发光显示装置及其制造方法

摘要

公开了一种发光显示装置及其制造方法，其防止发光层的寿命缩短并且防止导通缺陷发生。该发光显示装置包括多个像素，所述多个像素各自包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极、以及连接到所述有源层的另一侧的漏极。所述多个像素还包括发光器件，所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二电极。所述发光显示装置包括接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的第一电极在所述接触孔中电连接到相应源极的侧表面或相应漏极的侧表面。

权利要求

1.一种发光显示装置，该发光显示装置包括：多个像素，所述多个像素中的每一个包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一侧的源极以及连接到所述有源层的另一侧的漏极；以及发光器件，所述发光器件具有第一电极、设置在所述第一电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二电极；以及

接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的第一电极在所述接触孔中电连接到相应源极的侧表面或相应漏极的侧表面，

其中，所述接触孔被底切以使所述相应源极或所述相应漏极的下表面暴露。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述接触孔包括具有第一宽度的入口、具有第二宽度的底部以及位于所述入口与所述底部之间并具有第三宽度的接触区域，所述至少两个像素的第一电极在所述接触区域中电连接到所述相应源极或所述相应漏极，所述第三宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度。

3.根据权利要求2所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：虚拟电极，所述虚拟电极被设置在所述接触孔的底部上，所述虚拟电极与所述至少两个像素的第一电极断开。

4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述虚拟电极和所述至少两个像素的第一电极由相同的材料形成。

5.根据权利要求2所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：堤，所述堤位于所述接触孔的所述底部、所述接触区域和所述入口中。

6.根据权利要求1所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：堤，所述堤至少部分地填充所述接触孔。

7.根据权利要求6所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：第一平整层，所述第一平整层位于所述第一电极与所述源极和所述漏极中的至少一个之间。

8.根据权利要求6所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：虚拟电极，所述虚拟电极位于所述接触孔中的层间电介质上，并且所述层间电介质在第一平整层下方。

9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，所述虚拟电极在所述接触孔中与所述层间电介质的侧表面的第一部分接触，并且所述堤在所述接触孔中与所述层间电介质的侧表面的位于所述虚拟电极与所述源极或所述漏极之间的第二部分接触。

10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述晶体管还包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层被设置在所述有源层与所述栅极之间；层间电介质，所述层间电介质被设置在所述栅极与所述源极之间以及所述栅极与所述漏极之间；以及第一平整层，所述第一平整层被设置在所述源极和所述漏极上，并且所述接触孔延伸穿过所述第一平整层并且至少部分地延伸到所述层间电介质中。

11.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述至少两个像素包括：第一像素；第二像素，所述第二像素沿第一方向与所述第一像素相邻；第三像素，所述第三像素沿与所述第一方向横切的第二方向与所述第一像素相邻；以及第四像素，所述第四像素沿所述第一方向与所述第三像素相邻且沿所述第二方向与所述第二像素相邻。

12.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述至少两个像素包括：第一像素；第二像素，所述第二像素沿第一方向与所述第一像素相邻；以及第三像素，所述第三像素沿与所述第一方向横切的第二方向与所述第一像素或所述第二像素中的一个相邻。

13.一种发光显示装置，该发光显示装置包括：多个像素，所述多个像素中的每一个包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、源极区域和漏极区域；

源极，所述源极联接到所述源极区域；

漏极，所述漏极联接到所述漏极区域；

辅助电极，所述辅助电极联接到所述源极或所述漏极中的一者；以及发光器件的第一电极，所述发光器件的第一电极联接到所述辅助电极；以及接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的第一电极在所述接触孔中电连接到相应辅助电极的侧表面，

其中，所述接触孔包括使所述相应辅助电极的下表面暴露的底切部。

14.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述多个像素中的每一个还包括：第一平整层，所述第一平整层位于所述源极和所述漏极上；以及辅助接触孔，所述辅助接触孔延伸穿过所述第一平整层并且使所述源极和所述漏极中的一者的一部分暴露，所述辅助电极联接到所述源极和所述漏极在所述辅助接触孔中的所述一者的暴露部分。

15.根据权利要求14所述的发光显示装置，其中，所述多个像素中的每一个还包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述源极区域和所述漏极区域与所述栅极之间；

层间电介质，所述层间电介质位于所述栅极与所述源极之间以及所述栅极与所述漏极之间；以及

第二平整层，所述第二平整层位于所述辅助接触孔上以及所述辅助接触孔中，其中，所述接触孔延伸穿过所述第二平整层并且至少部分地延伸到所述第一平整层中。

16.根据权利要求13所述的发光显示装置，该发光显示装置还包括：堤，所述堤至少部分地填充所述接触孔，所述堤形成所述发光显示装置的非发光区域。

17.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述至少两个像素包括：第一像素；第二像素，所述第二像素沿第一方向与所述第一像素相邻；第三像素，所述第三像素沿与所述第一方向横切的第二方向与所述第一像素相邻；以及第四像素，所述第四像素沿所述第一方向与所述第三像素相邻且沿所述第二方向与所述第二像素相邻。

18.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述至少两个像素包括：第一像素；第二像素，所述第二像素沿第一方向与所述第一像素相邻；以及第三像素，所述第三像素沿与所述第一方向横切的第二方向与所述第一像素或所述第二像素中的一个相邻。

说明书

发光显示装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法。

背景技术

[0002] 随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。因此，近来正在使用诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、发光显示装置等的
各种显示装置。

[0003] 包括有机发光显示装置的发光显示装置是自发光显示装置，并且在视角和对比度方面比LCD装置好。另外，由于有机发光显示装置不需要单独的背光，因此可以使有机发光
显示装置变轻并变薄，并且有机发光显示装置的功耗优异。此外，有机发光显示装置以低的
直流(DC)电压驱动，响应时间快，并且制造成本低。

[0004] 有机发光显示装置各自包括阳极，划分阳极的堤，形成在阳极上的空穴传输层、有机发光层和电子传输层，以及形成在电子传输层上的阴极。在这种情况下，当向阳极施加高
电平电压并且向阴极施加低电平电压时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移
动到有机发光层并且在有机发光层中彼此复合以发光。

[0005] 在有机发光显示装置中，在依次层叠有阳极、有机发光层和阴极的相应区域中形成发光的像素。在不发光的相应非发光区域中设置堤。也就是说，该堤用作限定像素的像素
限定层。

[0006] 阳极通过接触孔与薄膜晶体管(TFT)的源极或漏极连接，并通过TFT被提供以高电平电压。由于接触孔的台阶高度，有机发光层难以均匀地沉积在接触孔中，因此，有机发光
层被堤覆盖而没有形成在接触孔中。

[0007] 近来，正在开发包括有机发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器是用于虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的监视器装置，它们被佩戴为眼镜式或头盔式，并在靠近用户
眼睛的距离处形成焦点。应用于头戴式显示器、移动装置等的小型有机发光显示装置具有
高分辨率，因此每个像素的尺寸逐渐减小。

[0008] 然而，接触孔通过光刻工艺形成，并且由于光刻工艺的限制，接触孔不能被形成为具有一定尺寸或更小尺寸。也就是说，虽然像素的尺寸减小，但是在减小接触孔的尺寸方面
存在限制。具体地，接触孔设置在非发光区域中，因此，当像素的尺寸减小时，像素中的非发
光区域的面积比增加，而像素中的发光区域的面积比减小。如果像素中的发光区域的面积
比减小，那么应当增加发光区域的亮度，以便补偿发光区域的减小的比例，为此，缩短了有
机发光层的寿命。

[0009] 此外，如果像素的尺寸减小，则TFT的源极或漏极的尺寸会变得小于接触孔的尺寸。在这种情况下，阳极不仅仅形成在通过接触孔暴露的源极或漏极的上表面上，并且可形
成在接触孔的底部和源极或漏极的侧表面上。因此，如图1A和图1B所示。由于接触孔的底部
与源极或漏极之间的台阶高度，阳极会在源极或漏极的侧表面中断开。因此，会发生像素不
发光的导通缺陷。

发明内容

[0010] 因此，本公开旨在提供一种发光显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。

[0011] 本公开的一个方面旨在提供一种防止发光层的寿命缩短的发光显示装置及其制造方法。

[0012] 本公开的另一方面旨在提供一种防止发生导通缺陷的发光显示装置及其制造方法。

[0013] 本公开的另外的优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且对于本领域普通技术人员而言在查阅下文之后部分地将变得明显或者可从本公开的实践而得知。通过在
书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构可实现并获得本公开的目的和其它优
点。

[0014] 为了实现这些和其它优点，并且根据本公开的目的，如在本文中所体现并广泛描述的那样，提供一种发光显示装置，该发光显示装置包括多个像素，所述多个像素中的每一
个包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、与所述栅极交叠的有源层、连接到所述有源层的一
侧的源极以及连接到所述有源层的另一侧的漏极；以及发光器件，所述发光器件具有第一
电极、设置在所述第一电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二电极。该发光显示
装置包括接触孔，所述多个像素中的至少两个像素的第一电极在所述接触孔中电连接到相
应源极的侧表面或相应漏极的侧表面。

[0015] 在本公开的另一方面，提供一种发光显示装置，该发光显示装置包括多个像素和接触孔。所述多个像素中的每一个包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、源极区域和漏极区
域；源极，所述源极联接到所述源极区域；漏极，所述漏极联接到所述漏极区域；辅助电极，
所述辅助电极联接到所述源极或所述漏极中的一者；以及发光器件的第一电极，所述发光
器件的第一电极联接到所述辅助电极。所述多个像素中的至少两个像素的第一电极在所述
接触孔中电连接到相应辅助电极的侧表面。

[0016] 要理解的是，本公开的以上总体描述和下面的详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。

附图说明

[0017] 附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本公开的原理。
在附图中：

[0018] 图1A和图1B是示出当有机发光层形成在接触孔中时，由于接触孔的台阶高度导致阳极与阴极短路的示例的示例性示图；

[0019] 图2是例示根据本公开的一个或更多个实施方式的有机发光显示装置的立体图；

[0020] 图3是例示图2的有机发光显示装置的其它细节的平面图；

[0021] 图4是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的示例的平面图；

[0022] 图5是沿图4的线I‑I'截取的截面图；

[0023] 图6是图5的区域A的放大的截面图；

[0024] 图7是例示根据本公开的一个或更多个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图；

[0025] 图8A至图8F是根据本公开的实施方式的用于描述图7的有机发光显示装置的制造方法的沿着图4的线I‑I'截取的截面图；

[0026] 图9是详细例示根据本公开的一个或更多个实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；

[0027] 图10是沿图9的线III‑III'截取的截面图；

[0028] 图11是例示根据本公开的一个或更多个实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图；

[0029] 图12A至图12H是根据本公开的实施方式的用于描述图11的有机发光显示装置的制造方法的沿着图9的线III‑III截取的截面图；

[0030] 图13A和图13B是详细例示根据本公开的实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；

[0031] 图14A和图14B是详细例示根据本公开的实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图；以及

[0032] 图15A和图15B是详细例示根据本公开的实施方式的显示区域中的像素的另一示例的平面图。

具体实施方式

[0033] 现在将详细参考本公开的示例性实施方式，在附图中例示了本公开的示例性实施方式的示例。在任何可能或方便描述本文所提供的各种实施方式的情况下，相同的附图标
记将在整个附图中被用于指代相同或相似的部件。

[0034] 在下面的描述中，在对于众所周知的功能、特征或配置的详细描述的包括否则可能使本公开的各种实施方式的描述模糊的情况下，可省略其详细描述。说明书中描述的术
语应理解如下。

[0035] 将通过参照附图描述的以下示例性实施方式来提供本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可按照不同的形式来实施，并且不应当被解释为受本文所阐述的特定
实施方式的限制。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域
技术人员传达本公开的范围。

[0036] 在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和数量仅是示例性的，因此，本公开不限于所示的细节。

[0037] 在本说明书中使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”这样的术语具有包容性的含义，并且除非由诸如“仅”这样的术语明确地限制，否则所述术语可包括附加的部件、组件、
特征等。除非明确地限于单数形式，否则单数形式的术语可包括复数形式。

[0038] 在解释元件时，尽管不存在对误差范围的任何明确描述，但是元件被解释为包括误差范围。

[0039] 在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下面”和“挨着…”时，除非使用诸如“仅”或“直接”这样的明确限制术语，否则
可在这两个部件之间设置一个或更多个其它部件。

[0040] 在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、“后续”、“下一个”和“在…之前”时，除非使用诸如“仅”或“直接”这样的明确限制术语，否则可包括顺序不连续
的情况。

[0041] 应当理解，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本
公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元
件。

[0042] 如本文所使用的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向不应被解释为表示任何特定几何关系或方向(例如，垂直方向或水平方向)，而是替代地意图具有在本公开的元件功能正常地
操作的范围内的更广泛的方向性。

[0043] 术语“至少一个”应被理解为包括相关列举项目中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义包括第一项目、第二项
目和第三项目中的任意项目的两个或更多个的全部组合，以及第一项目、第二项目或第三
项目中的任意项目。

[0044] 如本领域技术人员可充分理解的，本公开的各种实施方式的特征可部分或全部地彼此联接或组合，并且可彼此进行各种不同的相互操作并在技术上进行驱动。本公开的实
施方式可彼此独立地执行，或者可按照相互依赖关系一起执行。

[0045] 在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。

[0046] 图2是例示根据本公开的实施方式的有机发光显示装置100的立体图。图3是例示图2的有机发光显示装置100的其它细节(诸如第一基板、选通驱动器、源驱动集成电路
(IC)、柔性膜、电路板和定时控制器)的平面图。

[0047] 参照图2和图3，根据本公开的实施方式的有机发光显示装置100可包括显示面板110、选通驱动器120、源驱动IC 130、柔性膜140、电路板150和定时控制器160。

[0048] 显示面板110可包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜、玻璃基板等。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板、封装膜(保
护膜)等。

[0049] 可在第一基板111的面向第二基板112的表面上设置多条选通线、多条数据线和多个像素P。像素可分别设置在由选通线和数据线的交叉结构限定的多个区域中。

[0050] 像素中的每一个可包括薄膜晶体管(TFT)和包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光器件。当通过选通线输入选通信号时，根据通过数据线提供的数据电压，像素
中的每一个可通过使用TFT向有机发光器件提供一定电流。因此，像素中的每一个的有机发
光器件可根据一定电流发出具有一定亮度的光。本文将进一步详细描述像素的各种实施方
式。

[0051] 如图3所示，显示面板110可被分为设置有像素以显示图像的显示区域DA以及不显示图像的非显示区域NDA。选通线、数据线和像素可设置在显示区域DA中。选通驱动器120和
多个焊盘可设置在非显示区域NDA中。

[0052] 选通驱动器120可根据从定时控制器160输入的选通控制信号，依次将选通信号提供给选通线。选通驱动器120可按照面板中选通驱动器(GIP)类型设置在显示面板110的显
示区域DA的一侧或两侧之外的非显示区域NDA中。另选地，选通驱动器120可被制造为驱动
芯片，并且可安装在柔性膜上，此外可按照带式自动键合(TAB)类型附接在显示面板110的
显示区域DA的一侧或两侧之外的非显示区域NDA上。

[0053] 源驱动IC 130可从定时控制器160接收数字视频数据和源控制信号。源驱动IC130可根据源控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且可将模拟数据电压分别提供
给数据线。如果源驱动IC 130被制造为驱动芯片，则源驱动IC 130可按照膜上芯片(COF)类
型或塑料上芯片(COP)类型安装在柔性膜140上。

[0054] 诸如数据焊盘这样的多个焊盘可设置在显示面板110的非显示区域NDA中。将焊盘连接到源驱动IC 130的线路以及将焊盘与电路板150的线路连接的线路可设置在柔性膜
140上。柔性膜140可通过各向异性导电膜附接在焊盘上，因此，焊盘可连接到柔性膜140的
线路。

[0055] 如图所示，电路板150可附接在柔性膜140上，柔性膜140可被设置为多个柔性膜140。实现为驱动芯片的多个电路可安装在电路板150上。例如，定时控制器160可安装在电
路板150上。电路板150可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。

[0056] 定时控制器160可通过电路板150的线缆从外部系统板(未示出)接收数字视频数据和定时信号。定时控制器160可基于定时信号产生用于控制选通驱动器120的操作定时的
选通控制信号和用于控制源驱动IC 130的源控制信号，该源驱动IC 130可被设置为多个源
驱动IC 130。定时控制器160可将选通控制信号提供给选通驱动器120，并且可将源控制信
号提供给多个源驱动IC 130。

[0057] 图4是详细例示显示区域中的像素的示例的平面图。

[0058] 在图4中，为了便于描述，仅例示了像素P、有机发光器件的第一电极AND、发光区域EA、第一接触孔CT1和第二接触孔CT2、以及共用接触孔CTS。

[0059] 参照图4，可设置多个像素P，并且像素P中的每一个可包括至少一个TFT和有机发光器件。

[0060] TFT可包括有源层、与有源层交叠的栅极、连接到有源层的一侧的源极、以及连接到有源层的另一侧的漏极。有源层可包括源极区域、漏极区域以及源极区域与漏极区域之
间的沟道区域。源极可因此连接到有源层的源极区域，而漏极可连接到有源层的漏极区域。
TFT可用另一种合适的晶体管代替。

[0061] 有机发光器件可包括与阳极对应的第一电极AND、有机发光层、以及与阴极对应的第二电极。发光区域EA可标示其中第一电极AND、有机发光层和第二电极依次层叠并且来自
第一电极AND的空穴和来自第二电极的电子在有机发光层中复合以发光的区域。相邻像素P
的发光区域EA可由堤分隔开，因此，堤可与不发光的非发光区域对应。

[0062] 第一接触孔CT1可以是用于将TFT的漏极连接到有源层而形成的接触孔。因此，TFT的漏极可通过第一接触孔CT1连接到有源层。

[0063] 第二接触孔CT2可以是用于将TFT的源极连接到有源层而形成的接触孔。因此，TFT的源极可通过第二接触孔CT2连接到有源层。

[0064] 如图4所示，N(其中N是等于或大于2的整数)个像素P可共用该共用接触孔CTS。共用接触孔CTS可以是使N个像素P中的每一个的TFT的漏极暴露的孔。也就是说，N个像素P的
TFT的漏极可通过共用接触孔CTS暴露。N个像素P中的每一个的有机发光器件的第一电极
AND可通过共用接触孔CTS连接到对应TFT的漏极。

[0065] 在图4中，将N例示为4(N＝4)，但是本实施方式不限于此。例如，如图13A和图14A所示，N可以是2(N＝2)，并且如图15A所示，N可以是3(N＝3)。如图13A所示，即使当N＝2时，沿
第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P可共用该共用接触孔CTS，并且如图14A所示，沿
与第一方向(例如，Y轴方向)交叉的第二方向(例如，X轴方向)彼此相邻的像素P可共用该共
用接触孔CTS。另外，如图15A所示，当N＝3时，在三角形状中彼此相邻的像素P可共用该共用
接触孔CTS。

[0066] 如上所述，在本公开的实施方式中，N个像素P可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。因此，在本公开的实施方式中，通过共用接触孔
CTS来防止发光区域EA减少，由此防止因发光区域EA减少而导致的有机发光层的寿命缩短。

[0067] 在图4中，为了便于描述，共用接触孔CTS被描述为使TFT的漏极暴露，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，共用接触孔CTS可暴露TFT的源极。

[0068] 图5是例示沿图4的线I‑I'截取的示例的截面图。

[0069] 参照图5，可在第一基板111的面向第二基板112的表面上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可形成在第一基板111的表面上，以用于保护多个TFT 210和多个有机发光器件260不
受通过易于被水渗透的第一基板111渗入的水的影响。缓冲层可包括交替层叠的多个无机
层。例如，缓冲层可由具有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和SiON的一个或更多个无机层
交替层叠的多层形成。在各种实施方式中可省略缓冲层。

[0070] TFT 210可形成在缓冲层上。在图5中，例示了像素P中的每一个的第一电极261连接到至少一个TFT的漏极214，但是不限于此，第一电极261可连接到至少一个TFT的源极
213。

[0071] TFT 210中的每一个可包括有源层211、栅极212、源极213和漏极214。在图5中，示例性地例示了TFT 210被形成为栅极212设置在有源层211上的顶栅型，但是本文提供的实
施方式不限于此。在其它实施方式中，TFT 210可被形成为栅极212设置在有源层211下面的
底栅型或者栅极212设置在有源层211上面和有源层211下面的双栅型。

[0072] 有源层211可形成在缓冲层上。有源层211可由包括硅基半导体材料或氧化物基半导体材料的任何半导体材料形成。可在缓冲层与有源层211之间形成用于阻挡外部光入射
在有源层211上的光阻挡层(未示出)。

[0073] 栅极绝缘层220可形成在有源层211上。栅极绝缘层220可由例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)的无机层或其多层形成。

[0074] 栅极212和选通线可形成在栅极绝缘层220上。栅极212和选通线可各自由可包括钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。栅
极212可连接到选通线，以使得栅极212接收在选通线上提供的信号。

[0075] 层间电介质230可形成在栅极212和选通线上。层间电介质230可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。

[0076] 源极213、漏极214和数据线可形成在层间电介质230上。源极213可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的第二接触孔CT2与有源层211接触。漏极214可通过穿过栅极
绝缘层220和层间电介质230的第一接触孔CT1与有源层211接触。源极213、漏极214和数据
线可各自由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。数据线可连接
到源极213，以使得当TFT通过提供在栅极212处的选通信号导通时，可将提供在数据线上的
驱动信号提供给漏极214。

[0077] 用于将TFT 210绝缘的钝化层240可形成在源极213、漏极214和数据线上。钝化层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。

[0078] 用于使由TFT 210引起的台阶高度平整的第一平整层250可形成在钝化层240上。第一平整层250可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的
有机层形成。

[0079] 有机发光器件260和堤270可形成在第一平整层250上。有机发光器件260可包括第一电极261、有机发光层262和第二电极263。第一电极261可以是阳极，第二电极263可以是
阴极。

[0080] 第一电极261可形成在第一平整层250上。第一电极261可穿过钝化层240和第一平整层250，并且可通过共用接触孔CTS连接到TFT 210的漏极214的侧表面。共用接触孔CTS可
以是穿过第一平整层250、钝化层240并且至少部分地延伸到层间电介质230中的孔。因此，
层间电介质230的一部分在共用接触孔CTS中凹陷或凹进。可通过同时蚀刻第一平整层250、
钝化层240、漏极214和层间电介质230来形成共用接触孔CTS。因此，通过共用接触孔CTS，可
仅使TFT的漏极214的侧表面暴露，并且因此，由于第一电极261沿共用接触孔CTS的侧表面
延伸以与漏极214的暴露的侧表面接触，所以第一电极261可通过共用接触孔CTS连接到TFT 
210的漏极214的暴露的侧表面。在图7的操作(S103)中将更详细地描述形成共用接触孔CTS
的工序。

[0081] 如图6中进一步详细示出的，共用接触孔CTS可包括入口ENT、底部FL和接触区域CNT。第一电极261和TFT 210的漏极214在位于入口ENT与底部FL之间的接触区域CNT中彼此
连接。为了使第一电极261连接到TFT 210的漏极214，可将共用接触孔CTS形成为具有从入
口ENT到接触区域CNT呈锥形形状的倾斜侧壁。共用接触孔CTS的横跨入口ENT的宽度W1可比
接触区域CNT的宽度W3宽。此外，像素P的第一电极261应当在共用接触孔CTS中与和像素P相
邻的另一像素P的第一电极断开。因此，为了将第一电极261形成为在共用接触孔CTS中与相
邻像素P的第一电极断开，可使共用接触孔CTS的底部FL的宽度W2比接触区域CNT的宽度W3
宽，这有助于共用接触孔CTS中的第一电极261的断开。更具体地，共用接触孔CTS可被形成
为以倒锥形状从接触区域CNT倾斜到底部FL，或者可被形成为使得TFT 210的漏极214的下
表面可被暴露在接触区域CNT中的任何形状。例如，如图5所示，共用接触孔CTS可具有其中
设置在TFT 210的漏极214下面的层间电介质230凹陷以使TFT 210的漏极214的下表面暴露
的底切形状(undercut shape)。该底切提供用于容纳形成第一电极261的一些材料的空间，
从而使第一电极261在共用接触孔CTS中断开。

[0082] 第一电极261可通过溅射工艺、e‑BEAM沉积工艺、蒸发工艺等形成。即使当第一电极261通过具有良好的台阶覆盖特性的溅射工艺形成时，共用接触孔CTS也可被形成为在接
触区域CNT与底部FL之间具有倒锥形状，或者可被形成为使得TFT210的漏极214的下表面可
被暴露的任何形状，因此可将第一电极261形成为在共用接触孔CTS中断开。台阶覆盖表示
即使在形成台阶高度的部分中，通过沉积工艺沉积的层持续连接而不断开。然而，如图6所
示，由于倒锥形或底切，即使形成具有良好台阶覆盖的第一电极261的工序也将导致第一电
极261在接触区域CNT与底部FL之间断开。

[0083] 此外，由于共用接触孔CTS被形成为接触区域CNT与底部FL之间的倒锥形状，或者可被形成为使得TFT 210的漏极214的下表面可被暴露的任何形状，因此虚拟电极261a可形
成在共用接触孔CTS的底部FL上，以便与第一电极261断开。如图5所示，虚拟电极261a可在
接触孔CTS中与层间电介质230的侧表面的第一部分接触。层间电介质230的侧表面的第二
部分不与虚拟电极261a接触。第一电极261和虚拟电极261a可通过相同的工艺形成，因此可
由相同的材料形成。虚拟电极261a因此可以是形成第一电极261的材料的一部分，但是虚拟
电极261a与第一电极261断开。例如，第一电极261和虚拟电极261a可由透明金属材料或不
透明金属材料形成。透明导电材料可以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的
透明导电材料(或透明导电氧化物(TCO))，或者是诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag之类的合金
的半透射导电材料。不透明导电材料可以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/Ti)、Cu、Al和
Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的层叠结构
(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。

[0084] 堤270可被形成为填充共用接触孔CTS。堤270可在接触接触孔CTS中与层间电介质250的侧表面的第二部分接触。也就是说，堤270可与层间电介质250的在虚拟电极261a的上
表面与漏极214的下表面之间的侧表面接触。另外，堤270可形成在第一平整层250上并且可
覆盖第一电极261的边缘。堤270因此划分多个发光区域EA。也就是说，堤270可限定发光区
域EA。

[0085] 发光区域EA中的每一个可标示其中与阳极对应的第一电极261、有机发光层262、以及与阴极对应的第二电极263依次层叠并且来自第一电极261的空穴和来自第二电极263
的电子在有机发光层中复合以发光的区域。在这种情况下，设置有堤270的区域不发光，因
此可被定义为非发光区域。

[0086] 堤270可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。

[0087] 有机发光层262可形成在第一电极261和堤270上。有机发光层262可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层，并且可以是发射白光的白色发光层。在这种情况下，有机
发光层262可被形成为两个或更多个层叠体的串联结构。每个层叠体可包括空穴传输层、至
少一个发光层和电子传输层。

[0088] 此外，可在层叠体之间形成电荷产生层。电荷产生层可包括与下部层叠体相邻设置的n型电荷产生层以及形成在n型电荷产生层上并与上部层叠体相邻设置的p型电荷产生
层。n型电荷产生层可将电子注入到下部层叠体中，并且p型电荷产生层可将空穴注入到上
部层叠体中。n型电荷产生层可由掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)这样的碱金
属，或者掺杂有诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)这样的碱土金属的有机层形成。p型电
荷产生层可以是通过用具有传输空穴能力的掺杂剂掺杂有机材料形成的有机层。

[0089] 在图5中，例示了有机发光层262是共同形成在像素P中的每一个中的公共层并且是发射白光的白色发光层，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，相应的有机发光
层262可单独设置在像素P中的每一个中，并且在这种情况下，像素P可被划分为包括发射红
光的红色发光层的红色像素、包括发射绿光的绿色发光层的绿色像素和包括发射蓝光的蓝
色发光层的蓝色像素。

[0090] 第二电极263可形成在有机发光层262上。第二电极263可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层。第二电极263可由能够透射光的诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物
(IZO)这样的透明导电材料(或TCO)，或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射导电材
料形成。在第二电极263由半透射导电材料形成的情况下，可通过微腔来提高发光效率。封
盖层可形成在第二电极263上。

[0091] 封装层280可形成在第二电极263上。封装层280防止氧或水渗透到有机发光层262和第二电极263中。封装层280可包括至少一个无机层。该无机层可由硅氮化物、铝氮化物、
锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等形成。另外，封
装层280还可包括至少一个有机层，以用于防止微粒经由封装层280渗入有机发光层262和
第二电极263中。

[0092] 多个滤色器301和302以及黑底310可设置在第二基板112上并位于第二基板112与封装层280之间。滤色器301和302可分别与像素P对应地设置。黑底310可设置在相邻的滤色
器301和302之间并与其部分交叠，并且可与堤270对应地设置。

[0093] 第二基板112上的滤色器301和302可通过粘合层290粘附到第一基板111上的封装层280。因此，第一基板111及其上形成的结构可接合到第二基板112及其上形成的结构。粘
合层290可以是透明粘合膜、透明粘合树脂等。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板、封装
膜(保护膜)等。

[0094] 如上所述，在本公开的实施方式中，由于共用接触孔CTS被形成为在接触区域CNT与底部FL之间具有倒锥形状，或者可被形成为使得TFT 210的漏极214的下表面可被暴露的
任何形状，因此第一电极261可在共用接触孔CTS中断开。结果，在本公开的实施方式中，相
邻像素P中的每一个的有机发光器件260的第一电极261可通过共用接触孔CTS电连接到相
应TFT 210的相应漏极214，而不会彼此短路。因此，在本公开的实施方式中，N个像素可共用
用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。因此，在本公开的实
施方式中，通过共用接触孔CTS防止了发光区域的减少，由此防止由于发光区域EA的减少而
导致有机发光层的寿命被缩短。

[0095] 图7是例示根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。图8A至图8F是根据本公开的实施方式的用于描述有机发光显示装置的制造方法的沿着图4的
线I‑I'截取的截面图；

[0096] 图8A至图8F所示的截面图涉及一种制造图5所示的有机发光显示装置的方法，因此，相同的附图标记表示相同的元件。在下文中，将参照图7和图8A至图8F详细描述根据本
公开的实施方式的制造有机发光显示装置的方法。

[0097] 在S101中，参照图8A，可形成在多个TFT 210中的每一个中包括的有源层211、栅极212、源极213和漏极金属层214a，并且可形成覆盖TFT 210的钝化层240和第一平整层250。

[0098] 详细地，在形成TFT 210之前，可在第一基板111上形成缓冲层，以用于保护TFT 210不受通过基板111渗透的水的影响。缓冲层可包括交替层叠的多个无机层，以用于保护
TFT 210和有机发光器件260不受通过易于被水渗透的第一基板111渗入的水的影响。例如，
缓冲层可由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和/或SiON中的一个或更多个无机层交替层
叠的多层形成。缓冲层可通过使用化学气相沉积(CVD)工艺形成。

[0099] 随后，可在缓冲层上形成TFT 210中的每一个的有源层211。详细地，可通过使用溅射工艺、金属有机化学气相(MOCVD)工艺等在整个缓冲层上形成有源金属层。随后，可通过
使用光刻胶图案的掩模工艺对有源金属层进行构图来形成有源层211。有源层211可由硅基
半导体材料、氧化物基半导体材料等形成。

[0100] 随后，可在有源层211上形成栅极绝缘层220。栅极绝缘层220可由例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)的无机层或其多层形成。

[0101] 随后，可在栅极绝缘层220上形成TFT 210中的每一个的栅极212。详细地，可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺等在整个栅极绝缘层220上形成第一金属层。随后，可通过使用光
刻胶图案的掩模工艺对第一金属层进行构图来形成栅极212。栅极212可由包括钼(Mo)、铬
(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。

[0102] 随后，可在栅极212上形成层间电介质230。层间电介质230可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。

[0103] 随后，可形成穿过栅极绝缘层220和层间电介质230以使有源层211暴露的多个接触孔CT1、CT2。

[0104] 随后，可在层间电介质230上形成TFT 210中的每一个的源极213和漏极金属层214a。详细地，第二金属层可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺等形成在整个层间电介质230上
以及接触孔CT1、CT2中。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第二金属层进行构图来
形成源极213和漏极金属层214a。源极213可通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的第
二接触孔CT2与有源层211的一侧接触。漏极金属层214a可通过穿过栅极绝缘层220和层间
电介质230的第一接触孔CT1与有源层211的另一侧接触。源极213和漏极金属层214a可各自
由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。另外，如图8A所示，相邻
像素P的漏极金属层214a可彼此连接。

[0105] 随后，可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极金属层214a上以及层间电介质230上形成钝化层240。钝化层240可由例如SiOx、SiNx或其多层的无机层形成。钝化层240可
通过使用CVD工艺形成。

[0106] 随后，可在钝化层240上形成用于使由TFT 210引起的台阶高度平整的第一平整层250。第一平整层250可由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的
有机层形成。

[0107] 在S102处，参照图8B，可在第一平整层250上形成第一光刻胶图案PR1。第一光刻胶图案PR1可形成在除了将要形成共用接触孔CTS的区域之外的区域中。

[0108] 在S103处，参照图8C，可通过同时蚀刻未被第一光刻胶图案PR1覆盖的第一平整层250、钝化层240、漏极金属层214a和层间电介质230来形成共用接触孔CTS，然后可去除第一
光刻胶图案PR1。

[0109] 共用接触孔CTS可以是穿过第一平整层250、钝化层240和漏极金属层214a并且至少部分地延伸到层间电介质230中的孔。共用接触孔CTS因此形成层间电介质230的凹陷部
或凹进部。由于共用接触孔CTS通过同时蚀刻第一平整层250、钝化层240、漏极金属层214a
和层间电介质230来形成，因此可随着TFT 210的漏极214的侧表面被共用接触孔CTS暴露来
完成漏极214的图案。

[0110] 共用接触孔CTS可包括入口ENT、底部FL以及入口ENT与底部FL之间的通过使TFT 210的漏极214的侧表面暴露而形成的接触区域CNT。为了使第一电极261连接到TFT 210的
漏极214，可将共用接触孔CTS形成为以锥形形状从入口ENT倾斜到接触区域CNT，具体地，入
口ENT的宽度W1可比接触区域CNT的宽度W3宽。此外，像素P的第一电极261在共用接触孔CTS
中断开，否则第一电极261将连接到与像素P相邻的另一像素P的第一电极。因此，为了使第
一电极261在共用接触孔CTS中断开，共用接触孔CTS的底部FL的宽度W2可以比接触区域CNT
的宽度W3宽。共用接触孔CTS可被形成为以倒锥形状从接触区域CNT倾斜到底部FL，或者可
被形成为使得TFT 210的漏极214的下表面可被暴露在接触区域CNT中的任何形状。例如，如
图8C所示，共用接触孔CTS可具有其中设置在TFT 210的漏极214下面的层间电介质230凹陷
以便使TFT 210的漏极214的下表面暴露的底切形状。

[0111] 共用接触孔CTS可通过使用干法蚀刻工艺来形成。首先，可通过用第一蚀刻气体蚀刻第一平整层250和钝化层240来暴露漏极金属层214a。在这种情况下，第一蚀刻气体可以
是蚀刻第一平整层250和钝化层240但不蚀刻诸如漏极金属层214a这样的金属层的气体。随
后，可通过利用第二蚀刻气体蚀刻所暴露的漏极金属层214a来形成漏极电极214。在这种情
况下，第二蚀刻气体可以是蚀刻诸如漏极金属层214a这样的金属层但不蚀刻层间电介质
230的气体。随后，可通过使用第三蚀刻气体蚀刻层间电介质230以形成底切和凹进或凹陷
部分来完成共用接触孔CTS。第三蚀刻气体可以是氧(O2)或者氧(O2)和CF4的混合气体，以用
于将共用接触孔CTS形成为使得TFT 210的漏极214的下表面可被暴露的形状。

[0112] 在S104处，参照图8D，可在第一平整层250上以及共用接触孔CTS的倾斜侧表面上形成第一电极261。

[0113] 详细地，可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺、e‑BEAM沉积工艺、蒸发工艺等在整个第一平整层250上形成第三金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第三金属层进
行构图来形成第一电极261。

[0114] 第一电极261可连接到TFT 210的漏极214的通过共用接触孔CTS暴露的侧表面。由于第一电极261仅连接到TFT 210的漏极214的侧表面，因此第一电极261和漏极214的接触
电阻可能较高。因此，为了降低第一电极261和漏极214的接触电阻，可将第一电极261的厚
度和漏极214的厚度可被选择为足够厚以提供合适的接触电阻。可基于第一电极261和漏极
214的接触电阻来选择第一电极261的厚度和漏极214的厚度，所述接触电阻可通过之前的
实验适当地确定。

[0115] 即使当第一电极261通过具有良好的台阶覆盖特性的溅射工艺形成时，共用接触孔CTS也可被形成为在接触区域CNT与底部FL之间具有倒锥形状，或者可被形成为使得TFT 
210的漏极214的下表面可被暴露的任何形状，因此第一电极261可在共用接触孔CTS中断
开。台阶覆盖表示即使在形成台阶高度的部分中，通过沉积工艺沉积的层持续连接而不断
开。

[0116] 此外，虚拟电极261a可被形成在共用接触孔CTS的底部FL上以便与第一电极261断开。第一电极261和虚拟电极261a可通过相同的工艺形成，因此可由相同的材料形成。也就
是说，虚拟电极261a可以是第三金属层的形成在共用接触孔CTS的底部FL上的一部分，但是
由于倒锥或底切而与第一电极261断开。例如，第一电极261和虚拟电极261a可由透明金属
材料或不透明金属材料形成。透明导电材料可以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物
(IZO)这样的透明导电材料(或透明导电氧化物(TCO))，或者是诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和
Ag的合金的半透射导电材料。不透明导电材料可以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/
Ti)、Cu、Al和Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO
的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。

[0117] 在S105处，参照图8E，堤270可被形成为填充共用接触孔CTS。

[0118] 堤270可填充共用接触孔CTS以便使有机发光层262被均匀地沉积。另外，堤270可形成在第一平整层250上以覆盖第一电极261的边缘，并划分多个发光区域EA。也就是说，堤
270可限定发光区域EA。

[0119] 堤270可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。

[0120] 在S106处，参照图8F，可在第一电极261和堤270上形成有机发光层262和第二电极263。

[0121] 详细地，有机发光层262可通过沉积工艺或显影工艺形成在第一电极261和堤270上。有机发光层262可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层。在这种情况下，有机发
光层262可以是发射白光的白色发光层。

[0122] 如果有机发光层262是白色发光层，则有机发光层262可被形成为两个或更多个层叠体的串联结构。层叠体中的每一个可包括空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。

[0123] 此外，可在层叠体之间形成电荷产生层。电荷产生层可包括与下部层叠体相邻设置的n型电荷产生层以及形成在n型电荷产生层上并与上部层叠体相邻设置的p型电荷产生
层。n型电荷产生层可将电子注入到下部层叠体中，并且p型电荷产生层可将空穴注入到上
部层叠体中。n型电荷产生层可由掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)这样的碱金
属，或者掺杂有诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)这样的碱土金属的有机层形成。p型电
荷产生层可以是通过用具有传输空穴能力的掺杂剂掺杂有机材料形成的有机层。

[0124] 随后，可在有机发光层262上形成第二电极263。第二电极263可以是共同形成在像素P中的每一个中的公共层。第二电极263可由能够透射光的诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌
氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或TCO)，或者诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金这样的半透射
导电材料形成。在第二电极263由半透射导电材料形成的情况下，可通过微腔来提高发光效
率。第二电极263可通过诸如溅射工艺的物理气相沉积(PVD)工艺来形成。可在第二电极263
上形成封盖层。

[0125] 随后，可在第二电极263上形成封装层280。封装层280防止氧或水渗透到有机发光层262和第二电极263中。封装层280可包括至少一个无机层。该无机层可由硅氮化物、铝氮
化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等形成。

[0126] 另外，封装层280还可包括至少一个有机层。有机层可被形成为具有足够的厚度，以用于防止微粒经由封装层280渗入有机发光层262和第二电极263中。

[0127] 随后，可将其中设置有多个滤色器301和302以及黑底310的第二基板112接合到第一基板111。第二基板112上的滤色器301和302可通过粘合层290粘附到第一基板111上的封
装层280。粘合层290可以是透明粘合膜、透明粘合树脂等。

[0128] 如上所述，根据本公开的实施方式，可通过同时蚀刻第一平整层250、钝化层240、漏极金属层214a和层间电介质230来形成共用接触孔CTS。因此，在本公开的一个实施方式
中，TFT 210的漏极214的侧表面可被共用接触孔CTS暴露。结果，在本公开的实施方式中，防
止了TFT 210的漏极214的尺寸小于接触孔的尺寸，从而防止由于接触孔的底部与漏极214
之间的台阶高度而导致第一电极261在源极或漏极的侧表面上断开。因此，在本公开的实施
方式中，防止了像素不发光的导通缺陷发生。

[0129] 图9是详细例示显示区域中的像素的另一示例的平面图。

[0130] 在图9中，为了便于描述，仅例示了像素P、第一电极AND、发光区域EA、辅助接触孔CT3和共用接触孔CTS。

[0131] 参照图9，可提供多个像素P，并且像素P中的每一个可包括至少一个TFT和有机发光器件。

[0132] TFT可包括有源层、与有源层交叠的栅极、连接到有源层的一侧的源极以及连接到有源层的另一侧的漏极。

[0133] 有机发光器件可包括与阳极对应的第一电极AND、有机发光层以及与阴极对应的第二电极。发光区域EA可表示第一电极AND、有机发光层和第二电极依次层叠并且来自第一
电极的空穴和来自第二电极的电子在有机发光层中复合以发光的区域。相邻像素P的发光
区域EA可被堤分隔，并且因此堤可对应于不发光的非发光区域。

[0134] 辅助接触孔CT3可以是为将TFT的漏极连接到辅助电极而形成的接触孔。因此，TFT的漏极可通过辅助接触孔CT3连接到辅助电极。

[0135] 共用接触孔CTS可以是使与N个(其中N是等于或大于2的整数)像素P中的每一个的相应漏极连接的辅助电极暴露的孔。也就是说，N个像素P中的辅助电极可通过共用接触孔
CTS暴露。N个像素P中的每一个的有机发光器件的第一电极可通过共用接触孔CTS连接到辅
助电极。也就是说，N个像素P中的每一个的有机发光器件的第一电极可通过辅助电极电连
接到TFT的漏极。

[0136] 在图9中，N个像素P可共用该共用接触孔CTS。在图9中，将N例示为4(N＝4)，但是本实施方式不限于此。例如，如图13B和图14B所示，N可以是2(N＝2)，并且如图15B所示，N可以
是3(N＝3)。如图13B所示，即使当N＝2时，沿第一方向(例如，Y轴方向)彼此相邻的像素P可
共用该共用接触孔CTS，并且如图14B所示，沿与第一方向(例如，Y轴方向)交叉的第二方向
(例如，X轴方向)彼此相邻的像素P可共用该共用接触孔CTS。另外，如图15B所示，当N＝3时，
在三角形状中彼此相邻的像素P可共用该共用接触孔CTS。

[0137] 如上所述，在本公开的实施方式中，N个像素P可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。因此，在本公开的实施方式中，通过共用接触孔
CTS来防止发光区域EA减少，由此防止因发光区域EA减少而导致的有机发光层的寿命缩短。

[0138] 在图9中，为了便于描述，辅助电极被描述为通过辅助接触孔CT3连接到TFT的漏极，但是本实施方式不限于此。在其它实施方式中，辅助电极可通过辅助接触孔CT3连接到
TFT的源极。

[0139] 图10是例示沿图9的线III‑III'截取的另一示例的截面图。

[0140] 除了附加地形成辅助电极264和第二平整层251并且通过共用接触孔CTS暴露辅助电极264而不是TFT 210的源极213或漏极214之外，图10所示的截面图与以上参照图5所述
的基本相同。因此，省略了图10中例示的第一基板111和第二基板112，TFT 210的有源层
211、栅极212、源极213和漏极214，栅极绝缘层220，层间电介质230，钝化层240，第一平整层
250，有机发光层262，第二电极263，封装层280，粘合层290，滤色器301和302以及黑底310的
详细描述。

[0141] 参照图10，可形成穿过钝化层240和第一平整层250以使TFT 210的漏极214暴露的辅助接触孔CT3。辅助电极264可形成在第一平整层250上和辅助接触孔CT3中，并且可通过
辅助接触孔CT3连接到TFT 210的漏极214。

[0142] 辅助电极264可由透明金属材料或不透明金属材料形成。透明导电材料可以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或透明导电氧化物(TCO))，
或者是诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料。不透明导电材料可以是Al、
Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构(ITO/Al/
ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和
Cu的合金。

[0143] 第二平整层251可形成在辅助电极264上和辅助接触孔CT3中。第二平整层251可被形成为填充辅助接触孔CT3。第二平整层251可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚
酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。

[0144] 第一电极261可形成在第二平整层251上。第一电极261可穿过第二平整层251并且可通过共用接触孔CTS连接到辅助电极264的侧表面。共用接触孔CTS可以是穿过第二平整
层251并且至少部分地延伸到第一平整层250中的孔。因此，第一平整层250的一部分在共用
触点孔CTS中凹陷或凹进。共用接触孔CTS可通过同时蚀刻第二平整层251、辅助电极264和
第一平整层250来形成。因此，通过共用接触孔CTS可仅暴露辅助电极264的侧表面，因此，第
一电极261可通过共用接触孔CTS连接到辅助电极264的侧表面。将在图11的操作(S205)中
更详细地描述形成共用接触孔CTS的工序。

[0145] 第一电极261可仅连接到辅助电极264的侧表面，由此增加了第一电极261和辅助电极264的接触电阻。因此，为了降低第一电极261和辅助电极264的接触电阻，可增加第一
电极261的厚度和辅助电极264的厚度以提供合适的接触电阻。第一电极261的厚度和辅助
电极264的厚度可基于第一电极261和辅助电极264的接触电阻来选择，所述接触电阻可通
过之前的实验适当地确定。

[0146] 像图6所示的实施方式一样，共用接触孔CTS可包括入口ENT、底部FL以及入口ENT与底部FL之间的接触区域CNT，第一电极261和辅助电极264通过该接触区域CNT彼此连接。
为了使第一电极261连接到辅助电极264，可将共用接触孔CTS形成为具有从入口ENT到接触
区域CNT呈锥形形状的倾斜侧壁，具体地，入口ENT的宽度可以比接触区域CNT的宽度W3宽。
另外，像素P的第一电极261在共用接触孔CTS中与和像素P相邻的另一像素P的第一电极断
开。因此，为了使第一电极261在共用接触孔CTS中断开，可使共用接触孔CTS的底部FL的宽
度W2比接触区域CNT的宽度W3宽，更具体地，可将共用接触孔CTS形成为以倒锥形状从接触
区域CNT倾斜到底部FL，或者可被形成为使得辅助电极264的下表面可被暴露在接触区域
CNT中的任何形状。例如，如在图10中，共用接触孔CTS可具有其中设置在辅助电极264下面
的第一平整层250凹陷以便使辅助电极264的下表面被暴露的底切形状。

[0147] 第一电极261可通过溅射工艺、MOCVD工艺、e‑BEAM沉积工艺、蒸发工艺等形成。即使当第一电极261通过具有良好的台阶覆盖特性的溅射工艺形成时，共用接触孔CTS也可被
形成为在接触区域CNT与底部FL之间具有倒锥形状，或者可被形成为使得辅助电极264的下
表面可被暴露的任何形状，因此可使第一电极261在共用接触孔CTS中断开。

[0148] 此外，虚拟电极261a可被形成在共用接触孔CTS的底部FL上以便与第一电极261断开。第一电极261和虚拟电极261a可通过相同的工艺形成，因此可由相同的材料形成。例如，
第一电极261和虚拟电极261a可由透明金属材料或不透明金属材料形成。透明导电材料可
以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或透明导电氧化物
(TCO))，或者是诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料。不透明导电材料可
以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构
(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、
钯(Pd)和Cu的合金。

[0149] 堤270可被形成为填充共用接触孔CTS。另外，堤270可形成在第二平整层251上以覆盖第一电极261的边缘，并划分多个发光区域EA。也就是说，堤270可限定发光区域EA。

[0150] 如上所述，在本公开的实施方式中，由于共用接触孔CTS被形成为在接触区域CNT与底部FL之间呈倒锥形状，或者可被任何为使得辅助电极264的下表面可被暴露的任何形
状，因此辅助电极264可在共用接触孔CTS中断开。结果，在本公开的实施方式中，相邻像素P
中的每一个的有机发光器件260的第一电极261可通过共用接触孔CTS电连接到辅助电极
264。第一电极261因此经由辅助电极264连接到TFT 210的漏极214。因此，在本公开的一个
实施方式中，N个像素可共用用于将有机发光器件的第一电极连接到辅助电极264并由此连
接到TFT的漏极的共用接触孔CTS。因此，在本公开的实施方式中，通过共用接触孔CTS防止
了发光区域的减少，由此防止了由于发光区域EA的减少而导致的有机发光层的寿命缩短。

[0151] 图11是例示根据本公开的实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图。图12A至图12H是根据本公开的实施方式的用于描述有机发光显示装置的制造方法的沿着图9
的线III‑III截取的截面图。

[0152] 图12A至图12H所示的截面图涉及一种制造图10所示的有机发光显示装置的方法，因此，相同的附图标记表示相同的元件。在下文中，将参照图11和图12A至图12H详细描述根
据本公开的实施方式的制造有机发光显示装置的方法。

[0153] 在S201处，参照图12A，可形成包括在多个TFT 210中的每一个中的有源层211、栅极212、源极213和漏极214，并且可形成覆盖TFT 210的钝化层240和第一平整层250。

[0154] 用于形成TFT 210中的每一个的有源层211和栅极212、栅极绝缘层220以及层间电介质230的方法与以上参照图8A描述的图7的操作(S101)基本相同。

[0155] 可在层间电介质230上形成TFT 210中的每一个的源极213和漏极214。详细地，可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺等在整个层间电介质230上形成第二金属层。随后，可通过使
用光刻胶图案的掩模工艺对第二金属层进行构图来形成源极213和漏极214。源极213可通
过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的第二接触孔与有源层211的一侧接触。漏极214可
通过穿过栅极绝缘层220和层间电介质230的第一接触孔与有源层211的另一侧接触。源极
213和漏极214可各自由包括Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。

[0156] 随后，可在TFT 210中的每一个的源极213和漏极214上以及层间电介质230上形成钝化层240。钝化层240可由例如SiOx、SiNx的无机层或其多层形成。钝化层240可通过使用
CVD工艺形成。

[0157] 随后，可在钝化层240上形成用于使由TFT 210引起的台阶高度平整的第一平整层250。第一平整层250可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂
等的有机层形成。

[0158] 在S202处，参照图12B，可在第一平整层250上形成第二光刻胶图案PR2。第二光刻胶图案PR2可形成在除了将要形成辅助接触孔CT3的区域之外的区域中。

[0159] 在S203处，参照图12C，可通过蚀刻未被第二光刻胶图案PR2覆盖的第一平整层250和钝化层240来形成使TFT 210中的每一个的漏极214暴露的辅助接触孔CT3，然后可去除第
二光刻胶图案PR2。

[0160] 在S204处，参照图12D，可在第一平整层250上和辅助接触孔CT3中形成辅助金属层264'。辅助金属层264'可连接到TFT 210中的每一个在辅助接触孔CT3中的暴露的漏极214。

[0161] 辅助金属层264'可由透明金属材料或不透明金属材料形成。透明导电材料可以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或透明导电氧化物
(TCO))，或者是诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料。不透明导电材料可
以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构
(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、
钯(Pd)和Cu的合金。

[0162] 随后，可在辅助金属层264'上形成第二平整层251。第二平整层251可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。

[0163] 随后，可在第二平整层251上形成第三光刻胶图案PR3。第三光刻胶图案PR3可形成在除了将要形成共用接触孔CTS的区域之外的区域中。

[0164] 在S205处，参照图12E，可通过同时刻蚀未被第三光刻胶图案PR3覆盖的第二平整层251、辅助金属层264'和第一平整层250来形成共用接触孔CTS，然后，可去除第三光刻胶
图案PR3。

[0165] 共用接触孔CTS可以是穿过第二平整层251和辅助金属层264'并且至少部分地延伸到第一平整层250中的孔。共用接触孔CTS因此形成第一平整层250的凹陷或凹进部分。由
于共用接触孔CTS通过同时刻蚀第二平整层251、辅助金属层264'和第一平整层250来形成，
因此可随着辅助电极264的侧表面被共用接触孔CTS暴露来结束辅助电极264的图案。

[0166] 共用接触孔CTS可包括入口ENT、底部FL以及入口ENT与底部FL之间的通过使辅助电极264的侧表面暴露而形成的接触区域CNT。为了使第一电极261连接到辅助电极264，可
将共用接触孔CTS形成为以锥形形状从入口ENT倾斜到接触区域CNT，具体地，入口ENT的宽
度W1可以比接触区域CNT的宽度W3宽。此外，像素P的第一电极261在共用接触孔CTS中断开，
否则第一电极261将连接到与像素P相邻的另一像素P的第一电极。因此，为了使第一电极
261在共用接触孔CTS中断开，共用接触孔CTS的底部FL的宽度W2可以比接触区域CNT的宽度
W3宽，具体地，共用接触孔CTS可被形成为以倒锥形状从接触区域CNT倾斜到底部FL，或者可
被形成为使得辅助电极264的下表面可被暴露在接触区域CNT中的任何形状。例如，如图12E
所示，共用接触孔CTS可具有其中设置在辅助电极264下面的第一平整层250凹陷以便使辅
助电极264的下表面暴露的底切形状。

[0167] 共用接触孔CTS可通过使用干法蚀刻工艺来形成。首先，可通过用第一蚀刻气体蚀刻第二平整层251来暴露辅助金属层264'。在这种情况下，第一蚀刻气体可以是蚀刻第二平
整层251但不蚀刻诸如辅助金属层264'这样的金属层的气体。随后，可通过使用第二蚀刻气
体蚀刻暴露的辅助金属层264'来形成辅助电极264。在这种情况下，第二蚀刻气体可以是蚀
刻诸如辅助金属层264'这样的金属层但不蚀刻第一平整层250的气体。随后，可通过使用第
三蚀刻气体蚀刻第一平整层250以形成底切和凹进或凹陷部分来完成共用接触孔CTS。

[0168] 在S206处，参照图12F，可在第二平整层251上以及共用接触孔CTS的倾斜侧表面上形成第一电极261。

[0169] 详细地，可通过使用溅射工艺、MOCVD工艺、e‑BEAM沉积工艺、蒸发工艺等在整个第二平整层251上形成第三金属层。随后，可通过使用光刻胶图案的掩模工艺对第三金属层进
行构图来形成第一电极261。

[0170] 第一电极261可连接到辅助电极264的通过共用接触孔CTS暴露的侧表面。由于第一电极261仅连接到辅助电极264的侧表面，因此第一电极261和辅助电极264的接触电阻可
能较高。因此，为了降低第一电极261和辅助电极264的接触电阻，第一电极261的厚度和辅
助电极264的厚度可被选择为足够厚以提供合适的接触电阻。第一电极261的厚度和辅助电
极264的厚度可基于第一电极261和辅助电极264的接触电阻来选择，所述接触电阻可通过
之前的实验适当地确定。

[0171] 即使在第一电极261通过具有良好的台阶覆盖特性的溅射工艺形成时，共用接触孔CTS也可被形成为在接触区域CNT与底部FL之间具有倒锥形状，或者可被形成为使得辅助
电极264的下表面可被暴露的任何形状，因此，第一电极261可在共用接触孔CTS中断开。台
阶覆盖表示即使在形成台阶高度的部分中通过沉积工艺沉积的层持续连接而不断开。

[0172] 此外，虚拟电极261a可被形成在共用接触孔CTS的底部FL上以便与第一电极261断开。第一电极261和虚拟电极261a可通过相同的工艺形成，因此可由相同的材料形成。例如，
第一电极261和虚拟电极261a可由透明金属材料或不透明金属材料形成。透明导电材料可
以是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电材料(或透明导电氧化物
(TCO))，或者是诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料。不透明导电材料可
以是Al、Ag、Mo、Mo和Ti的层叠结构(Mo/Ti)、Cu、Al和Ti的层叠结构、Al和ITO的层叠结构
(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是Ag、
钯(Pd)和Cu的合金。

[0173] 在S207处，参照图12G，堤270可被形成为填充共用接触孔CTS。

[0174] 堤270可填充共用接触孔CTS以便使有机发光层262被均匀地沉积。另外，堤270可形成在第二平整层251上以覆盖第一电极261的边缘，并划分多个发光区域EA。也就是说，堤
270可限定发光区域EA。

[0175] 堤270可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。

[0176] 在S208处，参照图12H，可在第一电极261和堤270上形成有机发光层262和第二电极263。

[0177] 图11中的形成有机发光层262和第二电极263的操作(S208)与以上参照图8F所述的图7的操作(S106)基本相同。因此，省略了图12中的形成有机发光层262和第二电极263的
操作(S208)的详细描述。

[0178] 如上所述，根据本公开的实施方式，共用接触孔CTS可通过同时蚀刻第二平整层251、辅助金属层264'和第一平整层250来形成。因此，在本公开的一个实施方式中，辅助电
极264的侧表面可被共用接触孔CTS暴露。结果，在本公开的实施方式中，防止了TFT 210的
漏极214的尺寸小于接触孔的尺寸，由此防止了由于接触孔的底部与漏极214之间的台阶高
度而导致第一电极261在源极和漏极的侧表面上断开。因此，在本公开的实施方式中，防止
了像素不发光的导通缺陷发生。

[0179] 要注意的是，尽管本公开的上述实施方式是用具有有机发光器件的有机发光显示装置进行例示的，但这些实施方式仅只是用于例示性目的，并且本公开不限于此。例如，本
公开也可用具有无机发光器件的无机发光显示装置来实现。

[0180] 通过总结和回顾，根据本公开的实施方式，第一电极可在共用接触孔中断开地形成。结果，在本公开的实施方式中，相邻像素中的每一个的有机发光器件的第一电极可通过
共用接触孔电连接到TFT的漏极。因此，在本发明的实施方式中，N个像素可共用用于将有机
发光器件的第一电极连接到对应的TFT的漏极的共用接触孔。因此，在本公开的实施方式
中，通过共用接触孔防止了发光区域的减小，由此防止由于发光区域的减小而导致的有机
发光层的寿命缩短。

[0181] 此外，根据本公开的实施方式，共用接触孔可通过同时蚀刻第一平整层、钝化层、漏极金属层和层间电介质来形成。因此，在本公开的实施方式中，TFT的漏极的侧表面可被
共用接触孔暴露。结果，在本公开的实施方式中，防止TFT的漏极的尺寸被形成为小于接触
孔的尺寸，由此防止由于接触孔的底面与漏极之间的台阶高度而导致第一电极在源极或漏
极的侧表面上断开。因此，在本公开的实施方式中，防止了像素不发光的导通缺陷发生。

[0182] 对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可对本公开进行各种修改和变型。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变型，只要它们落入
所附权利要求书及其等同物的范围内即可。

[0183] 上述各种实施方式可被组合以提供其它实施方式。

[0184] 可根据上述详细描述对这些实施方式进行这些改变和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制到说明书和权利要求书中所公开的
具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及权利要求所应授予的等同物的
全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

[0185] 相关申请的交叉引用

[0186] 本申请要求于2016年12月14日提交的韩国专利申请No.10‑2016‑0170350的权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，如同其全部在本文中陈述一样。