一种应用于通信终端的天线系统及通信终端

摘要

本申请公开一种应用于通信终端的天线系统及通信终端。该天线系统包括：第一金属体、第二金属体、第一匹配电路和第二匹配电路。第一金属体在通信终端内部，第二金属体在通信终端外部；若第二金属体的辐射功率不小于预设阈值，第一金属体电磁耦合激发第二金属体，第一金属体和第二金属体辐射电磁信号；若第二金属体的辐射功率小于预设阈值，第二金属体通过第二匹配电路与参考地连接或短接其他金属体，第一金属体辐射电磁信号。通过本方案，在第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，通过第二金属体与第一金属体辐射电磁信号，在第二金属体辐射功率小于预设阈值时，只通过第一金属体辐射电磁信号，避免出现信号衰减效应，提高电磁信号的辐射功率。

权利要求

1.一种应用于通信终端的天线系统，其特征在于，包括：第一金属体、第二金属体、第一匹配电路和第二匹配电路；

其中，所述第一金属体设置在通信终端内部；

所述第一金属体通过所述第一匹配电路与所述通信终端中的信号源相连接；

当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，通过调整所述第一匹配电路的阻抗，由所述第一金属体电磁耦合激发所述第二金属体，并通过所述第一金属体和第二金属体辐射电磁信号；

当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第二金属体通过所述第二匹配电路与参考地连接或短接其他金属体，并通过调整所述第一匹配电路的阻抗，使所述第一金属体辐射电磁信号；

其中，所述通信终端中内置有参考地，所述第二金属体为所述通信终端中未与所述参考地相连接的金属外壳部分；

或者，所述第二金属体为设置在所述通信终端的外壳上的金属器件组。

2.根据权利要求1所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述金属器件组包括一个金属体或多个串联的金属体。

3.根据权利要求1所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述第一匹配电路包括：第一开关、第一匹配器件组和第二匹配器件组；

其中，所述第一开关的第一端与所述信号源和所述第一金属体相连接；

当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，所述第一开关的第二端与所述第一匹配器件组相连接；

当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第一开关的第二端与所述第二匹配器件组相连接。

4.根据权利要求3所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述第一匹配器件组包括：至少一个电容、或至少一个电感或电容与电感的组合；

所述第二匹配器件组包括：至少一个电容、或至少一个电感或电容与电感的组合。

5.根据权利要求3所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述第一匹配电路还包括：适配子电路；

所述适配子电路设置在所述第一开关与所述信号源之间，用于增强第一匹配电路的稳定性。

6.根据权利要求1所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述第二匹配电路包括：第二开关；

其中，所述第二开关的第一端与所述第二金属体相连接；

当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，所述第二开关的第二端悬空；

当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第二开关的第二端与参考地连接或短接其他金属体。

7.根据权利要求1所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述其他金属体为设置在所述通信终端中的金属短路点；

或者，若所述通信终端的金属外壳被切割，所述其他金属体为所述通信终端的金属外壳中未与所述第二金属体相连接，并且未与参考地相连接的部分。

8.根据权利要求1所述的应用于通信终端的天线系统，其特征在于，所述第一匹配电路和第二匹配电路分别与所述通信终端中的处理芯片相连接；

所述处理芯片用于调整所述第一匹配电路和第二匹配电路的连接关系。

9.一种通信终端，其特征在于，包括：如权利要求1至8任一项所述的应用于通信终端的天线系统。

说明书

一种应用于通信终端的天线系统及通信终端

技术领域

[0001] 本申请涉及终端设备技术领域，尤其涉及一种应用于通信终端的天线系统及通信终端。

背景技术

[0002] 随着智能终端技术的发展，消费者对手机等通信终端的依赖越来越大，相应的，通信终端能够承载的通信功能日益增多。目前的通信终端由以前简单的2G通话，发展到现在已经能够兼容3G、4G、wifi(WIreless-Fidelity，无线保真)和GPS(Global Positioning System，全球定位系统)等通信业务，甚至还能够支持NFC(Near Field Communication，近距离无线通信技术)和FM(Frequency Modulation，频率调制)等通信功能，这种情况下，通信终端的天线需要承载的频段也越来越宽。与此同时，基于消费者的个性需求，全金属外观的通信终端以其独特的手感和外观，广受消费者青睐，成为通信终端外观设计的趋势。

[0003] 但是，通信终端在通过内置天线传输电磁信号时，全金属外壳会对内置天线具有较强的屏蔽性，造成电磁信号衰减。为了解决这一问题，现有技术中，通常将金属外壳切割，将金属外壳的一部分作为天线的辐射体，以提高天线的辐射功率。然而，有些情况下，该金属外壳部分的辐射功率会下降，例如，在人手持通信终端的场景下，往往不可避免的触摸到作为辐射体的金属外壳部分，导致该金属外壳部分的辐射功率急速下降，这种情况下，与未将金属外壳的一部分作为天线的辐射体的方案相比，该方案往往会导致通信终端出现更强的信号衰减效应，通信终端整体的辐射功率会比仅利用内置天线时的辐射功率更低。

[0004] 为了解决这一技术问题，目前有些技术方案中在通信终端内部安装两个天线，两个天线分别设置在通信终端的上下两端。当通信终端一端的天线在传输电磁信号时，出现较强的信号衰减效应，则通过切换，使另一端的天线传输电磁信号，以避免信号衰减效应的影响。

[0005] 但是，发明人在本申请的研究过程中发现，在某些应用场景下，通信终端的两端均会出现信号衰减效应，例如，消费者双手握住通信终端，或者，在打电话时，通信终端上下两端的天线分别被人手或人头接触，因此，会导致通信终端中安装的两个天线均被影响，从而使通信终端出现信号衰减，影响电磁信号的辐射功率。

发明内容

[0006] 为了解决通信终端受到信号衰减效应影响，辐射功率较低的问题，本申请实施例公开一种应用于通信终端的天线系统及通信终端。

[0007] 在本申请的第一方面，公开一种应用于通信终端的天线系统，包括：

[0008] 第一金属体、第二金属体、第一匹配电路和第二匹配电路；

[0009] 其中，所述第一金属体设置在通信终端内部，所述第二金属体设置在所述通信终端外部；

[0010] 所述第一金属体通过所述第一匹配电路与所述通信终端中的信号源相连接；

[0011] 当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，通过调整所述第一匹配电路的阻抗，由所述第一金属体电磁耦合激发所述第二金属体，并通过所述第一金属体和第二金属体辐射电磁信号；

[0012] 当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第二金属体通过所述第二匹配电路与参考地连接或短接其他金属体，并通过调整所述第一匹配电路的阻抗，使所述第一金属体辐射电磁信号。

[0013] 可选的，所述通信终端中内置有参考地；

[0014] 所述第二金属体为所述通信终端中未与所述参考地相连接的金属外壳部分。

[0015] 可选的，所述第二金属体为设置在所述通信终端的外壳上的金属器件组；

[0016] 所述金属器件组包括一个金属体或多个串联的金属体。

[0017] 可选的，所述第一匹配电路包括：第一开关、第一匹配器件组和第二匹配器件组；

[0018] 其中，所述第一开关的第一端与所述信号源和所述第一金属体相连接；

[0019] 当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，所述第一开关的第二端与所述第一匹配器件组相连接；

[0020] 当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第一开关的第二端与所述第二匹配器件组相连接。

[0021] 可选的，所述第一匹配器件组包括：至少一个电容、或至少一个电感或电容与电感的组合；

[0022] 所述第二匹配器件组包括：至少一个电容、或至少一个电感或电容与电感的组合。

[0023] 可选的，所述第一匹配电路还包括：

[0024] 适配子电路；

[0025] 所述适配子电路设置在所述第一开关与所述信号源之间，用于增强第一匹配电路的稳定性。

[0026] 可选的，所述第二匹配电路包括：第二开关；

[0027] 其中，所述第二开关的第一端与所述第二金属体相连接；

[0028] 当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，所述第二开关的第二端悬空；

[0029] 当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第二开关的第二端与参考地连接或短接其他金属体。

[0030] 可选的，所述其他金属体为设置在所述通信终端中的金属短路点；

[0031] 或者，若所述通信终端的金属外壳被切割，所述其他金属体为所述通信终端的金属外壳中未与所述第二金属体相连接，并且未与参考地相连接的部分。

[0032] 可选的，所述第一匹配电路和第二匹配电路分别与所述通信终端中的处理芯片相连接；

[0033] 所述处理芯片用于调整所述第一匹配电路和第二匹配电路的连接关系。

[0034] 在本申请的第二方面，公开一种通信终端，包括：

[0035] 如本申请的第一方面所述的应用于通信终端的天线系统。

[0036] 本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统及通信终端中，若第二金属体的辐射功率不小于预设阈值，则表明第二金属体当前的辐射功率较高，这种情况下，通过第一金属体与第二金属体辐射电磁信号，能够保障较高的辐射效率。另外，若第二金属体的辐射功率小于预设阈值，则表明第二金属体当前的辐射功率较低，若利用该第二金属体辐射电磁信号，往往会出现信号衰减效应，这种情况下，则只通过第一金属体辐射电磁信号，从而避免出现信号衰减效应。因此，通过本申请实施例公开的方案，能够避免出现信号衰减效应，保障了电磁信号的辐射功率。

附图说明

[0037] 图1为本申请实施例公开的一种应用于通信终端的天线系统的结构示意图；

[0038] 图2为本申请实施例公开的一种应用图1所示的天线系统的通信终端的结构示意图；

[0039] 图3为本申请实施例公开的又一种应用于通信终端的天线系统的结构示意图；

[0040] 图4为本申请实施例公开的又一种应用于通信终端的天线系统的结构示意图；

[0041] 图5为本申请实施例公开的又一种应用于通信终端的天线系统的结构示意图。

具体实施方式

[0042] 本申请实施例涉及终端设备技术领域，公开一种应用于通信终端的天线系统及通信终端，用于解决通信终端受到信号衰减效应影响，辐射功率较低的问题。

[0043] 本申请第一实施例公开一种应用于通信终端的天线系统。其中，应用有该天线系统的通信终端具有通信功能，能够支持多种类型的通信业务。

[0044] 参见图1所示的结构示意图，本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统包括：第一金属体100、第二金属体200、第一匹配电路300和第二匹配电路400。另外，在所述通信终端中，还设置有信号源500。

[0045] 其中，所述第一金属体100设置在通信终端内部，所述第二金属体200设置在所述通信终端外部。

[0046] 所述第一金属体100可以为该通信终端的第一金属体，另外，所述第一金属体100还可以为设置在通信终端内部并且独立与第一金属体的一个金属体，本申请实施例对此不做限定。

[0047] 所述第一金属体100通过所述第一匹配电路300与通信终端中的信号源500相连接。

[0048] 该信号源用于根据通信终端当前的工作需求，发射相应频段的电磁信号。例如，若通信终端在进行3G通信业务时，所述信号源500会产生3G通信业务所需频段的电磁信号。

[0049] 另外，在本申请实施例中，所述第一金属体100与第一匹配电路300相连接，所述第一匹配电路300与信号源500相连接，从而使第一金属体100通过第一匹配电路300与通信终端中的信号源500相连接。

[0050] 当所述第二金属体200的辐射功率不小于预设阈值时，通过调整所述第一匹配电路300的阻抗，由所述第一金属体100电磁耦合激发所述第二金属体200，并通过所述第一金属体100和第二金属体200辐射电磁信号。

[0051] 当第二金属体200的辐射功率不小于预设阈值时，表明第二金属体200当前的辐射功率较大，这种情况下，通过目第二金属体200传输电磁波信号，不会出现信号衰减效应。

[0052] 通过调整第一匹配电路300的阻抗，能够使第一金属体100符合作为初级辐射体的条件，并电磁耦合激发第二金属体200。这种情况下，第一金属体100与第二金属体200之间形成耦合天线，所述第二金属体200成为次级辐射体。当第一金属体100接收到信号源500发射的电磁信号后，可将该电磁信号传输至第二金属体200，再由第二金属体200将该电磁信号传输出去，从而实现通过第一金属体100和第二金属体200辐射电磁信号。

[0053] 这种情况下，第二金属体的辐射功率不小于预设阈值，因此不会出现信号衰减效应，具备较高的电磁信号辐射功率。

[0054] 当所述第二金属体200的辐射功率小于预设阈值时，所述第二金属体200通过所述第二匹配电路400与参考地连接或短接其他金属体，并通过调整所述第一匹配电路300的阻抗，使所述第一金属体100辐射电磁信号。

[0055] 当所述第二金属体200的辐射功率小于预设阈值时，若通过第二金属体200辐射电磁信号，则会出现信号衰减效应，影响电磁信号的辐射功率。这种情况下，第二金属体200通过所述第二匹配电路400与参考地连接，或短接其他金属体，从而能够调整第二金属体200的自谐振频段，使该第二金属体200的自谐振频段远离通信终端当前的工作频段，不再与第一金属体100构成耦合天线，因此，第二金属体200不再作为次级辐射体，即不再用于传输电磁信号。信号源500产生电磁信号之后，仅由第一金属体100辐射电磁信号。

[0056] 其中，通常第二金属体200与第二匹配电路400的一端相连接，当第二金属体200被接触时，所述第二匹配电路400的另一端用于与参考地连接过短接其他金属体，从而使第二金属体200通过所述第二匹配电路400与参考地连接或短接其他金属体。

[0057] 并且，对第一匹配电路300的阻抗进行调节，能够使第一金属体100的频段调整为通信终端当前的工作频段，并且使第一金属体100作为天线辐射体，辐射所述信号源500所产生的电磁信号。

[0058] 这种情况下，由于第二金属体200的辐射功率小于预设阈值，若由第二金属体200辐射电磁信号，则会出现信号衰减，导致电磁信号的辐射功率下降，并且辐射功率下降的程度会导致通信终端的辐射功率比只使用第一金属体时的辐射功率更低。因此，不再通过第二金属体200传输电磁信号，而只通过通信终端中的第一金属体传输电磁信号。

[0059] 根据上述描述，可知本申请实施例公开一种应用于通信终端的天线系统，该天线系统包括：设置在通信终端内部的第一金属体、设置在所述通信终端外部的第二金属体、第一匹配电路和第二匹配电路。其中，第一金属体通过所述第一匹配电路与通信终端中的信号源相连接，当所述第二金属体的辐射功率不小于预设阈值时，通过调整所述第一匹配电路的阻抗，由所述第一金属体电磁耦合激发所述第二金属体，这种情况下，第一金属体与第二金属体成为耦合天线，通过第一金属体与第二金属体辐射电磁信号。当所述第二金属体的辐射功率小于预设阈值时，所述第二金属体通过所述第二匹配电路与参考地连接或短接其他金属体，从而不再起到天线辐射体的作用，而是由第一金属体辐射电磁信号，避免信号衰减效应，具备较高的电磁信号辐射功率。

[0060] 本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统及通信终端中，若第二金属体的辐射功率不小于预设阈值，则表明第二金属体当前的辐射功率较高，这种情况下，通过第一金属体与第二金属体辐射电磁信号，能够保障较高的辐射效率。另外，若第二金属体的辐射功率小于预设阈值，则表明第二金属体当前的辐射功率较低，若利用该第二金属体辐射电磁信号，往往会出现信号衰减效应，这种情况下，则只通过第一金属体辐射电磁信号，从而避免出现信号衰减效应。因此，通过本申请实施例公开的方案，能够避免出现信号衰减效应，保障了电磁信号的辐射功率。

[0061] 另外，在本申请实施例中，根据第二金属体的辐射功率与预设阈值的比较结果确定是否由第二金属体辐射电磁信号。其中，第二金属体的辐射功率可能会受到多种因素的影响。例如，若第二金属体的性能损坏，第二金属体被浸入液体中，或者第二金属体被用户接触，均可能导致第二金属体的辐射功率不小于预设阈值。

[0062] 其中，所述预设阈值的具体数值可通过多次试验获取。例如，在第二金属体性能良好，以及第二金属体在自由空间(即第二金属体未被浸入液体，以及未被用户接触)的情况下，获取第二金属体的辐射功率，可将该辐射功率作为预设阈值。

[0063] 进一步的，在本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统中，所述第二金属体可以为多种形式。

[0064] 在其中一种形式中，所述通信终端中内置有参考地，所述第二金属体为所述通信终端中未与所述参考地相连接的金属外壳部分。

[0065] 本申请实施例中的通信终端的外壳通常为金属外壳，另外，在通信终端中通常包括射频和基带等相关器件的参考地(例如通信终端中设置的合金板)，或者，在通信终端中额外设置参考接地点，将该参考接地点作为参考地。这种情况下，通信终端的金属外壳一部分与通信终端的参考地相连接，另一部分未与该参考地相连接。本申请实施例所公开的应用于通信终端的天线系统中，第二金属体200即为通信终端的金属外壳中未与参考地相连接的部分。

[0066] 在图1中，通信终端的金属外壳分为两个部分，其中一部分与参考地相连接，另一部分(即图1中的阴影部分)未与参考地相连接，为第二金属体200。

[0067] 进一步的，参见图2所示的结构示意图，应用本申请实施例公开的天线系统的通信终端中，通常设置有合金板11，该合金板11通常与通信终端中的电路板相连接，作为通信终端的参考地。

[0068] 在图2中，阴影部分即为合金板11，周围边框部分即为通信终端的金属外壳。其中，第二金属体为未与合金板相连接的金属外壳部分，在图2中以编号12表示，也就是说，第二金属体并未与参考地相连接。

[0069] 另外，在图2中的空白部分为天线净空区域13，第一金属体、第一匹配电路和第二匹配电路通常被设置在天线净空区域13中。

[0070] 在另外一种形式中，所述第二金属体为设置在所述通信终端的外壳上的金属器件组，所述金属器件组包括一个金属体或多个串联的金属体。

[0071] 该种形式中，第二金属体可以是设置在通信终端的外壳上的一个金属体，或者，还可以是设置在通信终端的外壳上，且相互之间串联的多个金属体。

[0072] 进一步的，这种形式下，该金属器件组中除了金属体以外，还可以包括其他电路器件，本申请对此不做限定。

[0073] 另外，在本申请实施例中，第一金属体可以为通信终端中的内置天线，该内置天线可以为多种形式的天线，例如，所述第一金属体可以为悬空的形式，另外，所述第一金属体还可以为具备一个或多个接地点的单极天线、PIFA天线或环形天线等，本申请实施例对此不作限定。

[0074] 参见图3所示的结构示意图，本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统中，所述第一匹配电路300包括：第一开关310、第一匹配器件组320和第二匹配器件组330。

[0075] 其中，所述第一开关310的第一端与所述信号源500和所述第一金属体100相连接。

[0076] 当所述第二金属体200的辐射功率不小于预设阈值时，所述第一开关310的第二端与所述第一匹配器件组320相连接。

[0077] 当所述第二金属体200的辐射功率小于预设阈值时，所述第一开关310的第二端与所述第二匹配器件组320相连接。这种情况下，通过调整第一匹配电路300中的第一开关310，能够与第一匹配器件组320或与第二匹配器件组330相连接。其中，第一匹配器件组320和第二匹配器件组330的阻抗值不同，通过切换第一开关310与第一匹配器件组320或与第二匹配器件组330的连接关系，能够使第一金属体100的工作频段发生改变。

[0078] 具体的，若所述第二金属体200的辐射功率不小于预设阈值，所述第一开关310的第二端与所述第一匹配器件组320相连接时，所述第一金属体100的工作频段为耦合激发第二金属体200的频段，从而使第一金属体100和第二金属体200辐射电磁信号，其中第一金属体100为初级辐射体，第二金属体200为次级辐射体。

[0079] 若第二金属体200的辐射功率小于预设阈值，所述第一开关310的第二端与所述第二匹配器件组330相连接时，所述第一金属体100的工作频段为作为独立的天线辐射体的频段，这种情况下，第二金属体200不再作为辐射体，而只是通过第一金属体100辐射电磁信号。

[0080] 另外，第一匹配器件组和第二匹配器件组可以为多种形式的电路器件。在其中一种可行的方式中，所述第一匹配器件组包括：至少一个电容、或至少一个电感或电容与电感的组合；所述第二匹配器件组包括：至少一个电容、或至少一个电感或电容与电感的组合。并且，第一匹配器件组和第二匹配器件组通常一端用于与第一开关相连接，而另一端接地。

[0081] 进一步的，参见图3所示的结构示意图，在本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统中，所述第一匹配电路还包括：适配子电路。所述适配子电路设置在所述第一开关与所述信号源之间，用于增强第一匹配电路的稳定性。

[0082] 其中，所述适配子电路可以为多种形式，在其中一种形式中，参见图3，所述适配子电路包括第一电阻340和第二电阻350。所述第一电阻340的第一端与所述第一开关310的第一端相连接，所述第一电阻340的第二端与所述信号源500相连接；所述第二电阻350的第一端分别与所述第一电阻340的第二端，以及所述信号源500相连接，所述第二电阻350的第二端接地。

[0083] 这种情况下，第一电阻340和第二电阻350形成L型电路，能够提高第一匹配电路的稳定性。

[0084] 进一步的，参见图4所示的结构示意图，在本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统中，所述第二匹配电路400包括：第二开关410。

[0085] 其中，所述第二开关410的第一端与所述第二金属体200相连接。

[0086] 当所述第二金属体200的辐射功率不小于预设阈值时，所述第二开关410的第二端悬空。其中，所述第二开关410的第二端可以直接悬空，另外，所述第二开关410的第二端可以与电路器件(如电阻)相连接，并通过该电路器件悬空。

[0087] 当所述第二金属体200的辐射功率小于预设阈值时，所述第二开关410的第二端与参考地连接或短接其他金属体。

[0088] 在本申请实施例中，若第二金属体200的辐射功率不小于预设阈值，所述第二开关410的第二端悬空，这种情况下，第一金属体100电磁耦合激发第二金属体200，第一金属体
100为初级辐射体，第二金属体200为次级辐射体，第一金属体100和第二金属体200共同辐射电磁信号。

[0089] 另外，若第二金属体200的辐射功率小于预设阈值，所述第二开关410的第二端与所述参考地相连接，或与其他金属体相连接，以破坏第二金属体在通信终端工作频段的自谐振频率，这种情况下，第二金属体200不再作为天线辐射体，不再用于辐射电磁信号。

[0090] 为了提高第二匹配电路的稳定性，在第二开关410的第二端与参考地或其他金属体之间，还可以设置电路器件(如电阻等)。

[0091] 在本申请实施例公开的应用于移动终端通信终端的天线系统中，其他金属体可以为多种形式。

[0092] 在其中一种形式中，所述其他金属体为设置在所述通信终端中的金属短路点。或者，在另外一种形式中，若所述通信终端的金属外壳被切割，所述其他金属体为所述通信终端的金属外壳中未与所述第二金属体相连接，并且未与参考地相连接的部分。

[0093] 某些移动终端通信终端的金属外壳被切割，例如，在图2所示的结构示意图中，所述金属外壳被切割为四部分。这种情况下，参见图5所示的结构示意图，第二金属体可为移动终端通信终端的金属外壳中的左下部分，则该第二金属体右侧的部分未与所述第二金属体相连接，并且未与参考地相连接，因此，该第二金属体右侧的部分即可为所述其他金属体。

[0094] 进一步的，在本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统中，所述第一金属体、第一匹配电路和第二匹配电路均被设置在所述通信终端中的同一个天线净空区域内。

[0095] 其中，第一金属体与第二金属体之间，可以为多种设置关系。在其中一种设置关系中，所述第一金属体与所述第二金属体设置在所述天线净空区域的同一侧。例如，在图1中，所述第一金属体100设置在天线净空区域的左下侧，相应的，该第二金属体200为金属外壳的左下部分。

[0096] 这种情况下，由于第一金属体与第二金属体设置在天线净空区域的同一侧，则第一金属体与第二金属体的距离较为接近，从而能够提高第二金属体的辐射功率。

[0097] 当然，所述第一金属体与第二金属体之间的设置关系还可以为其他形式，本申请实施例对此不做限定。例如，第一金属体设置在天线净空区域的左下侧，而第二金属体设置在天线净空区域的右下侧。

[0098] 在本申请实施例公开的应用于通信终端的天线系统中，设置有第一匹配电路和第二匹配电路，并且，根据第二金属体的辐射功率与预设阈值的比较，需要对第一匹配电路和第二匹配电路进行调整。

[0099] 为了满足这一需求，通常情况下，所述第一匹配电路和第二匹配电路分别与所述通信终端中的处理芯片相连接，所述处理芯片用于调整所述第一匹配电路和第二匹配电路的连接关系。也就是说，在本申请实施例中，第一匹配电路和第二匹配电路可由通信终端中内置的处理芯片控制。

[0100] 其中，处理芯片能够通过多种方式确定是否需要调整所述第一匹配电路和第二匹配电路的连接关系。

[0101] 例如，可在通信终端的第二金属体上设置传感器，该传感器能够感应到第二金属体所处的空间，并将感应结果传输至处理芯片，若该传感器感应到第二金属体未处于自由空间(例如第二金属体浸入液体中，或第二金属体被人手接触)，处理芯片接收到该感应结果，即可使第二匹配电路与参考地连接或短接其他金属体，并调整第一匹配电路的阻抗，使第一金属体辐射电磁信号。

[0102] 或者，处理芯片还可以感应信号源产生的电磁信号的辐射功率，当处理芯片感应到该辐射功率突变至较低时，通常确定第二金属体的辐射功率小于预设阈值，使第二匹配电路与参考地连接或短接其他金属体，并调整第一匹配电路的阻抗，使第一金属体辐射电磁信号。

[0103] 当然，处理芯片还可以通过其他方式确定是否调整第一匹配电路和第二匹配电路，本申请实施例对此不作限定。

[0104] 相应的，在本申请另一实施例中，还公开一种通信终端，该通信终端中包括上述各个实施例公开的应用于通信终端的天线系统。

[0105] 其中，该通信终端能够进行通信业务，例如，该通信终端可以为手机和电话手表等，本申请实施例对此不做限定。

[0106] 本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

[0107] 应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。