一种基于喷涂工艺的钙钛矿发光二极管及其制备方法转让专利

申请号 : CN201810440703.4

文献号 : CN108417739B

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发明人 : 于军胜王子君吴梦鸽杨根杰

摘要 :

本发明公开了一种基于喷涂工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法,方法包括如下步骤:制备基片的衬底,在衬底上依次制备阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层,最后将得到的基片进行封装,完成器件制备,其中制备钙钛矿发光层步骤具体为将基片置于低温板上降温,用喷涂法在空穴传输层上一次性喷涂钙钛矿材料溶液,得到钙钛矿发光层,再将低温的基片直接置于热台上退火完成钙钛矿发光层制备。本发明采用低温一次性喷涂制备钙钛矿发光层薄膜,粗糙度低,结晶性好,晶粒小,能够提高发光二极管的亮度和量子效率。