连续式热处理炉及使用该连续式热处理炉的陶瓷电子元器件制造方法转让专利

申请号 : CN201680036384.X

文献号 : CN107735637B

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基本信息:

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 则冈铁人中谷行宏高畑猛

申请人 : 株式会社村田制作所

摘要 :

连续式热处理炉(HF1)中设有沿着输送方向(b)对工件进行热处理的热处理区域。工件在热处理区域(H)中被输送的同时进行热处理。用于输送工件的工件输送机构(100)具备:上方具有开口部的箱状的底部框架(1)、多孔质板(2)、多孔质板(2)覆盖底部框架(1)的开口部而形成的气室(3)、以及与气室(3)连通并将透过多孔质板(2)而流出的气体(g)提供给气室(3)内的供气单元(4)。多孔质板(2)设置成上表面(2a)面向工件输送方向向下倾斜,且在上表面(2a)形成有沿着工件(W)的输送方向延伸的槽(2t1~2t10)。

权利要求 :

1.一种连续式热处理炉,设有沿着工件的输送方向对所述工件进行热处理的至少一个热处理区域,所述工件在所述热处理区域中被输送的同时进行热处理,其特征在于,用于输送所述工件的工件输送机构具备:上方具有至少一个开口部的箱状的底部框架;多孔质板;通过所述多孔质板覆盖所述底部框架的所述至少一个开口部而形成的至少一个气室;以及与所述至少一个气室相连通并将透过所述多孔质板而流出的气体提供给所述至少一个气室的供气单元,所述多孔质板设置成上表面面向所述工件的输送方向而向下倾斜,且在所述上表面与所述工件的输送方向平行地形成有多个直线状的连续的槽,进入所述槽的所述工件在其自重的作用下,沿着向下倾斜的所述多孔质板的槽,以前端斜向下的状态沿着输送方向在槽中移动。

2.如权利要求1所述的连续式热处理炉,其特征在于,

所述工件输送机构还具备使所述工件整齐排列地插入所述槽内的整齐排列机构。

3.如权利要求1所述的连续式热处理炉,其特征在于,

具有多个气室,对于每个气室能够利用所述供气单元调节气体的供给量。

4.一种陶瓷电子元器件制造方法,其特征在于,

所述工件是未脱脂的陶瓷电子元器件坯体,

所述陶瓷电子元器件制造方法包括以下工序:

制作所述工件的工件制作工序;

使用权利要求1至3中的任一项所述的连续式热处理炉,一边利用所述供气单元调节透过所述多孔质板而流出的气体的量,一边对所述工件进行脱脂的脱脂工序;以及对脱脂后的所述工件进行烧结的烧结工序。

说明书 :

连续式热处理炉及使用该连续式热处理炉的陶瓷电子元器件

制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及具备用于输送多个微小工件(被处理物)的工件输送机构的连续式热处理炉、以及使用该连续式热处理炉的陶瓷电子元器件制造方法。

背景技术

[0002] 连续式的处理设备具备用于连续地输送工件的工件输送机构。作为这样的工件输送机构,带式输送机、滚筒输送机等正被广泛使用。然而,在上述工件输送机构中,需要设置用于驱动传输带、滚筒的驱动机构,使得工件输送机构复杂化且大型化,从而导致用于制造工件输送机构的成本增加。
[0003] 因此,需要简化工件输送机构的结构。日本专利特开2008-273727号公报(专利文献1)中提出了这样的工件输送机构的一例。
[0004] 图11是专利文献1所记载的工件输送机构400的示意图。工件输送机构400具备上方开口的箱状的底部框架401、多孔质板402、气室403、供气单元404和配管405。这里,气室403由多孔质板402覆盖底部框架401的开口部而形成。另外,多孔质板402设置成沿着输送方向向下倾斜。工件给料位置P1上的多孔质板402的背面形成有局部压损调节机构402a,用于向所提供的工件W施加推进力。
[0005] 底部框架401上形成有与气室403连通的供气口406。供气单元404经由配管405与供气口406相连,向气室403内供气。提供给气室403内的气体透过多孔质板402内的吸孔而流出到外部。
[0006] 当多孔质板402上的工件给料位置P1处被提供了工件W时,局部压损调节机构402a会向工件W下表面的后方部分(图上左侧)喷射透过多孔质板402而来的气体。于是,工件W会前端斜向下地悬浮,受到向输送方向的推进力。然后,工件W沿着向下倾斜的多孔质板402,以前端斜向下悬浮的状态在输送方向上移动。
[0007] 专利文献1所记载的工件输送机构400中,通过采用上述结构,利用简单的结构就能沿着输送方向输送工件W,因此能够降低工件输送机构的制造成本。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1:日本专利特开2008-273727号公报

发明内容

[0011] 发明所要解决的技术问题
[0012] 上述工件输送机构400可以有效地适用于例如将玻璃基板之类的一条边长有可能为数十cm的大型工件W一块块地运输并进行热处理的情况。另一方面,考虑例如在输送层叠陶瓷电容器的电容器主体之类的多个微小工件W并进行脱脂的情况下适用工件输送机构400的情况。在多个微小工件W以堆积如山的状态在多孔质板402上移动的情况下,透过多孔质板402的气体与每一个工件W的接触情况会变得不均匀。其结果是导致脱脂结果变得不均匀,从而有可能导致工件W的品质偏差。
[0013] 因此,本发明的目的在于提供一种即使是多个微小的工件也能在输送过程中均匀地实施脱脂等处理的连续式热处理炉、以及使用该连续式热处理炉的陶瓷电子元器件制造方法。
[0014] 解决技术问题的技术方案
[0015] 本发明为了提高在连续式热处理炉内对多个微小工件实施处理的均匀性,对多孔质板的形状进行了改良。
[0016] 本发明首先针对的是连续式热处理炉。
[0017] 本发明所涉及的连续式热处理炉沿着工件的输送方向设置至少一个对工件进行热处理的热处理区域。工件在热处理区域中被输送的同时进行热处理。
[0018] 用于输送工件的工件输送机构具备底部框架、多孔质板、至少一个气室、以及供气单元。底部框架呈上方具有至少一个开口部的箱状。至少一个气室通过多孔质板覆盖底部框架的至少一个开口部来形成。供气单元与至少一个气室连通,并将透过多孔质板流出的气体提供给至少一个气室。而且,多孔质板设置成上表面面向工件的输送方向向下倾斜,且在上表面形成有沿着工件输送方向延伸的槽。
[0019] 上述连续式热处理炉中,在多孔质板的上表面形成有沿着工件的输送方向延伸的槽。这种情况下,即使是多个微小的工件,也能通过使其进入槽内而保持整齐排列的状态。因而,工件不会在多孔质板上堆积如山,并且从槽的底面和侧面向一个个工件提供气体(气氛),因此能够进行均匀的热处理。
[0020] 本发明所涉及的连续式热处理炉优选具备以下特征。即,工件输送机构还具备使工件整齐排列地插入槽内的整齐排列机构。
[0021] 在上述连续式热处理炉中,工件输送机构还具备使工件整齐排列地插入槽内的整齐排列机构。这种情况下,即使工件输送机构被提供了堆积如山的多个微小工件,也可以利用整齐排列机构使工件以整齐排列的状态插入多孔质板的槽内。因而,能够可靠地从槽的底面和侧面向一个个工件供气,因此能够可靠地进行均匀的热处理。
[0022] 另外,本发明还针对的是陶瓷电子元器件的制造方法。
[0023] 本发明所涉及的陶瓷电子元器件的制造方法中,工件是未脱脂的陶瓷电子元器件坯体,其包括制作工件的工件制作工序、脱脂工序、以及对脱脂后的工件进行烧结的烧结工序。而且,在脱脂工序中,使用本发明所涉及的的连续式热处理炉,利用供气单元调节透过多孔质板而流出的气体的量的同时对工件进行脱脂。
[0024] 在制造陶瓷电子元器件时,为了使陶瓷材料粉末粘结以使陶瓷电子元器件坯体成形,使用被称为粘合剂的高分子有机材料。该粘合剂需要在对陶瓷电子元器件坯体进行烧结之前通过燃烧去除。该粘合剂的燃烧去除被称为脱脂。
[0025] 在上述陶瓷电子元器件的制造方法中,使用本发明所涉及的连续式热处理炉来对未脱脂的陶瓷电子元器件坯体即工件进行脱脂。这种情况下,如前所述,工件不会在多孔质板上堆积如山,并从槽的底面和侧面向一个个工件供气(调节了氧浓度的气氛)。
[0026] 另外,当在工件堆积如山的状态下进行脱脂时,在工件的山形内部,因脱脂产生的热量无法发散,工件的山形内部的温度要高于表面的温度。另一方面,通过上述工件的脱脂方法,工件不会堆积如山,因此能够抑制一个个工件的温度偏差。因此,即使是陶瓷电子元器件坯体这样的多个微小工件,也能够进行均匀的脱脂。即,能够抑制烧结后的陶瓷电子元器件的品质偏差。
[0027] 发明效果
[0028] 在本发明所涉及的连续式热处理炉中,在多孔质板的上表面形成有沿着工件的输送方向延伸的槽。这种情况下,即使是多个微小的工件,也能通过使其进入槽内而保持整齐排列的状态。因而,工件不会在多孔质板上堆积如山,并且从槽的底面和侧面向一个个工件提供气体(气氛),因此能够进行均匀的热处理。
[0029] 另外,在本发明所涉及的陶瓷电子元器件的制造方法中,使用本发明所涉及的连续式热处理炉来对未脱脂的陶瓷电子元器件坯体即工件进行脱脂。这种情况下,如前所述,工件不会在多孔质板上堆积如山,并从槽的底面和侧面向一个个工件供气(调节了氧浓度的气氛),并且能够抑制一个个工件的温度偏差。因此,即使是陶瓷电子元器件坯体这样的多个微小工件,也能够进行均匀的脱脂。即,能够抑制烧结后的陶瓷电子元器件的品质偏差。

附图说明

[0030] 图1是示意性地表示本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式1即连续式热处理炉HF1的剖视图。
[0031] 图2是图1所示的连续式热处理炉HF1中的工件输送机构100所具备的多孔质板2的俯视图(图2(A))、以及包含俯视图中的A-A线的面的箭头方向剖视图(图2(B))。
[0032] 图3是表示图1所示的连续式热处理炉HF1中的炉内各区域的设定温度及气体流量与时间经过的关系的曲线图。
[0033] 图4是图1所示的多孔质板2的变形例1即多孔质板2A的相当于图2(B)所示的箭头方向剖视图的剖视图。
[0034] 图5是图1所示的多孔质板2的变形例2即多孔质板2B的相当于图2(B)所示的箭头方向剖视图的剖视图。
[0035] 图6是图1所示的多孔质板2的变形例3即多孔质板2C的相当于图2(B)所示的箭头方向剖视图的剖视图。
[0036] 图7是示意性地表示本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式2即连续式热处理炉HF2的剖视图。
[0037] 图8是表示图7所示的连续式热处理炉HF2中的炉内各区域的设定温度及气体流量与时间经过的关系的曲线图。
[0038] 图9是示意性地表示本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式3即连续式热处理炉HF3的剖视图。
[0039] 图10是表示图9所示的连续式热处理炉HF3中的炉内各区域的设定温度及气体流量与时间经过的关系的曲线图。
[0040] 图11是示意性地表示背景技术的工件输送机构400的剖视图。

具体实施方式

[0041] 下面示出本发明的实施方式,进一步详细地说明作为本发明特征的内容。
[0042] -连续式热处理炉的实施方式1-
[0043] 利用图1~图3,对本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式1即连续式热处理炉HF1进行说明。连续式热处理炉HF1是用于对未脱脂的陶瓷电子元器件坯体进行脱脂的脱脂炉。下面,以上述的脱脂炉为具体例来对本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式进行说明。
[0044] <连续式热处理炉的构造>
[0045] 图1是示意性地表示连续式热处理炉HF1的剖视图。连续式热处理炉HF1中设有沿着工件(未图示)的输送方向b对工件进行热处理的热处理区域H。工件在热处理区域H中被输送的同时进行热处理。工件如上所述是未脱脂的陶瓷电子元器件坯体,通过已知的方法制作而成。陶瓷电子元器件的制造方法有时会对脱脂后的陶瓷电子元器件坯体和外部电极一起进行烧结。这种情况下,陶瓷电子元器件坯体包含预先被涂布了外部电极糊料的情况。
[0046] 输送工件的工件输送机构100具备连续式热处理炉HF1的下侧炉体即底部框架1、多孔质板2、气室3和供气单元4。
[0047] 底部框架1呈上方具有开口部的箱状。多孔质板2设置成上表面2a面向工件的输送方向b向下倾斜,且在上表面2a形成有沿着工件的输送方向b延伸的槽(未图示)。气室3由多孔质板2覆盖底部框架1的开口部来形成。供气单元4经由配管5及供气口6而与气室3相连通,将透过多孔质板2而流出的气体g提供给气室3。
[0048] 工件输送机构100在多孔质板2的上表面2a的上方还具备整齐排列机构10。关于整齐排列机构10的动作,会在后文中阐述。
[0049] 连续式热处理炉HF1具备与下侧炉体一同构成炉体的上侧炉体7、以及对工件进行加热的加热器9。上侧炉体7中设有使透过多孔质板2而流出的气体g排出的排气口8。图1中,排气口8分别设置于连续式热处理炉HF1的入口侧和出口侧,但其数量和设置部位并不限于此。另外,上侧炉体具备隔热构件(未图示),抑制热量向连续式热处理炉HF1的外部散热。
[0050] 图2(A)是图1所示的连续式热处理炉HF1中的多孔质板2的俯视图,还一并示出了例如陶瓷电容器的电容器主体那样长方体形状的多个微小工件W。图2(B)是包含俯视图的A-A线的面的箭头方向剖视图。图2中,上表面2a形成有沿着工件W的输送方向b延伸的槽2t1~2t10。
[0051] 槽2t1~2t10的与工件W的输送方向b正交的截面呈矩形。工件W以长方体形状的工件W最长的边沿着输送方向b进入槽2t1~2t10的状态移动。长方体形状的工件W最长的边沿着输送方向b的状态也包含了最长的边相对于输送方向b稍许倾斜的状态。
[0052] 在俯视槽2t1~2t10时各槽的宽度被设定为比长方体形状的工件W的第二长的边长稍长。即,成为不仅能从槽的底面对一个个工件W提供气体g,还能从侧面对一个个工件W提供气体g的状态。具体而言,各槽的宽度相对于长方体形状的工件W的第二长的边长优选为大20%左右。
[0053] 另外,在上表面2a的上方设有与工件W的输送方向b正交设置的板状构件即整齐排列机构10。整齐排列机构10的下端与多孔质板2的上表面2a之间的间隔被设定为只有进入槽2t1~2t10的工件W才能从整齐排列机构10下方通过的间隔。
[0054] 图2(A)中,工件W以堆积如山的状态被提供至多孔质板2上的工件给料位置(未图示)。所提供的堆积如山的工件W有一部分进入槽2t1~2t10,另一部分位于上表面2a上,还有一部分与其它工件W重叠。这些工件W中,尤其是进入槽2t1~2t10的工件,会被喷射透过多孔质板2而来的气体g。于是,这些工件W处于和槽2t1~2t10的侧面及底面之间的摩擦力下降的状态。
[0055] 然后,进入槽2t1~2t10的工件W在其自重的作用下,沿着向下倾斜的多孔质板2,以前端斜向下的状态沿着输送方向b移动。没有进入槽2t1~2t10的工件W也随着进入槽2t1~2t10的工件W的输送而同样地沿输送方向b移动。
[0056] 当移动过来的堆积如山的工件W到达整齐排列机构10时,进入槽2t1~2t10的工件W保持原样继续沿输送方向b移动。另一方面,没有进入槽2t1~2t10的工件W被整齐排列机构10所阻挡。于是,在进入槽2t1~2t10的工件W全部通过了整齐排列机构10之后,或者当进入槽2t1~2t10的工件W之间存在间隙时,落入槽2t1~2t10内并向输送方向b移动。即,通过整齐排列机构10,工件W以进入槽2t1~2t10并整齐排列的状态在多孔质板2上移动。这种情况下,能够用极为简单的结构来进行工件W的整齐排列输送。
[0057] 整齐排列机构10并不限于以上说明的简单的板状构件,也可以采用设计成在向多孔质板2上提供工件W的时刻使工件W进入槽2t1~2t10的传递夹具之类的构件。另外,也可以是对多孔质板2施加微弱的振动,使以堆积如山的状态提供到工件给料位置的工件W的山形崩塌而进入槽2t1~2t10的振动装置。
[0058] 图3是表示图1所示的连续式热处理炉HF1中的炉内各区域的设定温度及气体流量与时间经过的关系的曲线图。连续式热处理炉HF1的内部可以大致划分为脱脂进行区域和脱脂完成区域,其中,在该脱脂进行区域中,升温并维持最高温度使工件W所包含的粘合剂燃烧来进行脱脂,在该脱脂完成区域中,维持最高温度并降温使脱脂基本完成。图3的情况下,所提供的气体流量是固定的。
[0059] 如上所述,在多孔质板2上不会堆积如山而是整齐排列输送的工件W如前文所述,从槽2t1~2t10的底面和侧面向这一个个工件W提供气体g。在脱脂进行区域中,因脱脂而产生的热量均匀地发散,从而能够抑制一个个工件W的温度偏差。因此,即使是陶瓷电子元器件坯体这样的多个微小工件W,也能够进行均匀的脱脂。
[0060] 通过对经过上述脱脂后的工件W进行烧结,得到陶瓷电子元器件坯体。根据需要,在所得到的陶瓷电子元器件坯体上形成外部电极等,从而得到陶瓷电子元器件。
[0061] <多孔质板的变形例>
[0062] 利用图4~图6,对本发明所涉及的连续式热处理炉HF1中的工件输送机构100所具备的多孔质板2的变形例进行说明。
[0063] <多孔质板的变形例1>
[0064] 图4是工件输送机构100所具备的多孔质板2的变形例1即多孔质板2A的相当于图2(B)所示的箭头方向剖视图的剖视图。多孔质板2A中,形成于上表面2Aa的槽2t1~2t10的与工件W的输送方向b正交的截面呈U字形。
[0065] 这种情况下,工件W与槽2t1~2t10的底部之间有间隙,从而容易从底部提供气体g,且所提供的气体g容易流动。因而,能够使工件W所包含的粘合剂高效地燃烧,并且能够有效地散发因粘合剂燃烧而产生的热量。另外,由于底部没有角部而是做圆的形状,因此能够提高机械强度。
[0066] <多孔质板的变形例2>
[0067] 图5是工件输送机构100所具备的多孔质板2的变形例2即多孔质板2B的相当于图2(B)所示的箭头方向剖视图的剖视图。多孔质板2B中,形成于上表面2Ba的槽2t1~2t10的与工件W的输送方向b正交的截面呈V字形。
[0068] 这种情况下,与多孔质板2A相同,工件W与槽2t1~2t10的底部之间有间隙,从而容易从底部提供气体g。而且,由于上表面2Ba的开口部的面积变大,因此所提供的气体g更容易流动。因而,能够使工件W所包含的粘合剂更加高效地燃烧,并且能够更加有效地散发因粘合剂燃烧而产生的热量。
[0069] <多孔质板的变形例3>
[0070] 图6是工件输送机构100所具备的多孔质板2的变形例3即多孔质板2C的相当于图2(B)所示的箭头方向剖视图的剖视图。多孔质板2C中,形成于上表面2Ca的槽2t1~2t10的与工件W的输送方向b正交的截面呈底部做圆的V字形。
[0071] 这种情况下,与多孔质板2B相同,工件W与槽2t1~2t10的底部之间有间隙,从而容易从底部提供气体g。而且,由于上表面2Ca的开口部的面积变大,因此所提供的气体g更容易流动。另外,与多孔质板2A相同,底部没有角部,而是做圆的形状。因而,能够使工件W所包含的粘合剂更加高效地燃烧,并且能够更加有效地散发因粘合剂燃烧而产生的热量。还能够提高机械强度。
[0072] -连续式热处理炉的实施方式2-
[0073] 利用图7和图8,对本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式2即连续式热处理炉HF2进行说明。连续式热处理炉HF2与连续式热处理炉HF1同样,是用于对构成陶瓷电子元器件的电子元器件坯体进行脱脂的脱脂炉。
[0074] 图7是示意性地表示连续式热处理炉HF2的剖视图。连续式热处理炉HF2的气室被划分为第一气室3a和第二气室3b。供气单元4经由第一配管5a和第一供气口6a而与第一气室3a相连通,并经由第二配管5b和第二供气口6b而与第二气室3b相连通,向各气室内提供气体g。其它部分与前述的连续式热处理炉HF1相同,因此省略说明。
[0075] 连续式热处理炉HF2通过采用上述结构,沿着工件(未图示)的输送方向b,设有对工件进行热处理的第一热处理区域H1和第二热处理区域H2。工件在第一热处理区域H1和第二热处理区域H2中被输送的同时进行热处理。
[0076] 图8是表示图7所示的连续式热处理炉HF2中的炉内各区域的设定温度及气体g的流量与时间经过的关系的曲线图。连续式热处理炉HF2的内部与连续式热处理炉HF1相同,大致划分为脱脂进行区域和脱脂完成区域。图8的情况下,提供给各气室的气体(调节了氧浓度的气氛)g的量由供气单元4进行调节,使得脱脂进行区域中的量较多,脱脂完成区域中的量较少。提供给各区域的气体g的成分是相同的。
[0077] 在上述脱脂方法中,在脱脂进行区域增大气体g的量来促进脱脂,在脱脂完成区域减小气体g的量来减少不必要流出的气体g,从而进行有效脱脂。
[0078] -连续式热处理炉的实施方式3-
[0079] 利用图9和图10,对本发明所涉及的连续式热处理炉的实施方式3即连续式热处理炉HF3进行说明。连续式热处理炉HF3与连续式热处理炉HF1和HF2同样,是用于对构成陶瓷电子元器件的电子元器件坯体进行脱脂的脱脂炉。
[0080] 图9是示意性地表示连续式热处理炉HF3的剖视图。连续式热处理炉HF3中气室被划分为第一气室3a、第二气室3b和第三气室3c。供气单元4经由第一配管5a和第一供气口6a而与第一气室3a相连通,经由第二配管5b和第二供气口6b而与第二气室3b相连通,并经由第三配管5c和第三供气口6c而与第三气室3c相连通,向各气室内提供气体g。其它部分与前述的连续式热处理炉HF1和HF2相同,因此省略说明。
[0081] 连续式热处理炉HF3通过采用上述结构,沿着工件(未图示)的输送方向b,设有对工件进行热处理的第一热处理区域H1、第二热处理区域H2和第三热处理区域H3。工件在第一热处理区域H1、第二热处理区域H2和第三热处理区域H3中被输送的同时进行热处理。
[0082] 图10是表示图9所示的连续式热处理炉HF3中的炉内各区域的设定温度及气体g的流量与时间经过的关系的曲线图。连续式热处理炉HF3的内部与连续式热处理炉HF1和HF2相同,大致划分为脱脂进行区域和脱脂完成区域。而且,可以通过加热器9的配置方式,将脱脂进行区域进一步分为低温区域和高温区域。图10的情况下,提供给各气室的气体g的流量由供气单元4进行调节,脱脂进行区域的低温区域流量第二多,脱脂进行区域的高温区域流量最大,脱脂完成区域流量最小。提供给各区域的气体g的成分是相同的。
[0083] 在上述脱脂方法中,即使是脱脂进行区域,在粘合剂的燃烧不易进展的低温区域的气体g的流量也比高温区要少,使高温区域的气体g的流量最多来促进脱脂,而在脱脂完成区域与减小气体g的流量,以减少不必要流过的气体g,从而能够更加有效地脱脂。
[0084] 另外,本发明不限于上述实施方式,在本发明的范围内能附加各种应用、变形。例如,提供给各气室的气体g的量不仅可以由供气单元4来调节,而且还可以由多孔质板2的开口率来进行调节。另外,供气单元4提供的气体g的种类也可以在各气室间不相同。
[0085] 例如,也可以通过使加热器9的种类和配置、以及供气单元4提供的气体g的种类在各气室间不同,从而在一个连续式热处理炉内进行脱脂和烧结。即,只要是连续式热处理炉,就能适用本发明,而与热处理的内容无关。
[0086] 另外,还指出了该说明书中所记载的各实施方式均为例示内容,在不同的实施方式之间,可对结构进行部分置换或组合。
[0087] 标号说明
[0088] HF1、HF2、HF3连续式热处理炉;100工件输送机构;1底部框架;2多孔质板;2a上表面;2t1~2t10槽;3气室;4供气单元;W工件;H热处理区域;g气体;b输送方向。