离子铣削装置以及离子铣削方法转让专利
申请号 : CN201680077769.0
文献号 : CN108475608B
文献日 : 2021-07-09
发明人 : 岩谷彻 , 高须久幸 , 高堀荣
申请人 : 株式会社日立高新技术
摘要 :
权利要求 :
1.一种离子铣削装置,将离子束照射到试样而加工该试样,其特征在于,具有:离子源,其发出上述离子束;
试样保持部,其保持至少一部分被遮蔽罩遮蔽的上述试样;
试样滑动移动机构,其使上述试样保持部沿包括上述离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动;
旋转机构,其使上述试样保持部围绕与基于上述试样滑动移动机构的滑动移动的方向垂直的轴旋转倾斜;
用户接口部,其用于设定根据上述试样的加工内容而输入的加工信息;以及控制部,其基于由上述用户接口部设定的加工信息,控制上述试样滑动移动机构,上述离子铣削装置在进行上述离子束的照射的同时,通过上述试样滑动移动机构进行往复的滑动动作,用一次的处理获得所需的加工宽度。
2.根据权利要求1所述的离子铣削装置,其特征在于,上述试样滑动移动机构以比上述离子束的宽度更宽的宽度使上述试样滑动移动。
3.根据权利要求1所述的离子铣削装置,其特征在于,上述试样滑动移动机构设置在比上述旋转机构更靠上的位置,上述旋转机构的旋转轴的位置固定。
4.根据权利要求3所述的离子铣削装置,其特征在于,上述旋转机构的上述旋转轴位于上述离子束的轨道上。
5.根据权利要求4所述的离子铣削装置,其特征在于,上述滑动移动机构在与上述旋转机构的上述旋转轴垂直的平面内使上述试样滑动移动。
6.根据权利要求1所述的离子铣削装置,其特征在于,还具有:用户接口部,其用于设定将上述试样加工成比上述离子束的宽度更宽的宽区域的宽区域铣削中的加工位置和加工宽度;以及控制部,其基于由上述用户接口部设定的上述加工位置以及上述加工宽度的信息,控制上述试样滑动移动机构的移动。
7.根据权利要求6所述的离子铣削装置,其特征在于,上述宽区域铣削中的加工位置和加工宽度通过输入加工的两端位置或加工的中心位置来设定。
8.根据权利要求1所述的离子铣削装置,其特征在于,还具有:用户接口部,其用于设定对上述试样的多个部位进行加工的多点铣削中的加工位置;
以及
控制部,其基于由上述用户接口部设定的上述加工位置的信息,控制上述试样滑动移动机构的移动。
说明书 :
离子铣削装置以及离子铣削方法
技术领域
背景技术
置。
微镜用的试样台观察图像。在机械研磨的情况下,在例如像高分子材料或铝那样柔软的试
样中,存在观察表面压坏或者由于研磨剂的粒子而留下较深的伤痕的问题。另外,在例如像
玻璃或者陶瓷那样坚固的试样中,存在难以进行研磨的问题,在层叠了柔软的材料和坚固
的材料的复合材料中,存在截面加工极其困难的问题。
如,在专利文献1中公开了如下离子铣削装置,其通过使试样倾斜或者旋转的同时照射离子
束,在加工面中能够减轻筋状的凹凸的生成量。
发明内容
行额外的加工。若进行这种额外的加工,则生产量降低。
及试样滑动移动机构,其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移
动。
附图说明
具体实施方式
进行额外的加工。若进行这种额外的加工,则生产量降低。另外,在第一次的加工面上产生
再沉积的可能性提高。
在该试样上生成多个加工点(加工部位)。本说明书至少公开能够通过一次的加工处理生成
所需的宽度的加工面,并且生成多个加工点的机构以及处理过程。
种离子束。
的上方的试样遮蔽罩单元微动机构4;载置在试样遮蔽罩单元微动机构4的上方的试样遮蔽
罩单元21;真空排气系统6;设在真空腔15的前面的直线导向件11。在试样遮蔽罩单元的上
方载置试样3以及遮蔽罩2。
触,并且用螺钉固定。试样单元基座5构成为能够相对于离子束的光轴以任意的角度进行旋
转倾斜,使其旋转倾斜的方向和倾斜角度由试样台8控制。通过使试样台8进行旋转倾斜,能
够将设置于试样遮蔽罩单元微动机构4上的试样3相对于离子束的光轴设定为预定的角度。
而且,使试样台8的旋转倾斜轴与试样上表面(遮蔽罩下表面)的位置一致,有效地制作平滑
的加工面。另外,试样遮蔽罩单元微动机构4构成为,能够相对于离子束的光轴沿垂直方向
的前后左右、即X方向和Y方向移动。
中时,试样单元基座5被引出到真空腔15的外部。如此,构成试样台引出机构。
的结构称为试样遮蔽罩单元(主体)21。在图2中,作为试样支架23的旋转机构而具备试样支
架旋转环22和试样支架旋转螺钉28。通过使该试样支架旋转螺钉28旋转,能够相对于离子
束的光轴而垂直地使试样支架23旋转。另外,试样支架旋转环22构成为通过转动试样支架
旋转螺钉28而进行旋转,并且通过反转弹簧29的弹簧压力而返回。
机构4由两个部件构成,但也可以由一个部件构成(在实施方式中为了清楚地表示,将试样
遮蔽罩单元与试样遮蔽罩单元微动机构分开而进行说明)。
位置进行微调。试样支架23从下部侧插入到试样支架旋转环22中进行固定。试样3粘接固定
于试样支架23(例如,利用碳膏、白蜡、双面胶带等粘接固定)。利用试样支架位置控制机构
30调整试样支架23的高度方向的位置,使试样支架23紧贴于遮蔽罩2。
固定有试样3的试样支架23安装于试样遮蔽罩单元21内的状态,图3(b)表示将固定有试样3
的试样支架23从试样遮蔽罩单元21拆卸的状态。
述在显微镜下进行微调。此时,以使试样3的截面从遮蔽罩稍微突出、例如突出50μm左右的
方式转动遮蔽罩微调机构26进行设定。
向件11从真空腔15被引出。随着该操作,在试样单元基座5设有试样遮蔽罩单元21的试样遮
蔽罩单元微动机构4、即遮蔽罩2、试样支架23、试样3从真空腔15一体地被引出。
动机构4引出到真空腔15的外部,则设有试样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4成
为能够从试样单元基座5装卸的状态(试样遮蔽罩单元21的装卸待机)。
所周知的放大镜12、放大镜微动机构13。而且,光学显微镜40具备用于配备拆卸于观测台41
上的设有试样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4的固定台42。而且,设有试样遮蔽
罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4,利用固定台42上的定位用的轴和孔,设置在具有再
现性的确定的位置。
定于固定台42上的状态之后,利用使用图8说明的方法,将试样的要进行截面研磨的部位与
离子束中心(图8中的“+”)对齐。
放大镜的中心,通过用放大镜微动机构13驱动X2、Y2而对齐。由此,离子束中心与光学显微
镜的中心成为一对一对应的关系。此外,该位置调整是在清洗处理的时刻进行。然后将用于
对齐位置的感光纸、铜箔等从试样支架23拆卸,将设有搭载试样3之后的试样遮蔽罩单元21
的试样遮蔽罩单元微动机构4设置在固定台42。通过调整试样遮蔽罩单元微动机构4的X3、
Y3方向的位置而使要进行截面研磨的部位与放大镜中心对齐,从而能够使离子束中心与要
进行截面研磨的部位对齐。如此,当调整遮蔽罩2与试样3的遮蔽位置关系时,设有试样遮蔽
罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4从试样单元基座5拆卸并安装在光学显微镜40的固
定台42,遮蔽罩2相对于试样3的遮蔽位置关系利用遮蔽罩位置调整部(遮蔽罩微调机构)进
行调整。
截面的表面进行镜面研磨。
遮蔽罩2。
显微镜40的固定台42,调整遮蔽罩相对于试样3的遮蔽位置关系,在离子铣削时,使设有试
样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4返回真空腔15内,并安装在试样单元基座5,
其中,该试样遮蔽罩单元21具备调整了相对于试样的遮蔽位置关系的遮蔽罩2。
侧面的凸缘10;设置在凸缘10的试样台8;从试样台8延伸设置的试样单元基座5;搭载在试
样单元基座5的试样遮蔽罩单元微动机构4以及试样遮蔽罩单元21;设置在真空腔15的前面
的试样台8;设置在试样与加工观察窗7之间的快门101;以及真空排气系统6。试样遮蔽罩单
元21具有遮蔽罩2,并且载置试样3。
(在有重力的环境下,与重力场朝向的方向相反的方向),离子源1设置在箱的侧方壁面(与
箱的上方的面邻接的面,与重力场朝向的方向垂直的方向)。即,加工观察窗7设置在真空腔
的壁面。此外,在加工观察窗用的开口,除了设置能够真空密封的窗之外,还能够设置光学
显微镜(包括观察窗)、电子显微镜。
于在搭载有试样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4设有遮蔽罩单元固定部52。另
外,试样支架23的固定方法与图2的结构不同。即,试样支架23从下部侧向试样支架旋转环
22(将环分割成一半的形状)插入试样支架23的键部231,利用螺钉固定(参照图11(b))。通
过采用这种固定方法,能够从加工观察窗7观察试样3的加工面。
4的试样的部件)的旋转体9。旋转体9作为支撑试样保持部件的支撑台发挥功能。试样单元
基座5由旋转体9、齿轮50和轴承51构成。试样遮蔽罩单元微动机构4使试样遮蔽罩单元微动
机构4的固定面(后面)与试样单元基座5的旋转体9上表面接触,并从遮蔽罩单元固定部52
进行螺钉固定而搭载。试样单元基座5不旋转倾斜,而是利用搭载于试样单元基座5的旋转
体9,相对于从真空腔15侧面方向照射的离子束的光轴能够以任意的角度旋转倾斜,旋转倾
斜的方向和倾斜角度利用试样台8进行控制。
5的旋转体9旋转倾斜,能够将设置于试样遮蔽罩单元微动机构4上的试样3相对于离子束的
光轴设定为预定的角度。而且,使试样单元基座5的旋转体9的旋转轴与试样上表面(遮蔽罩
下表面)的位置一致,制作效率良好的平滑的加工面。
部52,而是使用试样遮蔽罩单元微动机构4的下表面的方法。图14与图6的不同点是,将调整
离子束中心与放大镜中心的放大镜微动机构13在固定台42侧进行。该放大镜微动机构13可
以使用本例或者图6的例中的任一个。除此以外,进行与图6的例子同样的作业。
的旋转倾斜机构设有旋转功能,且设有具有与离子束轴垂直的方向的旋转倾斜轴的倾斜机
构。该旋转倾斜机构利用马达55的旋转力并经由轴以及齿轮50而使旋转体9(图15中未图
示)旋转。通过如此,能够实现将倾斜角设为90度时的离子束轴与试样遮蔽罩单元微动机构
4的旋转轴错开的偏心机构。此外,如图16所示,也可以是使用轴接头的方式。但是,在使用
轴接头的情况下,优选如图16所示设置在旋转倾斜部内,偏心机构(Y轴方向的移动)设置在
试样单元基座5的旋转体9的下部。
时,进行平面铣削(将与离子束轴垂直的面(试样台的倾斜角度90度时)平滑地进行加工)。
铣削意味着对宽度比离子束宽度更宽的试样上的区域实施加工。另外,多点铣削意味着对
试样上的多个部位实施加工(尤其,在本实施方式中自动加工多个部位)。
在真空腔内使试样遮蔽罩单元21滑动移动。滑动移动的方向与遮蔽罩2的边缘优选设为平
行的关系。而且,优选是即使进行该滑动移动,旋转倾斜轴的位置也不移动的构造(关于理
由,将在后面参照图25至27进行叙述)。为了实现这种离子铣削装置,优选以下的结构。此
外,在本实施方式中,对于将作为X轴方向的驱动源的马达设置在真空腔内(马达驱动时)的
情况进行说明,但也可以设置在腔外。
单元微动机构4的X方向的驱动源设为马达,能够实现在真空腔15内的X方向的驱动。
轴方向的驱动轴设有X齿轮71。另外,在试样遮蔽罩单元微动机构4的下表面侧设置马达单
元72。马达单元72由马达、M齿轮73以及罩等构成,在马达的旋转轴组装有M齿轮73(也可以
不直接安装在马达的旋转轴。经由多级齿轮的最终级(与X齿轮71接触)齿轮)。试样遮蔽罩
单元微动机构4与马达单元72可以是一体型、分离型中的任一种,在此作为分离型进行说
明。在分离型中,即使拆卸马达单元72,也能够进行一般的截面铣削(基于手动的调整方
法)。
71与马达单元72的M齿轮73接触。从而,若马达开始旋转,则经由M齿轮73,X齿轮71旋转,试
样遮蔽罩单元微动机构4的X轴方向的驱动轴旋转。因此,试样3(固定在试样遮蔽罩单元21
的试样3)开始沿X轴方向移动(滑动)。通过设为以上的结构,能够实现进行滑动的同时旋转
倾斜轴不移动的离子铣削装置。此外,在图10、图12等所示的离子铣削装置中,该滑动铣削
支架70配置在旋转体9的上部。另外,在图1所示的离子铣削装置中,滑动铣削支架70配置在
试样单元基座5之上。
单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4与马达单元72进行了组合的滑动铣削支架70的离子铣
削的操作方法(从试样3设置于试样遮蔽罩单元21的状态开始的操作)进行说明。此外,马达
驱动用的电源是从离子铣削装置100的主体控制单元103经由马达用电缆(外)74、马达用电
缆(内)75来供给。
的马达单元连接。
置(例如原点)移动。
的滑动铣削支架70向目的位置(想要加工的位置)移动(X轴方向:图8的X3),并且按下设置
于控制箱80等上的确定按钮。向该X轴方向的移动通过马达驱动来进行。此外,X轴移动以外
的调整,与基于图8的说明的操作方法相同。若进行了向X轴方向的移动,则控制单元103获
取目的位置的信息(与使滑动铣削支架70移动至目的位置所需的按下箭头按钮的次数对应
的脉冲数的信息)。也可以将目的位置用数值(例如距离)设定。在该情况下,例如、所设定的
数值(距离)换算成脉冲数。
卸。控制单元103检测马达用电缆(外)74被拆卸的情况。
离子铣削装置结构的情况)之上。而且,用户将从控制单元103延伸的马达用电缆(内)75,经
由真空腔侧驱动器104而与滑动铣削支架70的马达单元72连接。控制单元103检测在马达用
电缆(内)75连接了滑动铣削支架70的马达单元72的情况。
架70的滑动往复驱动(参照图24),能够获得宽区域的加工面。(滑动往复驱动的范围是在光
学显微镜40下设定的位置之间。)此外,滑动往复驱动可以是连续、断续中的任一种。此外,
作为断续驱动的例子,可以考虑在加工10秒后、滑动0.1mm→···→加工10秒后、滑动
0.1mm,输入停止(加工)时间和滑动距离等。
对使用了设有试样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4的离子铣削的操作方法(从
试样3设置在试样遮蔽罩单元21的状态开始的操作)进行说明。
驱动单元(包括马达)。因此,无需使滑动铣削支架70其自身在真空腔15与光学显微镜40之
间移动。从而,在该情况下,使设有试样遮蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4在真空
腔15以及光学显微镜40之间来回即可,此时不需要插入电缆。在图36所示的加工位置设定
处理过程中,代替图19的步骤1901、步骤1905、以及步骤1906,执行步骤3601、步骤3602、以
及步骤3603。以下,仅说明与图19不同的步骤3601至3603。
延伸的马达用电缆(外)74。因此,与图19的步骤1901不同,不需要马达电缆(外)的连接工序
(只将试样遮蔽罩单元微动机构4搭载在光学显微镜40即可)。
样遮蔽罩单元微动机构4的情况,光学显微镜40中的位置对齐结束。
控制单元103经由真空腔侧驱动器104延伸的马达用电缆(内)75。因此,与图19的步骤1906
不同,不需要马达电缆(内)的连接工序(只将试样遮蔽罩单元微动机构4搭载在真空腔15即
可)。此时,控制单元103检测在真空腔15的驱动单元搭载了试样遮蔽罩单元微动机构4的情
况。
域铣削的加工区域设定方法的具体例的图。
76(左方向)、右按钮77(右方向)),设定如图21所示想要进行加工的区域(加工范围2101)的
两端E1以及E2(按下图20中的设定按钮78)。
在操作部81(或者、控制箱80(在该情况下,除了图20的按钮之外,追加能够输入加工区域的
数值的功能)上输入加工区域的数值,例如设定距离中心±2mm的范围,能够加工设定范围
(滑动往复驱动)(参照图24)。宽区域铣削的加工区域通过设置成如图23的操作画面那样能
够选择加工的两端位置、加工的中心位置的任一个,能够实现操作性的提高。加工区域的设
定无论使用“两端位置的设定”进行,还是使用“中心位置的设定”进行,加工处理(铣削)动
作相同。
加工面2402(参照图24(a))。
2402的右端移动到左端的期间,离子束2401照射到试样3。
工位置始终相同。因此,即使使试样3往复倾斜的同时,进行滑动驱动,也难以产生对试样室
内的机构部(离子源1、离子束测定体等)的干涉。从而,滑动范围的限制也少。
下的滑动移动动作以及往复倾斜动作的范围的图。图27是表示在旋转体9之上设置滑动移
动机构(滑动铣削支架70)的情况下的滑动移动动作以及往复倾斜动作的范围的图。
当然进行往复倾斜动作2503的试样遮蔽罩单元21不与离子束测定体2501以及离子源1干
涉。
另外,试样遮蔽罩单元21中,旋转倾斜轴2502滑动移动(滑动方向2601恒定)的同时进行往
复倾斜动作2503。从而,根据旋转倾斜轴2502的位置,试样遮蔽罩单元21与离子束测定体
2501、离子源1干涉(干涉部位2602),无法获得足够宽的加工宽度的可能性高。
此,虽然滑动方向2701根据往复倾斜动作2503的倾斜角度而发生变化,但是试样遮蔽罩单
元21不会由于滑动移动动作以及往复倾斜动作而与离子束测定体2501、离子源1干涉。因
此,能够采用较大的滑动移动时的滑动宽度,能够获得宽的加工宽度。此外,若用图26的结
构进行多点铣削,则在对远离离子束轴的位置进行加工的情况下,旋转倾斜轴2502的位置
如上所述发生变化,因此还存在铣削轮廓不正常(铣削轮廓成为左右非对称)的问题。
蔽罩单元21)移动(按下左按钮76(左方向)、右按钮77(右方向))。更具体而言、如图28所示
(加工部位为两个部位的情况),设定想要进行加工的多个位置P1以及P2(按下设定按钮
78)。此外,在进行多点铣削的情况下,优选以成为遮蔽罩2的边缘与滑动移动的方向平行的
关系的方式预先进行固定。
电缆(内)75与滑动铣削支架70连接。
电压,射出离子束,开始加工(同时进行往复倾斜)。
加工位置2904(滑动驱动方向2903),开始加工。在选择了第三个部位以后的选择的情况下,
进行与上述同样的处理。通过采用以上的加工方法,能够进行多点铣削(多个部位的自动加
工)。
第一部位的加工位置2901(第一加工面3001)加工1小时(第一次)→向第二部位的加工位置
2904(第二加工面3002)移动,加工1小时(第一次)→再次向第一部位的加工位置2901(第一
加工面3001)移动,加工1小时(第二次)→向第二部位的加工位置2904(第二加工面3002)移
动,加工1小时(第二次)→再次向第一部位的加工位置2901(第一加工面3001)移动,加工1
小时(第三次)→向第二部位的加工位置2904(第二加工面3002)移动,加工1小时(第三次),
结束加工处理(图30(b)的情况)。此外,在图30(c)、图30(d)的情况下也同样。在上述加工方
法的情况下,一次的加工时间短,因此加工面的再沉积量大幅度降低。另外,产生于加工面
的再沉积在下一次加工时被削掉,因此能够获得良好的截面。上述加工方法的设定,通过将
一个部位的加工时间分割成几次,或者输入所分割的时间来进行。
加工面3002),用一次的加工(例如、加工时间3小时)完成第二部位的加工位置2904(第二加
工面3002)中的加工。然后,再次移动到第一部位的加工位置2901(第一加工面3001),完成
第一部位的加工位置2901(第一加工面3001)中的加工。若如此进行,则能够使在第一部位
的加工位置2901(第一加工面3001)中的加工时间变得非常短,因此能够使在第二部位的加
工位置2904(第二加工面3002)中的再沉积3003的产生非常少。
2904(第二加工面3002),用一次的加工(例如、加工时间3小时)完成。然后,再次移动到第一
部位的加工位置2901(第一加工面3001),以比加工时更弱的加速电压在第一部位的加工位
置2901(第一加工面3001)进行精加工。然后,再次移动到第二部位的加工位置2904(第二加
工面3002),同样进行精加工。如此最后进行精加工,从而即使在加工位置产生了再沉积也
能够去除,能够实行所需的加工。
对试样中的各加工位置进行加工。此时,多个加工位置的至少一部分中的至少一次的铣削
动作交替进行。即,例如图30(b)至(f)所示,在各加工位置,必然一次是交替进行铣削动作。
另外,在多个加工位置的至少一个加工位置中,隔开时间进行多次的铣削动作。即,例如在
图30(b)中,在第一加工位置3001执行第一次的铣削后,在执行第二次的铣削之前,进行第
二加工位置3002中的第一次的铣削。另外,各加工位置中的最终阶段的加工依次进行(参照
图30(b)至(d)、以及(f))。
削装置中,自动进行多个部位(例如、三个部位)的加工,因此能够用一次的处理完成多个部
位的加工。由此,能够容易获得要加工的试样的最佳的加工条件。更具体而言,多点铣削能
够在各个加工位置,设定各自的加工条件(放电电压、加速电压、流量、往复倾斜角度、冷却
温度等)。因此,容易接近最佳条件。例如,将第一部位的加速电压设为2kV、将第二部位的加
速电压设为4kV、将第三部位的加速电压设为6kV,对某个试样进行加工。
能花费过多的时间。
同时,照射离子束)。若确认到想要加工的物体(位置)3103(加工观察用的光学显微镜(设置
在加工观察窗7的上部)、肉眼),则停止加工。然后,如图31(c)所示,以离子束轴与想要加工
的位置一致的方式使试样支架移动(滑动),进行一般的铣削加工。
的图。图34是表示将厚度不同的试样进行加工后转移到观察装置进行观察的状态的图。
若采用该试样固定方法,则在将不同的试样粘接于试样支架23的情况下,若设置厚度不同
的试样,则在遮蔽罩2与试样(厚度薄的一方)之间产生间隙,无法获得平滑的截面。
罩2。当固定遮蔽罩2时,利用基座91右侧的壁,使遮蔽罩2与位置调整台93的接触面成为平
行。遮蔽罩2与位置调整台93(沿着直线导向件移动)的间隙3201的调整是使用千分尺94进
行,在增大间隙3201时,将千分尺94向逆时针方向转动,成为利用弹簧95的压力按压的结
构。在将遮蔽罩2固定于基座91后,转动千分尺94,使位置调整台93与遮蔽罩2接触。存储此
时的千分尺的值(初始值)。
因此能够调整为任意的值。在确定了间隙3201的距离之后,在使试样3如图32(c)所示与位
置调整台接触的同时,确定固定位置,使试样3与遮蔽罩2直接粘接(使试样3的离子束照射
侧的面与遮蔽罩2接触。)。若如此使试样粘接,则间隙3201的距离成为突出量3301和等号。
而且,能够将试样3直接固定在遮蔽罩,因此能够将厚度不同的试样排列多个并进行固定。
虽然未图示,但能够使试样3的突出量3301分别不同(参照图33)。
遮蔽罩单元21)。通过采用以上的固定方法和多点铣削(关于试样遮蔽罩单元微动机构4的
X、Y(图8的X3、Y3(但是X3是马达驱动))的调整已经在前面叙述,因此省略),能够将多个试
样用一次的铣削处理进行。
罩2用固定螺钉106固定的结构,能够容易将固定有试样3的遮蔽罩2固定在试样设置台105。
此,能够将固定有试样3的遮蔽罩2容易地设置在观察装置,进行观察。试样设置台105的内
螺纹部3401的位置优选设为如下,以观察时容易找到加工面的方式,在外螺纹部3402的中
心轴上配置加工面。
蔽罩单元21的试样遮蔽罩单元微动机构4设为一体型的情况下,通过将光学显微镜40搭载
在装置侧,也能够进行同样的加工。此外,在该情况下,没有马达用电缆(外)74以及、马达用
电缆(内)75和滑动铣削支架70的插拔作业,但进行位置的调整等作业的空间有可能受到限
制。
遮蔽罩单元21等设为共用,并且设置对在离子铣削加工时使用的离子源、与观察加工面时
使用的电子枪进行切换的机构。当进行离子铣削加工时,加工部位的信息(位置信息)保持
在控制单元103,因此该信息还能够在观察装置中利用,具有观察时的位置对齐等的控制变
得容易的优点。另外,能够省去将加工后的试样从离子铣削装置取出、而且设置在观察装置
的麻烦,因此能够提高从加工至观察为止的生产量。
外,多点铣削加工能够在完成截面铣削(离子束照射中往复倾斜动作)后,滑动到预先设定
的加工位置(可以是多个),在该位置进一步进行截面铣削处理。由此,能够自动进行在多个
位置的加工,能够实现生产量的提高。
样滑动移动机构的滑动移动的方向垂直的轴使试样保持部旋转倾斜的旋转机构。在该情况
下,优选在旋转机构的上部配置滑动移动机构(马达驱动)(即使在进行了滑动动作的情况
下,往复倾斜(旋转)轴也不移动的机构),旋转机构的旋转轴的位置不移动。另外,旋转机构
的旋转轴优选位于离子束的轨道上。而且,滑动移动机构优选在与旋转机构的旋转轴垂直
的平面内使试样滑动移动。由此,在进行离子束的照射的同时,不仅使试样进行往复倾斜动
作(一般的截面铣削),而且还能进行往复的滑动动作(以比离子束宽度更宽的宽度进行滑
动动作)。利用该加工方法,用一次的处理获得所需的加工宽度(宽区域铣削)。宽区域铣削
的加工宽度不受离子束宽度的限制,因此能够获得宽范围的加工面(观察面)。
铣削(多点铣削)。多点铣削能够用一次的处理进行多个部位的截面铣削,因此能够实现生
产量的提高。
构;以及控制部。该控制部基于关于试样的加工内容而输入的加工信息,控制试样滑动移动
机构,能够进行将试样加工成比离子束的宽度更宽的宽区域的宽区域铣削、及/或对试样的
多个部位进行加工的多点铣削。通过如此,利用一个离子铣削装置,能够自动执行宽区域铣
削和多点铣削。另外,还能够组合执行宽区域铣削和多点铣削。
用户接口部;以及基于对用户接口部的选择输入,控制对试样的铣削动作的控制部。由此,
用户通过选择宽区域铣削和多点铣削中的一种,或者组合两种,能够有效地执行所需的铣
削动作。
铣削和多点铣削。
以及加工宽度、以及对试样的多个部位进行加工的多点铣削的多个加工位置。然后,宽区域
铣削的加工位置及加工宽度的信息、以及多点铣削的多个加工位置的信息发送到控制铣削
动作的控制部。而且,从光学显微镜拆卸试样,将该试样设置在离子铣削装置。控制部基于
宽区域铣削的加工位置及加工宽度的信息、以及多点铣削的多个加工位置的信息,控制离
子铣削装置中的铣削动作。通过以上的动作,执行宽区域铣削和多点铣削。通过如此,能够
自动且用一次的处理有效地执行宽区域铣削和多点铣削。此外,在仅执行宽区域铣削、或者
多点铣削的情况下也是同样的过程。
定的铣削动作的次数,加工试样的上述多个加工位置。此时,多个加工位置的至少一部分中
的至少一次的铣削动作交替进行,且在多个加工位置的至少一个加工位置隔开时间而进行
多次的铣削动作。在隔开时间进行铣削动作的情况下,在其隔开的时间,进行其他加工位置
中的铣削动作。由此,能够使有可能在各加工位置产生的再沉积变得非常少。
非常少。
部位沿试样的深度方向进行铣削。通过如此,能够用宽区域铣削有效地找到难以找到的部
位,之后重点地铣削该部位。由此,能够提高生产量。
置。然后,从试样遮蔽罩侧对试样照射离子束,执行对试样的多个部位进行加工的多点铣
削,分别加工多个试样。在该情况下,多个试样中也可以包括试样的厚度与其他试样不同的
试样。通过如此,能够将厚度不同的试样用一次的处理进行铣削加工。另外,能够避免由于
试样的厚度不同而在试样与遮蔽罩之间产生间隙,且离子束绕进间隙中从而产生再沉积的
危险性。
13 放大镜微动机构、15 真空腔、21 试样遮蔽罩单元、22 试样支架旋转环、23 试样支架、
25 遮蔽罩支架、26 遮蔽罩微调机构、27 遮蔽罩固定螺钉、28 试样支架旋转螺钉、29 反转
弹簧、30 试样支架位置控制机构、35 试样支架固定零件、40 光学显微镜、41 观测台、42
固定台、50 齿轮、51 轴承、52 遮蔽罩单元固定部、53 轴接头、54 直动设备、55 马达、60
试样台引出机构、70 滑动铣削支架、71 X齿轮、72 马达单元、73 M齿轮、74 马达用电缆
(外)、75马达用电缆(内)、76 左按钮、77 右按钮、78 设定按钮、80 控制箱、81 操作部、90
突出量调整夹具、91 基座、92 固定螺钉、93 位置调整台、94 千分尺、95 弹簧、100 离子铣
削装置、101 快门、102 光学显微镜侧驱动器、103 控制单元104 真空腔侧驱动器、105 试
样设置台、106 固定螺钉、107 试样固定台、2101 加工范围、2401 离子束、2402加工面、
2403 滑动范围、2501 离子束测定体、2502 旋转倾斜轴、2503往复倾斜动作、2601 滑动方
向、2602 干涉部位、2701 滑动方向、2901第一部位的加工位置、2902 加工面、2903 滑动驱
动方向、2904 第二部位的加工位置、3001 第一加工面3001、3002 第二加工位置、3003 再
沉积、3101 离子束、3102 加工面、3103 想要加工的物体、3201 间隙、3301突出量、3401 内
螺纹部、3402 外螺纹部、3501 马达单元、3502 马达单元