一种用于老化测试的方法、装置和设备

摘要

本发明涉及一种用于老化测试的方法、装置和设备，该方法包括：在对电子产品进行老化测试时，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压；以及，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压。该方法、装置和设备能够在不增大电子产品出现热失控的风险且确保老化测试效果的情况下减少电子产品的老化测试时间。

权利要求

1.一种用于老化测试的方法，包括：

在对电子产品进行老化测试时，在将所述电子产品加热到预定温度之后，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压；以及在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中，所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压，其中，所述电子产品包括第一组功能区和第二组功能区，其中，与所述第二组功能区相比，所述第一组功能区具有更高的缺陷密度和早期失效比率，以及，所述至少一个功能区包括所述第一组功能区，其中，所述方法还包括：在所述老化测试期间，向所述第二组功能区施加指定测试电压，其中，所述指定测试电压小于所述第一组测试电压中的测试电压但大于所述第二组测试电压中的测试电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，还包括：

在所述第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入第一组测试数据序列或第二组测试数据序列中的测试数据序列；以及在所述第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入所述第二组测试数据序列中的测试数据序列，其中，与所述第二组测试数据序列相比，所述第一组测试数据序列使得所述电子产品在所述老化测试时产生更多的热量。

3.一种用于老化测试的装置，包括：

第一施加模块，用于在对电子产品进行老化测试时，在将所述电子产品加热到预定温度之后，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压；以及第二施加模块，用于在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中，所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压，其中，所述电子产品包括第一组功能区和第二组功能区，其中，与所述第二组功能区相比，所述第一组功能区具有更高的缺陷密度和早期失效比率，以及，所述至少一个功能区包括所述第一组功能区，其中，所述装置还包括：第三施加模块，用于在所述老化测试期间，向所述第二组功能区施加指定测试电压，其中，所述指定测试电压小于所述第一组测试电压中的测试电压但大于所述第二组测试电压中的测试电压。

4.如权利要求3所述的装置，其中，还包括：

第一输入模块，用于在所述第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入第一组测试数据序列或第二组测试数据序列中的测试数据序列；以及第二输入模块，用于在所述第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入所述第二组测试数据序列中的测试数据序列，其中，与所述第二组测试数据序列相比，所述第一组测试数据序列使得所述电子产品在所述老化测试时产生更多的热量。

5.一种用于老化测试的设备，包括：

处理器；以及

存储器，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得所述处理器执行权利要求1-2中的任意一个所述的方法。

6.一种机器可读介质，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得机器执行权利要求1-2中的任意一个所述的方法。

说明书

一种用于老化测试的方法、装置和设备

技术领域

[0001] 本发明涉及老化测试领域，尤其涉及用于老化测试的方法、装置和设备。

背景技术

[0002] 包括芯片等在内的电子产品生产出来后在出厂之前需要进行老化测试(BI：Burn In)以筛选出在正常使用过程中会早期失效的电子产品，避免把这些会早期失效的电子产品交付给客户。因此，老化测试是电子产品在出厂之前的一个必不可少的处理。

[0003] 电子产品的老化测试过程具体如下：在把电子产品加热到预定温度之后，向电子产品施加电压和输入测试数据使其工作一定时间以加速其老化过程，在测试期间观察其是否失效，如果其失效则将其剔除以避免其流入客户手中。

[0004] 现有的老化测试方法通常在测试时对电子产品的所有功能区仅施加一个统一的固定不变的电压。由于在老化测试时电子产品被施加的电压越高，电子产品出现热失控的风险越大，因此，为了减少电子产品出现热失控的风险，该统一的固定不变的电压相对较小。然而，由于该统一的固定不变的电压相对较小，因此，需要对电子产品进行更长时间的测试，才能把在正常使用过程中会早期失效的电子产品筛选出来，这增大了老化测试时间，导致老化测试成为生产电子产品的产能瓶颈。但是，如果在该统一的固定不变的电压相对较小的情况下，为了使得老化测试不成为生产电子产品的产能瓶颈而强行缩短老化测试时间，则有可能一些在正常使用过程中会早期失效的电子产品不能检测出来，这会导致老化测试效果不佳。

发明内容

[0005] 鉴于以上问题，本发明的实施例提供一种用于老化测试的方法、装置和设备，其能够在不增大电子产品出现热失控的风险且确保老化测试效果的情况下减少电子产品的老化测试时间。

[0006] 按照本发明的实施例的一种用于老化测试的方法，包括：在对电子产品进行老化测试时，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压；以及，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压。

[0007] 按照本发明的实施例的一种用于老化测试的装置，包括：第一施加模块，用于在对电子产品进行老化测试时，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压；以及，第二施加模块，用于在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压。

[0008] 按照本发明的实施例的一种用于老化测试的设备，包括：处理器；以及，存储器，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得所述处理器执行前述的方法。

[0009] 按照本发明的实施例的一种机器可读介质，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得机器执行前述的方法。

[0010] 从以上的描述可以看出，本发明的实施例的方案在老化测试的前面的第一组时间段期间向被老化测试的电子产品的至少一个功能区施加较高的测试电压，使得使用较少测试时间就能够测试出电子产品是不是属于在正常使用过程中会早期失效的产品，从而本发明的实施例的方案能够在确保老化测试效果的情况下减少电子产品的老化测试时间，而且，本发明的实施例的方案在老化测试的前面的第一组时间段期间向电子产品的至少一个功能区施加较高的测试电压和在老化测试的后面的第二组时间段期间向电子产品的至少一个功能区施加较低的测试电压，从而，在整个老化测试期间电子产品所产生的总热量不会很多和所产生的热量密度不会很高，因此本发明的实施例的方案不会增大电子产品出现热失控的风险。

附图说明

[0011] 本发明的特征和优点通过以下结合附图的描述将变得更加显而易见。

[0012] 图1示出了按照本发明的一个实施例的用于老化测试的方法的总体流程图；

[0013] 图2示出了按照本发明的一个实施例的用于老化测试的方法的流程图；

[0014] 图3示出了按照本发明的一个实施例的用于老化测试的装置的示意图；

[0015] 图4示出了按照本发明的一个实施例的用于老化测试的设备的示意图。

具体实施方式

[0016] 现在将参考示例实施方式讨论本文描述的主题。应该理解，讨论这些实施方式只是为了使得本领域技术人员能够更好地理解从而实现本文描述的主题，并非是对权利要求书中所阐述的保护范围、适用性或者示例的限制。可以在不脱离本公开内容的保护范围的情况下，对所讨论的元素的功能和排列进行改变。各个示例可以根据需要，省略、替代或者添加各种过程或组件。例如，所描述的方法可以按照与所描述的顺序不同的顺序来执行，以及各个步骤可以被添加、省略或者组合。另外，相对一些示例所描述的特征在其它例子中也可以进行组合。

[0017] 如本文中使用的，术语“包括”及其变型表示开放的术语，含义是“包括但不限于”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个实施例”和“一实施例”表示“至少一个实施例”。术语“另一个实施例”表示“至少一个其他实施例”。术语“第一”、“第二”等可以指代不同的或相同的对象。下面可以包括其他的定义，无论是明确的还是隐含的。除非上下文中明确地指明，否则一个术语的定义在整个说明书中是一致的。

[0018] 图1示出了按照本发明的一个实施例的用于老化测试的方法的总体流程图。在本实施例中，以芯片作为老化测试对象的例子来描述图1所示的方法100。

[0019] 芯片通常包括易于早期失效的功能区(例如，图像处理功能区等)和不易于早期失效的功能区(例如，核心功能区、输入输出(IO:input/output)功能区和系统代理(SA：system agent)功能区等)，其中，与不易于早期失效的功能区相比，易于早期失效的功能区具有更高的缺陷密度(DD:Defect Density)和早期失效(IM：Infant Mortality)比率，其中，早期失效比率表示包括芯片在内的电子产品在正常使用过程中出现早期失效的比率。

[0020] 在本实施例中，在开始执行图1所示的方法100之前，预先设置三个测试电压V1、V2和V3，其中，V1>V2>V3。例如但不局限于，V1＝1.5v，V2＝1.375v和V3＝1.35v。

[0021] 此外，在本实施例中，在开始执行图1所示的方法100之前，还预先把可用的各个测试数据序列分成两组测试数据序列，即第一组测试数据序列G1和第二组测试数据序列G2，其中，与第二组测试数据序列G2相比，第一组测试数据序列G1中的测试数据序列会使得在老化测试过程中芯片产生更多热量，从而芯片出现热失控的风险会更高。

[0022] 如图1所示，在方框102，老化测试设备B将被测试的芯片C加热到预定温度。

[0023] 在方框104，在将芯片C加热到预定温度之后，老化测试设备B对芯片C进行老化测试。

[0024] 芯片C的老化测试在时间上被分成第一阶段S1和第二阶段S2，其中，第一阶段S1占据老化测试的第一时间段T1，而第二阶段S2占据老化测试的第二时间段T2，第二时间段T2紧接着在第一时间段T1之后。第一时间段T1是从老化测试的开始时刻到老化测试中间的某个预定时刻的时间段，第二时间段T2是从第一时间段T1的结束时刻到老化测试的结束时刻的时间段。例如但不局限于，第一时间段T1是从老化测试的开始时刻到老化测试的80％时长的时间段，第二时间段T2是从老化测试的80％时长到老化测试的100％时长的时间段。

[0025] 在老化测试的第一阶段S1期间，即在老化测试的第一时间段T1期间，老化测试设备B向芯片C的易于早期失效的功能区施加电压V1和输入第二组测试数据序列G2中的测试数据序列，以及，向芯片C的不易于早期失效的功能区施加电压V2和输入第二组测试数据序列G2中的测试数据序列。

[0026] 在老化测试的第二阶段S2期间，即在老化测试的第二时间段T2期间，老化测试设备B向芯片C的易于早期失效的功能区施加电压V3和输入第一组测试数据序列G1中的测试数据序列，以及，向芯片C的非易于早期失效的功能区施加电压V2和输入第二组测试数据序列G2中的测试数据序列。

[0027] 其中，向芯片C的易早期失效的功能区输入测试数据序列和向芯片C的不易早期失效的功能区输入测试数据序列可以并行的或串行的。

[0028] 在方框106，在老化测试期间，老化测试设备B检查芯片C是否失效。

[0029] 在方框108，在老化测试结束之后，老化测试设备B停止向芯片C施加电压和输入测试数据序列并且冷却芯片C。

[0030] 从以上的描述可以看出，在本实施例的方法中，由于在老化测试的第一阶段S1期间向芯片C的易早期失效功能区施加较高的电压V1，因此，使用较少时间就能够测试出芯片C是不是属于在正常使用过程中会早期失效的产品，因而本实施例的方法能够在确保老化测试效果的情况下减少电子产品的老化测试时间。

[0031] 此外，在本实施例的方法中，由于在老化测试的前面的第一阶段S1期间向芯片C的易于早期失效的功能区施加较高的测试电压V1和输入使得芯片C在老化测试时产生更少热量的测试数据序列，在老化测试的后面的第二阶段S2期间向芯片C的易于早期失效的功能区施加较低的测试电压V3和输入使得芯片C在老化测试时产生更多热量的测试数据序列，以及，在整个老化测试(即第一阶段S1和第二阶段S2)期间向芯片C的不易于早期失效的功能区施加适中的测试电压V2和输入使得芯片C在老化测试时产生更少热量的测试数据序列，因此，在整个老化测试期间芯片C所产生的总热量不会很多和所产生的热量密度不会很高，因而不会增大芯片C出现热失控的风险。

[0032] 其它变型

[0033] 本领域技术人员将理解，虽然在上面的实施例中，在老化测试的第一阶段S1期间向芯片C的易于早期失效的功能区输入使得芯片C在老化测试时产生更少热量的测试数据序列，以及，在老化测试的第二阶段S2期间向芯片C的易于早期失效的功能区输入使得芯片C在老化测试时产生更多热量的测试数据序列，以使得芯片C的易于早期失效的功能区能得到较为全面的测试，然而，本发明并不局限于此。在本发明的其它一些实施例中，例如，在老化测试的第一阶段S1和第二阶段S2期间都向芯片C的易于早期失效的功能区输入使得芯片C在老化测试时产生更少热量的测试数据序列，以使得芯片C在老化测试时产生的热量更少，进一步降低芯片C出现热失控的风险。

[0034] 本领域技术人员将理解，虽然在上面的实施例中，在老化测试的第一阶段S1和第二阶段S2期间都向芯片C的不易于早期失效的功能区施加大于V3且小于V1的测试电压V2，然而，本发明并不局限于此。在本发明的其它一些实施例中，也可以是在老化测试的第一阶段S1期间向芯片C的不易于早期失效的功能区施加较高的测试电压V1和在老化测试的后面的第二阶段S2期间向芯片C的不易于早期失效的功能区施加较低的测试电压V3。在这种情况下，可以在老化测试的第一阶段S1期间向芯片C的不易于早期失效的功能区输入第二组测试数据序列G2中的测试数据序列且在老化测试的第二阶段S2期间向芯片C的不易于早期失效的功能区输入第一组测试数据序列G1中的测试数据序列，或者，可以在老化测试的第一阶段S1和第二阶段S2期间都向芯片C的不易于早期失效的功能区输入第二组测试数据序列G2中的测试数据序列。

[0035] 本领域技术人员将理解，虽然在上面的实施例中，在老化测试时向C的不易于早期失效的功能区输入使得芯片C在老化测试时产生更少热量的第二组测试数据序列G2中的测试数据序列，然而，本发明并不局限于此。在本发明的其它一些实施例中，也可以在老化测试时向C的不易于早期失效的功能区输入使得芯片C在老化测试时产生更多热量的第一组测试数据序列G1中的测试数据序列。

[0036] 本领域技术人员将理解，虽然在上面的实施例中，在老化测试的第一阶段S1期间和在老化测试的第二阶段S2期间都仅向芯片C的易于早期失效的功能区或整个芯片C施加一个固定不变的测试电压(即，V1和V3)，然而，本发明并不局限于此。在本发明的其它一些实施例中，也可以将第一阶段S1进一步划分成多个时间段和将第二阶段S2进一步划分成多个时间段，其中，在第一阶段S1所进一步划分的多个时间段的每一个时间段期间向芯片C的易于早期失效的功能区或整个芯片C施加包括多个不同的测试电压的第一组电压中的一个不同的测试电压，以及，在第二阶段S2所进一步划分的多个时间段的每一个时间段期间向芯片C的易于早期失效的功能区或整个芯片C施加包括多个不同的测试电压的第二组电压中的一个不同的测试电压，其中，该第一组电压中的每一个测试电压都大于测试电压V2，而该第二组电压中的每一个测试电压都小于测试电压V2。

[0037] 本领域技术人员将理解，上面的实施例的方法不但适用于芯片，也适用于除了芯片之外的其它类型的合适的电子产品。

[0038] 图2示出了按照本发明的一个实施例的一种用于老化测试的方法的流程图。图2所示的方法200例如可以由老化测试设备或任何其它合适的设备来执行。

[0039] 如图2所示，方法200可以包括，在方框202，在对电子产品进行老化测试时，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压。

[0040] 方法200还可以包括，在方框204，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压。

[0041] 在一个方面，所述电子产品包括第一组功能区和第二组功能区，其中，与所述第二组功能区相比，所述第一组功能区具有更高的缺陷密度和早期失效比率，以及，所述至少一个功能区包括所述第一组功能区，其中，方法200还可以包括：在所述老化测试期间，向所述第二组功能区施加指定测试电压，其中，所述指定测试电压小于所述第一组测试电压中的测试电压但大于所述第二组测试电压中的测试电压。

[0042] 在另一个方面，所述至少一个功能区包括所述电子产品的所有功能区。

[0043] 在又一个方面，方法200还可以包括：在所述第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入第一组测试数据序列或第二组测试数据序列中的测试数据序列；以及，在所述第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入所述第二组测试数据序列中的测试数据序列，其中，与所述第二组测试数据序列相比，所述第一组测试数据序列使得所述电子产品在所述老化测试时产生更多的热量。

[0044] 图3示出了按照本发明的一个实施例的一种用于老化测试的装置的示意图。图3所示的装置300可以利用软件、硬件或软硬件结合的方式来实现。装置300例如可以安装在老化测试设备或任何其它合适的设备中。

[0045] 如图3所示，装置300可以包括第一施加模块302和第二施加模块304。第一施加模块302用于在对电子产品进行老化测试时，在所述老化测试的具有至少一个时间段的第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述电子产品的至少一个功能区施加第一组测试电压中的其中一个测试电压。第二施加模块304用于在所述老化测试的具有至少一个时间段的第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区施加第二组测试电压中的其中一个测试电压，其中，在所述老化测试中所述第一组时间段在所述第二组时间段之前，以及，所述第一组测试电压中的测试电压大于所述第二组测试电压中的测试电压。

[0046] 在一个方面，所述电子产品包括第一组功能区和第二组功能区，其中，与所述第二组功能区相比，所述第一组功能区具有更高的缺陷密度和早期失效比率，以及，所述至少一个功能区包括所述第一组功能区，其中，装置300还可以包括：第三施加模块，用于在所述老化测试期间，向所述第二组功能区施加指定测试电压，其中，所述指定测试电压小于所述第一组测试电压中的测试电压但大于所述第二组测试电压中的测试电压。

[0047] 在另一个方面，所述至少一个功能区包括所述电子产品的所有功能区。

[0048] 在又一个方面，装置300还可以包括：第一输入模块，用于在所述第二组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入第一组测试数据序列或第二组测试数据序列中的测试数据序列；以及，第二输入模块，用于在所述第一组时间段中的每一个时间段期间，向所述至少一个功能区输入所述第二组测试数据序列中的测试数据序列，其中，与所述第二组测试数据序列相比，所述第一组测试数据序列使得所述电子产品在所述老化测试时产生更多的热量。

[0049] 图4示出了按照本发明的一个实施例的一种用于老化测试的设备的示意图。如图4所示，设备400可以包括处理器402和存储器404，其中，存储器404上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得处理器402执行图1所示的方法100或图2所示的方法200。

[0050] 本发明的实施例还提供一种机器可读介质，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得机器执行图1所示的方法100或图2所示的方法200。

[0051] 上面结合附图阐述的具体实施方式描述了示例性实施例，但并不表示可以实现的或者落入权利要求书的保护范围的所有实施例。在整个本说明书中使用的术语“示例性”意味着“用作示例、实例或例示”，并不意味着比其它实施例“优选”或“具有优势”。出于提供对所描述技术的理解的目的，具体实施方式包括具体细节。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实施这些技术。在一些实例中，为了避免对所描述的实施例的概念造成难以理解，公知的结构和装置以框图形式示出。

[0052] 本公开内容的上述描述被提供来使得本领域任何普通技术人员能够实现或者使用本公开内容。对于本领域普通技术人员来说，对本公开内容进行的各种修改是显而易见的，并且，也可以在不脱离本公开内容的保护范围的情况下，将本文所定义的一般性原理应用于其它变型。因此，本公开内容并不限于本文所描述的示例和设计，而是与符合本文公开的原理和新颖性特征的最广范围相一致。