具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备

摘要

提出一种具有多个可彼此分开运行的像素(1a，1b，1c)的显示设备(1)，所述显示设备包括用于产生电磁辐射的半导体层序列(3)。半导体层序列(3)具有第一半导体层(31)、有源层(33)和第二半导体层(35)。显示设备(1)还包括用于接触第一半导体层(31)的第一接触结构(51)和用于接触第二半导体层(35)的第二接触结构(55)。第一接触结构(51)具有可彼此分开运行的第一接触部(51a，51b，5c)，所述第一接触部分别横向无中断地沿着第一半导体层(31)延伸。第一接触部(51a，51b，51c)分别借助其轮廓对像素(1a，1b，1c)横向限界。半导体层序列(3)和第一接触结构(51)具有至少一个关于相应的像素(1a，1b，1c)横向邻接的凹部(7a，7b)，所述凹部穿过第一接触结构(51)、第一半导体层(31)和有源层(33)延伸到第二半导体层(35)中。第二接触结构(55)具有第二接触部(55a，55b)，所述第二接触部从半导体层序列(3)的朝向第一接触结构(51)的一侧延伸穿过至少一个凹部(7a，7b)。

权利要求

1.一种具有多个能彼此分开运行的像素(1a，1b，1c)的显示设备(1)，所述显示设备包括：-用于产生电磁辐射的半导体层序列(3)，所述半导体层序列具有第一半导体层(31)、有源层(33)和第二半导体层(35)，-用于接触所述第一半导体层(31)的第一接触结构(51)和用于接触所述第二半导体层(35)的第二接触结构(55)，其中-所述第一接触结构(51)具有能彼此分开运行的第一接触部(51a，51b，51c)，所述第一接触部分别横向无中断地沿着所述第一半导体层(31)延伸，并且分别借助其轮廓对像素(1a，1b，1c)横向限界，-所述半导体层序列(3)和所述第一接触结构(51)具有至少一个关于相应的像素(1a，

1b，1c)横向邻接的凹部(7a，7b)，所述凹部穿过所述第一接触结构(51)、所述第一半导体层(31)和所述有源层(33)延伸进入到所述第二半导体层(35)中，和-所述第二接触结构(55)具有第二接触部(55a，55b)，所述第二接触部从所述半导体层序列(3)的朝向所述第一接触结构(51)的一侧延伸穿过至少一个所述凹部(7a，7b)。

2.根据权利要求1所述的显示设备(1)，

其中所述第一接触部和第二接触部(51a，51b，51c，55a，55b)分别与所述第一半导体层和第二半导体层(31，35)直接接触。

3.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中多个第二接触部(55a，55b)与至少一个所述像素(1a，1b，1c)相关联，所述第二接触部冗余地接触相应的所述像素(1a，1b，1c)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述第二接触部(55a，55b)中的至少一个第二接触部横向地邻接于多个相邻的像素(1a，1b，1c)设置，并且构成用于接触多个相邻的所述像素(1a，1b，1c)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述像素(1a，1b，1c)横向网格状分离地设置，其中所述第二接触部(55a，55b)中的至少一个第二接触部设置在网格(100)的节点(100x)上。

6.根据权利要求5所述的显示设备(1)，

其中在所述网格(100)的每个节点(100x)上设置有所述第二接触部(55a，55b)中的一个第二接触部。

7.根据权利要求5所述的显示设备(1)，

其中在所述网格(100)的每第二个横向依次的节点(100x)上设置有所述第二接触部(55a，55b)中的一个第二接触部。

8.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述第二接触部(55a，55b)中与下述像素(1a，1b，1c)相关联的至少一个第二接触部平行地以沿着边缘区域(10c)延伸的方式构成，该像素邻接于所述显示设备(1)的横向的边缘区域(10c)。

9.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中与像素(1a，1b，1c)相关联的第二接触部(55a，55b)的横向延伸分别与同相应的像素(1a，1b，1c)相关联的第二接触部(55a，55b)的数量相关。

10.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述第二接触部(55a，55b)中的与下述像素(1a，1b，1c)相关联的至少一个第二接触部具有预设的间距，相应的第二接触部(55a，55b)以所述间距朝向所述显示设备(1)的横向内部错开地设置，该像素邻接于所述显示设备(1)的横向的边缘区域(10c)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述第二接触部(55a，55b)中的至少一个第二接触部的横向延伸圆形地构成。

12.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述第二接触部(55a，55b)中的至少一个第二接触部横向地包围像素(1a，1b，

1c)。

13.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，其中所述第二接触结构(55)网格形地构成。

说明书

具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备

技术领域

[0001] 提出一种显示设备。

背景技术

发明内容

[0002] 目的是提出一种显示设备，所述显示设备允许显示设备的尤其可靠的、有效的运行。

[0003] 提出一种显示设备。显示设备尤其包括多个可彼此分开运行的像素，所述显示设备包括用于产生电磁辐射的半导体层序列。半导体层序列例如具有第一半导体层、有源层和第二半导体层。显示设备例如能够为发光二极管，尤其为薄膜发光二极管，所述发光二极管不具有用于半导体层序列的生长衬底。

[0004] 显示设备沿竖直方向在第一主平面和第二主平面之间延伸，其中竖直方向能够横向于或垂直于第一和/或第二主平面伸展。主平面例如能够为在显示设备的顶面和底面上的主延伸平面。显示设备沿横向方向、即例如至少局部地平行于主平面面状扩展并且沿竖直方向具有如下厚度，所述厚度小于显示设备沿横向方向的最大延伸。

[0005] 例如，半导体层序序列、尤其有源层包含III-V族化合物半导体材料。III-V族化合物半导体材料尤其适合于在紫外光谱范围中(AlxInyGa1-x-yN)经由可见光谱范围(尤其对于蓝色至绿色辐射为AlxInyGa1-x-yN，或尤其对于黄色至红色辐射为AlxInyGa1-x-yP)直至到红外光谱范围(AlxInyGa1-x-yAs)中产生辐射。在此分别适用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，尤其x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。此外，借助尤其出自上述材料体系的III-V族半导体材料，在辐射产生时能够实现高的内部量子效率。

[0006] 有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。第一半导体层和第二半导体层适当地具有彼此不同的导电类型。尤其地，第一半导体层能够是p掺杂的半导体层，并且第二半导体层能够是n掺杂的半导体层。

[0007] 在制造显示设备时，像素优选从共同的半导体层序列中产生。与相应的像素相关联的半导体层、即半导体层序列的形成像素的横向区域能够关于其材料组成和其层厚度方面除了制造引起的波动之外与同显示设备的另一像素相关联的半导体层相同。

[0008] 例如，显示设备具有载体。载体例如能够具有多个开关，所述开关分别为了控制至少一个像素而与相应的像素相关联。载体例如能够机械地稳定半导体层序列。

[0009] 第一主平面例如位于半导体层序列的背离载体的一侧上。相应地，第二主平面例如位于载体的背离半导体层序列的一侧上。

[0010] 在至少一个实施方式中，显示设备包括用于接触第一半导体层的第一接触结构。此外，显示设备包括用于接触第二半导体层的第二接触结构。

[0011] 第一接触结构示例性地设置在半导体层序列和载体之间。第一接触结构尤其与第一半导体层导电连接。借助于第一接触结构可从第二主平面起电接触第一半导体层。

[0012] 例如，第一接触结构由金属层或金属层堆构成。优选地，第一接触结构具有光学镜作用。例如，第一接触结构由如Al、Ag、Au或Rh的材料构成或者具有这种材料。尤其地，第一接触结构的层厚度在50nm和500nm之间。

[0013] 附加地或替选地，在半导体层序列和金属层或金属层堆之间引入透明导电氧化物(TCO)。例如，所述透明导电氧化物由如ITO、SnO、ZnO的材料构成或者具有这种材料。尤其地，这种层的层厚度小于100nm。

[0014] 附加地，在透明导电氧化物层和金属层或金属层堆之间能够设置有电介质或介电的层堆。示例性地，所述电介质或介电的层堆由SiO2构成或具有SiO2。尤其地，其层厚度在100nm和1000nm之间。电介质或介电的层堆例如能够具有凹部，尤其是分隔开的。因此，透明导电氧化物层和金属层或金属层堆之间存在导电连接。

[0015] 第二接触结构例如同样设置在载体和半导体层序列之间。第二接触结构尤其与第二半导体层导电连接。借助于第二接触结构，可从第二主平面起电接触第二半导体层。

[0016] 第一接触结构和/或第二接触结构或其至少一个子层例如构成为是反射性的，尤其关于在显示设备运行时产生的辐射是反射性的。

[0017] 在至少一个实施方式中，第一接触结构具有可彼此分开运行的第一接触部。第一接触部分别横向无中断地沿着第一半导体层延伸。第一接触部借助其轮廓分别对像素横向限界。

[0018] 在此上下文中，例如能够分别将开关与第一接触部相关联，以控制至少一个像素。尤其，第一接触部与相应的开关电连接。第一接触部分别彼此分开地电接触第一半导体层。
在显示设备沿竖直方向的俯视图中，各一个第一接触部的横向轮廓分别对一个像素限界。
换言之，像素的横向延伸通过相应的第一接触部的横向延伸形成。第一接触部尤其与各一个像素相关联，尤其一一对应地相关联，以控制像素。

[0019] 在至少一个实施方式中，半导体层序列和第一接触结构具有至少一个关于相应的像素横向邻接的凹部。至少一个凹部穿过第一接触结构、第一半导体层和有源层延伸进入到第二半导体层中。

[0020] 尤其地，至少一个凹部从第二主平面横向地或垂直地朝向第一主平面延伸。至少一个凹部在此尤其中断第一接触结构。例如，借助于至少一个凹部，分别横向依次的第一接触部彼此电分离。至少一个凹部沿横向方向在显示设备的俯视图中尤其在各个像素之间的光学分离的区域中延伸。光学分离尤其为各个像素的横向分离，所述横向分离例如能够通过观察者在显示设备的俯视图中直接察觉和/或通过适当的放大可测量和/或至少间接地例如以提高的锐度印象 能够通过观察者在俯视图中察觉。

[0021] 在至少一个实施方式中，第二接触结构具有第二接触部。第二接触部从半导体层序列的朝向第一接触结构的一侧延伸穿过至少一个凹部。

[0022] 第二接触部分别电接触第二半导体层。在此，第二接触部尤其能够以显示设备的共同的电极的方式彼此电连接。

[0023] 第二接触部尤其与第一半导体层电绝缘。在此上下文中，显示设备能够具有分离结构，所述分离结构将第二接触部与第一接触部和/或第一半导体层电分离。例如，分离结构对至少一个凹部对此横向限界。例如，第二接触部完全地填充通过分离结构横向限界的至少一个凹部。对此替选地，第二接触部覆盖分离结构，并且在至少一个凹部的端面处覆盖第二半导体层，因此尤其不完全地填充相应的凹部。

[0024] 第二半导体层借助于第二接触部的接触在显示设备的俯视图中尤其在各个像素之间的光学分离的区域中延伸。像素之间的光学分离因此尤其能够与第二半导体层的接触组合。例如，在此上下文中，分离结构能够构成为是反射的，尤其关于在显示设备运行时产生的辐射是反射性的。分离结构例如由部分地或完全地透明的电介质构成，例如由氧化硅和/或氮化硅和/或氧化铝构成。例如，因此反射能够角度相关地以在电介质上全反射的方式直接发生，或者在第二接触结构的关于在运行中产生的辐射的光路位于下游的金属层上发生。第二接触结构对此有利地由高反射性的材料构成，例如银。

[0025] 在至少一个实施方式中，具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备包括用于产生电磁辐射的半导体层序列。半导体层序列具有第一半导体层、有源层和第二半导体层。

[0026] 显示设备还包括用于接触第一半导体层的第一接触结构和用于接触第二半导体层的第二接触结构。第一接触结构具有可彼此分开运行的第一接触部，所述第一接触部分别横向无中断地沿着第一半导体层延伸。第一接触部分别借助其轮廓对像素横向限界。

[0027] 半导体层序列和第一接触结构具有至少一个关于相应的像素横向邻接的凹部，所述凹部穿过第一接触结构、第一半导体层和有源层延伸进入到第二半导体层中。第二接触结构具有第二接触部，所述第二接触部从半导体层序列的朝向第一接触结构的一侧延伸穿过至少一个凹部。

[0028] 这能够实现显示设备的尤其有利的横向面积利用，其中在第一接触结构和第一半导体层的各个像素之间的分离沟槽用作为第二半导体层的过孔。显示设备的进行辐射的面与不进行辐射的面的比值因此能够尤其高地保持，使得有助于显示设备的高的效率。此外，通过横向边缘区域中的接触，关于各个像素能够实现相应的像素的无中断的发光图像。尤其，在此能够避免在像素之内的接触引起的感觉为暗的部位。此外，能够实现像素的冗余的接触，使得有助于显示设备的可靠性。

[0029] 在至少一个实施方式中，第一和第二接触部分别与第一和第二半导体层直接接触。第一和第二接触部尤其直接地电接触相应的半导体层。例如，第一接触部和第一半导体层横向面状地直接彼此邻接。例如，第二接触部穿过相应的凹部延伸进入到第二半导体层中。

[0030] 在至少一个实施方式中，多个第二接触部与至少一个像素相关联，所述第二接触部冗余地接触相应的像素。多个第二接触部尤其横向邻接于至少一个像素。至少一个像素的运行通过经由多个与像素相关联的第二接触部和相应的第一接触部对半导体层序列的通电来进行。

[0031] 通过将第二接触部设置在像素的横向边缘区域中，能够将多个冗余的第二接触部与唯一的像素相关联。因此能够尤其简单地补偿多个第二接触部中的一个第二接触部的失效。这有助于在制造显示设备时的高的产率以及其高的失效安全性。

[0032] 在至少一个实施方式中，第二接触部中的至少一个横向邻接于多个相邻的像素设置，并且构成用于接触多个相邻的像素。换言之，至少一个第二接触部分别与多个相邻的像素相关联。有利地，借助于唯一的接触部因此能够运行多个像素。用于接触像素的面积需要因此保持得小，使得有助于显示设备的进行辐射的面与不进行辐射的面的高的比值。

[0033] 在至少一个实施方式中，像素横向网格状地分离地设置。像素在此例如以行和横向于行或垂直于行设置的列设置，其中行和列分别由分离接片分离。横向分离的分离接片在此同样沿着行和横向行或垂直行设置的列伸展。横向分离在此形成网格，所述网格例如在分离接片的交叉点处包围网格点或网格的节点。像素换言之关于网格尤其设置在网格的通过分离接片形成的中间空间。即像素在显示设备的俯视图中光学分离地设置。第二接触部中的至少一个设置在网格的节点上。

[0034] 例如，像素能够根据规则的多角网格的类型分离地设置。像素的横向分离在此不一定必须沿着直线伸展的线进行。更确切地说，通过横向分离也能够形成具有至少局部弯曲或弯折的侧部的像素。例如，像素能够察觉为圆形的点。有利地，简化网格形分离设置的像素的操控。此外，形状、图像或符号借助于显示设备的显示能够精确地且灵活地进行。

[0035] 在至少一个实施方式中，在网格的每个节点上设置有第二接触部中的一个。有利地，相应的第二接触部因此设置在像素之间的光学分离接片中，使得显示设备的进行辐射的面能够无中断地并且以最大尺寸保持。尤其地，相应的第二接触部在设置时以对应于网格的节点的方式横向地邻接于多个像素，例如在规则的矩形网格中邻接于四个像素。这能够实现，借助仅一个相应的第二接触部运行尤其高数量的相邻的像素。

[0036] 在至少一个实施方式中，各一个第二接触部设置在两个关于各一个列和/或关于各一个行相邻的节点之间。因此，例如各两个像素与相应的第二接触部相关联。

[0037] 在至少一个实施方式中，在网格的每第二个横向依次的节点上设置有第二接触部中的一个。有利地，显示设备能够在不具有冗余的第二接触部的情况下运行，使得能够实现显示设备的尤其高的面积利用。与此不同地，同样能够考虑的是，在网格的每第x个横向依次的节点上设置有第二接触部中的一个，其中x能够是任意自然数。换言之，节点的不同于1和0.5的分数能够用第二接触部占据。

[0038] 在至少一个实施方式中，第二接触部中的至少一个与邻接于显示设备的横向边缘区域的像素相关联的第二接触部以平行地沿着边缘区域延伸的方式构成。这有助于显示设备的均匀的轮廓和在制造显示设备时的工艺可靠性。例如，在此能够避免显示设备的机械薄弱部位，尤其关于分割工艺的机械薄弱部位。示例性地，相应的第二接触部与显示设备的横向的边缘区域齐平连接，使得在过渡区域中沿着显示设备的边缘围绕相应的第二接触部形成基本上平坦的面，在所述面中不示出相应的第二接触部的结构。与此不同地，相应的第二接触部至少设置成，使得在所述过渡区域中形成至少一个无棱边的面。

[0039] 在至少一个实施方式中，与像素相关联的第二接触部的横向延伸分别与同相应的像素关联的第二接触部的数量相关。第二接触部的横向延伸在此能够在形状上和在大小上变化。与相应的像素相关联的第二接触部尤其横向邻接于相邻的像素。相应的像素的运行通过经由与像素相关联的第二接触部以及相应的第一接触部的通电进行。

[0040] 第二接触部的横向延伸的调整能够实现显示设备的尤其均匀的发光图像。例如，各个像素的亮度通过穿过各相关联的第一和第二接触部的电流通量影响。穿过接触部的电流通量在此尤其与相应的接触部的横截面积相关。

[0041] 示例性地，与像素相关联的第二接触部的数量与显示设备的其他像素相比能够减少，使得通过将与像素相关联的第二接触部相比于与显示设备的其他像素相关联的第二接触部同时增大的方式，用于运行像素的整流电流通量基本上是相等的，并且实现像素的统一的亮度。

[0042] 在至少一个实施方式中，第二接触部中的与像素相关联的至少一个第二接触部具有预设的间距，相应的第二接触部以所述间距与显示设备的横向内部错开地设置，其中所述像素邻接于显示设备的横向的边缘区域。例如，相应的第二接触部朝显示设备的内部横向错开地设置成，使得相应的第二接触部与边缘齐平连接，或者关于沿着显示设备的边缘围绕相应的第二接触部的过渡区域方面减少或避免相应的第二接触部的至少一个横向的超出部。相应的第二接触部在此例如能够设置在上述网格上，然而关于网格的节点横向错开。有利地，因此在制造显示设备时有助于高的工艺可靠性。

[0043] 在至少一个实施方式中，第二接触部中的至少一个的横向延伸圆形地构成。有利地，因此能够实现对与至少一个圆形构成的第二接触部相关联的像素的尤其均匀的通电。

[0044] 在至少一个实施方式中，相应的第二接触部的横向延伸能够沿竖直方向改变。尤其地，相应的第二接触部和/或相应的凹部能够锥形地或锥状地构成。例如，相应的凹部和/或相应的第二接触部的横向延伸朝向第二主平面增大。与相应的第二接触部相关联的像素的横向限界于是例如是漏斗形的，使得有助于在相应的像素的区域中产生的辐射的尤其有利的放射特性。

[0045] 在至少一个实施方式中，第二接触部中的至少一个横向地包围像素。有利地，能够实现朝流向横向包围的像素的尤其均匀的电流通量。这有助于在像素的区域中的均匀产生的辐射，尤其关于像素的可察觉的亮度方面均匀产生的辐射。

[0046] 在至少一个实施方式中，第二接触结构网格形地构成。有利地，这能够为实现尤其像素的简单的、冗余的接触以及均匀的通电。

附图说明

[0047] 其他特征、设计方案和适当方案从下面结合附图对实施例的描述中得出。

[0048] 附图示出：

[0049] 图1示出具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备的第一实施例的示意示出的横向剖面图，

[0050] 图2示出根据图1的显示设备的第二实施例的示意示出的横向剖面图，和[0051] 图3至10示出根据图1的显示设备的第三至十实施例的示意示出的俯视图。

[0052] 相同的、相同类型的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小关系不视作为是按照比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出个别元件和尤其层厚度。

具体实施方式

[0053] 在图1中示出显示设备1的第一实施例，所述显示设备具有多个可彼此分开运行的像素1a、1b、1c。显示设备1沿横向方向例如延伸经过示出的局部图，如这通过像素1a、1c的虚线表明。

[0054] 显示设备1包括半导体层序列3，所述半导体层序列具有第一半导体层31、设为用于产生辐射的有源层33以及第二半导体层35。显示设备1沿竖直方向在第一主平面10a和第二主平面10b之间延伸。第一主平面10a在此尤其能够形成显示设备1的辐射出射面。

[0055] 有源层33在此设置在第一半导体层31和第二半导体层35之间，其中两个半导体层31、35的导电类型不同。第一半导体层31尤其构成为是p型传导的，并且第二半导体层35构成为是n型传导的。

[0056] 第一接触结构51直接面状邻接于第一半导体层31延伸，所述第一接触结构能够实现电接触第一半导体层31。第一接触结构51在此由多个竖直地延伸穿过显示设备1的凹部7a、7b中断。尤其地，第一接触结构51分成多个第一接触部51a、51b、51c，所述第一接触部彼此电分离。第一接触部51a、51b、51c的横向延伸对应于像素1a、1b、1c的横向延伸。

[0057] 第一接触部51a、51b、51c从显示设备1的第二主平面10b起电接触第一半导体层31并且能够实现对像素1a、1b、1c彼此分开地通电。换言之，第一接触部51a、51b、51c中的各一个分别与像素1a、1b、1c中的一个相关联，以单独运行相应的像素1a、1b、1c。

[0058] 凹部7a、7b在此设置在像素1a、1b、1c之间的相应的光学分离接片7x的区域中，尤其设置在分离接片7x之内。与相应的像素1a、1b、1c相关联的第一接触部51a、51b、51c因此面状地无中断地构成。

[0059] 凹部7a、7b沿竖直方向从第一接触结构51继续延伸穿过第一半导体层31以及有源层33。如在图1中示出，凹部7a、7b还能够延伸进入到第二半导体层35中。凹部7a、7b在此通过电绝缘的分离结构53相对于半导体层序列3以及第一接触结构51横向地限界。分离结构53还在横向方向上在朝向第二主平面10b的一侧上沿着第一接触结构51延伸。

[0060] 第二接触结构55同样在横向方向上在朝向第二主平面10b的一侧上沿着分离结构53延伸。第二接触结构55在此例如借助于分离结构53与第一接触结构51电分离。第二接触结构55在此形成第二接触部55a、55b，所述第二接触部朝向第二半导体层35延伸进入到凹部7a、7b中。

[0061] 第二接触部55a、55b从显示设备1的第二主平面10b起接触第二半导体层35，并且能够实现对像素1a、1b、1c的通电。第二接触部55a、55b在此尤其能够彼此电连接。例如，第二接触结构55于是形成显示设备1的像素1a、1b、1c的共同的电极。

[0062] 第二电极55a、55b中的各一个在此能够分别与像素1a、1b、1c中的一个相关联，以运行相应的像素1a、1b、1c。此外，第二接触部55a、55b中的各一个也能够分别与多于一个的像素1a、1b、1c相关联，以运行相应的像素1a、1b、1c。此外，各多于一个的第二接触部55a、55b也能够分别与各一个和/或各多于一个的像素1a、1b、1c相关联，以运行一个相应的像素
1a、1b、1c或多个相应的像素1a、1b、1c。与在图1中示出的横向的剖面图不同地，第二接触结构55的分离通过分离结构53示例性地在纸面中进行。在显示设备1的垂直于纸面的另一横向的剖面中，第二接触结构55例如连续地连接。换言之，第二接触结构55的在图1中示出的横向分离例如仅在纸面的区域中存在，但是在俯视图中所述部位不是分离部，而是仅是局部留空部，所述局部留空部用于朝向载体的方向穿引相应的像素1a、1b、1c的相应的接触部
55a、55b。

[0063] 根据第一实施例的显示设备1的第二实施例在图2中示出。与第一实施例相反地，显示设备1附加地具有载体9。载体9例如能够用于机械稳定显示设备1。替选地或附加地，载体9能够用于电接触显示设备1。

[0064] 例如，载体9对此包括另一分离结构91，所述另一分离结构将第一接触结构51和第二接触结构55彼此电分离。载体还包括可彼此分开运行的开关93a、93b、93c，所述开关分别与第一接触部51a、51b、51c中的一个电连接。

[0065] 根据图3至10示出根据上述实施例之一的显示设备1的第三至第十实施例的俯视图。为了简化视图，在纸面中示出多个竖直的剖平面。尤其地，示出第一接触结构51和第二接触结构55的布置，其中第一接触部51a、51b、51c和第二接触部55a、55b的数量、形状、大小以及位置在下面的实施例中有所不同。

[0066] 在第三实施例(参见图3)中，像素1a、1b、1c网格形地彼此分开地设置。在此，像素1a、1b、1c在其横向延伸中基本上对应于第一接触部51a、51b、51c。网格100例如为规则的网格，尤其为规则的矩形网格。

[0067] 网格包括节点100x，在所述节点中网格100的行和列分别交叉。网格的行和列在此尤其形成各个像素1a、1b、1c之间的光学分离接片7x。在节点100x上分别设置有第二接触部55a、55b中的一个。为了运行相应的像素1a、1b、1c，将四个邻接的第二接触部55a、55b与相应的像素1a、1b、1c相关联，所述第二接触部能够实现在相应的像素1a、1b、1c的区域中对第二半导体层35(参见图1)进行冗余通电。通电关于相应的像素1a、1b、1c从全部四侧均匀地进行，使得能够实现像素1a、1b、1c的均匀的发光密度分布。

[0068] 在此，四个邻接的像素1a、1b、1c还与各一个第二接触部55a、55b相关联，使得虽然在相应的像素1a、1b、1c的区域中对第二半导体层35冗余地通电，而不需要附加的第二接触部55a、55b。有利地，第二接触部55a、55b的横向面积需要因此保持得小。通过将第二接触部55a、55b设置在像素1a、1b、1c之间的光学分离接片7x的区域中，还有助于显示设备1的尤其高的进行辐射的面。

[0069] 第一接触部51a、51b、51c例如构成为是反射的。第一接触部51a、51b、51c于是也能够称作为“接触镜”或“镜面”。在该实施例中，第一接触部51a、51b、51c例如构成为是矩形的。

[0070] 第二接触部55a、55b例如在横向延伸中圆形地构成，使得第二半导体层35在各邻接的像素1a、1b、1c的区域中均匀地通电。

[0071] 在第四实施例(参见图4)中，像素1a、1b、1c同样网格状彼此分开地设置。凹部7a、7b的横向延伸在第一接触部51a、51b、51c的区域中的尺寸设计得大至，使得第一接触部
51a、51b、51c的横向延伸与第三实施例相比减小。这能够实现第二接触部55a、55b的尤其大的横向延伸，使得在运行第二接触部55a、55b时能够将电流密度保持得小。进行辐射的面积由于第一接触部55a、55b的横向延伸减小造成的损失在此有利地与第二半导体层35的关于相应的像素1a、1b、1c居中地设置的接触部相比是小的。第一接触部51a、51b、51c在该上下文中能够在其横向的边缘区域处具有留空部，尤其圆弧形的留空部。

[0072] 第五实施例与之前的实施例三和四的区别在于第二接触部55a、55b的数量。在该实施例中，仅将两个第二接触部55a、55b与每个像素1a、1b、1c相关联。与此不同地，与每个像素1a、1b、1c相关联的第二接触部55a、55b的数量还能够不同。例如，仅一个第二接触部55a、55b能够与每个像素1a、1b、1c相关联。对此，例如仅在每隔一行和每隔一列的节点上设置有第二接触部55a、55b。有利地，在与不用第二接触部55a、55b占据的节点100x相关联的相应的第一接触部51a、51b、51c中，取消圆弧形的留空部(参见第四实施例)，使得与相应的像素1a、1b、1c相关联的发射面最大化。

[0073] 在第六实施例(参见图6)中，留空部7a、7b例如形成共同的凹部，所述共同的凹部连贯地延伸到半导体层序列3中。示例性地，所述凹部刻蚀到半导体层序列3中。第二接触部55a、55b在所述凹部中例如形成连贯的第二接触结构55，所述第二接触结构横向地包围相应的像素1a、1b、1c

[0074] 在第七实施例(参见图7)中,示出显示设备1的横向的边缘区域10c。与前面的实施例三至六相反地，仅两个第二接触部55a、55b与邻接于横向的边缘区域10c的像素1a、1b、1c相关联，或者在显示设备1a的横向的角中仅一个第二接触部55a、55b与所述像素相关联。由于第二接触部55a、55b的机械敏感性，所述装置以减小的失效风险能够实现在边缘区域10c中简化地分离显示设备1。

[0075] 在第八实施例(参见图8)中，与第七实施例相反地，在显示设备1的横向的边缘区域10c中，第二接触部55a、55b平行于横向的边缘区域10c构成。例如，第二接触部55a、55b也能够形成显示设备1的连贯的框架。这能够实现显示设备1在边缘区域10c中的简化的分离，以及还有像素1a、1b、1c在横向的边缘区域10c中的均匀的通电以及均匀的亮度。

[0076] 在第九实施例(参见图9)中，与前面的实施例七和八相反地，在显示设备1的横向的边缘区域10c中，第二接触部55a、55b朝向显示设备1的内部横向错开地设置。有利地，因此，例如通过将第二接触部55a、55b从分离棱边移开，在维持相应的像素1a、1b、1c的尽可能均匀的通电的情况下，提高分离过程中的失效可靠性。

[0077] 在第十实施例(参见图10)中，与第七实施例相反，第二接触部55a、55b的横向延伸的形状和大小不同，所述第二接触部与邻接于横向的边缘区域10c的像素1a、1b、1c相关联。第二接触部55a、55b的横向延伸尤其朝向边缘区域10c与在显示设备1的横向内部中的第二接触部55a、55b相比增大。因此有利地，第二接触部55a、55b的电流密度以及整流电流是均匀的，所述整流电流在对应于相应的像素1a、1b、1c的相应区域中输送给第二半导体层35。

[0078] 本发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。

[0079] 本申请要求德国专利申请DE 102015108532.1的优先权，其公开内容在此通过参考并入本文。

[0080] 附图标记列表：

[0081] 1             显示设备

[0082] 1a，1b，1c     像素

[0083] 10a           第一主平面

[0084] 10b           第二主平面

[0085] 10c           边缘区域

[0086] 3             半导体层序列

[0087] 31            第一半导体层

[0088] 33            有源层

[0089] 35            第二半导体层

[0090] 51            第一接触结构

[0091] 51a，51b，51c  第一接触部

[0092] 53            分离结构

[0093] 55            第二接触结构

[0094] 55a，55b       第二接触部

[0095] 7a，7b         凹部

[0096] 7x            分离接片

[0097] 9             载体

[0098] 91            分离结构

[0099] 93a，93b，93c   开关

[0100] 100           网格

[0101] 100x          节点