间的温差为500～600℃。
[0051] 在一个实施例中，如图3所示，温度显示装置上设置有温差计算模块101和指令模块102，
[0052] 温差计算模块101与实料区4、虚料区3和无料区2内的温度传感器相连接，用于计算和显示实料区4与虚料区3之间温差、以及虚料区3与无料区2之间的温差；
[0053] 指令模块102与PLC控制器和温差计算模块101相连接，用于接收温差计算模块101的计算结果，并在实料区4与虚料区3之间温差为250～350℃、虚料区3与无料区2之间的温差为500～600℃时，向PLC控制器发送控制进料管和出料口1的开关进行关闭的指令。
[0054] 在一个实施例中，如图4所示，温差计算模块101还包括存储模块1011和料位分析控制模块1012，
[0055] 存储模块1011用于记录脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
[0056] 料位分析控制模块1012与PLC控制器、温度传感器和存储模块1101相连接，用于接收实料区4、虚料区3和无料区2内的温度传感器的温度信息，并将接收到的实料区4、虚料区3和无料区2内的温度信息与存储模块1011所记录的脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度、以及无气相二氧化硅区域的常态温度进行对比分析，判断料位的高度是否在料位平衡位置，并将加料/减料信息发送给PLC控制器。
[0057] 其中，存储模块1011记录在反复的对脱酸炉内加料/出料的控制的情况下的实料区4和无料区2内的温度变化，并分别记录实料区4和无料区2的温度在变化中的最高温度和最低温度，其中，最高温度为脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，最低温度为脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度；
[0058] 在一个实施例中，如图5所示，料位分析控制模块1012包括与PLC控制器相连接的第一出料控制模块10121、第一加料控制模块10122、第二出料控制模块10123和第二加料控制模块10124，
[0059] 第一出料控制模块10121用于在实料区4、虚料区3和无料区2内的温度均接近在脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度时，发送停止加料和加快出料信号给PLC控制器，来降低料位的高度，使虚料区3和无料区2的温度下降；
[0060] 第一加料控制模块10122用于在实料区4、虚料区3和无料区2内的温度均接近在脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度时，发送停止出料和加快加料信号给PLC控制器，来提高料位的高度，使虚料区3和无料区2的温度升高；
[0061] 第二出料控制模块10123用于在实料区4和虚料区3内的温度均接近在脱酸炉内纯气相二氧化硅区域的常态温度，并高于无料区2的温度时，发送停止加料和缓慢出料信号给PLC控制器，来缓慢降低料位的高度，使实料区4和虚料区3的温度降低；
[0062] 第二加料控制模块10124用于实料区4和虚料区3内的温度均接近在脱酸炉内无气相二氧化硅区域的常态温度，并高于无料区2的温度时，发送缓慢加料信号给PLC控制器，来缓慢提高料位的高度，使实料区4和虚料区3的温度升高。
[0063] 以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
