弹性波滤波器装置

摘要

一种弹性波滤波器装置(11)，层叠有：作为高声速构件的高声速支承基板(2)，所传播的体波的声速与在压电膜(4)中传播的主模的弹性波的声速相比为高速；压电膜(4)，直接或间接地层叠在高声速支承基板(2)上；以及多个IDT电极(5)，设置为与压电膜(4)相接，由多个IDT电极构成了至少一个串联臂谐振器(S11、S12)和至少一个并联臂谐振器(P11)。一种弹性波滤波器装置(11)，其中，在构成了至少一个串联臂谐振器(S11、S12)以及至少一个并联臂谐振器(P11)的IDT电极中，连结了多根第一电极指、第二电极指的前端的方向相对于由IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ构成v的倾斜角度，在将至少一个串联臂谐振器(S11、S12)中的倾斜角度设为v1，并将至少一个并联臂谐振器(P11)中的倾斜角度设为v2时，v1与v2不同。

权利要求

1.一种弹性波滤波器装置，具有压电膜，所述弹性波滤波器装置具备：

高声速构件，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的主模的弹性波的声速相比为高速；

所述压电膜，由压电单晶构成，直接或间接地层叠在所述高声速构件上；以及多个IDT电极，设置为与所述压电膜相接，所述弹性波滤波器装置具有：

输入端；

输出端；

串联臂，连结所述输入端与所述输出端；以及并联臂，连结所述串联臂与接地电位，由所述多个IDT电极构成了至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器，构成了所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器的所述IDT电极具有：多根第一电极指；以及

多根第二电极指，与所述第一电极指相互交替插入，连结所述多根第一电极指的前端的方向以及连结所述多根第二电极指的前端的方向相对于由所述压电单晶的欧拉角( θ，ψ)规定的、由所述IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ倾斜，使得构成倾斜角度v，在将所述至少一个串联臂谐振器中的所述倾斜角度设为ν1，并将所述至少一个并联臂谐振器中的倾斜角度设为v2时，所述倾斜角度ν1与所述倾斜角度v2不同。

2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，所述倾斜角度v1＜所述倾斜角度v2。

3.根据权利要求2所述的弹性波滤波器装置，其中，所述倾斜角度v1为2.5°以上。

4.根据权利要求2或3所述的弹性波滤波器装置，其中，全部的所述串联臂谐振器中的倾斜角度ν1＜全部的所述并联臂谐振器的倾斜角度ν2。

5.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，所述倾斜角度ν1＞所述倾斜角度ν2。

6.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置，其中，所述倾斜角度v2为2.5°以上。

7.根据权利要求6所述的弹性波滤波器装置，其中，所述倾斜角度ν2为9.0°以下。

8.根据权利要求5～7中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，全部的所述串联臂谐振器中的倾斜角度ν1＞全部的所述并联臂谐振器的倾斜角度v2。

9.根据权利要求2～8中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，具有：

第一带通型滤波器，通带相对高；以及第二带通型滤波器，通带比所述第一带通型滤波器的通带低，所述第一带通型滤波器具有所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器。

10.根据权利要求2～8中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，具有：

第一带通型滤波器，通带相对高；以及第二带通型滤波器，通带比所述第一带通型滤波器的通带低，所述第二带通型滤波器具有所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器。

11.根据权利要求9或10所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第一带通型滤波器为接收滤波器，所述第二带通型滤波器为发送滤波器，构成了双工器。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，还具备：低声速膜，层叠在所述高声速构件上，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的主模的弹性波的声速相比为低速，在所述高声速构件上间接地层叠有所述压电膜。

13.根据权利要求1～11中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，在所述高声速构件上直接层叠有所述压电膜。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，由所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器构成了梯型滤波器。

15.根据权利要求1～13中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，还具备纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，在所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器连接有具有所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器的梯型滤波器。

说明书

弹性波滤波器装置

技术领域

[0001] 本发明涉及使用了压电膜的弹性波滤波器装置。

背景技术

[0002] 在下述的专利文献1公开了在高声速膜上层叠低声速膜以及压电薄膜而成的弹性波装置。另一方面，在下述的专利文献2公开了具有倾斜型IDT的滤波器装置。在倾斜型IDT
中，连结多根第一电极指的前端的线以及连结多根第二电极指的前端的线相对于弹性波传
播方向向倾斜方向倾斜。

[0003] 在先技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：WO2012/086639

[0006] 专利文献2：日本特开2000-286663号公报

发明内容

[0007] 发明要解决的课题

[0008] 在专利文献1记载的弹性波装置中，存在产生横模脉动的问题。另一方面，已知，通过使用在专利文献2记载的倾斜型IDT来抑制横模。因此，可认为，如果在专利文献1记载的
具有层叠构造的弹性波装置中使用倾斜型IDT，则能够压制横模。然而，在具有多个IDT的弹
性波滤波器装置中，若使用倾斜型IDT，则存在滤波器特性的陡峭性不充分的问题。

[0009] 本发明的目的在于，提供一种能够提高滤波器特性的陡峭性的弹性波滤波器装置。

[0010] 解决课题的技术方案

[0011] 本发明涉及的弹性波滤波器装置具有压电膜，所述弹性波滤波器装置具备：高声速构件，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的主模的弹性波的声速相比为高速；
所述压电膜，由压电单晶构成，直接或间接地层叠在所述高声速构件上；以及多个IDT电极，
设置为与所述压电膜相接，所述弹性波滤波器装置具有：输入端；输出端；串联臂，连结所述
输入端与所述输出端；以及并联臂，连结所述串联臂与接地电位，由所述多个IDT电极构成
了至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器，构成了所述至少一个串联臂谐振器以
及所述至少一个并联臂谐振器的所述IDT电极具有：多根第一电极指；以及多根第二电极
指，与所述第一电极指相互交替插入，连结所述多根第一电极指的前端的方向以及连结所
述多根第二电极指的前端的方向相对于由所述压电单晶的欧拉角( θ，ψ)规定的、由所述
IDT电极激振的弹性波的传播方向ψ倾斜，使得构成某个倾斜角度v，在将所述至少一个串联
臂谐振器中的所述倾斜角度设为v1，并将所述至少一个并联臂谐振器中的倾斜角度设为v2
时，所述倾斜角度v1与所述倾斜角度v2不同。

[0012] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的某个特定的局面中，所述倾斜角度v1＜所述倾斜角度v2。倾斜角度越小，在低于谐振频率的频率区域，Q值越大。因此，能够提高通带的
低频侧的陡峭性。

[0013] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，所述倾斜角度v1为2.5°以上。在该情况下，能够有效地压制横模脉动。

[0014] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，全部的所述串联臂谐振器中的倾斜角度v1＜全部的所述并联臂谐振器的倾斜角度v2。在该情况下，能够更加有
效地提高通带的低频侧的陡峭性。

[0015] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，所述倾斜角度v1＞所述倾斜角度v2。倾斜角度越大，反谐振点附近的Q值越高，因此能够提高通带的高频侧的陡
峭性。

[0016] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，所述倾斜角度v2为2.5°以上。在该情况下，能够有效地压制横模脉动。

[0017] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，所述倾斜角度v2为9.0°以下。

[0018] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，全部的所述串联臂谐振器中的倾斜角度v1>全部的所述并联臂谐振器的倾斜角度v2。能够更加有效地提高通带
的高频侧的陡峭性。

[0019] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，具有：第一带通型滤波器，通带相对高；以及第二带通型滤波器，通带比所述第一带通型滤波器的通带低，所述
第一带通型滤波器具有所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器。在该
情况下，能够在第一带通型滤波器中提高滤波器特性的陡峭性。

[0020] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，具有：第一带通型滤波器，通带相对高；以及第二带通型滤波器，通带比所述第一带通型滤波器的通带低，所述
第二带通型滤波器具有所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器。在该
情况下，能够在第二带通型滤波器中提高滤波器特性的陡峭性。

[0021] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的局面中，所述第一带通型滤波器为接收滤波器，所述第二带通型滤波器为发送滤波器，由此，构成了双工器。

[0022] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，还具备：低声速膜，层叠在所述高声速构件上，所传播的体波的声速与在所述压电膜中传播的主模的弹性波的声
速相比为低速，在所述高声速构件上间接地层叠有所述压电膜。

[0023] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，在所述高声速构件上直接层叠有所述压电膜。

[0024] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的局面中，由所述至少一个串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器构成了梯型滤波器。

[0025] 在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的局面中，还具备纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，在所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器连接有具有所述至少一个串联
臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器的梯型滤波器。

[0026] 发明效果

[0027] 根据本发明涉及的弹性波滤波器装置，能够提高通带的低频侧或高频侧的陡峭性。

附图说明

[0028] 图1是用于说明在本发明的第一实施方式中使用的弹性波谐振器中的层叠构造的主视剖视图。

[0029] 图2是示意性地示出用于说明在第一实施方式中使用的倾斜型IDT的、弹性波谐振器的电极构造的俯视图。

[0030] 图3是用于说明传播方向ψ与倾斜角度v的关系的示意图。

[0031] 图4是示出倾斜角度v为0°的比较例1的弹性波谐振器的阻抗特性的图。

[0032] 图5是示出使倾斜角度v变化的情况下的弹性波谐振器的阻抗特性的变化的图。

[0033] 图6是示出倾斜角度v为0°的比较例1的弹性波谐振器的回波损耗特性的图。

[0034] 图7是示出使倾斜角度v变化的情况下的弹性波谐振器的回波损耗特性的变化的图。

[0035] 图8是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的简图式俯视图。

[0036] 图9是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。

[0037] 图10是示出本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的实施例和为了比较而准备的作为比较例2的弹性波滤波器装置的衰减量频率特性的图。

[0038] 图11是示出使弹性波谐振器的倾斜角度v变化为5.0°、7.5°以及9.0°的情况下的Q值的变化的图。

[0039] 图12是示出使弹性波谐振器的倾斜角度v变化为5.0°、7.5°以及9.0°的情况下的阻抗Z的变化的图。

[0040] 图13是用于说明在本发明的第一实施方式的弹性波滤波器装置中陡峭性被提高的情况的示意图。

[0041] 图14是用于说明图1所示的弹性波谐振器中的层叠构造的变形例的主视剖视图。

[0042] 图15是用于说明图1所示的弹性波谐振器中的层叠构造的另一个变形例的主视剖视图。

具体实施方式

[0043] 以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。

[0044] 另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。

[0045] 图1是用于说明在本发明的第一实施方式中使用的弹性波谐振器的层叠构造的主视剖视图。弹性波谐振器1具有作为高声速构件的高声速支承基板2。在高声速支承基板2上
设置有低声速膜3。

[0046] 压电膜4层叠在上述低声速膜3的与层叠有高声速支承基板2的面相反侧的面。压电膜4由LiTaO3、LiNbO3等压电单晶构成。在压电膜4上设置有IDT电极5。

[0047] 另外，体波的声速是材料固有的声速，存在P波和S波，P波在波的行进方向，即，纵向上振动，S波在作为与行进方向垂直的方向的横向上振动。上述体波在压电膜、高声速构
件、低声速膜中的任一者中均进行传播。在各向同性材料的情况下，存在P波和S波。在各向
异性材料的情况下，存在P波、慢S波、以及快S波。而且，在使用各向异性材料激励了声表面
波的情况下，作为两个S波而产生SH波和SV波。在本说明书中，所谓在压电膜中传播的主模
的弹性波的声速，是指P波、SH波以及SV波这3个模式中的、为了得到作为滤波器的通带、作
为谐振器的谐振特性而使用的模式。

[0048] 在高声速支承基板2中，所传播的体波的声速与在压电膜4中传播的主模的弹性波相比为高速。另一方面，在低声速膜3中，所传播的体波的声速与在压电膜4中传播的主模的
弹性波相比为低速。

[0049] 上述高声速支承基板2和低声速膜3由满足上述声速关系的适当的材料构成。作为这样的材料，能够使用：蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体；氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、玻璃等电介质；硅、氮化镓等半导体；以及树脂基板等。

[0050] 上述高声速支承基板2将弹性波限制在层叠了压电膜4以及低声速膜3的部分。

[0051] 也可以代替上述高声速支承基板2，像图14所示的变形例那样，使用在支承基板2A上层叠高声速膜2B而成的高声速构件。关于该支承基板2A，也能够适当地使用用于上述的
高声速支承基板2的材料。此外，关于高声速膜2B，也能够使用是上述的高声速支承基板材
料且满足上述声速关系的适当的材料。

[0052] 另外，也可以在高声速构件与压电膜4之间形成密接层。若形成密接层，则能够使高声速构件与压电膜4的密接性提高。密接层只要是树脂、金属即可，例如，可使用环氧树
脂、聚酰亚胺树脂。

[0053] 进而，也可以像图15所示的变形例那样，在作为高声速构件的高声速支承基板2上直接层叠有压电膜4。即，也可以省略低声速膜3。在该情况下，作为高声速构件，也可以使用
在支承基板上层叠高声速膜而成的高声速构件。

[0054] 如上所述，压电膜4可以直接层叠在高声速支承基板2上，也可以隔着低声速膜3间接地层叠在高声速支承基板2上。

[0055] 另外，IDT电极5由适当的金属或者合金构成。

[0056] 在弹性波谐振器1中，因为在上述高声速支承基板2层叠有低声速膜3以及压电膜4，所以能够提高Q值。

[0057] 本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置具有多个弹性波谐振器1，该多个弹性波谐振器1具有图1所示的层叠构造。

[0058] 图8是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的简图式俯视图，图9是其电路图。

[0059] 图8以及图9所示的弹性波滤波器装置11是在Band25中使用的双工器。

[0060] 如图9所示，弹性波滤波器装置11具有天线端子12、发送端子13以及接收端子14。在天线端子12与发送端子13之间，连接有发送滤波器15。在天线端子12与接收端子14之间，
连接有接收滤波器16。发送滤波器15是梯型滤波器。发送滤波器15具有多个串联臂谐振器
S1～S5以及多个并联臂谐振器P1～P4。上述串联臂谐振器S1～S5以及并联臂谐振器P1～P4
均由弹性波谐振器构成，具有与图1所示的弹性波谐振器1同样的层叠构造。

[0061] 在发送端子13与串联臂谐振器S1之间连接有电感器L1。并联臂谐振器P2～P4的接地侧端部被共同连接。在该接地侧端部与接地电位之间连接有电感器L2。

[0062] 接收滤波器16具有9IDT型的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17。纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17的IDT数不限定于9个。

[0063] 通过纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17，形成接收滤波器16的通带。进而，为了提高该通带的陡峭性，在天线端子12与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17之间连接有由串联
臂谐振器S11、S12和并联臂谐振器P11构成的梯型滤波器。此外，在纵向耦合谐振器型弹性
波滤波器17与接收端子14之间的连接点与接地电位之间，连接有并联臂谐振器P12。另外，
串联臂谐振器S11、S12以及并联臂谐振器P11、P12也具有与弹性波谐振器1同样的层叠构
造。

[0064] 进而，纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17也具有与弹性波谐振器1同样的层叠构造。即，具有在高声速支承基板2层叠了低声速膜3以及压电膜4的前述的构造。

[0065] 此外，在天线端子12与接地电位之间连接有阻抗匹配用的电感器L3。

[0066] 如图8所示，在弹性波滤波器装置11中，在压电膜4上形成有图示的电极构造。虽然在图8中未图示，但是前述的低声速膜3以及高声速支承基板2位于压电膜4的下方。在弹性
波滤波器装置11中，在一个高声速支承基板2、低声速膜3以及压电膜4上形成有图示的电极
构造。因此，弹性波滤波器装置11构成为一个芯片部件。不过，在弹性波滤波器装置11中，例
如，发送滤波器15和接收滤波器16也可以形成为独立的芯片部件。

[0067] 在本实施方式中，串联臂谐振器S1～S5、并联臂谐振器P1～P4、串联臂谐振器S11、S12以及并联臂谐振器P11、P12具有倾斜型IDT。图2是示意性地示出用于说明在第一实施方
式中使用的倾斜型IDT的、弹性波谐振器的电极构造的俯视图。

[0068] 如图2所示，在IDT电极6的弹性波传播方向两侧设置有反射器7、8。IDT电极6具有第一汇流条6a和第二汇流条6b。在第一汇流条6a连接多根第一电极指6c的一端。在第二汇
流条6b连接多根第二电极指6d的一端。多根第一电极指6c与多根第二电极指6d相互交替插
入。

[0069] 另一方面，弹性波传播方向ψ由压电单晶的欧拉角( θ，ψ)来规定。该弹性波传播方向ψ是与多根第一电极指6c以及多根第二电极指6d延伸的方向正交的方向。在作为倾斜
型IDT的IDT电极6中，连结多根第一电极指6c的前端的方向A相对于上述弹性波传播方向ψ
向倾斜方向倾斜。即，连结多根第一电极指6c前端的方向A倾斜，使得相对于弹性波传播方
向ψ构成倾斜角度v。连结多根第二电极指6d的前端的线也倾斜，使得相对于弹性波传播方
向ψ构成倾斜角度v。

[0070] 第一汇流条6a、第二汇流条6b配合上述倾斜角度v而倾斜，使得相对于弹性波传播方向ψ构成倾斜角度v。

[0071] 在使用了倾斜型IDT的弹性波谐振器中，能够有效地压制横模脉动。以下对此进行说明。

[0072] 图3是用于说明传播方位ψ与倾斜角度v的关系的示意图。将LiTaO3的欧拉角设为(θ，ψ)。图3的箭头B所示的方向是ψ＝0°的方向。IDT电极9A～9D中的虚线B1～B4是与连结
各IDT电极9A～9D中的多根第一电极指的前端彼此的方向平行的方向。在IDT电极9A中，虚
线B1的方向与弹性波传播的传播方位ψ成为相同方向。因此，在该情况下，在设为(各弹性波
的传播方位，相对于传播方位的倾斜角度v)时，虚线B1的方向用(ψ，0°)来表示。在IDT电极
9B中，成为(0°，v)。在IDT电极9C中，成为(ψ，v)。在IDT电极9D中，成为(ψ，-v)。

[0073] 在本说明书中，将弹性波传播方向与连结电极指的前端的方向所成的角度设为倾斜角度v。

[0074] 接着，对具有倾斜型IDT电极的弹性波谐振器的特性进行说明。

[0075] 上述弹性波谐振器的设计参数如下。

[0076] 压电薄膜：切割角为55°的Y切割的LiTaO3膜

[0077] IDT电极的电极指交叉宽度＝15λ

[0078] 电极指的对数＝83对

[0079] λ＝2μm。λ是由电极指间距决定的波长。

[0080] 后述的偏移长度L＝2λ

[0081] IDT电极中的占空比＝0.6

[0082] IDT电极的膜厚＝0.08λ

[0083] LiTaO3膜的膜厚＝0.3λ

[0084] 构成了接合材料层的氧化硅膜的膜厚＝0.35λ

[0085] 缝隙尺寸G＝0.5μm

[0086] 按照上述设计参数，制作了比较例1的弹性波谐振器，其中，将倾斜角度v设为0°。

[0087] 图4是示出为了比较而准备的弹性波谐振器的阻抗特性的图。此外，图6示出上述比较例1的弹性波谐振器的回波损耗特性。在该比较例1的弹性波谐振器中，设倾斜角度v＝
0°。即，使传播方位ψ与声表面波传播方向一致。

[0088] 此外，与比较例1同样地制作了各弹性波谐振器，其中，将IDT电极中的倾斜角度v设为2.5°、5.0°、7.5°、10°或15°。

[0089] 图5示出这些弹性波谐振器的阻抗特性，在图7示出回波损耗特性。

[0090] 根据图4明确可知，在倾斜角度v为0°的比较例1中，箭头C1～C3所示的脉动出现在谐振频率与反谐振频率之间。此外，图6的箭头C1～C3是与图4的C1～C3所示的脉动对应的
脉动。

[0091] 另一方面，虽然在图5中未必明确，但是根据图7的回波损耗特性可知，若v成为2.5°以上，则可压制这些横模脉动。

[0092] 根据图7明确可知，与v＝0°的情况相比，若v成为2.5°以上，则可有效地压制横模脉动。

[0093] 如上所述，在具有倾斜型IDT的弹性波谐振器中，能够压制横模脉动。

[0094] 回到图8，在弹性波滤波器装置11中，串联臂谐振器S1～S5、并联臂谐振器P1～P4、串联臂谐振器S11、S12以及并联臂谐振器P11、P12是具有上述倾斜型IDT的弹性波谐振器。
因此，能够提高Q值。

[0095] 而且，在弹性波滤波器装置11中，相对于在发送滤波器15中使用的串联臂谐振器S1～S5和并联臂谐振器P1～P4以及在接收滤波器16中使用的串联臂谐振器S11、S12中的倾
斜角度，接收滤波器16的并联臂谐振器P11中的上述倾斜角度被设得相对大。将串联臂谐振
器S1～S5、并联臂谐振器P1～P4、以及串联臂谐振器S11、S12中的倾斜角度设为v1。而且，将
并联臂谐振器P11的倾斜角度设为v2。因为v1＜v2，所以在接收滤波器16中，通带的低频侧
的陡峭性被提高。对此进行更具体的说明。

[0096] 在厚度为200μm的高声速支承基板2上，层叠了厚度为670nm的由SiO2构成的低声速膜3。在低声速膜3上，层叠了厚度为600nm且由切割角为50°的LiTaO3构成的压电膜4。在
该压电膜4上，形成包含IDT电极的电极构造，得到了弹性波滤波器装置11。

[0097] 在形成电极构造时，在厚度为12nm的Ti膜上形成了含有1重量％的Cu的AlCu合金膜，使得成为162nm的厚度。进而，在最上部作为保护膜而形成了厚度为25nm的SiO2膜。此
外，接收滤波器16侧的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17中的IDT电极31～39的设计参数
以及串联臂谐振器S11、S12和并联臂谐振器P11、P12的设计参数如下述的表1以及表2所示。

[0098] 串联臂谐振器S1～S5以及并联臂谐振器P1～P4的设计参数如以下的表3。

[0099] [表1]

[0100]  波长(μm) IDT、电极指的对数
反射器 1.9771 -
IDT31、39主 1.9859 20.5
IDT31、39窄间距 1.7949 1.5
IDT32、38窄间距(IDT31，39侧) 1.8187 1.0
IDT32、38主 1.9290 12.5
IDT32、38窄间距(1DT33，37侧) 1.8587 3.5
IDT33、37窄间距(IDT32，38侧) 1.8789 4.0
IDT33、37主 1.9639 17.0
IDT33、37窄间距(IDT34，36侧) 1.8795 4.0
1DT34、36窄间距(IDT33，37侧) 1.8579 3.5
IDT34、36主 1.9253 12.5
IDT34、36窄间距(IDT35侧) 1.8253 1.0
IDT35窄间距 1.8023 1.5
IDT35主 1.9791 33.0

[0101] 在表1中，“窄间距”意味着窄间距电极指部。“主”意味着窄间距电极指部以外的其余的电极指部。此外，纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17中的IDT电极31～39以及反射器的
占空比均设为0.5。此外，在将由反射器的电极指间距决定的波长设为λR时，IDT电极31、39
与反射器之间的间隔设为0.53λR。此外，反射器中的电极指的根数设为30根。进而，IDT电极
31～39中的电极指交叉宽度设为23μm。

[0102] [表2]

[0103]

[0104] [表3]

[0105]  S1 P1 S2 P2 S3 P3 S4 P4 S5
1DT波长(μm) 1.9926 2.0871 2.0163 2.1042 2.0142 2.0881 2.0167 2.0875 2.0043
反射器波长(μm) 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同 与IDT相同交叉宽度(μm) 17.3 60.2 30 75.7 25 30.6 30.5 49.2 25
IDT、电极指的对数 140 77 147 38 94 108 107 113 98
反射器中的电极指的根数 21 21 21 21 21 21 21 21 21
占空比 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5

[0106] 而且，在实施例的弹性波滤波器装置中，设上述倾斜角度v1＝5.0°、倾斜角度v2＝7.5°。

[0107] 作为比较例2，除了将倾斜角度v1、v2全部设为7.5°以外，与上述实施例的弹性波滤波器装置同样地制作了弹性波滤波器装置。

[0108] 图10的实线是示出上述实施例的弹性波滤波器装置中的接收滤波器的衰减量频率特性的图。虚线示出上述比较例2的弹性波滤波器装置中的接收滤波器的衰减量频率特
性。

[0109] 根据图10明确可知，与比较例2相比，根据实施例，通带内的低频侧的陡峭性被提高。例如，关于插入损耗为3dB且隔离度为55dB的通带的低频侧的陡峭性，与比较例2相比，
在实施例中提高了大约1.0MHz。

[0110] 如上所述，参照图11～图13对在实施例中通带的低频侧的陡峭性被提高的理由进行说明。

[0111] 图11是示出使具有倾斜型IDT的弹性波谐振器中的倾斜角度v变化为5.0°、7.5°以及9.0°的情况下的Q值的变化的图，图12是示出阻抗Z的变化的图。

[0112] 此外，图13是用于说明在上述第一实施方式的弹性波滤波器装置中滤波器特性的陡峭性被提高的情况的示意图。

[0113] 如图11所示，倾斜角度v越小，在低于谐振点的频率侧Q值越提高。

[0114] 另一方面，可知反谐振点附近的Q在倾斜角度v＝5.0°的情况下比v＝7.5°、v＝9.0°的情况小。

[0115] 如图13所示，在梯型滤波器中，通过并联臂谐振器的阻抗特性与串联臂谐振器的阻抗特性的组合，可得到虚线所示的滤波器特性。串联臂谐振器的谐振点frs和反谐振点
fas处于图示的位置。在此，串联臂谐振器的谐振点frs位于通带内。因此，在通带的低频侧
需要提高陡峭性的频带成为比串联臂谐振器的谐振点frs低的频率区域。因此，在串联臂谐
振器中，期望比谐振点frs低的频率侧的Q值高。因此，期望倾斜角度v小。

[0116] 另一方面，在并联臂谐振器中，谐振点frp位于通带的低频侧，反谐振点fap位于滤波器的通带内。因此，若倾斜角度v变小，则滤波器特性的插入损耗变差。因此，在本实施方
式中，接收滤波器的串联臂谐振器S11、S12的倾斜角度v1设得比并联臂谐振器P11的倾斜角
度v2小。因此，能够在不导致包含梯型滤波器的接收滤波器16中的通带内的插入损耗的劣
化的情况下提高通带的低频侧的陡峭性。

[0117] 另外，虽然在本实施方式中设为v2＞v1，但是也可以设为v1＞v2。在该情况下，串联臂谐振器的反谐振点附近的Q值被提高。因此，能够提高通带的高频侧的陡峭性。

[0118] 此外，如前所述，倾斜型IDT中的倾斜角度v优选为2.5°以上。由此能够有效地压制横模脉动。因此，在设为v2＞v1的情况下，优选v1为2.5°以上。此外，在设为v1＞v2的情况
下，期望v2为2.5°以上。

[0119] 在上述实施方式中，在接收滤波器16中设为上述倾斜角度v1＜v2，在发送滤波器15中，可以将串联臂谐振器S1～S5中的倾斜角度v1与并联臂谐振器P1～P4中的倾斜角度v2
也设为v1＜v2，或者也设为v1＞v2。即，只要在具有串联臂谐振器以及并联臂谐振器的梯型
电路中，使用上述倾斜型IDT，并使倾斜角度v1与倾斜角度v2不同即可。由此，能够提高通带
的低频侧或高频侧的陡峭性。

[0120] 此外，虽然在上述实施方式中，串联臂谐振器S11、S12的倾斜角度被设为v1，但是也可以仅将一个串联臂谐振器S11或S12的倾斜角度设为v1。即，在本发明中，在构成了梯型
电路的至少一个串联臂谐振器以及至少一个并联臂谐振器中，只要至少一个串联臂谐振器
中的上述倾斜角度v1与至少一个并联臂谐振器中的上述倾斜角度v2不同即可。

[0121] 此外，在上述实施方式中，也可以不使用纵向耦合谐振器型弹性波滤波器17而仅由梯型滤波器构成接收滤波器。

[0122] 在上述实施方式中，在通带相对高的作为第一带通型滤波器的接收滤波器中，上述倾斜角度v1和倾斜角度v2被设为不同。相对于此，如上所述，在发送滤波器15侧，即，在通
带相对低的作为第二带通型滤波器的发送滤波器15中，上述倾斜角度v1和倾斜角度v2也可
以被设为不同。在该情况下，可以为v1＞v2，也可以为v2＞v1。

[0123] 此外，优选地，像上述实施方式那样，期望设为全部的串联臂谐振器中的倾斜角度v1＜全部的并联臂谐振器中的倾斜角度v2，由此，能够更加有效地提高通带低频侧的滤波
器特性的陡峭性。此外，优选地，期望设为全部的串联臂谐振器中的倾斜角度v1＞全部的并
联臂谐振器中的倾斜角度v2，由此，能够更加有效地提高通带的高频侧的滤波器特性的陡
峭性。

[0124] 附图标记说明

[0125] 1：弹性波谐振器；

[0126] 2：高声速支承基板；

[0127] 2A：支承基板；

[0128] 2B：高声速膜；

[0129] 3：低声速膜；

[0130] 4：压电膜；

[0131] 5、6：IDT电极；

[0132] 6a、6b：第一汇流条、第二汇流条；

[0133] 6c、6d：第一电极指、第二电极指；

[0134] 7、8：反射器；

[0135] 9A～9D：IDT电极；

[0136] 11：弹性波滤波器装置；

[0137] 12：天线端子；

[0138] 13：发送端子；

[0139] 14：接收端子；

[0140] 15：发送滤波器；

[0141] 16：接收滤波器；

[0142] 17：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器；

[0143] 31～39：IDT电极；

[0144] P1～P4：并联臂谐振器；

[0145] S1～S5：串联臂谐振器；

[0146] P11、P12：并联臂谐振器；

[0147] S11、S12：串联臂谐振器；

[0148] L1～L3：电感器。