多层陶瓷基板以及多层陶瓷基板的制造方法

摘要

本发明提供一种难以产生龟裂、抗弯强度高、基板与表面电极的电极接合强度高的多层陶瓷基板。本发明具备层叠了陶瓷层(2)的层叠体(1)，陶瓷层由陶瓷材料构成，陶瓷材料含有主成分和副成分，主成分含有48～75重量％的SiO2、20～40重量％的BaO、5～20重量％的Al2O3，副成分相对于100重量份的主成分至少含有2.5～20重量份的MnO，在层叠体(1)进一步层叠了玻璃陶瓷层(3a、3b)，玻璃陶瓷层(3a、3b)的全部厚度或者厚度的一部分存在于层叠体(1)的内部，并且存在于从两主面起分别100μm以内。

权利要求

1.一种层叠陶瓷基板，具备在给定的层间配置了内部电极并层叠了多个陶瓷层的层叠体，其中，所述陶瓷层由陶瓷材料构成，所述陶瓷材料含有主成分和副成分，所述主成分含有换算为SiO2为48～75重量％的Si、换算为BaO为20～40重量％的Ba、换算为Al2O3为5～20重量％的Al，所述副成分相对于100重量份的所述主成分至少含有换算为MnO为2.5～20重量份的Mn，层叠有厚度的至少一部分存在于从所述层叠体的一个主面起100μm以内的第一玻璃陶瓷层，并且层叠有厚度的至少一部分存在于从所述层叠体的另一个主面起100μm以内的第二玻璃陶瓷层，层叠在所述层叠体的一个主面与所述第一玻璃陶瓷层之间的所述陶瓷层、以及层叠在所述层叠体的另一个主面与所述第二玻璃陶瓷层之间的所述陶瓷层的玻璃浓度比层叠在所述第一玻璃陶瓷层与所述第二玻璃陶瓷层之间的所述陶瓷层的玻璃浓度高。

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷基板，其中，

所述第一玻璃陶瓷层以及所述第二玻璃陶瓷层的总层数为6层以下。

3.根据权利要求2所述的层叠陶瓷基板，其中，

所述第一玻璃陶瓷层的层数为一层或两层。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的层叠陶瓷基板，其中，所述层叠体不具备全部的厚度存在于与一个主面相距大于100μm且与另一个主面相距大于100μm的区域的玻璃陶瓷层。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的层叠陶瓷基板，其中，所述第一玻璃陶瓷层靠近所述层叠体的一个主面，所述第二玻璃陶瓷层靠近所述层叠体的另一个主面。

6.一种层叠陶瓷基板的制造方法，所述层叠陶瓷基板具备在给定的层间配置了内部电极的、层叠了多个陶瓷层的层叠体，所述陶瓷层由陶瓷材料构成，所述陶瓷材料含有主成分和副成分，所述主成分含有换算为SiO2为48～75重量％的Si、换算为BaO为20～40重量％的Ba、换算为Al2O3为5～20重量％的Al，所述副成分相对于100重量份的所述主成分至少含有换算为MnO为2.5～20重量份的Mn，层叠有厚度的至少一部分存在于从所述层叠体的一个主面起100μm以内的第一玻璃陶瓷层，并且层叠有厚度的至少一部分存在于从所述层叠体的另一个主面起100μm以内的第二玻璃陶瓷层，所述层叠陶瓷基板的制造方法包括：

准备用于形成所述陶瓷层的陶瓷生片的工序a；

在所述陶瓷生片中的给定的陶瓷生片的主面涂敷玻璃陶瓷浆料而形成第一玻璃陶瓷层或第二玻璃陶瓷层的工序b；

在未形成所述第一玻璃陶瓷层或第二玻璃陶瓷层的所述陶瓷生片以及形成了所述第一玻璃陶瓷层或第二玻璃陶瓷层的所述陶瓷生片中的至少一方的给定的陶瓷生片的主面，将导电性膏涂敷为给定的形状，从而形成内部电极层的工序c；

将包括涂敷了所述第一玻璃陶瓷层或第二玻璃陶瓷层、所述导电性膏的陶瓷生片在内的所述陶瓷生片按给定的顺序进行层叠，从而制作未烧成层叠体的工序d；

用一对约束层夹着在所述工序d中得到的所述未烧成层叠体的两主面并进行压接的工序e；

在所述工序e之后，在对所述未烧成层叠体施加了压力的状态下，对所述未烧成层叠体进行烧成，从所述第一玻璃陶瓷层向层叠在所述层叠体的一个主面与所述第一玻璃陶瓷层之间的所述陶瓷生片供给玻璃成分，并且从所述第二玻璃陶瓷层向层叠在所述层叠体的另一个主面与所述第二玻璃陶瓷层之间的所述陶瓷生片供给玻璃成分，制作所述层叠体的工序f；以及在所述工序f之后，从所述层叠体的两主面除去所述约束层的工序g。

7.根据权利要求6所述的层叠陶瓷基板的制造方法，其中，

所述第一玻璃陶瓷层以及所述第二玻璃陶瓷层的总层数为6层以下。

8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷基板的制造方法，其中，

所述第一玻璃陶瓷层的层数为一层或两层。

9.根据权利要求6至8中的任一项所述的层叠陶瓷基板的制造方法，其中，所述层叠体不具备全部的厚度存在于与一个主面相距大于100μm且与另一个主面相距大于100μm的区域的玻璃陶瓷层。

10.根据权利要求6至8中的任一项所述的层叠陶瓷基板的制造方法，其中，所述约束层是约束层生片，其厚度为10μm以上。

11.根据权利要求6至8中的任一项所述的层叠陶瓷基板的制造方法，其中，烧成前的所述第一玻璃陶瓷层或第二玻璃陶瓷层的厚度为1μm以上且30μm以下。

说明书

多层陶瓷基板以及多层陶瓷基板的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及多层陶瓷基板，更详细地，涉及在上下主面附近充分地含有玻璃成分、难以产生龟裂、抗弯强度高、基板与表面电极的电极接合强度高的多层陶瓷基板。

[0002] 此外，本发明涉及适合于制造上述的本发明的多层陶瓷基板的多层陶瓷基板的制造方法。

背景技术

[0003] 低温烧结陶瓷(LTCC：Low Temperature Cofired Ceramic)材料被广泛用作多层陶瓷基板材料。这是因为，如果使用低温烧结陶瓷，则能够将比较廉价且电阻率小的银、铜等低熔点金属用作内部电极、表面电极、过孔电极等的电极材料，并能够同时进行烧成，因此能够廉价地制造高频特性优异的多层陶瓷基板。

[0004] 例如，在专利文献1(日本专利第5533674号)中公开了一种低温烧结陶瓷材料，其包含：含有48～75重量％的SiO2、20～40重量％的BaO、5～20重量％的Al2O3的主成分；相对于100重量份的主成分为2.5～5.5重量份的作为烧结助剂成分的MnO；以及其它副成分。

[0005] 如上所述，低温烧结陶瓷材料具有能够与银、铜等低熔点金属同时进行烧成的优点，但是也具有在烧成时基板在平面方向上大幅收缩这样的问题。

[0006] 因此，在专利文献2(日本专利第5024064号公报)公开的多层陶瓷基板的制造方法中，在由低温烧结陶瓷材料构成的陶瓷层的各层间插入约束层而形成层叠体，并进行烧成，由此使得抑制基板的平面方向上的收缩。记载了，对于约束层，例如使用Al2O3(氧化铝)、ZrO2(氧化锆)等(参照专利文献2的(0035)段)。此外，记载了，有时还在约束层含有玻璃成分(参照专利文献2的(0058)段)。另外，在完成了多层陶瓷基板之后，约束层仍会残留在层叠体内。

[0007] 根据专利文献2公开的多层陶瓷基板的制造方法，能够抑制基板的平面方向上的收缩。然而，所制作的多层陶瓷基板成为跨越基板的整个厚度方向层叠了由收缩行为不同的两种材质构成的陶瓷层和约束层的构造，因此存在基板的翘曲量大、抗弯强度低、基板与表面电极的电极接合强度低这样的问题。

[0008] 因此，作为对该问题采取了措施的多层陶瓷基板的制造方法，在专利文献3(日本特开10-84056公报)公开了如下方法，即，构成多层陶瓷基板的层叠体本身是层叠低温烧结陶瓷层而形成的，但是层叠体的烧成是利用约束层从上下方向夹住层叠体且施加压力而进行的。记载了，对于约束层，例如可使用MgO、Al2O3、ZrO2等(参照专利文献3的(0020)段)。在烧成后，约束层被从多层陶瓷基板的表面除去。

[0009] 通过在专利文献3公开的方法制作的多层陶瓷基板，消除了通过在专利文献2公开的方法制作的多层陶瓷基板具有的问题。即，根据在专利文献3公开的方法，基板的陶瓷部分由一种低温烧结陶瓷材料形成，因此消除了由专利文献2所公开的方法造成的、由收缩行为不同的低温烧结陶瓷层和约束层形成基板所引起的翘曲量大、抗弯强度低、与表面电极的电极接合强度低这样的问题。

[0010] 在先技术文献

[0011] 专利文献

[0012] 专利文献1：日本专利第5533674号公报

[0013] 专利文献2：日本专利第5024064号公报

[0014] 专利文献3：日本特开10-84056公报

发明内容

[0015] 发明要解决的课题

[0016] 然而，通过在专利文献3公开的方法制作的多层陶瓷基板由于其它理由而存在抗弯强度低、与表面电极的电极接合强度低这样的问题。

[0017] 即，在专利文献3公开的多层陶瓷基板的方法中存在如下问题，即，在烧成时，从上下夹住层叠体而进行加压的约束层会从由低温烧结陶瓷材料形成的层叠体吸引玻璃成分。而且，若从层叠体的上下主面吸引玻璃成分，则在层叠体的上下主面附近玻璃成分会不足，不能得到压缩应力，容易产生龟裂，基板的抗弯强度下降，并且基板与表面电极的电极接合强度下降。

[0018] 用于解决课题的技术方案

[0019] 本发明是为了解决上述的现有的问题而完成的，作为其手段，本发明的层叠陶瓷基板是具备在给定的层间配置了内部电极并层叠了多个陶瓷层的层叠体的层叠陶瓷基板，其中，陶瓷层由陶瓷材料构成，陶瓷材料含有主成分和副成分，主成分含有换算为SiO2为48～75重量％的Si、换算为BaO为20～40重量％的Ba、换算为Al2O3为5～20重量％的Al，副成分相对于100重量份的主成分至少含有换算为MnO为2.5～20重量份的Mn，在层叠体进一步配置有第一玻璃陶瓷层，第一玻璃陶瓷层的厚度的至少一部分存在于层叠体的内部，且存在于从两主面起分别100μm以内。另外，上述中，所谓层叠体的内部，意味着排除层叠体的主面的表面部分。此外，上述中，100μm是完成后的层叠体(烧成后的层叠体)中的距离。此外，关于层叠体的厚度，排除极小的内部电极的厚度，并根据陶瓷层和玻璃陶瓷层的合计厚度来计算。

[0020] 优选地，第一玻璃陶瓷层的层数为6层以下。这是因为，若层叠体中的玻璃陶瓷层的总层数超过6层，则存在陶瓷层的绝缘电阻下降的情况。

[0021] 第一玻璃陶瓷层的层数例如能够设为一层或两层。进而，在该情况下，因为玻璃陶瓷层相对于层叠体整体的比例极小，所以层叠体不会由于层叠了收缩行为不同的陶瓷层和玻璃陶瓷层而导致基板翘曲、抗弯强度下降或者基板与表面电极的电极接合强度下降。

[0022] 层叠体能够做成为，不具备全部厚度存在于与一个主面相距大于100μm且与另一个主面相距大于100μm的区域的玻璃陶瓷层。在该情况下，因为在层叠体的中心部分不存在玻璃陶瓷层，所以不会由于层叠了收缩行为不同的陶瓷层和玻璃陶瓷层而导致基板翘曲、抗弯强度下降或者基板与表面电极的电极接合强度下降。

[0023] 或者，层叠体也可以做成为，具备全部的厚度存在于与一个主面相距大于100μm且与另一个主面相距大于100μm的区域的第二玻璃陶瓷层，但是优选第一玻璃陶瓷层以及第二玻璃陶瓷层的总层数为6层以下。这是因为，若层叠体中的玻璃陶瓷层的总层数超过6层，则存在陶瓷层的绝缘电阻下降的情况。

[0024] 此外，能够做成为，玻璃陶瓷层由靠近层叠体的一个主面的第一玻璃陶瓷层和靠近层叠体的另一个主面的第二玻璃陶瓷层这两层构成，层叠在层叠体的一个主面与第一玻璃陶瓷层之间的陶瓷层以及层叠在层叠体的另一个主面与第二玻璃陶瓷层之间的陶瓷层的玻璃浓度，高于层叠在第一玻璃陶瓷层与第二玻璃陶瓷层之间的陶瓷层的玻璃浓度。在该情况下，因为基板的上下主面附近的陶瓷层充分地含有玻璃成分，所以基板的上下主面附近的热膨胀系数变得比基板的内部的热膨胀系数低。而且，其结果是，压缩应力分别在基板的上下主面发挥作用，因此在基板难以产生龟裂，基板的抗弯强度变高，基板与表面电极的电极接合强度变高。

[0025] 此外，在本发明的层叠陶瓷基板的制造方法中，层叠陶瓷基板具备在给定的层间配置了内部电极的、层叠了多个陶瓷层的层叠体，陶瓷层由陶瓷材料构成，陶瓷材料含有主成分和副成分，主成分含有换算为SiO2为48～75重量％的Si、换算为BaO为20～40重量％的Ba、换算为Al2O3为5～20重量％的Al，副成分相对于100重量份的主成分至少含有换算为MnO为2.5～20重量份的Mn，在层叠体进一步层叠了第一玻璃陶瓷层，第一玻璃陶瓷层的至少一部分的厚度存在于层叠体的内部，且存在于从两主面起分别100μm以内，层叠陶瓷基板的制造方法包括：准备用于形成陶瓷层的陶瓷生片的工序(a)；在陶瓷生片中的给定的陶瓷生片的主面涂敷玻璃陶瓷浆料而形成玻璃陶瓷层的工序(b)；在未形成玻璃陶瓷层的陶瓷生片以及形成了玻璃陶瓷层的陶瓷生片中的至少一方的给定的陶瓷生片的主面，将导电性膏涂敷为给定的形状，从而形成内部电极层的工序(c)；将包括涂敷了玻璃陶瓷层、导电性膏的陶瓷生片在内的陶瓷生片按给定的顺序进行层叠，从而制作未烧成层叠体的工序(d)；用一对约束层夹住在工序(d)中得到的未烧成层叠体的两主面并进行压接的工序(e)；在工序(e)之后，在对未烧成层叠体施加了压力的状态下，对未烧成层叠体进行烧成，从而制作层叠体的工序(f)；以及在工序(f)之后，从层叠体的两主面除去约束层的工序。另外，上述中，所谓层叠体的内部，意味着排出层叠体的主面的表面部分。此外，上述中，100μm是完成后的层叠体(烧成后的层叠体)中的距离。

[0026] 另外，在作为约束层而使用约束层生片的情况下，优选其厚度为10μm以上。这是因为，若不足10μm，则有可能在层叠陶瓷基板产生裂纹。

[0027] 此外，烧成前的玻璃陶瓷层优选其厚度为1μm以上且30μm以下。这是因为，若不足1μm，则玻璃成分的供给量有可能不足。此外，是因为，若超过30μm，则玻璃陶瓷层3的厚度相对于层叠体1整体的厚度的比例变得过大，抗弯强度与电极接合强度有可能下降。

[0028] 发明效果

[0029] 在本发明的层叠陶瓷基板中，从第一玻璃陶瓷层供给玻璃成分，基板的上下主面附近的陶瓷层充分地含有玻璃成分，因此基板的上下主面附近的热膨胀系数变得比基板的内部的热膨胀系数低。而且，其结果是，在本发明的层叠陶瓷基板中，压缩应力分别在基板的上下主面发挥作用，变得在基板难以产生龟裂，基板的抗弯强度高，基板与表面电极的电极接合强度高。

[0030] 此外，根据本发明的层叠陶瓷基板的制造方法，能够从第一玻璃陶瓷层供给玻璃成分，从而使基板的上下主面附近的陶瓷层充分地含有玻璃成分，因此在制造的层叠陶瓷基板中，基板的上下主面附近的热膨胀系数变得比基板的内部的热膨胀系数低。而且，其结果是，在通过本发明的层叠陶瓷基板的制造方法制造的层叠陶瓷基板中，压缩应力分别在基板的上下主面发挥作用，变得在基板难以产生龟裂，基板的抗弯强度高，基板与表面电极的电极接合强度高。

附图说明

[0031] 图1是示出第一实施方式涉及的陶瓷多层基板100的剖视图。

[0032] 图2是示出使用陶瓷多层基板100制作的电子模块200的剖视图。

[0033] 图3是示出在陶瓷多层基板100的制造方法的一个例子中实施的工序的剖视图。

[0034] 图4是图3的延续，是示出在陶瓷多层基板100的制造方法的一个例子中实施的工序的剖视图。

[0035] 图5是图4的延续，是示出在陶瓷多层基板100的制造方法的一个例子中实施的工序的剖视图。

[0036] 图6是图5的延续，图6(A)、图6(B)分别是示出在陶瓷多层基板100的制造方法的一个例子中实施的工序的剖视图。

[0037] 图7是图6(B)的延续，图7是示出在陶瓷多层基板100的制造方法的一个例子中实施的工序的剖视图。

[0038] 图8是分别示出实验例1中的实施例1涉及的层叠陶瓷基板和比较例1涉及的层叠陶瓷基板的主要部分剖视图。

具体实施方式

[0039] 以下，与附图一同对用于实施本发明的方式进行说明。另外，各实施方式例示性地示出了本发明的实施方式，本发明不限定于实施方式的内容。此外，也可以将在不同的实施方式记载的内容进行组合而实施，该情况下的实施内容也包含于本发明。此外，附图是用于帮助理解实施方式的，有时不一定严格地绘制。例如，存在说明书记载的构成要素在附图中被省略的情况、变更个数、层数而进行了绘制的情况。此外，还存在所绘制的构成要素或构成要素间的尺寸的比率与说明书记载的它们的尺寸的比率不一致的情况。

[0040] [实施方式]

[0041] 在图1示出本发明的实施方式涉及的多层陶瓷基板100。其中，图1是多层陶瓷基板100的剖视图。

[0042] 多层陶瓷基板100具备层叠体1。

[0043] 层叠体1由层叠了多个陶瓷层2、两层玻璃陶瓷层3a、3b以及多个内部电极4的构造构成。

[0044] 各陶瓷层2使用陶瓷材料制作陶瓷生片并进行烧成而成，陶瓷材料含有主成分和副成分，主成分含有48～75重量％的SiO2、20～40重量％的BaO、5～20重量％的Al2O3，副成分含有相对于100重量份的主成分至少为2.5～20重量份的MnO。

[0045] 在陶瓷层2的给定的层间层叠有由给定的形状构成的内部电极4。虽然在本实施方式中，在陶瓷层2与玻璃陶瓷层3a、3b的层间未层叠内部电极4，但是也可以在陶瓷层2与玻璃陶瓷层3a、3b的层间层叠内部电极4。

[0046] 此外，在陶瓷层2中，根据需要在给定的位置贯通正反面而形成有过孔电极5。过孔电极5用于谋求陶瓷层2的正面与背面间的电导通。

[0047] 玻璃陶瓷层3a被层叠为，全部的厚度或者厚度的一部分存在于从层叠体1的上侧主面起100μm以内。玻璃陶瓷层3b被层叠为，全部的厚度或者厚度的一部分存在于从层叠体1的下侧主面起100μm以内。另外，从主面到玻璃陶瓷层3a、3b的距离是烧成了层叠体1之后的距离。

[0048] 玻璃陶瓷层3a、3b例如使用相对于40～60重量份的Al2O3包含60～40重量份的以BaO-Al2O3-SiO2-B2O3-CaO为主成分的玻璃成分的材料来制作玻璃陶瓷浆料，并涂敷到上述的陶瓷生片进行烧成而成。另外，玻璃陶瓷层3a、3b也可以代替将玻璃陶瓷浆料涂敷到陶瓷生片而使用玻璃陶瓷浆料制作玻璃陶瓷生片并进行烧成而成。

[0049] 玻璃陶瓷层3a是为了对层叠体1的层叠在比自身更靠上侧的陶瓷层2供给玻璃成分而使层叠体1的上主面附近充分地含有玻璃成分而层叠的。玻璃陶瓷层3b是为了对层叠体1的层叠在比自身更靠下侧的陶瓷层2供给玻璃成分而使层叠体1的下主面附近充分地含有玻璃成分而层叠的。

[0050] 另外，如上所述，玻璃陶瓷层3a、3b分别被层叠为，全部的厚度或者厚度的一部分存在于从层叠体1的任一主面起100μm以内。之所以设为100μm以内，是因为若相距大于100μm进行层叠，则有可能变得不能充分地将玻璃成分供给到层叠体1的主面附近。另外，虽然在本实施方式中，在上侧主面的附近层叠玻璃陶瓷层3a，在下侧主面的附近层叠玻璃陶瓷层3b，层叠了两层，但是在层叠体1的厚度小于200μm左右的情况下，也能够使玻璃陶瓷层为一层。

[0051] 在玻璃陶瓷层3a、3b中，根据需要，在给定的位置贯通正反面而形成有过孔电极5。

[0052] 在层叠体1的两主面，根据需要，在给定的位置形成有由给定的形状构成的表面电极6。

[0053] 内部电极4、过孔电极5、表面电极6例如对以能够与陶瓷层2同时进行烧成的银、铜等低熔点金属为主成分的导电性膏进行烧成而成。银、铜等低熔点金属比较廉价，且电阻率小，因此如果使用它们，则能够廉价地制造高频特性优异的多层陶瓷基板。但是，内部电极4、过孔电极5、表面电极6未必一定要使用低熔点金属，也可以使用高熔点金属。

[0054] 在层叠体1的内部，通过内部电极4、过孔电极5形成了必要的电气布线。此外，存在通过内部电极4、过孔电极5形成电感器、电容器的情况。此外，存在在层叠体1内的陶瓷层2的层间设置电阻体膜，或者在层叠体1内内置电子部件元件的情况。

[0055] 如果将电子部件安装在由上述的构造构成的多层陶瓷基板100，则能够制作电子部件模块。

[0056] 在图2中，作为一个例子，示出使用了多层陶瓷基板100的电子部件模块200。其中，图2是电子部件模块200的剖视图。

[0057] 在电子部件模块200中，在形成于多层陶瓷基板100的上侧主面的表面电极6安装有多个电子部件7。形成在多层陶瓷基板100的下侧主面的表面电极6用作将电子部件模块200安装到基板等时的电极。

[0058] 在图3～图7示出多层陶瓷基板100的制造方法的一个例子。

[0059] 首先，制作了用于形成陶瓷层2的多片陶瓷生片。

[0060] 具体地，首先，虽然未图示，但是作为起始原料，准备了SiO2、BaCO3、Al2O3、Zr2O、MnCO3、CeO2的各粉末。

[0061] 接下来，调配SiO2、BaCO3、Al2O3、Zr2O的各粉末，使得在预烧后，SiO2为57.0重量％，BaO为31.0重量％，Al2O3为12.0重量％，且相对于合计100重量份的这些SiO2、BaO、Al2O3，ZrO2成为0.5重量份，接着，在球磨机中使用纯水进行了湿式混合。然后，在混合后，使其蒸发干燥，得到了原料混合粉末。

[0062] 接下来，将得到的原料混合粉末在大气中以840℃的温度预烧两小时，得到了预烧粉。

[0063] 接下来，在得到的预烧粉中调配MnCO3以及CeO2的各粉末，使得在烧成后，相对于合计100重量份的SiO2、BaO、Al2O3，MnO成为4.0重量份，CeO2成为3.0重量份，接着，在球磨机中使用有机溶剂进行湿式混合，得到了湿式混合物。

[0064] 接下来，在得到的湿式混合物中分别添加给定量的丁醛类树脂和可塑剂(DOP)，并进行混合而得到了陶瓷浆料。

[0065] 接下来，使用得到的陶瓷浆料，通过刮刀法制作了厚度为20μm的陶瓷生片。接着，将得到的陶瓷生片切割为所希望的尺寸，得到了多片陶瓷生片12。在本实施方式中，得到了50片陶瓷生片。

[0066] 与以上的用于形成陶瓷层2的陶瓷生片的制作并行地，制作了用于形成玻璃陶瓷层3a、3b的玻璃陶瓷浆料。

[0067] 具体地，首先，准备了Al2O3粉末和以BaO-Al2O3-SiO2-B2O3-CaO为主成分的玻璃粉末。

[0068] 接下来，进行调配，使得相当于50重量份的Al2O3粉末，玻璃粉末成为50重量份，接着，添加丁醛类树脂、可塑剂，并进行混合，从而制作了玻璃陶瓷浆料。

[0069] 接下来，在陶瓷生片12中的两片陶瓷生片的主面的整个面，使用玻璃陶瓷浆料通过刮刀法形成了厚度为4μm的玻璃陶瓷层13a或者13b。

[0070] 在图3按后述的未烧成层叠体11内的层叠顺序示出未形成玻璃陶瓷层的陶瓷生片12和形成了玻璃陶瓷层13a或者13b的陶瓷生片12。

[0071] 根据图3可知，除了后述的约束层生片18(以下，将约束层生片18排除在外而进行所层叠的层的顺序)，在未烧成层叠体11内，在最上层、从上起第三层～从下起第三层、最下层分别层叠普通的陶瓷生片12。而且，在从上起第二层，层叠在上表面形成了玻璃陶瓷层13a的陶瓷生片12，在从下起第二层，层叠在下表面形成了玻璃陶瓷层13b的陶瓷生片12。另外，虽然在本实施方式中，将陶瓷生片12的总数设为了50片，但是在图3中，为了容易观察，省略了片数而进行示出(在其它图中也一样)。

[0072] 接下来，如图4所示，使用激光加工机、冲孔机等在未形成玻璃陶瓷层的陶瓷生片12、形成了玻璃陶瓷层13a、13b的陶瓷生片12形成了用于形成过孔电极5的孔15。

[0073] 此外，与孔15的形成并行地，准备了含有Cu粉末作为主成分的导电性膏。导电性膏也可以代替Cu而含有Ag等作为主成分。

[0074] 接下来，如图5所示，通过丝网印刷法等在未形成玻璃陶瓷层的陶瓷生片12、形成了玻璃陶瓷层13a、13b的陶瓷生片12涂敷了导电性膏。

[0075] 其结果是，在未烧成层叠体11内层叠在最上层的陶瓷生片12的上侧主面，以所希望的形状形成了烧成后成为表面电极6的导电性膏膜16，并在形成于该陶瓷生片12的孔15内填充了用于形成过孔电极5的导电性膏25。

[0076] 此外，在形成于在未烧成层叠体11内层叠在从上起第二层的、形成有玻璃陶瓷层13a的陶瓷生片12的孔15内，填充了用于形成过孔电极5的导电性膏25。

[0077] 此外，在未烧成层叠体11内，在层叠在从上起第三层～从下起第三层的未形成玻璃陶瓷层的陶瓷生片12的上侧主面，根据需要，以所希望的形状形成烧成后成为内部电极4的导电性膏膜14，并在形成于陶瓷生片12的孔15内填充了用于形成过孔电极5的导电性膏25。

[0078] 此外，在形成于在未烧成层叠体11内层叠在从下起第二层的、形成有玻璃陶瓷层13b的陶瓷生片12的孔15内，填充了用于形成过孔电极5的导电性膏25。

[0079] 进而，在未烧成层叠体11内配置在最下层的陶瓷生片12的下侧主面，形成烧成后成为表面电极6的导电性膏膜16，并在形成于该陶瓷生片12的孔15内，填充了用于形成过孔电极5的导电性膏25。

[0080] 接下来，如图6(A)所示，按所希望的顺序层叠未形成玻璃陶瓷层的陶瓷生片12、形成有玻璃陶瓷层13a、13b的陶瓷生片12、以及一对作为约束层的约束层生片18、18，并加压，从而制作了未烧成层叠体11。在该状态下，将未烧成层叠体11从上下进行压接而形成了压接体。

[0081] 关于约束层生片18、18，例如能够使用以ZrO2、Al2O3、MgO等为主成分的陶瓷生片。

[0082] 接下来，如图6(B)所示，进一步从上下用一对加压夹具19、19夹住未烧成层叠体11。

[0083] 接着，在通过加压夹具19、19对约束层生片18、18施加了压力的状态下，对未烧成层叠体11进行了烧成。施加的压力设为10kgf/cm2。烧成环境设为还原性。烧成温度设为980℃。

[0084] 在烧成时，从层叠在最上层以及最下层的陶瓷生片12，玻璃成分分别被约束层生片18、18所吸收，但是在本实施方式中，从玻璃陶瓷层13a对层叠在最上层的陶瓷生片12供给玻璃成分，并从玻璃陶瓷层13b对层叠在最下层的陶瓷生片12供给玻璃成分，因此层叠在最上层以及最下层的陶瓷生片12以充分地含有玻璃成分的状态进行烧成。

[0085] 接下来，如图7所示，在使整体自然冷却之后，取下加压夹具19、19，并且除去了烧成后的层叠体1的上下主面的约束层(约束层生片18、18)。

[0086] 通过烧成，厚度为20μm的陶瓷生片12成为了厚度为10μm的陶瓷层2。同样地，通过烧成，厚度为4μm的玻璃陶瓷层13a、13b成为了厚度为2μm的玻璃陶瓷层3a、3b。

[0087] 最后，虽然未图示，但是在形成于层叠体1的两主面的表面电极6的表面，通过电解镀覆，作为第一层而形成Ni镀膜，作为第二层而形成Au镀膜，从而完成了陶瓷多层基板100。

[0088] 在本实施方式涉及的层叠陶瓷基板100中，因为从玻璃陶瓷层3a、3b(玻璃陶瓷层13a、13b)供给玻璃成分，所以层叠体的上下主面附近的陶瓷层2充分地含有玻璃成分。因此，层叠陶瓷基板100的上下主面附近的热膨胀系数比层叠体1的内部的热膨胀系数低。其结果是，在层叠陶瓷基板100的上下主面，压缩应力发挥作用，因此层叠陶瓷基板100难以产生龟裂，抗弯强度高，与表面电极的电极接合强度高。

[0089] 以上，对本发明的实施方式进行了说明。然而，本发明不限定于这些内容，能够按照发明的主旨进行各种变更。

[0090] 例如，虽然在实施方式中，在层叠体1内形成有两层玻璃陶瓷层3a、3b，但是玻璃陶瓷层的层数是任意的，在层叠体1的厚度小于100μm左右的情况下，也能够用一层玻璃陶瓷层对层叠体1的两主面侧供给玻璃成分。

[0091] 此外，玻璃陶瓷层3a、3b的材质、厚度也是任意的，不限定于上述的内容。

[0092] 此外，陶瓷层2的层数、厚度也是任意的，不限定于上述的内容。

[0093] 另外，虽然也可以在玻璃陶瓷层3a与玻璃陶瓷层3b之间进一步层叠其它的玻璃陶瓷层(第二玻璃陶瓷层)，但是层叠体1内的玻璃陶瓷层的总层数优选设为6层以内。这是因为，若超过6层，则存在陶瓷层的绝缘电阻下降的情况。

[0094] 为了确认本发明的有效性，进行了以下的实验。

[0095] [实验例1]

[0096] 按以下的要领，制作了实施例1涉及的层叠陶瓷基板和比较例1涉及的层叠陶瓷基板。

[0097] 首先，准备了在实施方式中使用的多个陶瓷生片12、玻璃陶瓷浆料以及多个约束层生片18。

[0098] 陶瓷生片12设为纵50mm、横50mm、厚度20μm。约束层生片18设为纵50mm、横50mm、厚度100μm。

[0099] 接下来，在陶瓷生片12中的一片陶瓷生片的一个主面的整个面，通过刮刀法涂敷玻璃陶瓷浆料，形成了厚度为4μm的玻璃陶瓷层13。

[0100] 为了制作实施例1涉及的层叠陶瓷基板，在最下层层叠了约束层生片18。接下来，在其上层叠了49片普通的陶瓷生片12。接下来，在其上层叠了形成有玻璃陶瓷层13的陶瓷生片12，使得玻璃陶瓷层13成为下侧。最后，在其上层叠约束层生片18，制作了实施例1涉及的未烧成层叠体。

[0101] 接下来，在从上下对实施例1涉及的未烧成层叠体进行了加压的状态下，以与实施方式相同的条件进行烧成，得到了实施例1涉及的层叠陶瓷基板。

[0102] 此外，为了制作比较例1涉及的层叠陶瓷基板，在最下层层叠了约束层生片18。接下来，在其上层叠了50片普通的陶瓷生片12。最后，在其上层叠约束层生片18，制作了比较例1涉及的未烧成层叠体。

[0103] 接下来，在从上下对比较例1涉及的未烧成层叠体进行了加压的状态下，以与实施方式1相同的条件进行烧成，得到了比较例1涉及的层叠陶瓷基板。

[0104] 在图8分别示出实施例1以及比较例1涉及的层叠陶瓷基板。其中，图8是主要部分剖视图，仅示出了各个层叠陶瓷基板的上层部分。

[0105] 在实施例1涉及的层叠陶瓷基板中，在最上层层叠了约束层(约束层生片18)，在从上起第二层层叠了陶瓷层2，在从上起第三层层叠了玻璃陶瓷层3，在从上起第四层以下层叠了多个陶瓷层2。

[0106] 另一方面，在比较例1涉及的层叠陶瓷基板中，在最上层层叠了约束层(约束层生片18)，在从上起第二层以下层叠了多个陶瓷层2。

[0107] 接下来，对于实施例1涉及的层叠陶瓷基板的从上起第二层的陶瓷层2的点X、从上起第四层的陶瓷层2的点Y、以及比较例1涉及的层叠陶瓷基板的从上起第二层的陶瓷层2的点Z，分别通过XRD分析测定了CaO的强度。另外，关于CaO，包含于玻璃陶瓷层13的作为玻璃成分的BaO-Al2O3-SiO2-B2O3-CaO，不包含于陶瓷生片12。

[0108] 在表1示出点X、点Y、点Z处的CaO的强度比。(将点X的强度设为1.0，用比示出点Y、点Z的强度。)

[0109] [表1]

[0110]

[0111] 根据表1可知，与点X的CaO强度相比较，点Y的CaO强度低。此外，比较例1的点Z的CaO强度为0.0。

[0112] 可认为，这表示，虽然在对未烧成层叠体进行烧成时，最上层的约束层生片18从自上起第二层的陶瓷生片12吸收玻璃成分，但是在实施例1中，为了对此进行补偿，从自上起第三层的玻璃陶瓷层13向自上起第二层的陶瓷生片12供给玻璃成分。因此，在玻璃陶瓷层13充分发挥供给玻璃成分的功能的情况下，层叠在比玻璃陶瓷层3更靠基板的主面侧的陶瓷层2的玻璃浓度，变得高于层叠在比玻璃陶瓷层3更靠基板的内部侧的陶瓷层2的玻璃浓度。

[0113] 根据以上可知，根据发明，能够使层叠陶瓷基板的主面附近的陶瓷层充分地含有玻璃成分。

[0114] [实验例2]

[0115] 按以下的要领，制作了实施例2-1～实施例2-6涉及的层叠陶瓷基板和比较例3～比较例6涉及的层叠陶瓷基板。

[0116] 首先，准备了在实施方式中使用的多个陶瓷生片12、玻璃陶瓷浆料、导电性膏以及多个约束层生片18。

[0117] 陶瓷生片12的平面尺寸设为纵50mm、横50mm。关于陶瓷生片12，准备了厚度不同的多种陶瓷生片，例如，准备了厚度为10μm的陶瓷生片和厚度为20μm的陶瓷生片。

[0118] 约束层生片18的平面尺寸设为纵50mm、横50mm。约束层生片18的厚度设为100μm。

[0119] 在给定的陶瓷生片12的一个主面的整个面，通过刮刀法涂敷玻璃陶瓷浆料，形成了厚度为4μm的玻璃陶瓷层13(在实施方式的制造方法的说明中，用附图标记13a示出了上侧的玻璃陶瓷层，并用附图标记13b示出了下侧的玻璃陶瓷层，但是在以下的说明中，为了避免说明变得烦杂，两者统一用附图标记13示出)。

[0120] 此外，在给定的陶瓷生片12的一个主面上，将导电性膏以厚度20μm涂敷为纵2mm、横2mm的正方形状，形成了导电性膏膜16。

[0121] 此外，对于在主面形成了玻璃陶瓷层13的陶瓷生片12中的一部分陶瓷生片，在形成的玻璃陶瓷层13的一个主面上，将导电性膏以厚度20μm涂敷为纵2mm、横2mm的正方形状，形成了导电性膏膜16。

[0122] 这些导电性膏膜16用于在完成后的多层陶瓷基板的主面形成用于测定电极接合强度的表面电极6。

[0123] 使用这些材料，首先，制作了实施例2-1～实施例2-6的未烧成层叠体11。

[0124] 实施例2-1～实施例2-6的未烧成层叠体11由如下构造构成，即，从下起依次层叠了约束层生片18、导电性膏膜16、陶瓷生片12、下侧的玻璃陶瓷层13、陶瓷生片12、上侧的玻璃陶瓷层13、陶瓷生片12、导电性膏膜16、约束层生片18。

[0125] 实施例2-1～实施例2-6的未烧成层叠体11通过分开使用厚度不同的陶瓷生片12，从而被制作为从除去了约束层生片18的主面(以下相同)到玻璃陶瓷层13的距离相互不同。在表2示出烧成后的各层叠体1的从主面到玻璃陶瓷层3的距离。另外，所谓从主面到玻璃陶瓷层3的距离，意味着从主面到玻璃陶瓷层3的靠近主面侧的面的距离。

[0126] [表2]

[0127]

[0128] 接下来，制作了比较例3的未烧成层叠体11。

[0129] 在比较例3的未烧成层叠体11中，玻璃陶瓷层13的位置与实施例2-1～实施例2-6的未烧成层叠体11不同。即，在比较例3的未烧成层叠体11中，在层叠体的两主面层叠了在主面形成有导电性膏膜16的玻璃陶瓷层13。因此，在比较例3的未烧成层叠体11中，从主面到玻璃陶瓷层13的距离为0μm。

[0130] 接下来，制作了比较例4的未烧成层叠体11。

[0131] 在比较例4的未烧成层叠体11中，基本的层叠构造与实施例2-1～实施例2-6的未烧成层叠体11相同，但是将从主面到玻璃陶瓷层3的距离设得大至150μm(烧成后)。

[0132] 以上的实施例2-1～实施例2-6、比较例3、比较例4的未烧成层叠体11均被制作为，多个陶瓷生片12的厚度的合计为1000μm，两层玻璃陶瓷层13的厚度的合计为8μm。

[0133] 接下来，制作了比较例5、比较例6的未烧成层叠体11。比较例5的未烧成层叠体11和比较例6的未烧成层叠体11由共同的未烧成层叠体构成。此外，比较例5、比较例6的未烧成层叠体11由与在专利文献2(日本专利第5024064号公报)公开的未烧成层叠体类似的构造构成。

[0134] 首先，准备了48片在主面形成有4μm的玻璃陶瓷层13的厚度为20μm的陶瓷生片12。此外，准备了两片在主面形成有4μm的玻璃陶瓷层13的厚度为20μm且进一步在其表面形成有导电性膏膜16的陶瓷生片12。

[0135] 接下来，使用这些材料，从下起依次层叠：一片在主面形成有玻璃陶瓷层13和导电性膏膜16的陶瓷生片12，并使导电性膏膜16侧向下；24片在主面形成有玻璃陶瓷层13的陶瓷生片12，并使玻璃陶瓷层13侧向下；24片在主面形成有玻璃陶瓷层13的陶瓷生片12，并使玻璃陶瓷层13侧向上；一片在主面形成有玻璃陶瓷层13和导电性膏膜16的陶瓷生片12，并使导电性膏膜16侧向上，从而得到了比较例5的未烧成层叠体11。比较例6的未烧成层叠体11在比较例5的未烧成层叠体11的上下分别进一步层叠了约束层生片18。

[0136] 接下来，对实施例2-1～实施例2-6、比较例3～比较例6的未烧成层叠体11进行了烧成。

[0137] 实施例2-1～实施例2-6、比较例3、比较例4、比较例6的未烧成层叠体11分别在从上下进行了加压的状态下以与实施方式1相同的条件进行了烧成。

[0138] 比较例5的未烧成层叠体11在未加压的状态下以与实施方式1相同的条件进行了烧成。

[0139] 接下来，在得到的烧成后的各层叠体1的表面电极6的表面，形成Ni镀膜、Au镀膜，从而分别完成了实施例2-1～实施例2-6、比较例3～比较例6的层叠陶瓷基板。

[0140] 接下来，分别对实施例2-1～实施例2-6、比较例3～比较例6的层叠陶瓷基板测定了电极接合强度和抗弯强度。

[0141] 关于电极接合强度，在形成于各层叠陶瓷基板的主面的表面电极6(存在Ni镀膜以及Au镀膜)焊接引线端子，并通过拉伸强度试验机进行了测定。

[0142] 抗弯强度通过三点弯曲试验机进行了测定。

[0143] 在表2示出各层叠陶瓷基板的电极接合强度和抗弯强度。

[0144] 根据表2可知，关于具有在烧成后全部的厚度或者厚度的一部分存在于层叠体的内部且存在于从主面起100μm以内的玻璃陶瓷层的实施例2-1～实施例2-6涉及的层叠陶瓷基板，电极接合强度、抗弯强度均为良好的结果。

[0145] 相对于此，在层叠体的主面的表面部分形成了玻璃陶瓷层的比较例3中，虽然抗弯强度良好，但是电极接合强度下降。

[0146] 此外，关于在烧成后与层叠体的主面相距大于100μm而形成了玻璃陶瓷层的比较例4涉及的层叠陶瓷基板，电极接合强度下降，抗弯强度也稍稍下降。

[0147] 此外，关于在陶瓷生片的各层间作为约束层而插入玻璃陶瓷层并且未施加压力而进行了烧成的比较例5涉及的层叠陶瓷基板、施加压力而进行了烧成的比较例6涉及的层叠陶瓷基板，电极接合强度均下降，抗弯强度也均稍稍下降。

[0148] 根据以上可知，根据发明，能够提高层叠陶瓷基板与表面电极的电极接合强度，并且能够提高层叠陶瓷基板的抗弯强度。

[0149] [实验例3]

[0150] 按以下的要领，制作了实施例3-1～实施例3-7涉及的层叠陶瓷基板和比较例7涉及的层叠陶瓷基板。

[0151] 在实施例3-1～实施例3-7中，使层叠在未烧成层叠体11的上下的约束层生片18的厚度变化。即，在烧成前，使约束层生片18的厚度变化为2μm、10μm、25μm、50μm、100μm、200μm、300μm。

[0152] 另一方面，对于比较例7，未在上下层叠约束层生片18。

[0153] 在表3示出实施例3-1～实施例3-7的各约束层生片18的厚度。

[0154] [表3]

[0155]

[0156] 首先，制作了各实施例以及比较例的未烧成层叠体11。

[0157] 各实施例的未烧成层叠体11为如下构造，即，从下起依次层叠了：一片由给定厚度构成的约束层生片18；一片形成有导电性膏膜16的20μm的陶瓷生片12，并使导电性膏膜16侧向下；一片形成有4μm的玻璃陶瓷层13的20μm的陶瓷生片12，并使玻璃陶瓷层13侧向下；46片普通的20μm的陶瓷生片12；一片形成有4μm的玻璃陶瓷层13的20μm的陶瓷生片12，并使玻璃陶瓷层13侧向上；一片形成有导电性膏膜16的20μm的陶瓷生片12，并使导电性膏膜16侧向上；一片由给定厚度构成的约束层生片18。

[0158] 比较例的未烧成层叠体11由从实施例的未烧成层叠体11除去了上下的约束层生片18的未烧成层叠体构成。

[0159] 接下来，对实施例3-1～实施例3-7、比较例7的未烧成层叠体11分别进行了烧成。

[0160] 对于实施例3-1～实施例3-7的未烧成层叠体11，在从上下经由约束层生片18用加压夹具进行了加压的状态下，以与实施方式1相同的条件进行了烧成。

[0161] 对于比较例7的未烧成层叠体11，用加压夹具从上下直接加压，并以与实施方式1相同的条件进行了烧成。

[0162] 其结果是，在未层叠约束层生片18的比较例7的层叠体和层叠了2μm的约束层生片18的实施例3-1的层叠体中，分别产生了裂纹。

[0163] 对于未产生裂纹的实施例3-2～实施例3-7的层叠体，在表面电极6的表面形成Ni镀膜、Au镀膜，从而完成了各层叠陶瓷基板。

[0164] 在表3示出完成后的各层叠陶瓷基板的电极接合强度和抗弯强度。

[0165] 根据表3可知，在实施例3-2～实施例3-7的层叠陶瓷基板中，全部得到了良好的电极接合强度、抗弯强度。

[0166] 根据以上可知，为了得到良好的电极接合强度、抗弯强度、外观形状，需要在未烧成层叠体11的上下层叠约束层生片18，并在从上下进行了加压的状态下进行烧成。此外，可知约束层生片18的厚度为2μm是不够的，期望为10μm以上。

[0167] [实验例4]

[0168] 按以下的要领，制作了实施例4-1～实施例4-8涉及的层叠陶瓷基板。

[0169] 而且，在实验例4中，按实施例4-1～实施例4-8中的每一个使玻璃陶瓷层13的厚度变化，并调查了其影响。

[0170] 在表4示出实施例4-1～实施例4-8各自的玻璃陶瓷层13的厚度。

[0171] 未烧成层叠体11中的层叠的顺序设为全部相同，设为如下构造，即，从下起依次层叠了：一片厚度为100μm的约束层生片18；一片形成有导电性膏膜16的20μm的陶瓷生片12，并使导电性膏膜16侧向下；一片形成有给定的厚度的玻璃陶瓷层13的20μm的陶瓷生片12，并使玻璃陶瓷层13侧向下；46片普通的20μm的陶瓷生片12；一片形成有给定的厚度的玻璃陶瓷层13的20μm的陶瓷生片12，并使玻璃陶瓷层13侧向上；一片形成有导电性膏膜16的20μm的陶瓷生片12，并使使导电性膏膜16侧向上；一片厚度为100μm的约束层生片18。

[0172] 接下来，对这些未烧成层叠体11分别在进行了加压的状态下以与实施方式1相同的条件进行了烧成。

[0173] 接下来，在得到的烧成后的各层叠体1的表面电极6的表面形成Ni镀膜、Au镀膜，分别完成了实施例4-1～实施例4-7、比较例8的层叠陶瓷基板。

[0174] 如上所述，在表4示出了各个玻璃陶瓷层13的厚度。除此以外，在表4中还示出了实施例4-1～实施例4-8各自的情况下的、烧成后的完成的各层叠陶瓷基板中的、玻璃陶瓷层13的厚度合计相对于层叠体的厚度的比率(％)。

[0175] 例如，在实施例4-7中，层叠50片厚度为20μm的陶瓷生片12和两层厚度为30μm的玻璃陶瓷层13，从而制作了层叠了50层厚度为10μm的陶瓷层和两层厚度为15μm的玻璃陶瓷层3的层叠陶瓷基板，因此比率成为(15×2)/(10×50+15×2)≈5.66％。

[0176] 此外，在实施例4-8中，层叠50片厚度为20μm的陶瓷生片12和两层厚度为40μm的玻璃陶瓷层13，从而制作了层叠了50层厚度为10μm的陶瓷层和两层厚度为20μm的玻璃陶瓷层3的层叠陶瓷基板，因此比率成为(20×2)/(10×50+20×2)≈7.41％。

[0177] 在表4示出完成后的各层叠陶瓷基板的电极接合强度和抗弯强度。

[0178] [表4]

[0179]

[0180] 根据表4可知，在使用了1μm～30μm的玻璃陶瓷层13的实施例4-2～实施例4-7涉及的层叠陶瓷基板中，电极接合强度、抗弯强度均为良好的结果。特别是，在实施例4-7中，虽然使玻璃陶瓷层13的厚度为30μm，玻璃陶瓷层3的厚度相对于层叠体1的整体的厚度的比例比较大，为5.66％，但是得到了良好的电极接合强度和抗弯强度。

[0181] 相对于此，在使玻璃陶瓷层13的厚度为0.5μm的实施例4-1中，抗弯强度、电极接合强度均下降。可认为，玻璃陶瓷层13的厚度小，导致玻璃成分的供给量不足。

[0182] 此外，在使玻璃陶瓷层13的厚度为40μm的实施例4-8中，抗弯强度、电极接合强度均下降。可认为，玻璃陶瓷层3的厚度相对于层叠体1的整体的厚度的比例过大，为7.41％，导致抗弯强度和电极接合强度下降。

[0183] 根据以上可知，如果玻璃陶瓷层3的厚度相对于层叠体1的整体的厚度的比例为6％以下程度，则能够得到良好的电极接合强度和抗弯强度。

[0184] [实验例5]

[0185] 在实验例5中，调查了层叠体1的内部的玻璃陶瓷层3的总层数对层叠体1(陶瓷层2)的绝缘电阻的影响。

[0186] 制作了由以下的内容构成的实施例5-1～实施例5-15涉及的层叠陶瓷基板。关于各实施例的制造方法，只要没有特别说明，就是利用了在实施方式中说明的制造方法。

[0187] 各实施例在层叠体1具备从2层、4层、6层、8层、10层中的任一者选择的玻璃陶瓷层3。在各实施例中，这些玻璃陶瓷层3中的一层配置为，全部的厚度存在于从一个主面起100μm以内，另一层配置为，全部的厚度存在于从另一个主面起100μm以内。在玻璃陶瓷层3的总层数为4层以上的情况下，将剩余的玻璃陶瓷层3以等间隔配置在刚刚进行了说明的配置在从主面起100μm以内的两层玻璃陶瓷层3之间。

[0188] 此外，各实施例在层叠体1具备从10层、40层、80层中的任一者选择的陶瓷层2。

[0189] 另外，在各实施例中，各玻璃陶瓷层3的厚度设为2μm(在烧成前的玻璃陶瓷层13的阶段为4μm)。此外，陶瓷层的厚度设为10μm(在陶瓷生片12的阶段为20μm)。

[0190] 此外，在各实施例中，形成了用于测定绝缘电阻的内部电极4以及外部电极。具体地，在相邻地配置于层叠体1的层叠方向上的正中间附近的两层陶瓷层2用的生片12的各主面，涂敷以Cu为主成分的导电性膏膜14，形成了一对内部电极4。此外，在烧成后的层叠体1的两端，涂敷以Cu为主成分的导电性膏膜，并进行烧附，形成了一对外部电极。一对内部电极4分别与一对外部电极中的任一方连接。

[0191] 对于实施例5-1～实施例5-15涉及的层叠陶瓷基板中的每一个，以温度85℃、湿度85％的条件实施了1000小时的100V负荷的试验。然后，在试验后，测定了各实施例的外部电极间的绝缘电阻。

[0192] 在表5示出实施例5-1～实施例5-15各自的绝缘电阻(Ω(常用对数))。

[0193] [表5]

[0194]

[0195] 根据表5可知，层叠体1的内部的玻璃陶瓷层3的总层数对层叠体1(陶瓷层2)的绝缘电阻有影响。另一方面，层叠体1的内部的陶瓷层2的总层数对层叠体1(陶瓷层2)的绝缘电阻没有影响。

[0196] 具体地，在层叠体1的内部的玻璃陶瓷层3的总层数为2层、4层、6层的情况下，不管陶瓷层2的总层数如何，绝缘电阻都是12Ω。相对于此，在层叠体1的内部的玻璃陶瓷层3的总层数为8层的情况下，不管陶瓷层2的总层数如何，绝缘电阻都下降为8Ω。进而，在层叠体1的内部的玻璃陶瓷层3的总层数为10层的情况下，不管陶瓷层2的总层数如何，绝缘电阻都进一步下降为6Ω。

[0197] 本申请的发明人正在对详细的机制进行研究。若玻璃陶瓷层3的总层数超过6层，则在烧成时，陶瓷生片12包含的粘合剂、玻璃陶瓷层13包含的粘合剂的蒸发被阻碍，变得容易在层中残存有粘合剂。认为可能是在烧成后，层中的粘合剂渐渐挥发，由此变得容易产生缺陷，绝缘电阻下降。

[0198] 根据以上可知，为了维持高的绝缘电阻，只要使层叠体1的内部的玻璃陶瓷层3的总层数为6层以下即可。另外，在本实施例中，对在从层叠体的主面起比100μm更远离的区域存在玻璃陶瓷层的方式进行了说明。但是，可认为，即使全部的玻璃陶瓷层都存在于从层叠体的主面起100μm以内，若玻璃陶瓷层13的层数为6层以下，则绝缘电阻难以下降的倾向是相同的。

[0199] 附图标记说明

[0200] 1：层叠体；

[0201] 2：陶瓷层；

[0202] 3a、3b：玻璃陶瓷层；

[0203] 4：内部电极；

[0204] 5：过孔电极；

[0205] 6：表面电极；

[0206] 7：电子部件；

[0207] 11：未烧成层叠体；

[0208] 12：陶瓷生片；

[0209] 13a、13b：玻璃陶瓷层(烧成前)；

[0210] 14、16：导电性膏膜；

[0211] 15：孔(用于形成过孔电极5)；

[0212] 18：约束层(约束层陶瓷生片)；

[0213] 19：加压夹具；

[0214] 25：导电性膏(填充到孔15的导电性膏)；

[0215] 100：层叠陶瓷基板；

[0216] 200：电子模块。