用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺及其结构

摘要

本发明提供一种晶圆三维集成引线工艺及其结构，该工艺可应用于三维存储器晶圆的晶圆三维集成工艺中。通过在晶圆和三维存储器件层141之间设置绝缘层19和多晶硅层21，并将用于金属互联的接触孔15设置为与该绝缘层19接触，并通过减薄工艺去除掉该晶圆，后续形成引线连接结构17。本发明提出了一种新的引线工艺，使得可以穿过较厚的器件层实现背面引线。