本发明公开了一种单晶硅片制绒方法，依次包括以下步骤：在粗抛槽中去除损伤层及硅片表面脏污；在预清洗槽中预清洗；在第一漂洗槽中第一次漂洗；在制绒槽中制绒；在第二漂洗槽中第二次漂洗；在碱洗槽中碱洗；在第三漂洗槽中第三次漂洗；在酸洗槽中酸洗；在第四漂洗槽中第四次漂洗；在慢提拉槽中预脱水；在烘干槽中烘干；第一漂洗槽和慢提拉槽中均添加常温水，且慢提拉槽中的常温水通过泵输送至第一漂洗槽中。本发明一种单晶硅片制绒方法，改变慢提拉和第一漂洗的水温，将现有技术中的热水改进为常温冷水，并将慢提拉槽中的水持续地泵入第一漂洗槽，使得使用快速制绒添加剂制绒后硅片外观得到改善，同时节省了成本，提高了产能。
1.一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：依次包括以下步骤：在粗抛槽中去除损伤层及硅片表面脏污；在预清洗槽中进行预清洗；在第一漂洗槽中进行第一次漂洗且浸泡时间为
90±10s；在制绒槽中进行制绒；在第二漂洗槽中进行第二次漂洗；在碱洗槽中进行碱洗；在第三漂洗槽中进行第三次漂洗；在酸洗槽中进行酸洗；在第四漂洗槽中进行第四次漂洗；在慢提拉槽中进行预脱水；在烘干槽中进行烘干；
所述的第一漂洗槽和慢提拉槽中均添加常温水，且慢提拉槽中的常温水通过泵输送至所述的第一漂洗槽中。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的常温水的温度为
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的粗抛槽中添加水和KOH溶液，所述水首次添加量为218±10L，之后每轮添加5000±500mL，所述KOH溶液首次添加量为5±0.5L，之后每轮添加250±20mL，粗抛槽中温度为75±5℃，硅片在粗抛槽中浸泡时间120±10s。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的预清洗槽中添加水、KOH溶液和H2O2溶液，所述水首次添加量为215±10L，之后每轮添加100±10mL，所述KOH溶液首次添加量为5±0.5L，之后每轮添加120±10mL，所述H2O2溶液首次添加量为10±1L，之后每轮添加1200±100mL，预清洗槽中温度为65±5℃，硅片在预清洗槽中浸泡时间120±
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的制绒槽中添加水、KOH溶液和制绒添加剂，所述水首次添加量为200-250L，之后每轮添加6000±100mL，所述KOH溶液首次添加量为6-10L，之后每轮添加750±50mL，所述制绒添加剂首次添加量为1-
3L，之后每轮添加100±10mL，制绒槽中温度为70-90℃，硅片在制绒槽中浸泡时间360-
6.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的碱洗槽中添加水、KOH溶液和H2O2溶液，所述水首次添加量为205±10L，之后每轮添加100±10mL，所述KOH溶液首次添加量为3±0.3L，之后每轮添加50±5mL，所述H2O2溶液首次添加量为12±1L，之后每轮添加700±50mL，碱洗槽中温度为65±5℃，硅片在碱洗槽中浸泡时间120±10s。
7.根据权利要求1所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的酸洗洗槽中添加水、HF溶液和HCl溶液，所述水首次添加量为115±10L，所述HF溶液首次添加量为15±1L，之后每轮添加50±5mL，所述HCl溶液首次添加量为15±1L，之后每轮添加300±10mL，酸洗槽中温度为65±5℃，硅片在酸洗槽中浸泡时间150±10s。
8.根据权利要求3-6中任一项所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的KOH溶液浓度为大于等于45%。
9.根据权利要求4或6所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的H2O2溶液浓度为31%±1%。
10.根据权利要求7中任一项所述的一种单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述的HF溶液浓度为49%±0.5%，所述的HCl溶液浓度为37%±1%。
一种单晶硅片制绒方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种单晶硅片制绒方法，属于太阳能电池制备技术领域。
背景技术
[0002] 随着我国光伏产业的快速发展，未来市场对电池的要求将越来越高，高效电池将成为主角，而掌握高效电池生产技术的企业将拥有市场主动权，这也是为什么各大光伏企业都开始争相布局高效电池。在此情形之下，单晶电池市场前景向好。但需要看清的是，虽然单晶电池的市场机遇已经出现，但成本还是相对较高，未来的发展仍然需要技术支撑。目前单晶制绒工艺流程存在以下的缺点：工艺时间长，产能低；采用新型快速制绒添加剂，虽然可以提高产能，但是绒面外观较差，容易造成大量返工。为了确保硅片快速制绒后外观无异常，现有技术主要采用增加工艺槽的补液量和缩短工艺槽的寿命，其所带来的弊端是成本高，产能低。
发明内容
[0003] 为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种单晶硅片制绒方法，能够在提高产能的基础上，改善硅片制绒后外观。
[0004] 为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种单晶硅片制绒方法，依次包括以下步骤：在粗抛槽中进行去除损伤层及硅片表面脏污；在预清洗槽中进行预清洗；在第一漂洗槽中进行第一次漂洗；在制绒槽中进行制绒；在第二漂洗槽中进行第二次漂洗；在碱洗槽中进行碱洗；在第三漂洗槽中进行第三次漂洗；在酸洗槽中进行酸洗；在第四漂洗槽中进行第四次漂洗；在慢提拉槽中进行预脱水；在烘干槽中进行烘干；第一漂洗槽和慢提拉槽中均添加常温水，且慢提拉槽中的常温水通过泵输送至第一漂洗槽中。
[0005] 进一步地，常温水的温度为15℃-20℃。
[0006] 进一步地，粗抛槽中添加水和KOH溶液，水首次添加量为218±10L，之后每轮添加5000±500mL，KOH溶液首次添加量为5±0.5L，之后每轮添加250±20mL，粗抛槽中温度为75±5℃，硅片在粗抛槽中浸泡时间120±10s。
[0007] 进一步地，预清洗槽中添加水、KOH溶液和H2O2溶液，水首次添加量为215±10L，之后每轮添加100±10mL，KOH溶液首次添加量为5±0.5L，之后每轮添加120±10mL，H2O2溶液首次添加量为10±1L，之后每轮添加1200±100mL，预清洗槽中温度为65±5℃，硅片在预清洗槽中浸泡时间120±10s。
[0008] 进一步地，制绒槽中添加水、KOH溶液和制绒添加剂，水首次添加量为200-250L，之后每轮添加6000±500mL，KOH溶液首次添加量为6-10L，之后每轮添加750±50mL，制绒添加剂首次添加量为1-3L，之后每轮添加100±10mL，制绒槽中温度为70-90℃，硅片在制绒槽中浸泡时间360-600s。
[0009] 进一步地，碱洗槽中添加水、KOH溶液和H2O2溶液，水首次添加量为205±10L，之后每轮添加100±10mL，KOH溶液首次添加量为3±0.3L，之后每轮添加50±5mL，H2O2溶液首次添加量为12±1L，之后每轮添加700±50mL，碱洗槽中温度为65±5℃，硅片在碱洗槽中浸泡时间120±10s。
[0010] 进一步地，酸洗洗槽中添加水、HF溶液和HCl溶液，水首次添加量为115±10L，KOH溶液首次添加量为15±1L，之后每轮添加50±5mL，HCl溶液首次添加量为15±1L，之后每轮添加300±10mL，酸洗槽中温度为65±5℃，硅片在酸洗槽中浸泡时间150±10s。
[0011] 更进一步地，KOH溶液浓度为大于等于45%。
[0012] 更进一步地，H2O2溶液浓度为31%±1%。
[0013] 更进一步地，HF溶液浓度为49%±0.5%，HCl溶液浓度为37%±1%。
[0014] 通过采用上述技术方案，本发明一种单晶硅片制绒方法，改变慢提拉和第一漂洗的水温，将现有技术中的热水改进为常温冷水，并将慢提拉槽中的水持续地泵入第一漂洗槽，使得快速制绒后硅片外观得到改善，同时节省了成本，提高了产能。
附图说明
[0015] 附图1为本发明一种单晶硅片制绒方法的步骤示意图。
具体实施方式
[0016] 下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解。
[0017] 参考附图1，本实施例中的一种单晶硅片制绒方法，依次包括以下步骤：
[0018] 粗抛：在粗抛槽中进行去除损伤层及硅片表面脏污。粗抛槽中添加水和KOH溶液，水首次添加量为218±10L，之后每轮添加5000±500mL，KOH溶液首次添加量为5±0.5L，之后每轮添加250±20mL，粗抛槽中温度为75±5℃，硅片在粗抛槽中浸泡时间120±10s。
[0019] 预清洗：在预清洗槽中进行预清洗。预清洗槽中添加水、KOH溶液和H2O2溶液，水首次添加量为215±10L，之后每轮添加100±10mL，KOH溶液首次添加量为5±0.5L，之后每轮添加120±10mL，H2O2溶液首次添加量为10±1L，之后每轮添加1200±100mL，预清洗槽中温度为65±5℃，硅片在预清洗槽中浸泡时间120±10s。
[0020] 漂洗：在第一漂洗槽中进行第一次漂洗。第一漂洗槽中为常温水，硅片在第一漂洗槽中浸泡时间为90±10s。
[0021] 制绒：在制绒槽中进行制绒。制绒槽中添加水、KOH溶液和制绒添加剂，水首次添加量为200-250L，之后每轮添加6000±500mL，KOH溶液首次添加量为6-8L，之后每轮添加750±50mL，制绒添加剂首次添加量为1-3L，之后每轮添加100±10mL，制绒槽中温度为70-90℃，硅片在制绒槽中浸泡时间360-600s。
[0022] 漂洗：在第二漂洗槽中进行第二次漂洗。第二漂洗槽中为常温水，硅片在第二漂洗槽中浸泡时间为100±10s。
[0023] 碱洗：在碱洗槽中进行碱洗。碱洗槽中添加水、KOH溶液和H2O2溶液，水首次添加量为205±10L，之后每轮添加100±10mL，KOH溶液首次添加量为3±0.3L，之后每轮添加50±5mL，H2O2溶液首次添加量为12±1L，之后每轮添加700±50mL，碱洗槽中温度为65±5℃，硅片在碱洗槽中浸泡时间120±10s。
[0024] 漂洗：在第三漂洗槽中进行第三次漂洗。第三漂洗槽中为常温水，硅片在第三漂洗槽中浸泡时间为120±10s。
[0025] 酸洗：在酸洗槽中进行酸洗。酸洗洗槽中添加水、HF溶液和HCl溶液，水首次添加量为115±10L，KOH溶液首次添加量为15±1L，之后每轮添加50±5mL，HCl溶液首次添加量为15±1L，之后每轮添加300±10mL，酸洗槽中温度为65±5℃，硅片在酸洗槽中浸泡时间150±10s。
[0026] 漂洗：在第四漂洗槽中进行第四次漂洗。第四漂洗槽中为常温水，硅片在第四漂洗槽中浸泡时间为150±10s。
[0027] 慢提拉：在慢提拉槽中进行预脱水。慢提拉槽中为常温水，硅片在慢提拉槽中浸泡时间为60±5s。
[0028] 烘干：在烘干槽中进行烘干。烘干温度为85±5℃，烘干时间为500±50s。
[0029] 上述的慢提拉槽中的常温水每轮不间断的添加，其溢出的多余水则通过泵持续地输送至第一漂洗槽中。
[0030] 上述的常温水的温度为15℃-20℃。
[0031] 上述的化学品，KOH溶液浓度为大于等于45%。H2O2溶液浓度为31%±1%。F溶液浓度为49%±0.5%，HCl溶液浓度为37%±1%。制绒添加剂为市面上所销售的成品，用于控制反应速率及形成均匀金字塔结构。
[0032] 本发明涉及一种单晶硅片制绒方法，使得快速制绒后硅片外观得到改善，同时节省了成本，提高了产能。
[0033] 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
