一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，低温缓冲层、三维成核层和二维恢复层依次层叠在衬底上，未掺杂氮化镓层的第一表面铺设在二维恢复层上，未掺杂氮化镓的第二表面设有多个凹坑，每个凹坑呈倒圆锥状，多个凹坑间隔分布在未掺杂氮化镓层的第二表面上；N型半导体层的第一表面铺设在多个凹坑内和未掺杂氮化镓层的第二表面上，N型半导体层的第二表面为平面，有源层和P型半导体层依次层叠在N型半导体层的第二表面上，第二表面为与第一表面相反的表面。本发明可提高LED的发光效率。