固态摄像装置和电子设备

摘要

本发明的技术涉及能够提高偏光信息检测的精确度的固态摄像装置和电子设备。所述固态摄像装置包括：像素阵列部，所述像素阵列部布置有多个像素，各所述像素包括光电转换装置；偏光器，其由导电遮光材料形成，并且覆盖至少部分所述像素的所述光电转换装置的受光表面；遮光膜，其由导电遮光材料形成，并且在上述光电转换装置的所述受光表面侧布置在相邻的所述像素之间；和配线层，其布置在与所述光电转换装置的所述受光表面相对的一侧，其中，所述偏光器经由所述遮光膜连接到所述配线层的配线。例如，本发明的技术能够应用于固态摄像装置。

权利要求

1.一种固态摄像装置，所述固态摄像装置包括：像素阵列部，所述像素阵列部布置有像素，每个所述像素包含光电转换元件；

偏光器，所述偏光器由导电遮光材料形成，并且覆盖至少一部分所述像素的所述光电转换元件的受光表面；

遮光膜，所述遮光膜由导电遮光材料形成，并且在所述光电转换元件的所述受光表面侧布置在相邻的所述像素之间；和配线层，所述配线层布置在与所述光电转换元件的所述受光表面相对的一侧，其中，所述偏光器经由所述遮光膜连接至所述配线层的配线。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，负电位经由所述配线和所述遮光膜施加至所述偏光器。

3.根据权利要求1或2所述的固态摄像装置，其中，所述遮光膜和所述配线与穿过半导体基板的通孔电极互相连接，所述光电转换元件形成在所述半导体基板上。

4.根据权利要求3所述的固态摄像装置，其中，所述通孔电极由导电遮光材料形成，并且包围所述光电转换元件的侧面。

5.根据权利要求3所述的固态摄像装置，其中，所述通孔电极形成在所述像素阵列部的周围区域。

6.根据权利要求1或2所述的固态摄像装置，其中，所述偏光器和所述遮光膜形成于同一层。

7.一种电子设备，该电子设备包括：固态摄像装置；和

信号处理部，所述信号处理部用于处理从所述固态摄像装置输出的信号，所述固态摄像装置是如权利要求1至6中任一项所述的固态摄像装置。

说明书

固态摄像装置和电子设备

技术领域

[0001] 本发明涉及固态摄像装置和电子设备，并且更具体地，涉及一种用于提高偏光信息的检测精确度的固态摄像装置和电子设备。

背景技术

[0002] 过去，在固态摄像装置中已经提出了偏光信息的检测，其中，以预定的间隔布置有具有偏光器的偏光像素(例如，参照专利文献1)。

[0003] 引用列表

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：JP 2010‑263158A

发明内容

[0006] 技术问题

[0007] 然而，由于偏光像素受到通过偏光器进入光电转换装置的光的限制，偏光像素的灵敏度小于不具有偏光器的像素的灵敏度。因此，特别是在无法获得足够灵敏度的黑暗区
域，偏光像素的噪声分量的比率增加，由此导致偏光像素检测到的偏光信息的较大误差。

[0008] 因此，本发明用于提高偏光信息的检测精确度。

[0009] 技术方案

[0010] 根据本发明的第一方面的固态摄像装置具有像素阵列部，该像素阵列部布置有像素，每个所述像素包含光电转换装置；偏光器，该偏光器包括导电遮光材料，并且覆盖了至
少部分的所述像素的所述光电转换装置的受光表面；遮光膜，该遮光膜包括导电遮光材料，
并且在上述光电转换设备的受光表面侧布置在相邻的所述像素之间；和配线层，该配线层
布置在与上述光电转换装置的受光表面相对的一侧。在该构造中，上述的偏光器经由上述
遮光膜连接到上述配线层的配线。

[0011] 负电势可以经由上述布线和上述遮光膜施加到上述偏光器。

[0012] 上述遮光膜和上述配线可以与穿过半导体基板的通孔电极互相连接，所述半导体基板上形成有上述光电转换装置。

[0013] 上述通孔电极可以包括导电遮光材料并且包围上述光电转换装置的侧面。

[0014] 在围绕上述像素阵列部的区域中可以形成有上述通孔电极。

[0015] 上述偏光器和上述遮光膜可以形成在同一层。

[0016] 根据本发明的第二方面的电子设备具有固态摄像装置和用于处理从上述的固态摄像装置中输出的信号的信号处理部。上述的固态摄像装置具有像素阵列部，该像素阵列
部布置有像素，每个所述像素包括光电转换装置；偏光器，该偏光器包括导电遮光材料并且
覆盖至少部分的上述像素的上述光电转换装置的受光表面；遮光膜，该遮光膜包括导电遮
光材料，并且在上述光电转换设备的受光表面侧布置在上述相邻的像素之间；和配线层，该
配线层布置在与上述的光电转换装置的受光表面相对的一侧。在该构造中，上述的偏光器
经由上述遮光膜连接到上述配线层的配线。

[0017] 在本发明的第一或者第二方面中，偏光器经由遮光膜连接到配线层的配线。

[0018] 本发明的有益效果

[0019] 根据本发明的第一方面或者第二方面，提高了偏光信息的检测精确度。

[0020] 需要注意的是，上述的有益效果并非总是限制性的；也就是说，本文描述的任一有益效果都可以视为有益效果。

附图说明

[0021] 图1是示出应用了本发明的CMOS图像传感器的构造的轮廓的系统构造图。

[0022] 图2是示意性示出CMOS图像传感器的第一实施例的剖视图。

[0023] 图3是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第一示例的示意图。

[0024] 图4是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第二示例的示意图。

[0025] 图5是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第三示例的示意图。

[0026] 图6是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第四示例的示意图。

[0027] 图7是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第五示例的示意图。

[0028] 图8是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第六示例的示意图。

[0029] 图9是示出偏光器的透射轴线的角度和接触件的位置的第七示例的示意图。

[0030] 图10是示意性示出COMS图像传感器的第二实施例的剖视图。

[0031] 图11是示出固态摄像装置的使用示例的图。

[0032] 图12是示出电子设备的示范性构造的框图。

具体实施方式

[0033] 下文参照附图详细描述了实施本发明的模式(下文中称为实施例)。需要注意的是，说明将按照如下顺序进行：

[0034] 1.应用了本发明的固态摄像装置；

[0035] 2.第一实施例(背侧照射型的偏光像素和颜色像素尺寸相同的示例)；

[0036] 3.第二实施例(背侧照射型的偏光像素和颜色像素尺寸不同的示例。)；

[0037] 4.变型例；以及

[0038] 5.固态摄像装置的使用示例

[0039] <1.应用本发明的固态摄像装置>

[0040] {基本的系统构造}

[0041] 图1描述了示出应用本发明的固态摄像装置的构造的轮廓的系统构造图；例如，CMOS图像传感器是一种X‑Y寻址型的固态摄像装置。本文中的CMOS图像传感器指的是通过
应用或者部分地使用CMOS工艺制作的图像传感器。

[0042] 与本申请的示例相关的CMOS图像传感器10具有在未示出的半导体基板(芯片)上形成的像素阵列部11以及在形成有像素阵列部11的相同的半导体基板上集成的周边电路
部。例如，周边电路部具有垂直驱动部12、列处理部13、水平驱动部14和系统控制部15。

[0043] 另外，CMOS图像传感器10具有信号处理部18和数据存储部19。信号处理部18和数据存储部19可以安装在形成有CMOS图像传感器的同一基板上，或者可以设置在与形成有
CMOS图像传感器的基板分离的基板上。另外，通过信号处理部18和数据存储部19执行的各
个处理操作可以是通过布置在与形成有CMOS图像传感器10的基板分离的基板上的外部信
号处理部执行的处理操作；例如，通过DSP(数字信号处理器)电路或者软件执行的处理操
作。

[0044] 像素阵列部11具有沿行方向和列方向布置有两个以上单位像素(有时，在下文中简称为“像素”)的构造。此处，行方向指的是布置有像素行的像素的方向(即，水平方向)，并
且列方向指的是布置有像素列的像素的方向(即，垂直方向)。

[0045] 单位像素具有用于产生和积累与接受光的强度相应的电荷的光电转换部(例如，光电二极管)和两个以上像素晶体管(所谓的MOS晶体管)。例如，两个以上像素晶体管可以
包括三个晶体管：传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管。可替代地，两个以上晶体管可以
包括具有添加到上述三个晶体管的选择晶体管。注意，由于每个像素的等效电路类似于常
规可用的像素等效电路，因此省略了其详细描述。

[0046] 另外，单元像素可以具有共用像素结构。通过两个以上光电转换装置、两个以上传输晶体管、一个共用浮动扩散和另一共用像素晶体管来配置共用像素结构。

[0047] 在像素阵列部11中，作为行信号线的像素驱动线16针对每个像素行沿行方向布线，并且作为列信号线的垂直信号线17针对每个像素列沿列方向布线。像素驱动线16传送
用于驱动读取来自像素的信号的驱动信号。在图1中，画出了作为一条布线的像素驱动线
16；然而，数量并不只限于一条。像素驱动线16的一端连接到对应于垂直驱动部12的每一行
的输出端子。

[0048] 垂直驱动部12包括位移寄存器和地址解码器，并且同时驱动所有像素阵列部11的各像素或者以行为单位驱动像素阵列部11的各像素。即，垂直驱动部12与用于控制该垂直
驱动部12的系统控制部15一起构成用于控制像素阵列部11的每个像素的操作的驱动部。省
略了对该垂直驱动部12的具体构造描述；然而，通常，垂直驱动部12具有包括两个扫描系统
(读取扫描系统和扫出扫描系统)的构造。

[0049] 读取扫描系统基于单位像素顺序地和选择性地扫描像素阵列部11的单位像素，以读取来自单位像素的信号。从单位像素中读取的信号是模拟信号。扫出扫描系统对将被读
取扫描系统读取扫描的读取行进行扫出扫描，该扫出扫描比读取扫描提前了曝光时间。

[0050] 通过扫出扫描系统进行的扫出扫描将来自读取行的单位像素的光电转换部的不必要的电荷扫出，由此复位相关的光电转换部。然后，通过该扫出扫描系统进行的不必要电
荷的扫出(复位)导致了所谓的电子快门操作。此处，电子快门操作指的是这样的操作：其
中，光电转换部中的电荷被舍弃，从而开始新的曝光(开始积累电荷)。

[0051] 通过读取扫描系统进行的读取操作读取的信号对应于之前紧接的读取操作或者电子快门操作后接收的光的强度。然后，从通过之前紧接的读取操作读取的时序或者通过
电子快门操作进行的扫出的时序到此时进行的读取操作的读取的时序之间的间隔成为单
位像素中的电荷曝光间隔。

[0052] 针对每个像素行，从通过垂直驱动部12选择性扫描的每个像素行的每个单位像素中输出的信号经由垂直信号线17进入列处理部13。列处理部13针对像素阵列部11的每个像
素列对通过垂直信号线17从所选行的每个像素中输出的信号进行预定的信号处理，并且同
时，暂时保持已经执行了像素处理的像素信号。

[0053] 更具体地，对于信号处理，列处理部13至少执行噪声消除处理；例如，CDS(相关双采样)处理或者DDS(双数据采样处理)。CDS处理消除了复位噪声和诸如像素中的放大晶体
管的阈值的波动等像素特有的固定模式噪声。除了噪声消除处理功能外，还可以例如提供
具有AD(模拟到数字)转换功能的列处理部13，以便将模拟信号转换为数字信号，从而输出
该数字信号。

[0054] 水平驱动部14包括位移寄存器和地址解码器，并且顺序地选择与列处理部13的像素行相对应的单位电路。由该水平驱动部14进行的选择扫描操作顺序地输出针对列处理部
13中的每个单位电路进行过信号处理的像素信号。

[0055] 系统控制部15包括用于产生各种类型的时序信号的时序发生器和其他的组件，并且基于由该时序发生器产生的各种时序执行垂直驱动部12、列处理部13和水平驱动部14的
驱动控制。

[0056] 时序处理部18至少具有运算处理功能，以便执行对从列处理部13输出的像素信号的诸如运算处理的各种信号处理操作。在信号处理部18的信号处理中，数据存储部19暂时
地存储该信号处理需要的数据。

[0057] <2.第一实施例>

[0058] 参照图2至图5，下文说明了CMOS图像传感器10A，其是图1中说明的CMOS图像传感器10的第一实施例。

[0059] {CMOS图像传感器10A的示范性构造}

[0060] 图2是示意性示出CMOS图像传感器10A的像素阵列部11的部分的构造的剖视图。应当注意的是，该剖视图示出了包括两个像素P的部分的横截面；然而，另一个像素P具有基本
上与上述的两个像素P的构造相同的构造。

[0061] 应当注意的是，在下文中，光入射侧(图2的上部)设为CMOS图像传感器10A的顶部，并且与光入射侧相对的侧(图2的下部)设为CMOS图像传感器10A的底部。

[0062] CMOS图像传感器10A具有光从后侧入射的所谓的后侧光照型的结构，其中，所述后侧与半导体基板102的层叠有配线层101的表面侧相对。应当注意注意的是，半导体基板102
的后侧在下文中称为光入射表面或者受光表面。

[0063] 配线层101具有层叠的两层以上的配线121。

[0064] 半导体基板102包括每个像素P的区域内的光电转换装置122。例如，光电转换装置122包括光电二极管。

[0065] 在半导体基板102的入射表面上，隔着氧化膜123，在同一层中形成有偏光器124和遮光膜125。在同一层上形成偏光器124和遮光膜125使得能够降低光电转换装置122的上
层，由此实现提高灵敏度。

[0066] 偏光器124被布置为覆盖每个像素P的光电转换装置122的入射表面。例如，偏光器124包括线栅偏光器，其包括两个以上的导电遮光材料条和布置在遮光材料条之间的缝隙。
偏光器124透过具有与导电遮光材料条延伸的方向正交的方向的电场分量的偏振波，并且
阻挡具有与导电遮光材料条延伸的方向平行的电场分量的偏振波通过。偏光器124的导电
遮光材料使用下述材料：在例如光电转换装置122具有灵敏度的波长区域中，该材料具有小
的复折射率。例如，这种材料包括铝、铜、金、银、铂、钨或它们的合金。

[0067] 遮光膜125包括与偏光器124一样的导电遮光材料。遮光膜125在光电转换装置122的受光表面侧围绕偏光器124的外围，并且布置为在网格状态下填充相邻像素P之间的间
隙。

[0068] 通孔电极126包括与偏光器124和遮光膜125一样的导电遮光材料。通孔电极126从遮光膜125向下延伸，穿过半导体基板102，并且被形成为包围每个光电转换装置122的侧表
面，由此也起到填充的遮光膜的作用。

[0069] 例如，接触件127是形成于配线层101的通孔，由此将通孔电极126和配线121互连。应当注意的是，在该示例中，接触件127连接到配线层101的最下层的配线121；然而，将接触
件127连接到另一层的配线121也是可行的。

[0070] 包括偏光器124和遮光膜125的层的上方隔着平坦化薄膜等层叠有滤色器128和片上微透镜129。例如，滤色器128包括用于透过红色波长段的光的R滤波器、用于透过绿色波
长段的光的G滤波器和用于透过蓝色波长段的光的B滤波器。

[0071] 进入到片上微透镜129的光被聚集，以便进入每个像素P的滤色器128，通过滤色器128过滤预定的波长段的光。同时，在通过滤色器128过滤的光中，沿预定的偏光方向的光通
过偏光器124，进入光电转换装置122。然后，光电转换装置122执行光电转换，并且获得的基
于由光电转换产生的电荷的模拟电信号经由垂直信号线17输出到列处理部13。因此，在每
个像素P中检测偏光信息和颜色信息。

[0072] 在此，常规地，每个像素P的偏光器124经由遮光膜125、通孔电极126、接触件127和配线121施加来自未示出的电源的负偏压，由此提供负电位。因此，加强了光电转换装置122
的表面部分(受光表面)的钉扎性能，由此抑制了暗时噪声(暗电流)的产生。因此，提高了每
个像素P的检测偏光信息和颜色信息的精确度。尤其是，甚至在不能获得必要的灵敏度的黑
暗处，也可以抑制每个像素P的噪声分量比率的增加，这导致了检测偏光信息和颜色信息的
精确度的提高。

[0073] 另外，例如，不需要为了抑制暗电流而在光电转换装置122的表面上布置负固定电荷膜层，由此实现了成本节约。

[0074] 另外，例如，氧化膜123的膜厚度可以更薄并且光电转换装置122上方的层可以更低，由此提高了灵敏度。

[0075] 另外，通过遮光膜125和通孔电极126，能够抑制从相邻像素P沿对角线方向的光入射，由此防止发生混色。

[0076] {偏光器124和接触件127的布置的示例}

[0077] 图3到图9示意性地描述了示出CMOS图像传感器10A的偏光器124的透射轴线的角度和接触件127的位置。更详细地，在图3到图9中，通过直线示出了在像素Pa到Pd上布置的
偏光器124的透射轴线的角度，并且通过白色的六边形示出了接触件127的位置。应当注意
的是，偏光器124的透射轴线的角度在下文中称为偏光角度。

[0078] 图3到图9描述了包括具有偏光器124的两行×两列的像素Pa到Pd的区域，这些偏光器124具有每个相差45度的偏光角度。使每个偏光器的偏光角度从作为图中的垂直方向
的列方向(0度)开始顺时针旋转，然后像素Pa到Pd的偏光器124的每个偏光角度是0度、45
度、90度和135度，从而每个偏光器124透射平行于透射轴线的光。然后，在像素阵列部11中，
在行方向和列方向上以网格的状态(在矩阵中)布置有包括像素Pa到Pd的区块。

[0079] 然后，在图3描述的示例中，在像素P之间布置有接触件127。即，在沿行方向彼此相邻的像素P中，在每个像素P的列方向的边的大致中心处布置有接触件127。在沿列方向彼此
相邻的像素P中，在每个像素P的行方向的边的大致中心处布置有接触件127。

[0080] 应当注意的是，如果负偏压能够充足地施加到每个像素P的偏光器124，那么，例如，如图4至图9中描述的，不需要在所有像素P之间布置接触件127。

[0081] 例如，图4描述了从图3描述的示例中省略了在沿列方向彼此相邻的像素P之间布置的接触件127的示例。即，在该示例中，在沿行方向彼此相邻的像素P之间布置有接触件
127，并且在沿列方向彼此相邻的像素P之间未布置有接触件127。

[0082] 图5描述了从图4所示的示例中每隔一列省略接触件127的示例。即，在该示例中，每隔一列在沿行方向彼此相邻的像素P之间布置有接触件127。

[0083] 在图6描述的示例中，与图5中示出的示例相反地，每隔一行在沿列方向彼此相邻的像素P之间布置有接触件127。

[0084] 在图7描绘的示例中，在沿行方向和列方向彼此相邻的四个像素P之间布置有接触件127。更具体地，在该示例中，如果将像素阵列部11划分为分别包括两行×两列的像素P的
区块，则在每个区块的四个角和中心处布置有接触件127。

[0085] 图8描述了从图7描述的示例中省略了在区块的中心处布置的接触件127的示例。即，在该示例中，如果将像素阵列部11划分为分别包括两行×两列的像素P的区块，则在每
个区块的四个角上布置有接触件127。

[0086] 图9描述了从图8描述的示例中省略了在区块的右上角和左下角处布置的接触件127的示例。应当注意的是，在该示例中，如果将像素阵列部11划分为分别包括四行×四列
的像素P的区块，则在每个区块的四个角和中心处布置有接触件127。

[0087] 应当注意的是，在滤色器128中，不同颜色或者相同颜色的滤波器可以布置到像素Pa至Pd。例如，在前一情况下，相应于拜耳阵列，R滤波器可以布置到像素Pa，G滤波器可以布
置到像素Pb和Pd，并且B像素可以布置到像素Pc。在后一情况下，例如，相同颜色的滤波器可
以布置到像素Pa到Pd，并且滤波器颜色可以例如以包含像素Pa到Pd的区块为单位采用拜耳
阵列。

[0088] <3.第二实施例>

[0089] 参照图10，下文描述了作为图1中描述的CMOS图像传感器的第二实施例的CMOS图像传感器10B。

[0090] {CMOS图像传感器10B的示范性构造}

[0091] 图10描绘了示意性示出CMOS图像传感器10B的像素阵列部11和外周部201的部分的示范性构造的剖视图，外周部201是围绕像素阵列部11的外围的区域。应当注意的是，该
剖视图图示了包括两个像素P的部分的横截面；然而，其它的像素P具有基本上相同的构造。
另外，在该剖视图中，相应于在图2中图示的部分具有相同的附图标记。

[0092] CMOS图像传感器10B与图2中图示的CMOS图像传感器10A的不同之处在于：在外周部201布置有通孔电极211，并且在像素阵列部11上没有布置通孔电极126和接触件127。

[0093] 更具体地，形成有通孔电极211以穿过外周部201中的半导体基板102，并且同时，该通孔电极211连接到配线层101的配线121。另外，例如，通孔电极211经由未示出的配线连
接到像素阵列部11的遮光膜125。可替代地，遮光膜125的一部分可以延展到像素阵列部11
的外部，以便使遮光膜125和通孔电极211互相连接。

[0094] 然后，常规地，每个像素P的偏光器124经由遮光膜125、通孔电极211和配线121施加有来自未示出的电源的负偏压，由此提供负电位。因此，与CMOS图像传感器10A一样，增强
了光电转换装置122的表面部分(受光表面)的钉扎性能，由此抑制了暗时噪声(暗电流)的
产生。

[0095] <4.变型例>

[0096] 下面将说明本发明的上述实施例的变型例。

[0097] {关于通孔电极126的变型例}

[0098] 例如，不使用CMOS图像传感器10A的通孔电极126作为遮光膜也是可行的。在这种情况下，以具有低遮光特性的材料形成通孔电极126是可行的。另外，在这种情况下，并不始
终需要用通孔电极126围绕光电转换装置122的侧表面；例如，使通孔电极126成为沿上下方
向延伸的细柱形是可行的。

[0099] 甚至在通孔电极126用作遮光膜的情况下，通孔电极126不需要总包围光电转换装置的全部侧面；对于通孔电极126而言，部分地包围光电转换装置122的侧表面也是可行的。

[0100] 另外，在没有布置通孔电极的情况下，通过通孔电极之外的其它方式相互连接遮光膜125和配线121也是可行的。例如，在这种情况下，负偏压可以不经由配线121从外部电
源供应到遮光膜125。

[0101] {关于偏光器124的变型例}

[0102] 如果具有非线栅的结构的偏光器有导电性，则这种偏光器可以用作偏光器124。

[0103] 另外，如果偏光器124和遮光膜125互相电气连接，偏光器124和遮光膜125可以形成在不同的层。

[0104] 另外，仅在某些像素P上布置偏光器124并且布置在不使用偏光器124的情况下仅检测颜色信息的像素P也是可行的。

[0105] 在以上说明中，作为示例，偏光器124的偏光角度(偏光器124的透射轴线的角度)是包括0度、45度、90度和135度的四种类型；然而，改变偏光角度和其需要的数量的组合也
是可行的。例如，偏光器124的偏光角度可以是相差θ度的180/θ种类型，并且可以规则地布
置180/θ种类型的偏光器124。

[0106] {关于滤色器128的变型例}

[0107] 可以根据需要设置滤色器128的类型和排布。例如，也可以将滤色器的颜色的数量设置为包括R、G、B和W(透明)的四种类型；包括M(洋红)、Y(黄色)和C(青蓝)的三种类型；或
者包括M、Y、C和W的四种类型。

[0108] 另外，如果只在某些像素P上布置偏光器124，则可以在布置有偏光器124的像素P上布置W滤波器，并且在其它像素P上布置滤色器。

[0109] 另外，例如，使用有机光电转换膜来检测颜色信息也是可行的，由此除去了滤色器128。

[0110] {其它变型例}

[0111] 在上述实施例中，作为示例示出了将本发明应用于具有以矩阵形式布置的单位像素的CMOS图像传感器的情况；然而，本发明不限于应用于CMOS图像传感器。即，本发明可以
应用到所有具有以矩阵形式二维地布置的单位像素的X‑Y寻址型的固态摄像装置。

[0112] 应当注意的是，固态摄像装置可以形成在单个芯片上或者可以是设置有共同封装的信号处理部或光学系统的具有摄像特性的模块形式。

[0113] <5.固态摄像装置的应用示例>

[0114] 图11描述了示出上述的固态摄像装置的使用示例的图。

[0115] 上述的固态摄像装置可以在感测诸如可见光、红外光、紫外光和X射线等光的各种如下情况下使用。

[0116] ‑拍摄鉴赏用的图像的装置，例如数码相机、具有摄像功能的便携式装置等。

[0117] ‑用于交通应用领域的装置，例如用于拍摄车的前方、后方、周围、内部的图像的车内传感器、用于监视行驶车辆和道路的监视摄像机和用于测量车辆之间的间距的测距传感
器，以便确保例如自动停止等安全驾驶和识别驾驶员的状态。

[0118] ‑用于家用电器领域的装置，例如，电视机、冰箱和空调，以便拍摄使用者的手势从而根据进行的手势来操作设备。

[0119] ‑用于医疗和健康护理领域的装置，例如，包括有内窥镜和用于通过红外光光敏灵敏度拍摄血管图像的设备。

[0120] ‑用于安全领域的装置，例如，预防犯罪监视摄像机和身份识别摄像机。

[0121] ‑用于美容领域的装置，例如，用于拍摄皮肤图像的皮肤分析器和用于拍摄头皮图像的显微镜。

[0122] ‑用于运动领域的装置，例如，动作摄像机和可穿戴式摄像机。

[0123] ‑用于农业领域的装置，例如，用于监视农田和农作物的摄像机。

[0124] {摄像装置}

[0125] 图12描述了示出摄像装置(相机装置)的示范性构造，该摄像装置是应用本发明的电子设备的一个示例。

[0126] 如图12中所示，摄像装置具有包括透镜组301的光学系统、摄像元件302、DSP电路303、帧存储器304、显示装置305、记录装置306、操作系统307和电源系统308，DSP电路303是
相机信号处理部。DSP电路303、帧存储器304、显示装置305、记录装置306、操作系统307和电
源系统308经由总线309相互连接。

[0127] 透镜组301捕捉来自被摄体的入射光(图像光)，以便将拍摄的图像形成到摄像装置302的成像表面。摄像装置302基于像素将通过透镜组301在成像表面上形成的入射光的
强度转化为电信号，并且输出该电信号作为像素信号。

[0128] 包括诸如液晶显示设备或者有机电致发光(EL)显示设备的面板显示装置的显示装置305显示由摄像装置302拍摄的运动图像或者静止图像。记录装置306将摄像装置302拍
摄的移动图像和静止图像记录到诸如存储卡、录像带或者DVD(数字多功能光盘)的记录介
质。

[0129] 操作系统307在使用者操作下发出关于本摄像装置的各种功能的操作命令。电源系统308适当地提供用于向DSP电路303、帧存储器304、显示装置305、记录装置306和操作系
统307提供运行电力的各种电源。

[0130] 上述的摄像装置应用于摄像机、数码相机和用于诸如智能电话和移动电话等可移动装置中的相机模块。在该摄像装置中，关于上述各个实施例的固态摄像装置可以用于摄
像装置302。因此，能够提高摄像装置的图像质量。

[0131] 应当注意的是，本发明的实施例不限于上述的实施例；即，可以在不脱离本发明精神的情况下做出变化和修改。

[0132] 另外，例如，本发明也可以采用如下构造：

[0133] (1)一种固态摄像装置，所述固态摄像装置包括：

[0134] 像素阵列部，所述像素阵列部布置有像素，每个所述像素包含光电转换装置；

[0135] 偏光器，所述偏光器包括导电遮光材料，并且覆盖至少一部分所述像素的所述光电转换装置的受光表面；

[0136] 遮光膜，所述遮光膜包括导电遮光材料，并且在所述光电转换装置的所述受光表面侧布置在相邻的所述像素之间；和

[0137] 配线层，所述配线层布置在与所述光电转换装置的所述受光表面相对的一侧，

[0138] 其中，所述偏光器经由所述遮光膜连接至所述配线层的配线。

[0139] (2)根据上面(1)所述的固态摄像装置，其中，

[0140] 负电位经由所述配线和所述遮光膜施加至所述偏光器。

[0141] (3)根据上面(1)或(2)所述的固态摄像装置，其中，

[0142] 所述遮光膜和所述配线与穿过半导体基板的通孔电极互相连接，所述光电转换装置形成在所述半导体基板上。

[0143] (4)根据上面(3)所述的固态摄像装置，其中，

[0144] 所述通孔电极包括导电遮光材料，并且包围所述光电转换装置的侧表面。

[0145] (5)根据上面(3)所述的固态摄像装置，其中，

[0146] 所述通孔电极形成在所述像素阵列部的周围区域。

[0147] (6)根据上面(1)至(5)中任一项所述的固态摄像装置，其中，

[0148] 所述偏光器和所述遮光膜形成于同一层。

[0149] (7)一种电子设备，该电子设备包括：

[0150] 固态摄像装置；和

[0151] 信号处理部，所述信号处理部用于处理从所述固态摄像装置输出的信号，

[0152] 所述固态摄像装置具有：

[0153] 像素阵列部，所述像素阵列部布置有像素，每个所述像素包含光电转换装置；

[0154] 偏光器，所述偏光器包括导电遮光材料，并且覆盖至少一部分的所述像素的所述光电转换装置的受光表面；

[0155] 遮光膜，所述遮光膜包括导电遮光材料，并且在所述光电转换装置的所述受光表面侧布置在相邻的所述像素之间；和

[0156] 配线层，所述配线层布置在与所述光电转换装置的所述受光表面相对的一侧，

[0157] 其中，所述偏光器经由所述遮光膜连接至所述配线层的配线。

[0158] 附图标记列表

[0159] 10,10A,10B CMOS 图像传感器

[0160] 11 像素阵列部

[0161] 12 垂直驱动部

[0162] 13 列处理部

[0163] 14 水平驱动部

[0164] 15 系统控制部

[0165] 16 像素驱动线

[0166] 17 垂直信号线

[0167] 18 信号处理部

[0168] 101 配线层

[0169] 102 半导体基板

[0170] 121 配线

[0171] 122 光电转换装置

[0172] 124 偏光器

[0173] 125 遮光膜

[0174] 126 通孔电极

[0175] 127 接触件

[0176] 128 滤色器