半导体制程方法

摘要

本发明公开了一种用以形成半导体结构及存储器单元的半导体制程方法，包括于基底布植第一深井区及第二深井区；于该第一深井区设置一组第一隔离区、一组第一井区及一组第三井区，以形成一组第一通道区及一组第四通道区，及于该第二深井区设置一组第二隔离区及第二井区，以形成第二通道区及第三通道区；使用第一光罩以使光阻遮盖该组第一通道区及该第二通道区，露出该组第四通道区的至少一第四通道区及该第三通道区；及执行屬於第一型半导体的掺杂以同步提升露出的该至少一第四通道区及该第三通道区的掺杂浓度。