一种超厚Ti2AlC涂层的制备方法转让专利
申请号 : CN201810069788.X
文献号 : CN108165944B
文献日 : 2019-04-19
发明人 : 胡小刚 , 董闯 , 吴爱民 , 李冬梅 , 陈大民 , 谷伟
摘要 :
本发明提供了一种超厚Ti2AlC涂层的制备方法。本发明采用多弧离子镀技术(AIP)和磁控溅射技术复合,利用高速Φ155大弧源沉积技术,可以短时间内获得大厚度的致密涂层,并且先制备过渡层,使涂层与基体结合力优异;本发明采用TiAl靶作为阴极弧源,石墨C作为磁控靶材,避免气态碳源产生的非晶相和引入氢离子,并且避免了Ti2AlC复合靶造价高昂的短板,采用分靶复合沉积,一步获得大厚度Ti2AlC涂层,也减少了两步法对工件二次处理的繁琐步骤。实验结果表明,本发明提供的制备方法可以一步获得厚度在10μm以上超厚Ti2AlC均匀层状相结构涂层,涂层致密平整,结合力>60N。