MEMS麦克风及其形成方法

摘要

本发明提供了一种MEMS麦克风及其形成方法，包括：在振动膜上形成牺牲层，并在所述牺牲层上形成具有第一开口的导电层；于所述第一开口的侧壁上形成侧墙；在所述导电层上形成绝缘层，所述绝缘层充填位于所述牺牲层上的凹槽以形成阻隔块；去除部分所述牺牲层，使得所述振动膜与导电层之间形成一空腔。在本发明提供的MEMS麦克风的形成方法中，在导电层中开口的侧壁上形成侧墙，通过所述侧墙使需形成阻隔块的凹槽侧壁与导电层的上表面形成一平缓的表面，从而后续所形成的阻隔块不存在有致密性较差的区域，以改善所述阻隔块易被蚀刻剂侵蚀的问题。

权利要求

1.一种MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：提供一形成有振动膜的衬底，在所述振动膜上形成一牺牲层，于所述牺牲层上形成有至少一个凹槽；

于所述牺牲层上形成导电层，在所述导电层中形成暴露所述凹槽的第一开口以及与所述第一开口错开的第二开口；

于所述第一开口的侧壁上形成侧墙，所述侧墙的形成方法包括：于所述导电层上形成一侧壁层，以充填所述牺牲层上的凹槽并覆盖所述导电层；以及，采用无图形蚀刻工艺对所述侧壁层进行蚀刻，以在所述第一开口的侧壁上形成所述侧墙；

在所述导电层上形成绝缘层，所述绝缘层充填位于所述牺牲层上的凹槽以形成阻隔块，并且，所述绝缘层暴露出所述第二开口；

通过所述第二开口去除部分所述牺牲层，使得所述振动膜与导电层之间形成一空腔。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述侧壁层采用化学气相沉积工艺形成。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材质与所述牺牲层的材质相同。

4.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述侧墙与所述牺牲层的材质互不相同。

5.如权利要求3或4所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材质为氧化硅、氮化硅中的一种或其组合，所述牺牲层的材质为氧化硅。

6.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述导电层上形成有若干个穿孔，所述穿孔贯穿所述导电层。

7.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：于所述振动膜上形成第一牺牲层，并通过光刻及蚀刻工艺于所述第一牺牲层上形成至少一个第三开口；

于所述第一牺牲层上沉积第二牺牲层，使得在所述第二牺牲层上对应于所述第三开口的位置上形成有所述凹槽，所述第一牺牲层和第二牺牲层共同形成所述牺牲层。

8.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：于所述振动膜上形成牺牲层；

对所述牺牲层执行光刻及蚀刻工艺，以在所述牺牲成上形成所述凹槽。

9.如权利要求7或8所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述牺牲层上的凹槽的截面形状为锥形、矩形或梯形。

10.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述牺牲层上的凹槽的深度小于所述牺牲层的厚度。

11.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，采用湿法蚀刻或干法蚀刻工艺去除所述牺牲层。

12.如权利要求11所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述湿法蚀刻的蚀刻液体为氢氟酸和氟化铵的混合液。

13.如权利要求11所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述干法蚀刻的蚀刻气体包括含氟气体和含碳气体。

14.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述MEMS麦克风的形成方法还包括：在所述振动膜远离空腔的一侧形成一背腔。

15.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述振动膜和所述导电层的材质均为多晶硅。

16.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氮化硅。

17.一种根据权利要求1所述的形成方法制备的MEMS麦克风，其特征在于，包括：衬底；

形成于所述衬底上的振动膜；

形成于所述振动膜上的牺牲层；

形成于所述牺牲层上的导电层，所述导电层中形成有第一开口以及与所述第一开口错开的第二开口；

形成于所述第一开口侧壁上的侧墙；

形成于所述导电层上的绝缘层，所述绝缘层暴露出所述第二开口；

形成于所述振动膜与导电层之间的空腔，所述绝缘层通过所述第一开口延伸至所述空腔以形成一阻隔块。

18.如权利要求17所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述侧墙与所述牺牲层的材质互不相同。

19.如权利要求18所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述侧墙的材质为氧化硅、氮化硅中的一种或其组合，所述牺牲层的材质为氧化硅。

说明书

MEMS麦克风及其形成方法

技术领域

[0001] 本发明涉及MEMS技术领域，特别涉及一种MEMS麦克风及其形成方法。

背景技术

[0002] 采用微电子机械系统工艺(Micro Electro Mechanical System，MEMS)的MEMS麦克风由于其小型化和轻薄化的特定，正逐渐取代传统的驻极电容麦克风(Electret capacitance microphone，ECM)。

[0003] 图1为现有技术中一种MEMS麦克风的结构示意图，如图1所示，所述MEMS麦克风通常包括振动膜10和背极板20，并于所述振动膜10和所述背极板20之间存在有一空腔30。其中，所述背极板20包括导电层21以及绝缘层22，所述导电层21上形成有若干个开口，所述绝缘层22通过所述开口向所述空腔30的内部延伸出以形成一位于所述空腔30内的阻隔块22a，所述阻隔块22a向所述空腔30内延伸出的长度h1小于所述振动膜10与所述背极板20之间的距离h2，即，所述阻隔块22a向所述空腔30内延伸出的长度小于空腔30的高度，从而可用于防止所述MEMS麦克风在工作过程中发生振动膜10和背极板20粘连的问题。

[0004] 图2a至图2c为现有技术中形成MEMS麦克风的步骤示意图，如图2a～图2c所示，目前在形成MEMS麦克风的方法如下：

[0005] 首先，参考图2a所示，在形成有振动膜10的衬底上形成一具有凹槽41的牺牲层40；

[0006] 接着，参考图2b所示，在所述牺牲层40上形成导电层21，所述导电层21上形成有暴露所述凹槽41的第一开口21a以及与所述第一开口21a错开的第二开口21b；

[0007] 接着，参考图2c所示，在所述导电层21上形成绝缘层22，所述绝缘层22充填所述凹槽并暴露出所述第二开口21b，即充填所述凹槽的绝缘层22部分即为所述阻隔块22a，所述导电层21于所述绝缘层22共同组合形成MEMS麦克风的背极板20；

[0008] 最后，通过所述第二开口21b，采用蚀刻剂去除部分所述牺牲层40以在所述导电层21和所述振动膜10之间形成空腔30，至此，即形成如图1所述的MEMS麦克风。

[0009] 但是，在制作所述MEMS麦克风时，发明人发现所述阻隔块22a极易发生断裂并掉落于空腔30中，进而影响所述形成的MEMS麦克风的性能。

发明内容

[0010] 本发明的目的在于提供一种MEMS麦克风的形成方法，以解决MEMS麦克风中的阻隔块极易发生断裂并掉落于空腔中的问题。

[0011] 为解决上述技术问题，本发明提供一种MEMS麦克风的形成方法，包括：

[0012] 提供一形成有振动膜的衬底，在所述振动膜上形成一牺牲层，于所述牺牲层上形成有至少一个凹槽；

[0013] 于所述牺牲层上形成导电层，在所述导电层中形成暴露所述凹槽的第一开口以及与所述第一开口错开的第二开口；

[0014] 于所述第一开口的侧壁上形成侧墙；

[0015] 在所述导电层上形成绝缘层，所述绝缘层充填位于所述牺牲层上的凹槽以形成阻隔块，并且，所述绝缘层暴露出所述第二开口；

[0016] 通过所述第二开口去除部分所述牺牲层，使得所述振动膜与导电层之间形成一空腔。

[0017] 可选的，所述第一开口的侧壁上的侧墙的形成方法包括：

[0018] 于所述导电层上形成一侧壁层，以充填所述牺牲层上的凹槽并覆盖所述导电层；

[0019] 采用无图形蚀刻工艺对所述侧壁层进行蚀刻，以在所述第一开口的侧壁上形成所述侧墙。

[0020] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述侧壁层采用化学气相沉积工艺形成。

[0021] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述侧墙的材质与所述牺牲层的材质相同。

[0022] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述侧墙与所述牺牲层的材质互不相同。

[0023] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述侧墙的材质为氧化硅、氮化硅中的一种或其组合，所述牺牲层的材质为氧化硅。

[0024] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述导电层上形成有若干个穿孔，所述穿孔贯穿所述导电层。

[0025] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述牺牲层的形成方法包括：

[0026] 于所述第一导电层上形成第一牺牲层，并通过光刻及蚀刻工艺于所述第一牺牲层上形成至少一个第三开口；

[0027] 于所述第一牺牲层上沉积第二牺牲层，使得在所述第二牺牲层上对应于所述第三开口的位置上形成有所述凹槽，所述第一牺牲层和第二牺牲层共同形成所述牺牲层。

[0028] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述牺牲层的形成方法包括：

[0029] 于所述振动膜上形成牺牲层；

[0030] 对所述牺牲层执行光刻及蚀刻工艺，以在所述牺牲成上形成所述凹槽。

[0031] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述牺牲层上的凹槽的截面形状为锥形、矩形或梯形。

[0032] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述牺牲层上的凹槽的深度小于所述牺牲层的厚度。

[0033] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，采用湿法蚀刻或干法蚀刻工艺去除所述牺牲层。

[0034] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述湿法蚀刻的蚀刻液体为氢氟酸和氟化铵的混合液。

[0035] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述干法蚀刻的蚀刻气体包括含氟气体和含碳气体。

[0036] 可选的，所述MEMS麦克风的形成方法还包括：在所述振动膜远离空腔的一侧形成一背腔。

[0037] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述振动膜和所述导电层的材质均为多晶硅。

[0038] 可选的，在MEMS麦克风的形成方法中，所述绝缘层的材质为氮化硅。

[0039] 本发明的又一目的在于提供一种MEMS麦克风，包括：

[0040] 衬底；

[0041] 形成于所述衬底上的振动膜；

[0042] 形成于所述振动膜上的牺牲层；

[0043] 形成于所述牺牲层上的导电层，所述导电层中形成有第一开口以及与所述第一开口错开的第二开口；

[0044] 形成于所述第一开口侧壁上的侧墙；

[0045] 形成于所述导电层上的绝缘层，所述绝缘层暴露出所述第二开口；

[0046] 形成于所述振动膜与导电层之间的空腔，所述绝缘层通过所述第一开口延伸至所述空腔以形成一阻隔块。

[0047] 可选的，在以上所述的MEMS麦克风中，所述侧墙与所述牺牲层的材质互不相同。

[0048] 可选的，在以上所述的MEMS麦克风中，所述侧墙的材质为氧化硅、氮化硅中的一种或其组合，所述牺牲层的材质为氧化硅。

[0049] 本发明提供的MEMS麦克风及其形成方法中，在导电层中的开口的侧壁上形成侧墙，由于所述侧墙的存在，使得需形成阻隔块的凹槽侧壁与导电层的表面之间的衔接更为平缓，从而可确保绝缘层形成于一较为平缓的表面上，避免了在坡度较大的区域上形成薄膜而出现其致密性较差的问题，可改善蚀刻剂对于该区域的薄膜易造成侵蚀的现象，由此，可改善所形成的阻隔块的整体薄膜的致密性，从而可确保阻隔块不会受到蚀刻剂的侵蚀而形成裂缝甚至使所述阻隔块发生断裂。

附图说明

[0050] 图1为现有技术中一种MEMS麦克风的结构示意图；

[0051] 图2a～2c为现有技术中形成MEMS的步骤示意图；

[0052] 图3为本发明一实施例中MEMS麦克风的形成方法的流程示意图；

[0053] 图4a～4i为本发明一实施例中MEMS麦克风的形成方法的步骤示意图；

[0054] 图5为本发明另一实施例中MEMS麦克风的结构示意图。

具体实施方式

[0055] 如背景技术所述，目前在形成所述MEMS麦克风时，所述阻隔块22a易发生断裂并掉落于空腔30中。针对这个问题，发明人经过多番研究发现，这是因为形成于拐角位置(即坡度较大的区域)的薄膜的致密性通常较差，因此，采用蚀刻剂去除部分牺牲层40时，蚀刻剂极易攻击该区域的薄膜，进而会对拐角位置的薄膜造成侵蚀，即，制作MEMS麦克风的过程中，在形成所述空腔30时，蚀刻剂会侵蚀所述阻隔块22a在与导电层21接触的拐角区域的薄膜，从而于所述拐角区域上产生裂缝(图1中的虚线框内)，并进一步的可能发生所述阻隔块断裂的问题。

[0056] 由此，发明人提供了一种MEMS麦克风的形成方法。图3为本发明提供的一种MEMS麦克风的形成方法的流程示意图，如图3所示：

[0057] 步骤S11，在形成有振动膜的衬底上形成一牺牲层，于所述牺牲层上形成有至少一个凹槽；

[0058] 步骤S12，在所述牺牲层上形成导电层，并于所述导电层上形成有暴露所述凹槽的第一开口以及与所述第一开口错开的第二开口；

[0059] 步骤S13，于所述第一开口的侧壁上形成侧墙；

[0060] 步骤S14，在所述导电层上形成绝缘层，所述绝缘层充填位于所述牺牲层上的凹槽以形成阻隔块，并且，所述绝缘层暴露出所述第二开口；

[0061] 步骤S15，通过所述第二开口去除部分所述牺牲层，使得所述振动膜与导电层之间形成一空腔。

[0062] 本发明提供的MEMS麦克风的形成方法中，在导电层上形成绝缘层之前，优先于所述导电层的开口侧壁上形成侧墙。如此，可使所述绝缘层形成在一较为平缓的表面上，从而可避免所形成的阻隔块中存在有薄膜致密性差的区域，进而改善所述阻隔块容易被侵蚀的问题。

[0063] 图4a-图4i为本发明一实施例中MEMS麦克风的形成方法的步骤示意图。以下结合图4a-图4i和具体实施例对本发明提出的MEMS麦克风的形成方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

[0064] 首先，执行步骤S11，参考图4a至图4c所示，提供一形成有振动膜100的衬底，并在所述振动膜100上形成一牺牲层400，于所述牺牲层400上形成有至少一个凹槽400a。其中，所述凹槽400a的深度小于所述牺牲层400的厚度，即所形成的凹槽400a并没有贯穿所述牺牲层400。

[0065] 重点参考图4a所示，所述振动膜100上开设有若干个穿孔100a。如图4i所示，最终完成的MEMS的麦克风中还包括一位于所述振动膜100下方的背腔600，所述穿孔100a即连通所述背腔600与所述空腔300，从而在所述MEMS麦克风的工作过程中，可通过所述穿孔100a平衡背腔600和空腔300之间的压力，以降低阻尼作用，进而可提高MEMS麦克风的可靠性。其中，所述振动膜100的材质可以为多晶硅。

[0066] 作为一种优选的方案，所述牺牲层400可采用如下方法形成：首先，采用一次成膜的方式在振动膜100上形成一牺牲层；接着，对所述牺牲层执行光刻及蚀刻工艺，以在所述牺牲层上形成凹槽。这种方式工艺简单，制作成本相对较低。申请人研究发现，这种一次成膜的方式固然可以在所述牺牲层400上形成凹槽，但是，由于所形成的凹槽并不是贯穿所述牺牲层400的，因此，在进行光刻及蚀刻工艺时，尤其是在蚀刻过程中，需精确的控制其工艺条件以及制程参数，否则最终在所述牺牲层400上所形成的凹槽将会产生较大的偏差，例如会使所形成的凹槽的形貌或凹槽的尺寸差异较大。

[0067] 为此，本实施例采用更优选的一种方案，即采用两次成膜的方式形成所述牺牲层400。具体的，所述牺牲层400的形成方法可参考如下步骤：

[0068] 首先，参考图4b所示，在形成有振动膜100的衬底上形成具有一定厚度的第一牺牲层410，并于所述第一牺牲层410上形成至少一个第三开口410a，其中，所述第一牺牲层410可采用化学气相沉积，所述第三开口410a可采用光刻以及蚀刻的方式形成；

[0069] 接着，参考图4c所示，在所述第一牺牲层410上沉积第二牺牲层420，由于所述第一牺牲层410上已形成有第三开口410a，因此，所述第二牺牲层420上与所述第三开口410a位置相应对的位置上即相应的形成有凹槽400a。即，所述牺牲层400由所述第一牺牲层410和第二牺牲层420共同组合形成。

[0070] 本实施例中，采用通用的光刻及蚀刻工艺优先在第一牺牲层410上形成第三开口410a，由于所述形成的第三开口410a贯穿所述第一牺牲层410，因此，在这个步骤中，其工艺条件或制程参数均能够很好的控制，使的所形成的第三开口410a的形貌及尺寸均可在要求的范围内。之后，可通过化学气相沉积工艺在所述第一牺牲层410上直接沉积第二牺牲层
420，从而在与第三开口410a对应的位置上可形成凹槽400a。即，通过两次成膜的方式，不仅便于对工艺条件及制程参数进行控制，并且还可使形成于所述牺牲层400上的凹槽400a具有更好的均匀性。尤其的，当需在牺牲层400上需形成锥形凹槽时，采用本实施例中的两次成膜的方式将达到更好的效果。当然，位于所述牺牲层400上的凹槽400a的形状也可以是矩形或梯形等。

[0071] 形成牺牲层400之后，执行步骤S12，参考图4d所示，于所述牺牲层400上形成导电层210，所述导电层210中形成有暴露所述凹槽的第一开口210a以及与所述第一开口210a错开的第二开口210b。其中，所述第二开口210b即为后续所形成的MEMS麦克风中的声孔，以及在后续去除牺牲层时，作为蚀刻剂的流通通道。所述导电层210的材质优选为多晶硅，当然，亦可采用其它导电材料形成所述导电层。

[0072] 接下来，执行步骤S13，结合图4e及图4f所示，于所述第一开口的侧壁上形成侧墙500a。由于所述侧墙500a的存在，可有效缓解凹槽的侧壁与导电层210的表面之间的坡度，使所述凹槽的侧壁与导电层的表面之间平缓的衔接。具体的，所述侧墙500a的形成方法包括：

[0073] 首先，参考图4e所示，于所述导电层210上生成形成一特定厚度的侧壁层500，以充填所述牺牲层400上凹槽并覆盖所述导电层210；优选的，所述特定厚度的侧壁层500可采用化学气相沉积工艺形成，以使所形成的侧壁层500具有较好的厚度均匀性；

[0074] 接着，参考图4f所示，采用无图形蚀刻(blanket etching)的方式，对所述侧壁层500进行蚀刻以形成所述侧墙500a。即，不采用掩膜层，直接对所述侧壁层500进行蚀刻，其可以采用等离子体进行蚀刻。

[0075] 在该步骤中，当在第一开口210a的侧壁上形成侧墙的同时，也可能会于所述第二开口210b的侧壁上也形成侧墙500a。但是，即使在第二开口210b的侧壁上形成有侧墙，也不会对制程及MEMS麦克风的性能造成影响，其一方面在于，所述第二开口210b作为后续蚀刻剂的流通通道，其通常具有较大的开口尺寸，因此当在所述第二开口210b的侧壁上形成有侧墙500a时，其并不会影响后续的制程工艺；另一方面，当所述侧墙500a与所述牺牲层400的材质相同时，则在去除牺牲层400时所述蚀刻剂也同样会刻蚀掉位于第二开口210b上的侧墙500a。因此，不论第二开口210b上是否存在有所述侧墙，均不会对后续的制程造成影响，并且也不会影响后续所形成的MEMS麦克风的性能。当然，本领域技术人员也可根据实际状况，增加一刻蚀步骤以去除位于第二开口210b上的侧墙500a。

[0076] 其中，所述侧墙500a可采用与所述牺牲层400相同的材质，例如所述牺牲层400与侧墙500a的材质均为氧化硅(SiO)，此时，在后续去除所述牺牲层400的过程中，所述侧墙500a也同样的会被刻蚀掉。当然，所述侧墙500a也可采用与所述牺牲层400不同的材质制成，例如，所述牺牲层400的材质为氧化硅(SiO)，所述侧墙500a的材质为氮化硅(SiN)。或者，所述侧墙500a还可以采用氮化硅和氧化硅两种材料的组合。其中，当所述侧墙500a的材质包含有氮化硅时，则由于后续所采用的蚀刻剂对氮化硅具有轻微的腐蚀性，因此，在后续去除所述牺牲层时，形成于第二开口210b的侧壁上的侧墙500a由于会受到较大的刻蚀攻击，进而可能被部分或全部去除。

[0077] 接下来，执行步骤S14，参考图4g所示，在所述导电层210形成绝缘层220，所述绝缘层220充填位于所述牺牲层400上的凹槽以形成阻隔块220a，并且所述绝缘层220暴露出所述第二开口210b。即，所述绝缘层220与所述导电层210共同组合形成MEMS麦克风的背极板200。在制作MEMS麦克风时，为避免所述背极板200由于厚度较薄而出现软板的问题，因此需设置厚度较厚的背极板200，然而，当采用具有导电性能的材质以加大所述背极板200的厚度时，例如采用多晶硅材料，则易产生寄生电容，进而影响MEMS麦克风的性能。为此，本实施例中，所述背极板200由一厚度较薄的导电层210以及一厚度较厚的绝缘层220组合形成，一方面使所形成的背极板200具有一定的硬度，另一方面还可避免产生寄生电容。优选的，所述绝缘层220的材质可以为氮化硅，当然所述绝缘层220亦可由其它绝缘材料构成。

[0078] 在该步骤中，在所述凹槽中充填绝缘层220以形成阻隔块220a。如上所述，由于侧墙500a的存在，使凹槽的侧壁与导电层210的上表面平缓的衔接，即，使绝缘层220在一较为平缓的表面上形成，从而可避免在具有较大拐角的位置形成薄膜并造成所形成的薄膜致密性较差的问题，改善了所形成的阻隔块220a的致密性，进而提供了所述阻隔块220a的抗蚀刻能力。此外，所述绝缘层220还同时暴露出所述第二开口210b，如此，可为后续去除牺牲层400时提供一蚀刻剂的流通通道，并通过暴露出所述第二开口210b以形成所述MEMS麦克风的声孔。

[0079] 接下来，步骤S15，参考图4h所示，通过所述第二开口210b去除部分所述牺牲层400，使得所述振动膜100与所述导电层210之间形成一空腔300。其中，所述空腔300为所述振动膜100提供一振动空间。

[0080] 在该步骤S15中，可采用湿法蚀刻的方式去除所述牺牲层400。具体的，蚀刻剂首先通过第二开口210b对暴露出的牺牲层400进行蚀刻；接着所述蚀刻剂进入到导电层210与振动膜100之间的区域，并蚀刻该区域的牺牲层400。其中，所述蚀刻剂可根据所述牺牲层400以及绝缘层220等的材质进行选择。例如，本实施例中，所述牺牲层400的材质为氧化硅，所述绝缘层220的材质为氮化硅，则可选用缓冲氧化蚀刻剂(Buffered Oxide Etchant，BOE)去除所述牺牲层400。其中，所述BOE为氢氟酸(HF)与氟化铵(NH4F)以不同的比例混合形成，HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用，利用NH4F固定溶液中氢离子(H+)的浓度，使之对所述氧化硅具有较大的蚀刻速率，同时对所述氮化硅仅会产生微弱的蚀刻，从而不但能够较快并完全的去除所述牺牲层400，并且可减缓对阻隔块220a造成影响。

[0081] 当然，该步骤S15中，也可采用干法蚀刻去除所述牺牲层400。即，干法蚀刻过程中，蚀刻气体通过所述第二开口210b对所述牺牲层400进行蚀刻。所述干法蚀刻的蚀刻气体可以为含氟和碳的气体，例如四氟化碳(CF4)等。

[0082] 此时，所述阻隔块220a即位于所述空腔300内部的上方并向着所述振动膜100的方向凸出。由于在使用麦克风的过程中，会于所述振动膜100和背极板200的两端施加电压，从而会产生一定的静电力，进而使振动膜100和背极板200发生粘连。因此，本实施例中，在MEMS麦克风的背极板200上增加一个或多个突出的阻隔块220a，以避免振动膜100和背极板200之间产生较大面积的接触，从而改善振动膜100与背极板200发生粘连的问题。

[0083] 进一步的，如图4i所示，所述MEMS麦克风的形成方法中，还包括在所述振动膜100远离空腔300的一侧形成一背腔600，即，所述空腔300和背腔600共同为所述振动膜100提供振动空间。

[0084] 所述MEMS麦克风在工作的过程中，所述振动膜100与所述背极板200共同组成一平行板电容，当外部的声压作用在振动膜100上时，即会引起所述振动膜100的振动，使得所述振动膜100与背极板200之间的距离发生变化，进而产生电容的变化，并利用电容变化量进行运算和工作，以完成声音信号和电信号的转换。

[0085] 基于以上所述的MEMS麦克风的形成方法，本发明还提供一种MEMS麦克风。图5为本发明另一实施例中MEMS麦克风的结构示意图，如图5所示，所述MEMS麦克风包括：

[0086] 衬底；

[0087] 形成于所述衬底上的振动膜100；

[0088] 形成于所述振动膜100上的牺牲层400；

[0089] 形成于所述牺牲层400上的导电层210，所述导电层210中形成有第一开口以及与所述第一开口错开的第二开口；

[0090] 形成于所述第一开口侧壁上的侧墙500a；

[0091] 形成于所述导电层210上的绝缘层220，所述绝缘层220暴露出所述第二开口，其中所述导电层210和所述绝缘层220组合形成所述MEMS麦克风的背极板200；

[0092] 形成于所述振动膜100与导电层210之间的空腔300，所述绝缘层220通过所述第一开口延伸至所述空腔300以形成一阻隔块220a。

[0093] 进一步的，所述侧墙500a与所述牺牲层400的材质互不相同。具体的，所述侧墙500a的材质为氮化硅、氮化硅中的一种或其组合，所述牺牲层400的材质为氧化硅。

[0094] 综上所述，在本发明提供的MEMS麦克风的形成方法中，在导电层的开口的侧壁上形成有侧墙，通过所述侧墙使凹槽的侧壁与导电层的上表面平缓的衔接，进而可使绝缘层形成在一较为的平缓的表面上，以确保最终所形成的阻隔块的致密性，从而可使所述阻隔块不会受到蚀刻剂的侵蚀而形成裂缝甚至使所述阻隔块发生断裂。

[0095] 此外，根据本发明方法而形成的MEMS麦克风中的性能也不会受到影响。即，虽然在第一开口的侧壁上形成有侧墙，但是本领域技术人员知道，所述侧墙通常为绝缘材质，因此其并不会对MEMS麦克风的性能产生影响。并且，当所述侧墙采用与牺牲层相同的材质时，则在去除所述牺牲层的同时也会去除掉所述侧墙，进而也不会对所形成的MEMS麦克风的性能造成影响。

[0096] 上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。