一种OLED器件的封装结构及封装方法转让专利
申请号 : CN201810378186.2
文献号 : CN108539044B
文献日 : 2020-04-03
发明人 : 张兴永
申请人 : 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
摘要 :
本发明提供的OLED器件的封装结构及封装方法，通过将有机层设置在第一有机加固层和第二有机加固层之间，从而提高OLED器件的水氧阻隔性能；且第一有机加固层和第二有机加固层均包括有机氟化物，该有机氟化物与二氧化硅以化学键结合，从而使有机无机界面结合性优于简单的物理堆叠，进而提高OLED器件的使用寿命。
权利要求 :
1.一种OLED器件的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括至少一组薄膜，所述至少一组薄膜封装在待封装OLED器件上，每组薄膜包括层叠设置在所述待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层；其中，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层中均含有有机氟化物；
当所述第一无机层和第二无机层的材料为氧化硅时，所述第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层，所述第一有机加固层与所述第一无机层通过化学键紧密结合，所述第二有机加固层与所述第二无机层通过化学键紧密结合；
当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层均包括氧化硅层和有机氟化物层；其中，在所述第一有机加固层中，所述氧化硅层为第一氧化硅层，所述有机氟化物层为第一有机氟化物层；在第二有机加固层中，所述氧化硅层为第二氧化硅层，所述有机氟化物层为第二有机氟化物层，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层通过所述氧化硅层和所述有机氟化物层之间的化学键紧密结合。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时，所述第一氧化硅层靠近所述第一无机层设置，所述第一有机氟化物层靠近所述有机层设置。
3.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时，所述第二氧化硅层靠近所述第二无机层设置，所述第二有机氟化物层靠近所述有机层设置。
4.根据权利要求2-3任一项所述的OLED器件的封装结构，其特征在于，所述第一氧化硅层和第二氧化硅层的厚度均介于0.1微米-0.2微米之间，所述第一有机氟化物层和所述第二有机氟化物层的厚度均介于10纳米-30纳米之间。
5.一种OLED器件的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜，每组薄膜包括层叠设置在所述待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层；其中，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层中均含有有机氟化物；
当所述第一无机层和第二无机层的材料为氧化硅时，所述第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层，所述第一有机加固层与所述第一无机层通过化学键紧密结合，所述第二有机加固层与所述第二无机层通过化学键紧密结合；
当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层均包括氧化硅层和有机氟化物层；其中，在所述第一有机加固层中，所述氧化硅层为第一氧化硅层，所述有机氟化物层为第一有机氟化物层；在第二有机加固层中，所述氧化硅层为第二氧化硅层，所述有机氟化物层为第二有机氟化物层，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层通过所述氧化硅层和所述有机氟化物层之间的化学键紧密结合。
说明书 :
一种OLED器件的封装结构及封装方法
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件的封装结构及封装方法。
背景技术
[0002] OLED(Organic Lighting Emitting Diode，有机发光二极管)器件由于其具有自发光、色彩丰富、响应速度块、视角广、重量轻等一系列有点，受到广泛关注。然而，OLED器件中的有机材料容易受到水氧腐蚀导致器件寿命降低，因此对OLED器件进行有效的封装和改造成为了OLED封装领域的研究热点。
[0003] 通常薄膜封装多采用多层膜叠加的结构，以提高水氧阻隔能力，而多层膜中都会有较厚的一层有机层作为应力缓冲和异物包覆层，但有机层的水氧阻隔能力相比无机层较差，因此对于有机层防护越来越引起研究者的关注。
[0004] 目前，OLED器件中的有机材料仍然是降低器件使用寿命的一大问题，在某些有机材料无法用无机材料替代的前提下，对有机材料的防护显得尤为重要。
发明内容
[0005] 本发明提供一种OLED器件的封装结构及封装方法，在某些有机材料无法用无机材料代替的前提下，可以实现对有机材料的防护，进而提高OLED器件的使用寿命。
[0006] 本发明提供的技术方案如下：
[0007] 本发明提供一种OLED器件的封装结构，所述封装结构包括至少一组薄膜，所述至少一组薄膜封装在待封装OLED器件上，每组薄膜包括层叠设置在所述待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层；其中，[0008] 所述第一有机加固层和所述第二有机加固层中均含有有机氟化物。
[0009] 在本发明的OLED器件的封装结构中，所述第一无机层和第二无机层的材料为氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛。
[0010] 在本发明的OLED器件的封装结构中，当所述第一无机层和第二无机层的的材料为氧化硅时，所述第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层。
[0011] 在本发明的OLED器件的封装结构中，当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时，所述第一有机加固层和所述第二有机加固层均包括氧化硅层和有机氟化物层；其中，在所述第一有机加固层中，所述氧化硅层为第一氧化硅层，所述有机氟化物层为第一有机氟化物层；在第二有机加固层中，所述氧化硅层为第二氧化硅层，所述有机氟化物层为第二有机氟化物层。
[0012] 在本发明的OLED器件的封装结构中，所述第一氧化硅层靠近所述第一无机层设置，所述第一有机氟化物层靠近所述有机层设置。
[0013] 在本发明的OLED器件的封装结构中，所述第二氧化硅层靠近所述第二无机层设置，所述第二有机氟化物层靠近所述有机层设置。
[0014] 在本发明的OLED器件的封装结构中，所述氧化硅层的厚度介于0.1微米-0.2微米之间，所述有机氟化物层的厚度介于10纳米-30纳米之间。
[0015] 本发明还提供一种OLED器件的封装方法，所述封装方法包括：
[0016] 在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜；其中，每组薄膜包括层叠设置在所述待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层。
[0017] 在本发明的OLED器件的封装方法中，当所述第一无机层和第二无机层的的材料为氧化硅时，所述第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层，所述在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜的步骤包括：
[0018] 在待封装OLED器件上依次形成第一无机层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二无机层。
[0019] 在本发明的OLED器件的封装方法中，其特征在于，当所述第一无机层和第二无机层的的材料不为氧化硅时，所述第一有机加固层和第二有机加固层均均包括氧化硅层和有机氟化物层，所述在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜的步骤包括：
[0020] 在待封装OLED器件上依次形成第一无机层、第一氧化硅层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二氧化硅层、第二无机层。
[0021] 本发明的有益效果为：本发明提供的OLED器件的封装结构及封装方法，通过将有机层设置在第一有机加固层和第二有机加固层之间，从而提高OLED器件的水氧阻隔性能；且第一有机加固层和第二有机加固层均包括有机氟化物，该有机氟化物与二氧化硅以化学键结合，从而使有机无机界面结合性优于简单的物理堆叠，进而提高OLED器件的使用寿命。
附图说明
[0022] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023] 图1为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的结构示意图；
[0024] 图2为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的另一结构示意图；
[0025] 图3为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的流程示意图；
[0026] 图4为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的另一流程示意图；
[0027] 图5为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的另一流程示意图。
具体实施方式
[0028] 以上对本发明实施例提供的液晶显示组件进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0029] 请参阅图1，图1为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供一种OLED器件的封装结构，该封装结构包括至少一组薄膜；其中，该至少一组薄膜封装在待封装OLED器件101上，每组薄膜包括层叠设置在待封装OLED器件101上的第一无机层102、第一有机加固层103、有机层104、第二有机加固层105、第二无机层
106。
106。
[0030] 其中，第一有机加固层103和第二有机加固层105中均含有有机氟化物。需要说明的是，本发明实施例中的第一有机加固层103和第二有机加固层105中含有的有机氟化物，其具有耐高温和低表面能的优点，且其表面能低至16mN/m，是目前有机材料中表面能较低的一种材料，且该有机材料能和氧化硅通过化学键紧密结合，有利于改善有机无机界面性和有机材料的防水氧性。
[0031] 在本发明实施例中，第一无机层103和第二无机层105的材料可以为氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛，通过氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛等用于增加阻水氧功能的无机功能材料，使得该OLED器件的封装结构具有较强的阻水氧功能，进而提高OLED器件的寿命。
[0032] 进一步的，当第一无机层103和第二无机层105的材料为氧化硅时，第一有机加固层103和第二有机加固层105均为有机氟化物层。也即，第一有机加固层103和第二有机加固层105通过自身的性能，改善该OLED器件的封装结构；另外，该第一有机加固层103可以与第一无机层102通过化学键紧密结合，同样，该第二有机加固层105可以与第二无机层106通过化学键紧密结合。
[0033] 请参阅图2，图2为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的另一结构示意图。如图2所示，当第一无机层102和第二无机层106的材料不为氧化硅时，第一有机加固层103和第二有机加固层105均包括氧化硅层和有机氟化物层1032；其中，在第一有机加固层103中，该氧化硅层为第一氧化硅层1031，该有机氟化物层为第一有机氟化物层1032；在第二有机加固层105中，该氧化硅层为第二氧化硅层1051，该有机氟化物层为第二有机氟化物层
1052。需要说明的是，第一氧化硅层1031和第二氧化硅层1051的材料均为氧化硅，第一有机氟化物层1051和第二有机氟化物层1052的材料均为有机氟化物。也即，第一有机加固层103和第二有机加固层105通过自身的性能，改善该OLED器件的封装结构；另外，该第一有机加固层103和第二有机加固层105中可以通过氧化硅层和有机氟化物层之间的化学键精密结合。
1052。需要说明的是，第一氧化硅层1031和第二氧化硅层1051的材料均为氧化硅，第一有机氟化物层1051和第二有机氟化物层1052的材料均为有机氟化物。也即，第一有机加固层103和第二有机加固层105通过自身的性能，改善该OLED器件的封装结构；另外，该第一有机加固层103和第二有机加固层105中可以通过氧化硅层和有机氟化物层之间的化学键精密结合。
[0034] 其中，在第一有机加固层103中，氧化硅层靠近第一无机层设置，有机氟化物层靠近有机层设置；也即，第一氧化硅层1031靠近第一无机层102设置，第一有机氟化物层1032靠近有机层104设置。在第二有机加固层105中，氧化硅层靠近第二无机层设置，有机氟化物层靠近有机层设置；也即，第二氧化硅层1051靠近第二无机层106设置，第二有机氟化物层1052靠近有机层104设置。也即，在该OLED器件的封装结构中，第一无机层102、第一氧化硅层1031、第一有机氟化物层1032、有机层104、第二有机氟化物层1052、第二氧化硅层1051、无机层106依次设置在待封装OLED器件101上。进一步的，第一氧化硅层1031和第二氧化硅层1051的厚度均介于0.1微米-0.2微米之间，第一有机氟化物层1032和第二有机氟化物层
1052的厚度介于10纳米-30纳米之间。
1052的厚度介于10纳米-30纳米之间。
[0035] 本发明提供的OLED器件的封装结构，通过将有机层设置在第一有机加固层和第二有机加固层之间，从而提高OLED器件的水氧阻隔性能；且第一有机加固层和第二有机加固层均包括有机氟化物，该有机氟化物与二氧化硅以化学键结合，从而使有机无机界面结合性优于简单的物理堆叠，进而提高OLED器件的使用寿命。
[0036] 本发明实施例提供的OLED器件的封装方法，该封装方法包括：在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜。其中，每组薄膜包括层叠设置在待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层；第一有机加固层和第二有机加固层中均含有有机氟化物。第一无机层和第二无机层的材料可以为氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛，通过氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氧化铝或氧化钛等用于增加阻水氧功能的无机功能材料，使得该OLED器件的封装结构具有较强的阻水氧功能，进而提高OLED器件的寿命。
[0037] 例如，请参阅图3，图3为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的流程示意图。如图3所示，步骤S1，在待封装OLED器件上形成第一组薄膜；步骤S2，在第一组薄膜上形成第二组薄膜；步骤S3，在第二组薄膜上形成第三组薄膜；……；步骤Sn，在第n-1组薄膜上形成第n组薄膜。需要说明的是，形成薄膜的数量可根据实际需要，再次不做限制。
[0038] 当第一无机层和第二无机层的的材料为氧化硅时，第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层，在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜，包括：在待封装OLED器件上依次形成第一无机层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二无机层。需要说明的是，第一有机氟化物层和第二有机氟化物层的材料均为有机氟化物。
[0039] 例如，请参阅图4，图4为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的另一流程示意图。如图4所示，步骤S1，在待封装OLED器件上形成依次形成第一无机层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二无机层；步骤S2，在第一组薄膜上依次形成第一无机层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二无机层；步骤S3，在第二组薄膜上依次形成第一无机层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二无机层；……；步骤Sn，在第n-1组薄膜上依次形成第一无机层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二无机层。需要说明的是，形成薄膜的数量可根据实际需要，再次不做限制。
[0040] 当第一无机层和第二无机层的的材料不为氧化硅时，第一有机加固层和第二有机加固层均包括氧化硅层和有机氟化物层，在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜，包括：在待封装OLED器件上依次形成第一无机层、第一氧化硅层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二氧化硅层、第二无机层。
[0041] 例如，请参阅图5，图5为本发明实施例提供的OLED器件的封装结构的另一流程示意图。如图5所示，步骤S1，在待封装OLED器件上依次形成第一无机层、第一氧化硅层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二氧化硅层、第二无机层；步骤S2，在第一组薄膜上依次形成第一无机层、第一氧化硅层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二氧化硅层、第二无机层；步骤S3，在第二组薄膜上依次形成第一无机层、第一氧化硅层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二氧化硅层、第二无机层；……；步骤Sn，在第n-1组薄膜上依次形成第一无机层、第一氧化硅层、第一有机氟化物层、有机层、第二有机氟化物层、第二氧化硅层、第二无机层。需要说明的是，形成薄膜的数量可根据实际需要，再次不做限制。
[0042] 需要说明的是，本发明实施例提供的OLED器件的封装方法形成的封装结构与上述实施例提及的OLED器件的封装结构一致，本发明实施例提供的OLED器件的封装方法形成的封装结构可参照以上所述，在此不做赘述。
[0043] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。