一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件

摘要

本发明公开了一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件，本发明的有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有本发明的三芳胺类衍生物。本发明的优点是，本发明的三芳胺类衍生物的共轭体系较大，因此具有较高的空穴迁移率，表现出较好的空穴传输性能，另外本发明的三芳胺类衍生物还具有较好的热稳定性和溶解性，有利于材料成膜；应用本发明的三芳胺类衍生物作为有机物层的有机发光器件，具有较高的发光效率和发光亮度，并且具有较长的使用寿命。

权利要求

1.一种有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，所述有机物层位于阴极和阳极之间，所述有机物层包括空穴传输层，所述空穴传输层包含三芳胺类衍生物，所述三芳胺类衍生物选自如下所示化学结构中的一种，

说明书

一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件

技术领域

[0001] 本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件。

背景技术

[0002] 有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前，有机光电材料已经应用于有机发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术，OLED以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点，越来越多的应用于显示及照明领域。

[0003] 通常OLED具有多层结构，包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极以及置于ITO阳极与金属阴极之间的若干有机光电材料层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等。在一定电压驱动下，电子与空穴分别由阴极与阳极注入到电子传输层和空穴传输层，两者分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光材料层，当两者在发光材料层中相遇结合时形成电子-空穴复合激子，激子通过发光弛豫的形式回到基态，从而达到发光的目的。

[0004] 目前，有机发光器件已经向着实用化、商品化发展，但在器件的亮度、效率和寿命上仍需要进一步的提高，这对有机空穴传输材料也提出了更高的要求。如何设计新的性能更好的材料进行调节，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

[0005] 发明目的：针对上述问题，本发明的目的是提供一种三芳胺类衍生物及其有机发光器件，该化合物作为空穴传输材料应用在有机发光器件中，从而降低了有机发光器件的驱动电压，提高了有机发光器件的发光效率及亮度，并且延长了有机发光器件的使用寿命。

[0006] 本发明的上述技术目的是通过以下技术方案实现的：一种三芳胺类衍生物，该衍生物具有如化学式I所示的结构通式：

[0007]

[0008] 其中，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C50的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基。

[0009] 优选的，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C15的芳基、取代或未取代的C6～C15的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基。

[0010] 最优选的，Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的苯基、咔唑基、萘基、蒽基、芴基、三联苯基、联苯基、三亚苯基、螺二芴基。

[0011] 优选的，本发明的三芳胺类衍生物选自如下所示化学结构中的一种：

[0012]

[0013]

[0014]

[0015]

[0016] 本发明还提供了一种有机发光器件，该有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有上述本发明的三芳胺类衍生物。

[0017] 进一步的，有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。

[0018] 优选的，有机物层包括空穴传输层，空穴传输层包含上述本发明的三芳胺类衍生物。

[0019] 有益效果：与现有技术相比，本发明的优点是，本发明的三芳胺类衍生物的共轭体系较大，因此具有较高的空穴迁移率，表现出较好的空穴传输性能，另外本发明的三芳胺类衍生物还具有较好的热稳定性和溶解性，有利于材料成膜；应用本发明的三芳胺类衍生物作为有机物层的有机发光器件，具有较低的驱动电压，较高的发光效率和发光亮度，并且具有较长的使用寿命。

具体实施方式

[0020] 下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

[0021] 一种三芳胺类衍生物，该衍生物具有如化学式I所示结构通式：

[0022]

[0023] 其中，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C50的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基。

[0024] 优选的，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C15的芳基、取代或未取代的C6～C15的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的杂芳基。

[0025] 按照本发明，上述取代的芳基、取代的杂芳基中，取代基独立地选自氘、C1～C10烷基、氨基、烷基氨基、羟基、烷氧基、酰胺基、酰氧基、C6～C24芳基和C3～C20杂环基。

[0026] 最优选的，Ar1、Ar2、Ar3独立的选自苯基、烷基取代的苯基、苯基取代的苯基、萘基取代的苯基、蒽基取代的苯基、芴基取代的苯基、咔唑基、烷基取代的咔唑基、苯基取代的咔唑基、萘基取代的咔唑基、蒽基取代的咔唑基、菲基取代的咔唑基、咔唑N-取代的咔唑、三联苯基、烷基取代的三联苯基、萘基取代的联苯基、蒽基取代的联苯基、菲基取代的联苯基、芴基取代的联苯基、咔唑取代的联苯基、三亚苯基、二苯取代的苯基、联苯取代的芴基、联苯取代的咔唑基、苯基取代的联萘基、二苯取代的蒽基、螺二芴基、蒽基、烷基取代的蒽基、苯基取代的蒽基、萘基取代的蒽基、芴基取代的蒽基、菲基取代的蒽基、芴基、烷基取代的芴基、苯基取代的芴基、蒽基取代的芴基、菲基取代的芴基。

[0027] 作为举例，没有特别限定，本发明的三芳胺类衍生物选自如下所示化学式中的一种：

[0028]

[0029]

[0030]

[0031]

[0032] 本发明的三芳胺类衍生物的合成路线如下所示：

[0033]

[0034]

[0035] 其中，R1、R2独立的选自氢、取代或未取代的C1～C50的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3独立的选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的杂芳基。

[0036] 上述三芳胺类衍生物的合成步骤如下：

[0037] (1)向圆底烧瓶中依次加入化合物I、4-溴-4'-碘联苯、t-BuONa、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2以及超声除氧的甲苯，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II；

[0038] (2)在圆底烧瓶中依次加入化合物II、氨水、t-BuONa、Pd2(dba)3以及超声除氧的二甲苯，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯中的P(t-Bu)3，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A；

[0039] (3)向圆底烧瓶中依次加入中间体A、化合物III、t-BuONa以及、Pd2(dba)3以及超声除氧的甲苯，随后添加溶解于甲苯中的P(t-Bu)3，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B；

[0040] (4)在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B、化合物IV、t-BuONa、Pd(dba)2、超声除氧的甲苯以及溶解于甲苯中的P(t-Bu)3的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化学式I的产品。

[0041] 对本发明的三芳胺类衍生物的合成路线没有特殊限制，可以采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。

[0042] 本发明还提供了一种有机发光器件，该有机发光器件包括阴极、阳极以及一个或多个有机物层，有机物层位于阴极和阳极之间，有机物层中的至少一层含有上述本发明的三芳胺类衍生物。

[0043] 本发明的有机发光器件的有机物层具有单层结构，或可选择性地具有其中两个或更多个有机物层分层的多层结构。本发明的有机发光器件可具有空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层或置于阳极和空穴注入层之间的缓冲层作为有机物层。然而，有机发光器件的结构不限于此，但是可包括较少数量的有机物层。含有本发明的三芳胺类衍生物的有机物层的厚度不高于6μm，优选为不高于0.3μm，且更优选为0.002～0.3μm。如果需要，含有本发明的三芳胺类衍生物的有机物层可进一步包含本领域中已知的能进行空穴注入、空穴传输、发光、电子传输和电子注入的其它材料。

[0044] 本发明的有机发光器件可以使用已知材料通过已知方法制备，仅可以在一层或多层有机物层中包含本发明的三芳胺类衍生物。

[0045] 本发明的三芳胺类衍生物具体可以作为制备有机发光器件的空穴传输层。采用的有机发光器件优选为：附着在透光玻璃上的ITO作为阳极，空穴注入层，本发明的三芳胺类衍生物作为空穴传输层，发光材料层，电子传输层，电子注入层，金属Al作为阴极。

[0046] 发明的有机发光器件可广泛应用于平板显示、固体照明、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。

[0047] 本发明对以下实施例中所采用的原料没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。

[0048] 实施例1：中间体A-1的制备

[0049]

[0050] 向圆底烧瓶中依次加入化合物I-1(12.5g,73.8mmol)、4-溴-4'-碘联苯(26.5g,73.8mmol)、t-BuONa(10.7g,111mmol)、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2(1.2g,1.47mmol)以及超声除氧的甲苯(1.5L)，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II-1的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II-1(23.0g,78％)。

[0051] 在圆底烧瓶中依次加入化合物II-1(20.0g,50mmol)、氨水(5.8g,150mmol)、t-BuONa(14.4g,150mmol)、Pd2(dba)3(0.46g,0.5mmol)以及超声除氧的二甲苯(1L)，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯(3ml)中的P(t-Bu)3(0.40g,2mmol)，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A-1(11.8g,70％)。质谱m/z：理论值：336.44；实测值：338.65。理论元素含量(％)C24H20N2：C,85.68；H,5.99；N,8.33；实测元素含量(％)：
C,85.66；H,6.02；N,8.21。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0052] 中间体B-1的制备

[0053]

[0054] 向圆底烧瓶中依次加入中间体A-1(12.6g,37.5mmol)、化合物III-1(5.9g,37.5mmol)、t-BuONa(5.4g,56.25mmol)以及、Pd2(dba)3(0.686g,0.75mmol)以及超声除氧的甲苯(200mL)，随后添加溶解于甲苯(3mL)中的P(t-Bu)3(0.36g,1.8mmol)，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有几层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B-1的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B-1(10.1g,65％)。质谱m/z：理论值：412.54；实测值：414.67。理论元素含量(％)C30H24N2：C,87.35；H,5.86；N,6.79；实测元素含量(％)：C,87.32；H,5.89；N,
6.78。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0055] 化合物TM1的制备

[0056]

[0057] 在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B-1(20.7g,50.0mmol)、化合物IV-1(27.0g,100mmol)、t-BuONa(10.1g,105mmol)、Pd(dba)2(0.28g,0.306mmol)、超声除氧的甲苯(300ml)以及溶解于甲苯(5ml)中的P(t-Bu)3(1g,4.9mmol)的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物TM1(23.9g,74％)。质谱m/z：理论值：645.77；实测值：647.86。理论元素含量(％)C43H31N7：C,79.98；H,4.84；N,15.18；实测元素含量(％)：C,79.95；H,4.88；N,15.16。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0058] 实施例2：中间体A-2的制备

[0059]

[0060] 向圆底烧瓶中依次加入化合物I-2(19.9g,73.8mmol)、4-溴-4'-碘联苯(26.5g,73.8mmol)、t-BuONa(10.7g,111mmol)、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2(1.2g,1.47mmol)以及超声除氧的甲苯(1.5L)，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II-2的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II-2(27.7g,75％)。

[0061] 在圆底烧瓶中依次加入化合物II-2(25.0g,50mmol)、氨水(5.8g,150mmol)、t-BuONa(14.4g,150mmol)、Pd2(dba)3(0.46g,0.5mmol)以及超声除氧的二甲苯(1L)，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯(3ml)中的P(t-Bu)3(0.40g,2mmol)，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A-2(14.4g,66％)。质谱m/z：理论值：436.55；实测值：438.67。理论元素含量(％)C32H24N2：C,88.04；H,5.54；N,6.42；实测元素含量(％)：
C,88.01；H,5.59；N,6.40。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0062] 中间体B-2的制备

[0063]

[0064] 向圆底烧瓶中依次加入中间体A-2(16.4g,37.5mmol)、化合物III-2(7.8g,37.5mmol)、t-BuONa(5.4g,56.25mmol)以及、Pd2(dba)3(0.686g,0.75mmol)以及超声除氧的甲苯(200mL)，随后添加溶解于甲苯(3mL)中的P(t-Bu)3(0.36g,1.8mmol)，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有几层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B-2的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B-2(13.3g,63％)。质谱m/z：理论值：562.70；实测值：564.86。理论元素含量(％)C42H30N2：C,89.65；H,5.37；N,4.98；实测元素含量(％)：C,89.63；H,5.43；N,
4.96。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0065] 化合物TM2的制备

[0066]

[0067] 在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B-2(28.1g,50.0mmol)、化合物IV-2(27.0g,100mmol)、t-BuONa(10.1g,105mmol)、Pd(dba)2(0.28g,0.306mmol)、超声除氧的甲苯(300ml)以及溶解于甲苯(5ml)中的P(t-Bu)3(1g,4.9mmol)的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物TM2(28.6g,72％)。质谱m/z：理论值：795.95；实测值：797.89。理论元素含量(％)C55H37N7：C,83.00；H,4.69；N,12.32；实测元素含量(％)：C,82.88；H,4.74；N,12.27。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0068] 实施例3：中间体A-3的制备

[0069]

[0070] 向圆底烧瓶中依次加入化合物I-3(19.9g,73.8mmol)、4-溴-4'-碘联苯(26.5g,73.8mmol)、t-BuONa(10.7g,111mmol)、Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2(1.2g,1.47mmol)以及超声除氧的甲苯(1.5L)，在氮气保护下回流过夜，待反应液冷却后用乙酸乙酯和水处理，并将得到的有机层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到化合物II-3的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物II-3(25.1g,78％)。

[0071] 在圆底烧瓶中依次加入化合物II-3(25.0g,50mmol)、氨水(5.8g,150mmol)、t-BuONa(14.4g,150mmol)、Pd2(dba)3(0.46g,0.5mmol)以及超声除氧的二甲苯(1L)，搅拌溶解，在氮气保护下加入溶解于二甲苯(3ml)中的P(t-Bu)3(0.40g,2mmol)，回流反应6h。将反应液冷却至室温，加入二氯甲烷使得产品完全溶解，过少量硅胶漏斗，除掉催化剂和盐，再将滤液浓缩至粘稠状，过柱层析，得到中间体A-3(15.1g,69％)。质谱m/z：理论值：436.55；实测值：438.67。理论元素含量(％)C32H24N2：C,88.04；H,5.54；N,6.42；实测元素含量(％)：
C,88.01；H,5.59；N,6.40。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0072] 中间体B-3的制备

[0073]

[0074] 向圆底烧瓶中依次加入中间体A-3(16.4g,37.5mmol)、化合物III-3(5.9g,37.5mmol)、t-BuONa(5.4g,56.25mmol)以及、Pd2(dba)3(0.686g,0.75mmol)以及超声除氧的甲苯(200mL)，随后添加溶解于甲苯(3mL)中的P(t-Bu)3(0.36g,1.8mmol)，在氮气保护下回流过夜，将反应液冷却至室温后，用乙酸乙酯和水进行处理，并将得到的有几层用MgSO4干燥，减压蒸去溶剂，得到中间体B-3的粗品，以硅胶为固定相，二氯甲烷/己烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到中间体B-3(12.7g,66％)。质谱m/z：理论值：512.66；实测值：514.78。理论元素含量(％)C38H28N2：C,89.03；H,5.51；N,5.46；实测元素含量(％)：C,89.01；H,5.56；N,
5.44。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0075] 化合物TM3的制备

[0076]

[0077] 在氮气保护下依次向烧瓶中加入中间体B-3(25.6g,50.0mmol)、化合物IV-3(27.0g,100mmol)、t-BuONa(10.1g,105mmol)、Pd(dba)2(0.28g,0.306mmol)、超声除氧的甲苯(300ml)以及溶解于甲苯(5ml)中的P(t-Bu)3(1g,4.9mmol)的甲苯溶液，氮气保护下回流反应6h，将反应液冷却至室温，过滤得到化学式I的粗品，以硅胶为固定相，石油醚/乙酸乙酯/二氯甲烷为洗脱剂，将粗品进行柱层析，得到化合物TM3(28.0g,75％)。质谱m/z：理论值：745.89；实测值：747.94。理论元素含量(％)C51H35N7：C,82.12；H,4.73；N,13.15；实测元素含量(％)：C,82.11；H,4.76；N,13.13。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0078] 参照化合物1、化合物2和化合物3的合成方法合成其他目标产物，其反应物、目标产物、产率列于表1。

[0079] 表1

[0080]

[0081]

[0082]

[0083]

[0084]

[0085]

[0086]

[0087] 化合物TM4(29.8g,75％)。质谱m/z：理论值：793.97；实测值：795.89。理论元素含量(％)C57H39N5：C,86.23；H,4.95；N,8.82；实测元素含量(％)：C,86.19；H,4.99；N,8.78。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0088] 化合物TM5(28.2g,73％)。质谱m/z：理论值：771.97；实测值：773.86。理论元素含量(％)C55H41N5：C,85.57；H,5.35；N,9.07；实测元素含量(％)：C,85.54；H,5.38；N,9.05。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0089] 化合物TM6(29.8g,71％)。质谱m/z：理论值：838.07；实测值：839.12。理论元素含量(％)C60H47N5：C,85.99；H,5.65；N,8.36；实测元素含量(％)：C,85.95；H,5.69；N,8.33。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0090] 化合物TM7(35.2g,76％)。质谱m/z：理论值：926.18；实测值：928.21。理论元素含量(％)C67H51N5：C,86.89；H,5.55；N,7.56；实测元素含量(％)：C,86.87；H,5.59；N,7.53。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0091] 化合物TM8(36.3g,72％)。质谱m/z：理论值：1008.33；实测值：1009.43。理论元素含量(％)C73H61N5：C,86.96；H,6.10；N,6.95；实测元素含量(％)：C,86.946；H,6.16；N,6.92。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0092] 化合物TM9(33.7g,72％)。质谱m/z：理论值：936.18；实测值：938.23。理论元素含量(％)C68H49N5：C,87.24；H,5.28；N,7.48；实测元素含量(％)：C,87.21；H,5.33；N,7.45。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0093] 化合物TM10(37.1g,74％)。质谱m/z：理论值：1002.28；实测值：1004.32。理论元素含量(％)C73H55N5：C,87.48；H,5.53；N,6.99；实测元素含量(％)：C,87.45；H,5.58；N,6.96。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0094] 化合物TM11(37.4g,73％)。质谱m/z：理论值：1026.30；实测值：1027.43。理论元素含量(％)C75H55N5：C,87.77；H,5.40；N,6.82；实测元素含量(％)：C,87.73；H,5.45；N,6.81。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0095] 化合物TM12(45.6g,75％)。质谱m/z：理论值：1216.55；实测值：1218.58。理论元素含量(％)C90H65N5：C,88.86；H,5.39；N,5.76；实测元素含量(％)：C,88.83；H,5.43；N,5.73。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0096] 化合物TM13(38.5g,76％)。质谱m/z：理论值：1012.27；实测值：1014.31。理论元素含量(％)C74H53N5：C,87.80；H,5.28；N,6.92；实测元素含量(％)：C,87.76；H,5.34；N,6.87。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0097] 化合物TM14(40.6g,72％)。质谱m/z：理论值：1128.44；实测值：1129.54。理论元素含量(％)C83H61N5：C,88.34；H,5.45；N,6.21；实测元素含量(％)：C,88.28；H,5.48；N,6.18。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0098] 化合物TM15(38.5g,74％)。质谱m/z：理论值：1040.33；实测值：1042.45。理论元素含量(％)C76H57N5：C,87.75；H,5.52；N,6.73；实测元素含量(％)：C,87.71；H,5.58；N,6.71。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0099] 化合物TM16(36.2g,73％)。质谱m/z：理论值：992.28；实测值：994.32。理论元素含量(％)C72H57N5：C,87.15；H,5.79；N,7.06；实测元素含量(％)：C,87.125；H,5.83；N,7.03。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0100] 化合物TM17(37.3g,73％)。质谱m/z：理论值：1022.27；实测值：1024.34。理论元素含量(％)C75H51N5：C,88.12；H,5.03；N,6.85；实测元素含量(％)：C,88.08；H,5.07；N,6.82。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0101] 化合物TM18(31.8g,76％)。质谱m/z：理论值：837.04；实测值：839.11。理论元素含量(％)C59H44N6：C,84.66；H,5.30；N,10.04；实测元素含量(％)：C,84.61；H,5.350；N,10.01。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0102] 化合物TM19(30.8g,74％)。质谱m/z：理论值：832.07；实测值：834.10。理论元素含量(％)C57H49N7：C,82.28；H,5.94；N,11.78；实测元素含量(％)：C,82.24；H,5.99；N,11.75。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0103] 化合物TM20(32.6g,76％)。质谱m/z：理论值：858.11；实测值：859.23。理论元素含量(％)C59H51N7：C,82.58；H,5.99；N,11.43；实测元素含量(％)：C,82.54；H,6.03；N,11.41。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0104] 化合物TM21(29.3g,75％)。质谱m/z：理论值：782.01；实测值：784.11。理论元素含量(％)C53H47N7：C,81.40；H,6.06；N,12.54；实测元素含量(％)：C,81.35；H,6.12；N,12.51。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0105] 化合物TM22(32.8g,73％)。质谱m/z：理论值：900.14；实测值：902.22。理论元素含量(％)C65H49N5：C,86.73；H,5.49；N,7.78；实测元素含量(％)：C,86.71；H,5.52；N,7.74。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0106] 化合物TM23(32.4g,74％)。质谱m/z：理论值：876.12；实测值：876.12。理论元素含量(％)C63H49N5：C,86.37；H,5.64；N,7.99；实测元素含量(％)：C,86.32；H,5.68；N,7.95。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0107] 化合物TM24(32.8g,72％)。质谱m/z：理论值：912.24；实测值：914.29。理论元素含量(％)C65H61N5：C,85.58；H,6.74；N,7.68；实测元素含量(％)：C,85.52；H,6.82；N,7.63。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0108] 化合物TM25(35.4g,71％)。质谱m/z：理论值：996.23；实测值：998.29。理论元素含量(％)C73H49N5：C,88.01；H,4.96；N,7.03；实测元素含量(％)：C,87.97；H,4.99；N,7.01。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0109] 化合物TM26(33.5g,74％)。质谱m/z：理论值：906.19；实测值：908.23。理论元素含量(％)C65H55N5：C,86.15；H,6.12；N,7.73；实测元素含量(％)：C,86.09；H,6.17；N,7.68。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0110] 化合物TM27(35.6g,76％)。质谱m/z：理论值：938.31；实测值：939.34。理论元素含量(％)C65H59N5Si：C,83.20；H,6.34；N,7.46；Si,2.99；实测元素含量(％)：C,83.18；H,6.43；N,7.42；Si,2.95。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0111] 化合物TM28(40.9g,72％)。质谱m/z：理论值：1136.56；实测值：1138.61。理论元素含量(％)C79H61N5Si2：C,83.49；H,5.41；N,6.16；Si,4.94；实测元素含量(％)：C,83.45；H,5.48；N,6.13；Si,4.91。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0112] 化合物TM29(32.3g,75％)。质谱m/z：理论值：862.18；实测值：864.21。理论元素含量(％)C61H59N5：C,84.98；H,6.90；N,8.12；实测元素含量(％)：C,84.92；H,6.94；N,8.08。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0113] 化合物TM30(37.8g,76％)。质谱m/z：理论值：996.23；实测值：998.31。理论元素含量(％)C73H49N5：C,88.01；H,4.96；N,7.03；实测元素含量(％)：C,87.98；H,4.98；N,7.01。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0114] 化合物TM31(24.6g,71％)。质谱m/z：理论值：693.85；实测值：695.88。理论元素含量(％)C49H35N5：C,84.82；H,5.08；N,10.09；实测元素含量(％)：C,84.78；H,5.12；N,10.04。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0115] 化合物TM32(34.2g,74％)。质谱m/z：理论值：924.25；实测值：926.35。理论元素含量(％)C66H61N5：C,85.77；H,6.65；N,7.58；实测元素含量(％)：C,85.73；H,6.68；N,7.56。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0116] 化合物TM33(25.9g,74％)。质谱m/z：理论值：701.92；实测值：7031.89。理论元素含量(％)C49H43N5：C,83.85；H,6.18；N,9.98；实测元素含量(％)：C,83.81；H,6.23；N,9.93。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0117] 化合物TM34(38.7g,72％)。质谱m/z：理论值：1076.36；实测值：1078.41。理论元素含量(％)C79H57N5：C,88.16；H,5.34；N,6.51；实测元素含量(％)：C,88.12；H,5.37；N,6.46。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0118] 化合物TM35(31.3g,76％)。质谱m/z：理论值：824.00；实测值：825.17。理论元素含量(％)C57H41N7：C,83.09；H,5.02；N,11.90；实测元素含量(％)：C,83.03；H,5.11；N,11.87。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0119] 化合物TM36(32.4g,72％)。质谱m/z：理论值：899.16；实测值：901.22。理论元素含量(％)C61H54N8：C,81.48；H,6.05；N,12.46；实测元素含量(％)：C,81.43；H,6.11；N,12.42。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0120] 化合物TM37(35.9g,75％)。质谱m/z：理论值：958.27；实测值：959.65。理论元素含量(％)C69H59N5：C,86.49；H,6.21；N,7.31；实测元素含量(％)：C,86.43；H,6.26；N,7.28。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0121] 化合物TM38(39.6g,75％)。质谱m/z：理论值：1056.37；实测值：10576.41。理论元素含量(％)C77H61N5：C,87.55；H,5.82；N,6.63；实测元素含量(％)：C,87.52；H,5.88；N,6.61。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0122] 化合物TM39(33.2g,73％)。质谱m/z：理论值：910.24；实测值：912.53。理论元素含量(％)C59H47N7Si2：C,77.85；H,5.20；N,10.77；Si,6.17；实测元素含量(％)：C,77.82；H,5.28；N,10.75；Si,6.14。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0123] 化合物TM40(29.8g,75％)。质谱m/z：理论值：793.97；实测值：794.89。理论元素含量(％)C57H39N5：C,86.23；H,4.95；N,8.82；实测元素含量(％)：C,86.13；H,4.99；N,8.78。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0124] 化合物TM41(26.8g,72％)。质谱m/z：理论值：743.91；实测值：745.65。理论元素含量(％)C53H37N5：C,85.57；H,5.01；N,9.41；实测元素含量(％)：C,85.53；H,5.05；N,9.36。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0125] 化合物TM42(29.2g,72％)。质谱m/z：理论值：811.99；实测值：813.54。理论元素含量(％)C56H41N7：C,82.84；H,5.09；N,12.08；实测元素含量(％)：C,82.81；H,5.12；N,12.05。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0126] 化合物TM43(34.3g,74％)。质谱m/z：理论值：928.16；实测值：929.26。理论元素含量(％)C65H49N7：C,84.11；H,5.32；N,10.56；实测元素含量(％)：C,84.05；H,5.37；N,10.52。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0127] 化合物TM44(35.6g,71％)。质谱m/z：理论值：1002.28；实测值：1003.33。理论元素含量(％)C73H55N5：C,87.48；H,5.53；N,6.99；实测元素含量(％)：C,87.45；H,5.58；N,6.96。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0128] 化合物TM45(32.9g,71％)。质谱m/z：理论值：928.16；实测值：929.32。理论元素含量(％)C65H49N7：C,84.11；H,5.32；N,10.56；实测元素含量(％)：C,84.08；H,5.37；N,10.53。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0129] 化合物TM46(46.8g,76％)。质谱m/z：理论值：1232.59；实测值：1233.61。理论元素含量(％)C91H69N5：C,88.68；H,5.64；N,5.68；实测元素含量(％)：C,88.64；H,5.68；N,5.65。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0130] 化合物TM47(42.6g,72％)。质谱m/z：理论值：1184.46；实测值：1185.53。理论元素含量(％)C88H57N5：C,89.24；H,4.85；N,5.91；实测元素含量(％)：C,89.21；H,4.88；N,5.86。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0131] 化合物TM48(38.7g,73％)。质谱m/z：理论值：1060.32；实测值：1061.72。理论元素含量(％)C78H53N5：C,88.36；H,5.04；N,6.61；实测元素含量(％)：C,88.32；H,5.07；N,6.53。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0132] 化合物TM49(34.6g,72％)。质谱m/z：理论值：961.19；实测值：963.21。理论元素含量(％)C69H48N6：C,86.22；H,5.03；N,8.74；实测元素含量(％)：C,86.182；H,5.07；N,8.71。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0133] 化合物TM50(41.0g,75％)。质谱m/z：理论值：1094.33；实测值：1095.85。理论元素含量(％)C81H51N5：C,88.90；H,4.70；N,6.40；实测元素含量(％)：C,88.85；H,4.77；N,6.36。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0134] 化合物TM51(30.9g,72％)。质谱m/z：理论值：858.11；实测值：859.21。理论元素含量(％)C59H51N7：C,82.58；H,5.99；N,11.43；实测元素含量(％)：C,82.56；H,6.01；N,11.41。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0135] 化合物TM52(38.0g,74％)。质谱m/z：理论值：1028.32；实测值1029.46。理论元素含量(％)C75H57N5：C,87.60；H,5.59；N,6.81；实测元素含量(％)：C,87.54；H,5.63；N,6.76。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0136] 化合物TM53(33.9g,71％)。质谱m/z：理论值：956.25；实测值958.75。理论元素含量(％)C69H57N5：C,86.67；H,6.01；N,7.32；实测元素含量(％)：C,86.63；H,6.05；N,7.26。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0137] 化合物TM54(32.2g,73％)。质谱m/z：理论值：882.20；实测值883.34。理论元素含量(％)C61H51N5Si：C,83.05；H,5.83；N,7.94；Si,3.18；实测元素含量(％)：C,83.01；H,5.88；N,7.92；Si,3.14。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0138] 化合物TM55(32.5g,76％)。质谱m/z：理论值：856.13；实测值857.23。理论元素含量(％)C61H53N5：C,85.58；H,6.24；N,8.18；实测元素含量(％)：C,85.55；H,6.29；N,8.16。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0139] 化合物TM56(31.9g,72％)。质谱m/z：理论值：886.12；实测值887.22。理论元素含量(％)C64H47N5：C,86.75；H,5.35；N,7.90；实测元素含量(％)：C,86.72；H,5.41；N,7.86。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0140] 化合物TM57(35.9g,74％)。质谱m/z：理论值：970.19；实测值972.64。理论元素含量(％)C71H47N5：C,87.90；H,4.88；N,7.22；实测元素含量(％)：C,87.86；H,4.94；N,7.17。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0141] 化合物TM58(31.4g,74％)。质谱m/z：理论值：850.08；实测值852.12。理论元素含量(％)C61H47N5：C,86.19；H,5.57；N,8.24；实测元素含量(％)：C,86.14；H,5.63；N,8.21。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0142] 化合物TM59(44.8g,75％)。质谱m/z：理论值：1195.49；实测值1196.82。理论元素含量(％)C85H62N8：C,85.40；H,5.23；N,9.37；实测元素含量(％)：C,85.34；H,5.27；N,9.32。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0143] 化合物TM60(30.4g,75％)。质谱m/z：理论值：812.18；实测值814.21。理论元素含量(％)C53H49N5Si2：C,78.38；H,6.08；N,8.62；Si,6.92；实测元素含量(％)：C,78.35；H,6.13；N,8.61；Si,6.87。上述结果证实获得产物为目标产品。

[0144] 应用实施例1：发光器件1的制备

[0145] 选取ITO玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀CuPc作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀TM2作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀ADN作为发光材料层主体，2％的DPAVB作为掺杂。在发光材料层上真空蒸镀Alq3作为电子注入层，蒸镀厚度为40nm。在电子注入层上蒸镀0.2nm的Liq以及150nm的Al作为阴极。

[0146] 应用实施例2：发光器件2的制备

[0147] 将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM15。

[0148] 应用实施例3：发光器件3的制备

[0149] 将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM28。

[0150] 应用实施例4：发光器件4的制备

[0151] 将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM47。

[0152] 应用实施例5：发光器件5的制备

[0153] 将应用实施例1中的化合物TM2换成化合物TM55。

[0154] 对比实施例1

[0155] 选取ITO玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀CuPc作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀ADN作为发光材料层主体，2％的DPAVB作为掺杂。在发光材料层上真空蒸镀Alq3作为电子注入层，蒸镀厚度为40nm。在电子注入层上蒸镀0.2nm的Liq以及150nm的Al作为阴极。

[0156] 本发明应用实施例1-5以及对比实施例1制备的发光器件的发光特性测试结果如表2所示。

[0157] 表2

[0158]

[0159] 从表2中可以看出，本发明的三芳胺类衍生物作为空穴传输材料应用到有机发光器件中，该有机发光器件表现出较低的驱动电压，较高的发光效率和较长的使用寿命，并且具有较好的耐久性和可靠性。