一种多FPGA的上电配置控制方法转让专利

申请号 : CN201711265491.2

文献号 : CN107967041B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 余达刘金国周怀得马庆军陈佳豫张博研浦前帅

申请人 : 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

摘要 :

一种多FPGA的上电配置控制方法,涉及一种多FPGA的上电配置控制方法,解决现有多FPGA在上电配置过程中存在供电电源不足时,导致部分或者全部FPGA配置失败,当使用大功率的供电电源,导致资源浪费等问题,包括FPGA上电配置控制系统,所述FPGA上电配置控制系统包括DC/DC电源、外部电路、FPGA的IO供电LDO、FPGA的内核供电LDO及RC延时电路;DC/DC电源输出的电压经传输电缆和各LDO分别给外部电路、FPGA的IO和内核供电;RC延时电路用于控制FPGA的IO供电LDO输出电压、内核供电LDO输出电压以及FPGA的program_b使能;通过各片FPGA加载时间的错开,可降低DC/DC输出总电流的大小,提高电源的利用效率。

权利要求 :

1.一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征是;包括FPGA上电配置控制系统,所述FPGA上电配置控制系统包括DC/DC电源、外部电路、FPGA的IO供电LDO、FPGA的内核供电LDO及RC延时电路;

所述DC/DC电源输出的电压经传输电缆和各LDO分别给外部电路、FPGA的IO和内核供电;所述RC延时电路用于控制FPGA的IO供电LDO输出电压、内核供电LDO输出电压以及FPGA的program_b使能;在上电配置控制过程中,采用分时上电,具体上电配置控制方法为:步骤一、外部电路上电;LDO处于输出常使能状态,在DC/DC电源输出电压后LDO开始输出电压;

步骤二、FPGA的IO供电LDO输出使能;

IO供电LDO受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压IO供电LDO开始输出电压,多片FPGA的IO供电LDO在相同的延时时间输出使能,所述延时时间为0.2tconfig;式中tconfig为FPGA配置的最大电源上升时间;

步骤三、FPGA的内核供电LDO输出使能;

内核供电LDO输出受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后内核供电LDO开始输出电压;

设定n片FPGA,则n片FPGA的内核电源使能间隔时间为0.6tconfig/n;即第一片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig/n,第二片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig×

2/n,第n片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig×n/n;

步骤四、FPGA的program_b使能启动配置,program_b使能受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后program_b输出使能;具体控制方法为:FPGA的Done控制FPGA的program_b;

设定各片FPGA的配置间隔时间为单片的配置完成时间;第一片FPGA的Done连接第二片FPGA的program_b,第二片FPGA的Done连接第三片FPGA的program_b,直到完成最后一片FPGA的连接;

多片FPGA的配置时间的总长度Ttotal为: 式中Ti为第i片的配置时间,Tdelay为第一片FPGA的program_b的RC延时时间;

所述 式中l配置数据的总长度,m为从PROM中读出数据的位宽,fcclk为从PROM中读出的时钟频率,Tdelay_i为配置过程中非读出数据的时间。

2.根据权利要求1所述的一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征在于;步骤四中,FPGA的program_b使能受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后program_b使能;还包括另一种控制方法,具体为:设定各片FPGA之间独立,采用分别结合比较器的RC延时电路对FPGA的program_b进行控制:通过结合比较器的RC延时电路,控制不同FPGA的IO供电使能开始到对应FPGA的program_b变为高电平启动配置的时间。

3.根据权利要求2所述的一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征在于;所述IO供电使能开始到对应FPGA的program_b管脚变为高电平启动配置的时间 式中τ为IO电源供电的RC电路的充电时间系数,k为IO供电的分压电路的分压系数,所述k的范围为:0<k<1。

4.根据权利要求1所述的一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征在于;所述DC/DC电源的输出电压要求大于等于FPGA的IO供电LDO输出电压与LDO的压差、传输线缆的电阻、配置过程的传输线缆上的峰值电流之和。

说明书 :

一种多FPGA的上电配置控制方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种多FPGA的上电配置控制方法,具体涉及一种基于航天应用的多FPGA的上电配置控制方法。

背景技术

[0002] FPGA在上电配置过程中,需要较大的配置峰值电流;若几片FPGA采用同一电源供电,而几片FPGA在相同的时间内进行上电配置,则需要单片配置的数倍电流,若供电电源输出的电流或者电压不足,则存在部分或者全部FPGA配置失败。一种解决办法是使用大功率的供电电源,而配置成功后所需要的功耗较小,资源浪费严重。

发明内容

[0003] 本发明为解决现有多FPGA在上电配置过程中存在供电电源不足时,导致部分或者全部FPGA配置失败,当使用大功率的供电电源,导致资源浪费等问题,提供一种多FPGA的上电配置控制方法。
[0004] 一种多FPGA的上电配置控制方法,包括FPGA上电配置控制系统,所述FPGA上电配置控制系统包括DC/DC电源、外部电路、FPGA的IO供电LDO、FPGA的内核供电LDO及RC延时电路;所述DC/DC电源输出的电压经传输电缆和各LDO分别给外部电路、FPGA的IO和内核供电;所述RC延时电路用于控制FPGA的IO供电LDO输出电压、内核供电LDO输出电压以及FPGA的program_b使能;在上电配置控制过程中,采用分时上电,具体上电配置控制方法为:
[0005] 步骤一、外部电路上电;LDO处于输出常使能状态,在DC/DC电源输出电压后LDO开始输出电压;
[0006] 步骤二、FPGA的IO供电LDO输出使能;
[0007] IO供电LDO受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压IO供电LDO开始输出电压,多片FPGA的IO供电LDO在相同的延时时间输出使能,所述延时时间为0.2tconfig;式中tconfig为FPGA配置的最大电源上升时间;
[0008] 步骤三、FPGA的内核供电LDO输出使能;
[0009] 内核供电LDO输出受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后内核供电LDO开始输出电压;
[0010] 设定n片FPGA,则n片FPGA的内核电源使能间隔时间为0.6tconfig/n;即第一片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig/n,第二片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig×2/n,第n片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig×n/n;
[0011] 步骤四、FPGA的program_b使能启动配置,program_b使能受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后program_b输出使能;具体控制方法为:
[0012] FPGA的Done控制FPGA的program_b;
[0013] 设定各片FPGA的配置间隔时间为单片的配置完成时间;第一片FPGA的Done连接第二片FPGA的program_b,第二片FPGA的Done连接第三片FPGA的program_b,直到完成最后一片FPGA的连接;
[0014] 多片FPGA的配置时间的总长度Ttotal为: 式中Ti为第i片的配置时间,Tdelay为第一片FPGA的program_b的RC延时时间;
[0015] 所述 式中l配置数据的总长度,m为从PROM中读出数据的位宽,fcclk为从PROM中读出的时钟频率,Tdelay_i为配置过程中非读出数据的时间。
[0016] 本发明的有益效果:本发明所述的多FPGA上电配置控制方法,一、减少了DC/DC模块的数量,同时降低了传输电缆的数量和连接器的数量;二、通过对各部分供电电源的分时使能,能降低DC/DC电源产生的浪涌电流;三、通过各片FPGA加载时间的错开,可降低DC/DC输出总电流的大小,提高电源的利用效率。

附图说明

[0017] 图1为本发明所述的多FPGA串行上电配置控制系统框图;
[0018] 图2为本发明的多FPGA分时上电配置控制系统框图;
[0019] 图3为本发明结合比较器的RC延时电路图。

具体实施方式

[0020] 具体实施方式一、结合图1至图3说明本实施方式,一种多FPGA的上电配置控制方法,包括FPGA上电配置控制系统,所述FPGA上电配置控制系统包括DC/DC电源、传输电缆、外部电路、多片FPGA、多片FPGA的IO供电LDO、多片FPGA的内核供电LDO及RC延时电路。DC/DC电源输出的电压经传输电缆和各LDO分别给外部电路、FPGA的IO和内核供电。在上电配置过程中,各部分采用分时上电,具体过程为:
[0021] (1)FPGA外部电路上电:此部分供电的LDO处于输出常使能状态,在DC/DC开始输出后则LDO即开始输出。
[0022] (2)FPGA的IO供电LDO输出使能:此部分供电的LDO输出受RC延时电路控制,当RC电路的电压上升到门限电压后方开始输出,多片FPGA的IO供电LDO在相同的延时时间输出使能,所述延时时间为0.02tconfig;式中tconfig为FPGA配置的最大电源上升时间;
[0023] (3)FPGA的内核供电LDO输出使能:此部分供电的LDO输出受RC延时电路控制,当RC电路的电压上升到门限电压后方开始输出。对于n片FPGA,则n片的内核电源使能间隔时间为0.6tconfig/n;即第一片的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig/n,第二片为0.2tconfig+0.6tconfig×2/n,第n片为0.2tconfig+0.6tconfig×n/n。式中tconfig为FPGA配置允许的最大电源上升时间。
[0024] (4)FPGA的program_b使能启动配置:此部分输出受RC延时电路控制,当RC电路的电压上升到门限电压后方开始使能。具体控制方法为:
[0025] FPGA的Done控制program_b;如图1所示,各片FPGA的配置间隔时间为单片的配置完成时间;第一片的Done连接第二片的program_b,第二片的Done连接第三片的program_b,以此类推,直到最后一片。
[0026] 多片FPGA配置时间的总长度Ttotal为: 式中Ti为第i片的配置时间,Tdelay为第一片FPGA的program_b的RC延迟时间。 式中l配置数据的
总长度,m为从PROM中读出数据的位宽,fcclk为从PROM中读出的时钟频率,Tdelay_i为配置过程中非读出数据的时间。
[0027] 本实施方式中,在FPGA的program_b使能启动配置过程中,program_b输出受RC延时电路控制,当RC电路的电压上升到门限电压后program_b方开始使能,其控制方法还可以采用下述方式实现:
[0028] 结合图2,采用结合比较器的RC延时:通过结合比较器的RC延时,可控制不同FPGA的IO供电使能开始到对应的program_b变为高电平启动配置的时间;结合图3,不仅可以通过设置RC参数进行延时调节,还可以通过分压电路来设置门限电平进行延时调节。
[0029] 本实施方式中所述IO供电使能开始到对应的program_b变为高电平启动配置的时间 式中τ为IO电源供电的RC电路的充电时间系数,k为IO电源供电的分压电路的分压系数,也就是门限电压与供电电压的比值,0<k<1。多片FPGA配置的总时间取决于配置最长那片FPGA的配置时间。
[0030] 本实施方式所述的DC/DC电源的输出电压要求不低于:FPGA的IO供电电压+LDO的压差+输出线缆的电阻×配置过程的输出线缆的峰值电流。
[0031] 所述DC/DC电源的输出电流不低于配置过程峰值电流的120%。
[0032] 本实施方式中的FPGA为virtex 2系列的FPGA如XQ2V3000;LDO采用MSK5101;DC/DC电源采用VPT公司的DC/DC模块。