可交联的电荷传输材料转让专利
申请号 : CN201680060267.7
文献号 : CN108137496B
文献日 : 2021-03-30
发明人 : 马修·P·奥尔德雷德 , 卢克·威廉·朱德 , 克莱尔·福登
申请人 : 洛马克斯有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种下式的化合物其中:
A表示苯基;
1 2
B和B在每次出现时是独立选择的具有以下结构的侧链
1 2
–(Y)n‑L‑(Y)m‑X其中:
1 2
Y和Y在每次出现时独立地选自O、CO2‑和CH2O;
m和n在每次出现时独立地选自0或1;
L在每次出现时是C2‑C14直链烷基;并且X在每次出现时是独立选择的可交联基团;
其中所述可交联基团选自乙烯、二烯、硫醇和氧杂环丁烷可交联基团的组;
1 2
C是结构–(Z)p‑M‑(Z)q‑E的侧链其中:
1 2
Z和Z独立地选自O、CO2‑和CH2O;
p和q在每次出现时独立地选自0或1;
M是C1‑C14直链烷基;并且E包含电荷传输基团;
1 2
D是结构–(W)r‑N‑(W)s‑F的侧链其中:
1 2
W和W独立地选自O、CO2‑和CH2O;
r和s在每次出现时独立地选自0或1;
N是C1‑C14直链烷基;并且F包含电荷传输基团;
其中基团E和F各自是可由以下通式描述的空穴传输基团‑(J)t‑(K)u‑P其中J是苯基、苄基、联苯基、2,2'‑联噻吩基团、稠合噻吩基团或噻吩,t是0或1,K是选自三苯基胺或螺二芴芳基胺、3,6‑咔唑、2,7‑咔唑或1,3,6,8‑咔唑的空穴传输基元,其通过共价键、苯基、稠合噻吩基团或噻吩与链的相邻成员连接,u是1至10的整数,并且P是选自氢、C1‑C8直链或支链烷基、苯基、C1‑C8直链或支链烷基取代的苯基或C1‑C8直链或支链烷基取代的联苯基的链终止基团;
并且其中包含电荷传输基团的所述E不含除形成螺二芴芳基胺基元的一部分的那些以外的芴基团。
2.根据权利要求1所述的化合物,其中基团E和F是相同的。
3.一种网络聚合物,其通过使根据权利要求1或权利要求2所述的化合物暴露于辐射而形成。
4.根据权利要求3所述的网络聚合物,其中所述辐射是紫外光。
5.一种器件,其包含根据权利要求1或权利要求2所述的化合物或根据权利要求3或权利要求4所述的网络聚合物。
6.根据权利要求5所述的器件,其为OLED器件、OPV器件或OFET器件。
7.一种用于制造根据权利要求5或权利要求6所述的器件的方法,其包括以下步骤:i)将根据权利要求1或权利要求2所述的化合物溶解在合适的有机溶剂中;
ii)将所得溶液沉积在基底上;
iii)在蒸发下,除去所述溶剂,形成膜;和iv)使所得膜暴露于辐射。
8.根据权利要求7所述的方法,其中步骤iii)包括在减压下除去所述溶剂,形成膜。
9.根据权利要求7或权利要求8所述的方法,其中所述辐射是紫外光。
说明书 :
可交联的电荷传输材料
技术领域
明的化合物用作在电子器件中传输空穴和电子的电荷传输材料,并且还可以用作空穴注入
层。另外,在其中本发明化合物含有电荷传输基元和光致发光基元的情况下,所述化合物可
用作例如有机发光二极管中的界面层。
背景技术
光层之外,OLED器件还可以在发光层与电接触层之间并入电荷传输材料层。这些电荷传输
层可包含空穴传输或电子传输材料。这些电荷传输材料可以允许携带电荷的空穴和电子迁
移到发光层,从而促进其组合形成被称为激子的束缚态。激子中的电子在适当的时候通过
发射辐射而弛豫到较低的能量状态,对于OLED器件来说,其频率最常在可见光区域。
接触的两个欧姆接触之间的导电沟道。另一块板用于控制所述沟道中感应的电荷,被称为
栅极。电荷载流子在沟道中的移动方向是从源极到漏极。因此,这三个组件之间的关系是栅
极控制载流子从源极到漏极的移动。有机场效应晶体管(OFET)是在其沟道中使用有机半导
体的FET。因此电荷传输材料是OFET的关键组件,并且实现具有优化电荷传输特性的材料是
一个重要目标。允许改进制造工艺如可图案化的溶液相处理的材料也是重要目标。
点是重量轻且灵活。它们也是半透明的,并且与常规的无机光伏技术相比可能制造成本更
低,因为OPV可以使用最先进的印刷工具以连续工艺制造。OPV具有革新太阳能电池技术领
域的巨大潜力。
关注。多年来已经开发了许多材料来尝试制造改进的OLED器件,特别是具有最佳光输出、能
量效率和使用寿命的器件。另外,另一个值得注意的目标是实现允许简化OLED、OPV和OFET
的器件制造工艺的材料。尽管存在现有材料,但仍需要具有如上所述特性的材料,这些材料
具有用于制造OLED、OPV、OFET和其它电子器件的特性的优异组合。
器件。如果B表示可光交联的基团,则该情况尤其如此,因为那时材料基本上起光致抗蚀剂
的作用,也就是说,这些材料的薄层可以通过图案曝光(特别是UV光)而图案化为有用的电
子结构。
许对器件制造方法进行优化。具有空穴传输特性的材料也可以用于形成OLED、OFET和OPV中
的空穴注入层。
溶剂中还应该展现良好的成膜性。膜是溶解在溶剂(例如烃溶剂)中的相关材料的层,一旦
将材料的溶液施加到基底上并在基底表面上铺展即形成膜。然后可以通过例如蒸发除去一
些或全部的溶剂,之后通过例如使沉积层暴露于UV辐射而交联。在基底上实现均匀厚度的
膜可以在基底上提供均匀分布或厚度的功能材料的沉积层,其然后可以交联到基底上。可
以使用诸如旋涂的技术来帮助均匀成膜。因此,成膜性是重现性器件层制造以及因此OLED、
OPV和OFET具有可重现的性能特征的重要考虑因素。
材料为特征的有机电子器件例如OLED、OPV和OFET以及其制造方法。
发明内容
两个苯基,此外其中B、B、C和D如关于式I化合物所定义。
两个苯基,其中B 和C取代基位于第一苯基上并且B 和D取代基位于第二苯基上,此外其中
1 2
B、B、C和D如关于式I化合物所定义。
其中B、B、C和D如关于式I化合物所定义。
团C和D彼此呈对位,此外其中B、B、C和D如关于式I化合物所定义。
包含烯烃交联基团、硫醇和氧杂环丁烷的群组,此外其中A、C、D以及B和B的其它组分如关
于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)和(Ig)的化合物所定义。
包含富电子或缺电子的烯烃交联基团的群组,此外其中A、C、D以及B 和B的其它组分如关于
式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)和(Ig)的化合物所定义。
包含可光聚合的烯烃交联基团的群组,此外其中A、C、D以及B 和B的其它组分如关于式(I)、
(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)和(Ig)的化合物所定义。
直链和环状的α,β‑不饱和酯、α,β‑不饱和酰胺和乙烯基醚,此外其中A、C、D以及B和B的其
它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)和(Ig)的化合物所定义。
基氧基、烷基乙烯基氧基、乙烯基马来酸酯基、乙烯基富马酸酯基和N‑(2‑乙烯基氧基马来
1 2
酰亚胺基)基团,此外其中A、C、D以及B 和B的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、
(Id)、(Ie)、(If)和(Ig)的化合物所定义。
C4至C10烷基,此外其中A、C、D以及B 和B的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、
(Ie)、(If)和(Ig)的化合物所定义。
C4至C8烷基,此外其中A、C、D以及B和B 的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、
(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(IL)和(Im)的化合物所定义。
B和B的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、
(Ik)、(IL)、(Im)和(In)的化合物所定义。
其中A、C、D以及B和B的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)和(Io)的化合物所定义。
此外其中A、C、D以及B 和B 的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、
(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)和(Io)的化合物所定义。
下是氧原子,此外其中A、B 、B 、D以及C的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、
(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)和(Iq)的化合物所定义。
下是CO2,即酯键,此外其中A、B 、B 、C以及D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、
(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)和(Iq)的化合物所定
义。
C12烷基,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、
(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)和(Is)的化合物所定
义。
基,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、
(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)和(Is)的化合物所定义。
(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)和(Iu)的化合物所定义。
(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)和(Iu)的化合物所定义。
(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)和(Iw)的化合物所定
义。
(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)和(Ix)的化合
物所定义。
此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、
(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、
(Iw)、(Ix)和(Iy)的化合物所定义。
外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
是电子传输基团,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、
(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、
(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
穴传输基元或咔唑空穴传输基元的空穴传输基团,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如
关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、
(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1 2
A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、
(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、
(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
选自三芳基胺如三苯基胺或螺二芴芳基胺、3,6‑咔唑、2,7‑咔唑、1,3,6,8‑咔唑或螺二芴芳
1 2
基胺,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、
(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、
(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
传输基元,其通过共价键、苯基、稠合噻吩基团或噻吩与链的相邻成员连接,u是1至10、例如
1至6或3至6的整数,并且P是选自氢、C1‑C8直链或支链烷基、苯基、C1‑C8直链或支链烷基取
1 2
代的苯基、或C1‑C8直链或支链烷基取代的联苯基的链终止基团,此外其中A、B、B以及C和D
的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、
(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合
物所定义。
传输基元,其通过共价键、苯基、稠合噻吩基团或噻吩与链的相邻成员连接,u是1至6的整
数,并且P是选自氢、C1‑C8直链或支链烷基、苯基、C1‑C8直链或支链烷基取代的苯基、或C1‑C8
1 2
直链或支链烷基取代的联苯基的链终止基团,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于
式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、
(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
传输基元,其通过共价键、苯基、稠合噻吩基团或噻吩与链的相邻成员连接,u是3至6的整
数,并且P是选自氢、C1‑C8直链或支链烷基、苯基、C1‑C8直链或支链烷基取代的苯基、或C1‑C8
1 2
直链或支链烷基取代的联苯基的链终止基团,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于
式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、
(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1 2
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如关于式
(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、
(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,其在适当时通过共价键、苯基或联苯基与C或D的其
1 2
它组分连接,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、
(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、
(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,并且在基团E或F的末端分别是i)C1‑C8烷基、ii)任
选被取代的苯基或iii)任选被取代的联苯基,其中所述任选的取代基是C1‑C8烷基,此外其
1 2
中A、B 、B 以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,其在适当时通过共价键、苯基或联苯基与C或D的其
它组分连接,并且在基团E或F的末端分别是i)C1‑C8烷基、ii)任选被取代的苯基或iii)任选
1 2
被取代的联苯基,其中所述任选的取代基是C1‑C8烷基,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组
分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、
(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定
义。
咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基、亚甲
1 2
基或C1‑C5杂环键相互连接,此外其中A、B 、B 以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、
(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、
(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5
1 2
杂环键相互连接,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、
(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、
(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5
杂环键相互连接并且在适当时通过共价键、苯基或联苯基与C或D的其它组分连接,此外其
1 2
中A、B 、B 以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5
杂环键相互连接,并且在基团E或F的末端分别是i)C1‑C8烷基、ii)任选被取代的苯基或iii)
1 2
任选被取代的联苯基,其中所述任选的取代基是C1‑C8烷基,此外其中A、B、B以及C和D的其
它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、
(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合
物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基、亚甲基或C1‑C5杂环键相互连
1 2
接并且在适当时通过共价键、苯基或联苯基连接到C或D的其它组分,此外其中A、B、B以及C
和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、
(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的
化合物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键或苯基键相互连接并且在适当时通
1 2
过共价键、苯基或联苯基连接到C或D的其它组分,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如
关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、
(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5杂环键相互连接并且
1 2
在适当时通过共价键、苯基或联苯基连接到C或D的其它组分,此外其中A、B 、B以及C和D的
其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、
(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合
物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5杂环键相互连接,并且
在基团E或F的末端分别是i)C1‑C8烷基、ii)任选被取代的苯基或iii)任选被取代的联苯基,
其中所述任选的取代基是C1‑C8烷基并且其中每个链在适当时通过苯基或联苯基任选连接
1 2
到C或D的其它组分,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、
(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、
(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5杂环键相互连接,此外
1 2
其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5杂环键相互连接,此外
1 2
其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5杂环键相互连接并且
1 2
在适当时通过共价键、苯基或联苯基连接到C或D的其它组分,此外其中A、B 、B以及C和D的
其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、
(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合
物所定义。
咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪或噻二唑,其通过共价键、苯基或C1‑C5杂环键相互连接并且
在适当时通过共价键、苯基或联苯基连接到C或D的其它组分,并且在基团E或F的末端分别
是i)C1‑C8烷基、ii)任选被取代的苯基或iii)任选被取代的联苯基,其中所述任选的取代基
1 2
是C1‑C8烷基,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、
(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、
(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1 2
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,此外其中A、B 、B以及C和D的其它组分如关于式
(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、
(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,其在适当时通过共价键、苯基或联苯基连接到C或D
1 2
的其它组分,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、
(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、
(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,其终止于i)C1‑C8烷基、ii)任选被取代的苯基或
1 2
iii)任选被取代的联苯基,其中所述任选的取代基是C1‑C8烷基,此外其中A、B、B以及C和D
的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、
(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合
物所定义。
1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹啉)铝,其在适当时通过共价键、苯基或联苯基连接到C或D
的其它组分并且其终止于i)C1‑C8烷基、ii)任选被取代的苯基或iii)任选被取代的联苯基,
1 2
其中所述任选的取代基是C1‑C8烷基,此外其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、
(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、
(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)和(Iz)的化合物所定义。
合物,其中基团E和F是空穴传输基团。
合物,其中基团F是发光基团。
1 2
所述R基团中不存在缩醛、缩酮、过氧化物或乙烯基醚,此外其中A、B、B以及C和D的其它组
分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、
(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、
(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、
(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)或(Ibc)的化合物所
定义。
其中A、B、B以及C和D的其它组分如关于式(I)、(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、
(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、
(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、
(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、
(Iba)、(Ibb)或(Ibc)的化合物所定义。
R基团中不存在缩醛、缩酮、过氧化物或乙烯基醚;
(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、
(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、
(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)或(Ibc)的化合物所定义。
(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、
(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、
(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的单体而形成。
(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、
(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、
(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的结构的化合物,其用于制造OLED器件。
(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、
(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、
(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的结构的化合物,其用于制造OFET器件。
(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、
(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、
(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的结构的化合物,其用于制造OPV器件。
(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、
(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、
(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物或其交联衍生物。
(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、
(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、
(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物或其交联衍生物。
(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、
(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、
(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物或其交联衍生物。
(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、
(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、
(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或
(Ibf)的化合物或其交联衍生物。
(Im)、(In)、(Io)、(Ip)、(Iq)、(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、
(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、
(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、
(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物或其交联衍生物。
(Ir)、(Is)、(It)、(Iu)、(Iv)、(Iw)、(Ix)、(Iy)、(Iz)、(Iad)、(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、
(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、
(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物的
膜暴露于辐射而形成(或可获得),任选地其中所述辐射是紫外光。
(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、
(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、
(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物溶解在合适的有机溶剂中;
(Iae)、(Iaf)、(Iag)、(Iah)、(Iai)、(Iaj)、(Iak)、(Iam)、(Ian)、(Iao)、(Iap)、(Iaq)、
(Iar)、(Ias)、(Iat)、(Iau)、(Iav)、(Iaw)、(Iax)、(Iay)、(Iaz)、(Iba)、(Ibb)、(Ibc)、
(Ibd)、(Ibe)或(Ibf)的化合物溶解在合适的有机溶剂中;
附图说明
PVK是一种具有空穴传输特性的市售聚合物,通常用作OLED器件中的主体材料。通过空穴传
输材料测得的电流仅仅是由于器件构造而穿过有机层的空穴传输,并且超过了在低电压下
通过可比较的PVK器件的电流。这证明,这些材料的交联产生了适合用作OLED器件中的空穴
传输材料的不溶性膜。
具体实施方式
发光特性的侧链。
下,基团C和D都是电子传输基团。在一些优选的情况下,基团C和D是不同的,在这些情况下
材料特别适合用作中间层材料。中间层材料具有赋予基团如电荷传输基团和发光体基团的
组合以不同电子特性的侧链。这些中间层材料可以选择为与相邻层互补,从而允许例如与
本领域已知的材料相比具有降低的开启电压的器件。降低的开启电压可以源自将空穴或电
子输送到OLED器件的发光层的促进作用。降低的开启电压通常提供具有更高的效率和/或
增强的器件寿命的器件。
较高分子量提供良好的成膜性,并且这又允许制造可预测厚度的膜。因此,本发明的化合物
非常适合溶液处理从而以可重现的方式提供器件。此外,根据本发明的化合物是可交联的。
因此,一旦作为薄膜沉积在表面上,所述化合物可以例如通过暴露于辐射(例如UV光)而交
联以形成具有可忽略的或至少大大降低的溶解性的聚合物基质,这允许过量的非交联材料
从表面冲洗掉。在暴露于辐射(例如UV光)时可以交联的化合物也能够通过掩蔽沉积层的部
分免受辐射同时使其它部分暴露于辐射而以图案化方式交联。具有在暴露于辐射时进行交
联的交联基团的本发明化合物有利地允许以相对简单的方式制造具有高度限定结构的器
件。
或通过C1‑C8烷基链连接的两个苯基。
1 2
烷基是优选的。还优选每个苯基被选自C、D、B 和B的两个基团取代。此外,在一种优选情况
1 2
下,一个苯基环被可交联侧链B 和基团C取代,而另一个苯基环被可交联侧链B 和基团D取
代。
和B的两个基团取代。在一些情况下,一个芳族环被可交联侧链B 和基团C取代,而另一个芳
2
族环被可交联侧链B和基团D取代。
如丁基、戊基、己基、庚基或辛基。
表示乙烯交联基团。优选的乙烯交联基团包括富电子和缺电子的乙烯交联基团。
基马来酸酯基、乙基富马酸酯基、N‑马来酰亚胺基、乙烯基氧基、烷基乙烯基氧基、乙烯基马
来酸酯基、乙烯基富马酸酯基、N‑(2‑乙烯基氧基马来酰亚胺基)、1,4‑戊二烯‑3‑基和1,4‑
环己二烯基。
如O、N或S。在一个优选的方面,富电子的可交联基团是乙烯基氧基。其它给电子基团取代的
交联基团是1‑烯基醚如丙烯‑1‑基氧基和丁烯‑1‑基氧基;环状乙烯基醚如环己烯‑1‑基氧
基和环戊烯‑1‑基氧基;双环乙烯基醚如2‑降冰片烯‑2‑基氧基。
以例如是酯或酰胺。在一个优选的方面,所述缺电子的可交联基团包含单烷基马来酸酯基、
单烷基富马酸酯基、单芳基马来酸酯基、单芳基富马酸酯基或马来酰亚胺基团。缺电子的交
联基团的其它实例是4,4,4‑三氟巴豆酸酯基、Z‑4,4,4‑三氟丁烯酸酯基、3‑三氟甲基‑4,4,
4‑三氟巴豆酸酯基、Z‑和E‑3‑氰基丙烯酸酯基、Z‑和E‑3‑氰基甲基丙烯酸酯基、环己烯‑1,
2‑二甲酸单烷基酯和环戊烯‑1,2‑二甲酸单烷基酯。
如丁基、戊基、己基、庚基或辛基。在一些情况下,M是己基。
三苯基胺和螺二芴芳基胺,和咔唑。咔唑的优选实例是任选在中心氮上被取代并且另外在
碳3‑和6‑上被取代,即3,6‑咔唑,在碳2‑和7‑上被取代,即2,7‑咔唑,和在碳1‑、3‑、6‑和8‑
上被取代,即1,3,6,8‑咔唑。
构的总分子量,并且这有利地改进成膜性。链中单个空穴传输基元之间的连接通常是通过
共价键、苯基、稠合噻吩或噻吩基团。适合连接单个空穴传输基元的稠合噻吩基团包括二噻
吩并[3,2‑b:2',3'‑d]噻吩、苯并噻吩和噻吩并[3,2‑b]噻吩。在这些稠合噻吩基团中,噻吩
并[3,2‑b]噻吩是优选的。也可以通过氮原子将咔唑单元与其它空穴传输基元连接,例如通
过使用钯催化的胺化反应连接到芳族卤化物(通常是溴化物、碘化物或氯化物)或者替代的
离去基团如三氟甲磺酸酯基或甲磺酸酯基以形成碳氮键。这些空穴传输基元链可以是直链
或支链,并且可以由相同类型的空穴传输基元构成,例如,包含2至10个三芳基胺基元的链,
或2至10个咔唑基元和三芳基胺的组合。空穴传输基元的整个链或单个空穴传输基元可以
任选地通过芳族基团(例如通过苯基、苄基、联苯基、2,2'‑联噻吩、噻吩或稠合噻吩基团)与
C或D链的其它组分连接。适用于连接空穴传输基元或空穴传输基元链与C和D的其它组分的
稠合噻吩基团包括二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]噻吩、苯并噻吩和噻吩并[3,2‑b]噻吩。在这
些稠合噻吩基团中,噻吩并[3,2‑b]噻吩是优选的。
步改进成膜性。
地其中1、2或3个CH2基团被氧原子代替,条件是R1基团中不存在缩醛、缩酮或过氧化物。基团
R2表示共价键、氧
and Structure(马奇高等有机化学:反应、机理和结构),Pub Wiley‑Blackwell;第7版
(2013年5月17日),ISBN‑10:0470462590)可以容易地应用以获得所需结构。适当时可以使
用如Greene的Protective Groups in Organic Synthesis(有机合成中的保护基团),Pub
Wiley‑Blackwell;第5版(2014年12月23日),ISBN‑10:1118057481中所述的保护基团。举例
来说,钯催化的胺化反应可以用于由二苯基胺前体构建三芳基胺空穴传输基元,如下所示。
催化的胺化方法可用于形成三芳基胺和被取代的咔唑。
或通过使用烷基化反应(例如芳基卤化物等与亲核试剂的钯催化反应)而连接到C和D链的
其它组分。
唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑的杂环以及8‑羟基喹啉与铝之间的络
合物(在本文中称为(8‑羟基喹啉)铝基团)的群组。
这些基团通常被以下取代:一个或多个芳基,特别是苯基和联苯基,其任选地带有直链或者
在可能的情况下支链的C1至C8烷基,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基。
5元和6元芳族杂环基团,环中的其它原子选自氮、硫和氧。5元芳族C1‑C5杂环的实例包括四
唑、三唑、噁二唑、噻二唑、咪唑、噁唑、噻唑、吡咯、呋喃和噻吩。6元芳族C1‑C5杂环的实例包
括吡啶、嘧啶和三嗪。优选的芳族C1‑C5杂环含有1至3个选自氮、氧和硫的杂原子。
啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑的杂环;
啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑的杂环;
啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑的杂环;
轭的,优选完全共轭的,以允许电子传输基元中广泛的电荷离域。因此优选的杂环优选通过
共价键、苯基或C1‑C5杂环基团连接。
菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑基团可以直接连接,即通过共价键连接,或者它
们可以通过苯基或C1‑C5杂环键连接。这种电子传输基元链通常是有利的,因为它们增加了
结构的总分子量,并且这有利地改进其成膜性。
传输基元链可以是直链或支链,并且可以由相同类型的电子传输基元构成,例如,包含选自
苯并咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑基元的2至10个杂环单
元的链,或选自苯并咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基嘧啶、1,3,5‑三嗪和噻二唑基元的2
至10个杂环单元的组合。整个链或单个基元可以任选地通过芳族基团,例如通过苯基、联苯
基或萘基,连接到C或D链的其它组分。尽管任何苯并咪唑的N‑1处的氮无需被取代,但该氮
基团可以被烷基取代。苯并咪唑的氮原子上的烷基取代可以用于微调整个可交联材料的溶
解性,并且也可以用于进一步改进成膜性。可选地,苯并咪唑可以方便地用作分支位点,其
中例如在N‑1和C‑2处连接其它取代基。
的核心上,如下图所示。
发光层中,并且这有利地可以降低触发发光所需的电压。由于这种特性,从本发明材料的D
基团与互补发光体材料的有利混合,认为本发明的材料可以用于提供具有降低的“开启”电
压的器件。由于降低启动器件所需的电压并保持发光是OLED器件寿命的重要决定因素,所
以通过使用本发明的材料可以获得增强的OLED器件寿命。
团的电荷注入/传输特性的能力;ii)通过将有效的电子接受/传输部分并入结构中可以改
进具有良好的空穴注入/传输特性但电子注入/传输不良的荧光团;iii)通过将有效的空穴
接受/传输部分并入结构中可以改进具有良好的电子注入/传输特性但空穴注入/传输不良
的荧光团;和iv)将电荷传输特性和发光特性结合在单个分子中的潜力,其中赋予每种特性
的基团彼此电子隔离(即荧光团部分和电荷传输部分在单个分子中电子隔离(非共轭)),所
述材料可能比可容易发生相分离的双组分体系(一种电荷传输材料加入到发光材料中)更
有优势。相分离可能对OLED器件的性能不利,例如这些可能导致需要使用增加的开启电压,
并且相应地,这可能损害器件寿命。另外,关于器件制造的所有先前指出的优点仍然适用。
因此,对于这些混合材料,溶液相处理是可能的,并且由于其合理的高分子量和溶解性的组
合,材料具有良好的成膜性。图案化结构可以通过经由辐射(例如UV光)触发交联并结合掩
蔽技术来形成。
合成这些基元的细节。
所述R基团中不存在缩醛、缩酮、过氧化物或乙烯基醚。
R基团中不存在缩醛、缩酮、过氧化物或乙烯基醚。
著的,因为低聚物的溶解性质相对于例如相对不溶或完全不溶的聚合物材料在器件制造方
面提供明显优势。更详细地说,这些低聚物材料可以用于通过溶液处理方法制造器件。概括
地说,这涉及首先溶解材料,将该溶液涂覆到基底上,然后蒸发以在基底上产生膜涂层。一
旦材料作为薄膜沉积,所述材料就可以原位聚合。这种聚合反应可以通过暴露于辐射(例如
紫外光)而引发,其使得一个分子的可交联基团与邻近分子中的可交联基团交联以形成网
络聚合物。沉积膜的区域可以被掩蔽免于引发辐射以产生未交联材料的区域,而暴露于辐
射的区域经历聚合。如果需要,由于交联材料相对于单体具有可忽略或降低的溶解性,可以
洗掉未暴露的非交联材料以留下交联材料的图案化结构。可以使用溶液沉积和聚合以及必
要时洗涤的迭代循环来生成具有复杂构造的结构。
一个实例中,可以使用红色、绿色和蓝色发光体材料的堆叠来提供白色光源。在另一个实例
中,两个或更多个发光体结构可以堆叠布置以提供彩色光源。
率。例如,可以使用本发明的材料和工艺来形成p‑n结的等效物,并且这些可以用于二极管、
晶体管和光伏器件中。本发明的材料被光刻图案化的倾向允许制造几乎任何尺寸和描述的
塑料电子器件的大阵列。
比甲基丙烯酸酯基体系远远更稳定(在存放期方面)的材料,而同时保持低UV交联影响。在
这些混合物中,至少一种材料被富电子交联基团取代,而至少一种其它组分材料被缺电子
交联基团取代。入射在材料上的紫外辐射促使一些分子上的缺电子交联基团进入电子激发
态。在激发态,缺电子交联基团然后从引发共聚交联反应的其它分子上的富电子(电子供
体)交联基团中提取电子。这种光聚合模式的描述可见于例如"Photoinitiated radical
polymerization of vinyl ether‑maleate systems(乙烯基醚‑马来酸酯体系的光引发自
由基聚合)",Polymer(聚合物)38,(9)第2229‑37页(1997);和"Co‑Polymerization of
Maleimides and Vinyl Ethers:A Structural Study(马来酰亚胺和乙烯基醚的共聚:结
构研究)",Macromolecules(大分子)1998,(31)第5681‑89页。
具有热稳定性和光化学稳定性,以及优异的存放期。但是,当材料被组合时,混合物具有高
的光化学敏感性并且仅需要相对小的UV剂量用于交联。
下,除去溶剂,形成膜;和iv)使所得膜暴露于辐射,任选地其中所述辐射是紫外光。任选地,
所述方法可包括通过在40℃至150℃的温度下加热使所述膜退火的步骤。任选地,所述方法
可包括在曝光辐射之前部分掩蔽膜,从而仅允许暴露于辐射的膜的部分进行图案化交联。
允许采用模块化方法进行合成。可以调节每个组分A、B、C和D以微调材料的电子、成膜和溶
解性质。下面提供的实例仅作为示例,并且不以任何方式限制本发明的范围。
基苯基)胺(2.0g,7.1mmol)、叔丁醇钠(0.96g,10mmol)和无水甲苯(25mL),并且将混合物在
90℃下搅拌18小时。使混合物冷却到室温后,将其用水(100mL)稀释并且各层分离。然后用
二乙醚(3×50mL)萃取水层,并且将合并的有机物干燥(MgSO4),过滤并在减压下蒸发至干
燥。通过快速色谱法(5%‑7.5%二氯甲烷,于己烷中)纯化粗产物,得到呈白色固体状的产
1
物(1.8g,4.1mmol,58%)。H NMR(400MHz,CDCl3),δ=1.31(18H,s,CH3),6.91‑6.93(2H,m,
Ar‑H),6.98‑7.01(4H,m,Ar‑H),7.24‑7.27(4H,m,Ar‑H),7.28‑7.30(2H,m,Ar‑H)。
(2.1g,20mmol)的脱气水(5mL)中。将反应混合物在回流下搅拌16小时。此后使混合物冷却
到室温,然后在减压下除去溶剂。将残余物再次溶解在二氯甲烷(50mL)中并用1M NaOH水溶
液(3×50mL)洗涤,接着用1M HCl(2×50mL)洗涤。然后将有机层干燥(MgSO4),过滤并在减
压下蒸发至干燥。通过快速色谱法(10%乙酸乙酯的己烷溶液)纯化粗产物,得到呈红/棕色
1
固体状的产物(0.75g,1.7mmol,41%)。H NMR(400MHz,CDCl3),δ=1.32(18H,s,CH3),6.87‑
6.89(2H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.04‑7.06(4H,br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.09‑7.11(2H,br
d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.25‑7.27(4H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.38‑7.40(2H,br d,J=8.7Hz,
Ar‑H),7.43‑7.45(2H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H)。
热至90℃并搅拌16小时。此后在减压下除去溶剂并且将残余物溶解在二氯甲烷(50mL)中。
然后过滤悬浮液,并且在减压下将滤液蒸发至干燥。通过快速色谱法(40%己烷的二氯甲烷
1
溶液)纯化粗产物,得到呈白色固体状的产物(0.83g,0.63mmol,80%)。H NMR(400MHz,
CDCl3),δ=1.32(36H,s,CH3),1.38(6H,t,J=7.1Hz,CH3),1.56‑1.57(8H,m,CH2),1.80‑
1.88(8H,m,CH2),3.98‑4.04(8H,m,CH2),4.37(4H,q,J=7.1Hz,CH2),6.94(4H,br d,J=
8.8Hz,Ar‑H),7.05(8H,br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.10(4H,br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.26(8H,
br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.35(2H,s,Ar‑H),7.40(4H,br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.47(4H,br d,
J=8.8Hz,Ar‑H)。
液,然后用二氯甲烷(3×50mL)萃取产物。将合并的有机物干燥(MgSO4),过滤并且在减压下
1
除去溶剂。这得到呈灰白色固体状的产物(0.77g,0.61mmol,97%)。H NMR(400MHz,CDCl3),
δ=1.32(36H,s,CH3),1.58‑1.60(8H,m,CH2),1.82‑1.86(4H,m,CH2),1.94‑2.01(4H,m,
CH2),4.01(4H,t,J=6.2Hz,CH2),4.32(4H,t,J=6.5Hz,CH2),6.93(4H,br d,J=8.7Hz,Ar‑
H),7.05(8H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.10(4H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.26(8H,br d,J=
8.5Hz,Ar‑H),7.40(4H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.47(4H,br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.9(2H,s,
+
Ar‑H);MS(MALDI+):m/z计算值[M]=1260.7,实验值1260.5。
(7mL)中的溶液中。然后将混合物在0℃下在氩气下搅拌1小时,此后加入含1,4‑丁二醇乙烯
基醚(0.09g,0.79mmol)的无水二氯甲烷(3mL)并且使反应混合物升温到室温并使其在氩气
下搅拌18小时。此后将溶液用二氯甲烷(60mL)稀释,然后用饱和NaHCO3(2×50mL)和水
(50mL)洗涤。然后将有机层干燥(MgSO4),过滤并且在减压下除去溶剂。通过快速色谱法
(10%乙酸乙酯的己烷溶液)纯化粗产物。这得到呈白色固体状的所需产物(0.10g,
1
0.069mmol,35%)。H NMR(400MHz,CDCl3),δ=1.32(36H,s,CH3),1.53‑1.57(8H,m,CH2),
1.80‑1.89(16H,m,CH2),3.73(4H,t,J=6.0Hz,CH2),3.97‑4.04(10H,m,CH2&=CH2),4.16
(2H,dd,J=14.4,2.0Hz,=CH2),4.34(4H,t,J=6.2Hz,CH2),6.46(2H,dd,J=14.4,6.8Hz,
=CH),6.94(4H,br d,J=8.8Hz,Ar‑H),7.05(8H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.10(4H,br d,J
=8.7Hz,Ar‑H),7.26(8H,br d,J=8.5Hz,Ar‑H),7.35(2H,s,Ar‑H),7.40(4H,br d,J=
+
8.7Hz,Ar‑H),7.47(4H,br d,J=8.8Hz,Ar‑H);MS(MALDI+):m/z计算值[M+H]=1457.8,实
验值1457.7。
K2CO3(1.72g,12.4mmol)于无水DMF(40mL)中的悬浮液中。然后将反应混合物在50℃下在氩
气下搅拌16小时(反应物颜色变成深红色过夜)。此后将反应混合物倒入水(200mL)中并用
乙酸乙酯(3×100mL)萃取。合并的有机物用水(200mL)和盐水(2×100mL)洗涤。然后将有机
层干燥(MgSO4),过滤并且在减压下除去溶剂。将油状残余物在超声处理辅助下在己烷下湿
磨,然后倾析。将该过程重复两次以除去任何未反应的溴代癸醇。然后将油状残余物溶解在
二乙醚中并过滤。在减压下蒸发滤液,得到呈无色油状的产物,其在室温下静置过夜时固化
(2.32g,7.2mmol,58%)。
50%乙酸乙酯的己烷溶液)纯化粗产物。这得到呈白色固体状的产物(0.52g,2.1mmol,
1
58%)。H NMR(400MHz,CDCl3),δ=1.22‑1.35(12H,m,CH2),1.54‑1.61(4H,m,CH2),3.48‑
3.52(2H,m,CH2),3.63(2H,t,J=6.6Hz,CH2),6.68(2H,s,=CH)。
(7mL)中的溶液中。然后将混合物在0℃下在氩气下搅拌1小时,此后加入含N‑癸醇‑马来酰
亚胺(0.13g,0.50mmol)的无水二氯甲烷(3mL),并且使反应混合物升温到室温并使其在氩
气下搅拌18小时。然后将溶液用二氯甲烷(60mL)稀释并且然后用饱和NaHCO3(2×50mL)和
水(50mL)洗涤。然后将有机层干燥(MgSO4),过滤并且在减压下除去溶剂。通过快速色谱法
(20%乙酸乙酯的己烷溶液)纯化粗产物,得到呈黄色固体状的产物(20mg,0.012mmol,
1
6%)。H NMR(400MHz,CDCl3),δ=1.24‑1.29(24H,m,CH2),1.32(36H,s,CH3),1.53‑1.58
(10H,m,CH2),1.71‑1.87(14H,m,CH2),3.47‑3.50(4H,m,CH2),3.98‑4.04(8H,m,CH2),4.29
(4H,t,J=6.7Hz,CH2),6.65(4H,s,=CH),6.94(4H,br d,J=8.8Hz,Ar‑H),7.05(8H,br d,
J=8.7Hz,Ar‑H),7.10(4H,br d,J=8.6Hz,Ar‑H),7.26(8H,br d,J=8.7Hz,Ar‑H),7.35
(2H,s,Ar‑H),7.40(4H,br d,J=8.6Hz,Ar‑H),7.48(4H,br d,J=8.8Hz,Ar‑H);MS(MALDI
+
+):m/z计算值[M+H]=1732.0,实验值1731.9。
PEDOT:PSS(50nm)/空穴传输材料(65nm)/Au。金阴极的高逸出功确保没有电子注入有机层
中,因此通过器件的电流仅由于空穴的传输。
化物灯(Dymax BlueWave 200),功率密度为5W/cm ,在氩气气氛中保持20秒,以使材料交
联。交联后,所述器件用甲苯旋转冲洗以去除任何未交联的材料,留下不溶的65nm空穴传输
材料膜。随后通过热蒸发沉积金阴极。
基氧基、烷基乙烯基氧基、乙烯基马来酸酯基、乙烯基富马酸酯基、N‑(2‑乙烯基氧基马来酰
亚胺基)、1,4‑戊二烯‑3‑基和1,4‑环己二烯基。
包含缺电子的芳族基团/部分,并且空穴传输材料通常包含富电子的芳族基团/部分。这样
的术语在本领域中是众所周知的,并且本领域技术人员将容易地确定合适的部分以使这种
官能团影响到化合物。例如,US9112157描述了一系列空穴传输官能团,并且WO2006127315
描述了电子传输材料。
是相同的。优选地,F是发光基团并且E是电荷传输基团。
醛、缩酮、过氧化物或乙烯基醚,并且
地选自包含苯并咪唑、噁二唑、三唑、菲咯啉、2‑苯基吡啶、1,3,5‑三嗪、噻二唑或(8‑羟基喹
啉)铝中的一至六个的群组。