热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件、及其形成方法

摘要

本发明涉及热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件、热固性树脂膜、第1保护膜形成用片及半导体晶片用第1保护膜的形成方法，其中，热固性树脂膜(1)及第2保护膜形成膜(2)至少包含热固性成分，通过差示扫描量热法测定的热固性树脂膜(1)的放热开始温度为第2保护膜形成膜(2)的放热开始温度以上，热固性树脂膜(1)及第2保护膜形成膜(2)的放热峰值温度分别为100～200℃，且热固性树脂膜(1)与第2保护膜形成膜(2)的放热峰值温度之差小于35℃。