一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，多量子阱层包括交替层叠的n个量子阱和(n+1)个量子垒，每个量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层和第五子层为N型掺杂的氮化镓层，第二子层和第四子层为没有掺杂的氮化镓层，第三子层为没有掺杂的氮化铝层；(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐层减少，(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐层减少。本发明可提高LED的发光效率。

权利要求

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层包括n个量子阱和(n+1)个量子垒，所述n个量子阱和所述(n+1)个量子垒交替层叠设置，其特征在于，每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层和所述第五子层为N型掺杂的氮化镓层，所述第二子层和所述第四子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第三子层为没有掺杂的氮化铝层；所述(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，所述(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，与同一个所述量子阱相邻的第一子层和第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度相同。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，相邻两个所述量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度之间的差值相等。

4.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，最靠近所述N型半导体层的量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度小于或等于所述N型半导体层中N型掺杂剂的掺杂浓度。

5.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述(n+1)个量子垒的第一子层中电子的浓度为1017cm-3～1019cm-3，所述(n+1)个量子垒的第二子层中电子的浓度为0，所述(n+1)个量子垒的第三子层中电子的浓度为0，所述(n+1)个量子垒的第四子层中电子的浓度为0，所述(n+1)个量子垒的第五子层中电子的浓度为1017cm-3～1019cm-3。

6.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，各个所述第三子层的厚度为各自所在的量子垒的厚度的1/32～1/8。

7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，同一个所述量子垒的第一子层和第五子层的厚度相等，同一个所述量子垒的第二子层和第四子层的厚度相等。

8.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

其中，所述多量子阱层包括n个量子阱和(n+1)个量子垒，所述n个量子阱和所述(n+1)个量子垒交替层叠设置；每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层和所述第五子层为N型掺杂的氮化镓层，所述第二子层和所述第四子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第三子层为没有掺杂的氮化铝层；所述(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，所述(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，生长所述(n+1)个量子垒的第一子层和第五子层时，N型掺杂剂和镓源的流量比为1:36～1:7。

10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，生长所述(n+1)个量子垒的第三子层时，铝源的流量为10sccm～40sccm。

说明书

一种发光二极管外延片及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

[0002] 发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是利用半导体PN结特性将电能转换为光能的发光器件。LED的光电转换效率远高于白炽灯、荧光灯等传统照明器件，而且具有可靠性高、寿命长等优点，因此广泛应用在照明领域。

[0003] 芯片是LED的核心组件，包括外延片和设置在外延片上的电极。现有的LED外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱(英文：Multiple Quantum Well，简称：MQW)层和P型半导体层。其中，多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置。量子阱为铟镓氮层，量子垒为氮化镓层。N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴注入多量子阱层后，被量子垒限定在量子阱中进行辐射复合发光。

[0004] 在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

[0005] P型半导体层提供的空穴数量较少，而且空穴的迁移比电子困难，因此大部分空穴都只迁移到最靠近P型半导体层的一个或多个量子阱中与电子进行复合发光，而最靠近N型半导体层的一个或多个量子阱中基本上没有进行复合发光，严重影响了量子阱的光电转换效率，造成LED的发光效率较低。

发明内容

[0006] 为了解决现有技术量子阱复合分光不均匀，造成LED的发光效率较低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片及其制备方法。所述技术方案如下：

[0007] 一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层包括n个量子阱和(n+1)个量子垒，所述n个量子阱和所述(n+1)个量子垒交替层叠设置，每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层和所述第五子层为N型掺杂的氮化镓层，所述第二子层和所述第四子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第三子层为没有掺杂的氮化铝层；所述(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，所述(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。

[0008] 可选地，与同一个所述量子阱相邻的第一子层和第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度相同。

[0009] 优选地，相邻两个所述量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度之间的差值相等。

[0010] 优选地，最靠近所述N型半导体层的量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度小于或等于所述N型半导体层中N型掺杂剂的掺杂浓度。

[0011] 可选地，所述(n+1)个量子垒的第一子层中电子的浓度为1017cm-3～1019cm-3，所述(n+1)个量子垒的第二子层中电子的浓度为0，所述(n+1)个量子垒的第三子层中电子的浓度为0，所述(n+1)个量子垒的第四子层中电子的浓度为0，所述(n+1)个量子垒的第五子层中电子的浓度为1017cm-3～1019cm-3。

[0012] 可选地，各个所述第三子层的厚度为各自所在的量子垒的厚度的1/32～1/8。

[0013] 优选地，同一个所述量子垒的第一子层和第五子层的厚度相等，同一个所述量子垒的第二子层和第四子层的厚度相等。

[0014] 另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：

[0015] 提供一衬底；

[0016] 在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

[0017] 其中，所述多量子阱层包括n个量子阱和(n+1)个量子垒，所述n个量子阱和所述(n+1)个量子垒交替层叠设置；每个所述量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层和所述第五子层为N型掺杂的氮化镓层，所述第二子层和所述第四子层为没有掺杂的氮化镓层，所述第三子层为没有掺杂的氮化铝层；所述(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，所述(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。

[0018] 可选地，生长所述(n+1)个量子垒的第一子层和第五子层时，N型掺杂剂和镓源的流量比为1:36～1:7。

[0019] 可选地，生长所述(n+1)个量子垒的第三子层时，铝源的流量为10sccm～40sccm。

[0020] 本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

[0021] 通过在量子垒的中间设置没有掺杂的氮化铝层，由于氮化铝的势垒较高，因此一方面可以阻挡电子向P型半导体层迁移，另一方面可以促进空穴向N型半导体层迁移，有利于均匀各个量子阱中进行复合发光的电子和空穴的数量，提高量子阱的光电转换效率，进而提高LED的发光效率。同时量子垒的两侧为N型掺杂的氮化镓层，并且N型掺杂的氮化镓层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿从N型半导体层向P型半导体层的方向逐渐减少，有利于电子的均匀分布，进一步提高量子阱的光电转换效率，最终提高LED的发光效率。

附图说明

[0022] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0023] 图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；

[0024] 图2是本发明实施例提供的多量子阱层的结构示意图；

[0025] 图3是本发明实施例提供的量子垒的结构示意图；

[0026] 图4是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制备方法的流程图。

具体实施方式

[0027] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

[0028] 本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，图1为本发明实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图，参见图1，该发光二极管外延片包括衬底10以及依次层叠在衬底10上的缓冲层20、N型半导体层30、多量子阱层40和P型半导体层50。即形成发光二极管外延片时，先在衬底10上形成缓冲层20，然后在缓冲层20上形成N型半导体层30，再在N型半导体层30上形成多量子阱层40，最后在多量子阱层40上形成P型半导体层50。

[0029] 图2为多量子阱层的结构示意图，参见图2，多量子阱层40包括n个量子阱41和(n+1)个量子垒42，n个量子阱41和(n+1)个量子垒42交替层叠设置。即形成多量子阱层时，先形成一层量子垒42，然后形成一层量子阱41，再形成一层量子垒42，然后形成一层量子阱
41，……，如此循环n次，最后形成一层量子垒。

[0030] 图3为量子垒的结构示意图，参见图3，每个量子垒42包括依次层叠的第一子层42a、第二子层42b、第三子层42c、第四子层42d和第五子层42e，第一子层42a和第五子层42e为N型掺杂的氮化镓层，第二子层42b和第四子层42d为没有掺杂的氮化镓层，第三子层42c为没有掺杂的氮化铝层。即量子垒的中间为没有掺杂的氮化铝层，量子垒的两侧为N型掺杂的氮化镓层，N型掺杂的氮化镓层和没有掺杂的氮化铝层之间为没有掺杂的氮化镓层。

[0031] 在本实施例中，(n+1)个量子垒42的第一子层42a中N型掺杂剂的掺杂浓度沿该发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，(n+1)个量子垒42的第五子层42e中N型掺杂剂的掺杂浓度沿该发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。

[0032] 具体地，3≤n≤10且n为整数，优选n＝6。

[0033] 例如，第一个层叠的量子垒42的第一子层42a中N型掺杂剂的掺杂浓度为a1，第一个层叠的量子垒42的第五子层42e中N型掺杂剂的掺杂浓度为b1，第二个层叠的量子垒42的第一子层42a中N型掺杂剂的掺杂浓度为a2，第二个层叠的量子垒42的第五子层42e中N型掺杂剂的掺杂浓度为b2，第三个层叠的量子垒42的第一子层42a中N型掺杂剂的掺杂浓度为a3，第三个层叠的量子垒42的第五子层42e中N型掺杂剂的掺杂浓度为b3，……，则a1＞a2＞a3……，b1＞b2＞b3……

[0034] 本发明实施例通过在量子垒的中间设置没有掺杂的氮化铝层，由于氮化铝的势垒较高，因此一方面可以阻挡电子向P型半导体层迁移，另一方面可以促进空穴向N型半导体层迁移，有利于均匀各个量子阱中进行复合发光的电子和空穴的数量，提高量子阱的光电转换效率，进而提高LED的发光效率。同时量子垒的两侧为N型掺杂的氮化镓层，并且N型掺杂的氮化镓层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿从N型半导体层向P型半导体层的方向逐渐减少，有利于电子的均匀分布，进一步提高量子阱的光电转换效率，最终提高LED的发光效率。

[0035] 而且N型掺杂的氮化镓层和没有掺杂的氮化铝层之间为没有掺杂的氮化镓层，可以降低量子阱生长形成的缺陷密度。加上氮化铝层可以将形成的纵向缺陷转为横向，从而有效阻挡缺陷延伸，提高LED外延片的晶体质量，并且氮化铝层可以阻挡电子溢流，因此量子垒整体可以改善LED在发光过程中由于温度升高而造成的发光效率降低的问题。

[0036] 可选地，与同一个量子阱41相邻的第一子层42a和第五子层42e中N型掺杂剂的掺杂浓度可以相同，有利于均匀量子阱中电子的浓度。

[0037] 优选地，相邻两个量子垒42的第一子层42a中N型掺杂剂的掺杂浓度之间的差值可以相等，有利于控制量子垒的生长条件，简化生产。

[0038] 优选地，最靠近N型半导体层30的量子垒的第一子层42a中N型掺杂剂的掺杂浓度可以小于或等于N型半导体层30中N型掺杂剂的掺杂浓度，有利于N型半导体层提供的电子迁移到多量子阱层中。

[0039] 可选地，(n+1)个量子垒42的第一子层42a中电子的浓度可以为1017cm-3～1019cm-3，(n+1)个量子垒42的第二子层42b中电子的浓度可以为0，(n+1)个量子垒42的第三子层42c中电子的浓度可以为0，(n+1)个量子垒42的第四子层42d中电子的浓度可以为0，(n+1)个量子垒42的第五子层42e中电子的浓度可以为1017cm-3～1019cm-3。实验证明，在量子垒中电子的浓度在上述范围内时，LED发光效率的提升效果较好。

[0040] 相应地，N型半导体层30中电子的浓度可以为1018cm-3～1019cm-3，以使(n+1)个量子垒的第一子层和第五子层中电子的浓度不超过N型半导体层中电子的浓度。

[0041] 可选地，各个第三子层42c的厚度可以为各自所在的量子垒42的厚度的1/32～1/8。通过采用厚度较薄的氮化铝层，可以避免氮化铝层的厚度太厚而对空穴也造成阻挡。

[0042] 具体地，各个量子垒42的第三子层42c的厚度可以为0.8nm～1.5nm，优选为1nm。实验证明，在氮化铝层的厚度在上述范围内时，LED发光效率的提升效果较好。

[0043] 进一步地，同一个量子垒42的第一子层42a和第五子层42e的厚度可以相等，同一个量子垒42的第二子层42b和四子层42d的厚度可以相等，有利于控制量子垒的生长条件，简化生产。

[0044] 具体地，同一个量子垒42的第一子层42a和第五子层42e的厚度之和可以为2nm～6nm，优选为2nm；同一个量子垒42的第二子层42b、第三子层42c和第四子层42d的厚度之和可以为10nm～20nm，优选为10nm。

[0045] 具体地，衬底10可以为蓝宝石衬底。缓冲层20可以为氮化铝层或者氮化镓层，缓冲层20的厚度可以为20nm～30nm，优选25nm。N型半导体层30可以为N型掺杂的氮化镓层，N型半导体层30的厚度可以为2μm～3μm，优选2.5μm。量子阱可以为铟镓氮层，量子阱的厚度可以为2.8nm～3.8nm，优选3.5nm。P型半导体层50可以为P型掺杂的氮化镓层，P型半导体层50的厚度可以为100nm～400nm，优选200nm。

[0046] 可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括未掺杂氮化镓60，未掺杂氮化镓60设置在缓冲层20和N型半导体层30之间，以缓解N型半导体层和衬底之间的晶格失配。

[0047] 具体地，未掺杂氮化镓层60的厚度可以为1μm～4μm，优选为2μm。

[0048] 可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括电子阻挡层70，电子阻挡层70设置在多量子阱层40和P型半导体层50之间，以有效避免电子溢流。

[0049] 具体地，电子阻挡层70可以为P型掺杂的铝镓氮层，电子阻挡层的厚度可以为100nm～200nm，优选150nm。

[0050] 本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法，适用于制备图1所示的发光二极管外延片。图4为本发明实施例提供的发光二极管外延片的制备方法的流程图，参见图4，该制备方法包括：

[0051] 步骤201：提供一衬底。

[0052] 步骤202：在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。

[0053] 在本实施例中，多量子阱层包括n个量子阱和(n+1)个量子垒，n个量子阱和(n+1)个量子垒交替层叠设置。每个量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，第一子层和第五子层为N型掺杂的氮化镓层，第二子层和第四子层为没有掺杂的氮化镓层，第三子层为没有掺杂的氮化铝层。(n+1)个量子垒的第一子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿该发光二极管外延片的层叠方向逐层减少，(n+1)个量子垒的第五子层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿该发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。

[0054] 本发明实施例通过在量子垒的中间设置没有掺杂的氮化铝层，由于氮化铝的势垒较高，因此一方面可以阻挡电子向P型半导体层迁移，另一方面可以促进空穴向N型半导体层迁移，有利于均匀各个量子阱中进行复合发光的电子和空穴的数量，提高量子阱的光电转换效率，进而提高LED的发光效率。同时量子垒的两侧为N型掺杂的氮化镓层，并且N型掺杂的氮化镓层中N型掺杂剂的掺杂浓度沿从N型半导体层向P型半导体层的方向逐渐减少，有利于电子的均匀分布，进一步提高量子阱的光电转换效率，最终提高LED的发光效率。

[0055] 而且N型掺杂的氮化镓层和没有掺杂的氮化铝层之间为没有掺杂的氮化镓层，可以降低量子阱生长形成的缺陷密度。加上氮化铝层可以将形成的纵向缺陷转为横向，从而有效阻挡缺陷延伸，提高LED外延片的晶体质量，并且氮化铝层可以阻挡电子溢流，因此量子垒整体可以改善LED在发光过程中由于温度升高而造成的发光效率降低的问题。

[0056] 可选地，生长(n+1)个量子垒的第一子层和第五子层时，N型掺杂剂和镓源的流量比可以为1:36～1:7，以达到对电子浓度的要求。

[0057] 优选地，生长(n+1)个量子垒的第一子层和第五子层时，N型掺杂剂的流量可以为10sccm～100sccm。实验证明，在N型掺杂剂的流量在上述范围内时，量子垒中电子的浓度最为符合要求。

[0058] 例如，生长第一个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为100sccm；生长第一个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为70sccm。生长第二个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为70sccm；生长第二个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为40sccm。生长第三个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为40sccm；生长第三个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为10sccm。

[0059] 又如，生长第一个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为100sccm；生长第一个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为90sccm。生长第二个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为90sccm；生长第二个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为80sccm。生长第三个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为80sccm；生长第三个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为70sccm。生长第四个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为70sccm；生长第四个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为60sccm。生长第五个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为60sccm；生长第五个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为50sccm。生长第六个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为50sccm；生长第六个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为40sccm。生长第七个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为40sccm；生长第七个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为30sccm。生长第八个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为30sccm；生长第八个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为20sccm。生长第九个量子垒的第一子层时，N型掺杂剂的流量为
20sccm；生长第九个量子垒的第五子层时，N型掺杂剂的流量为10sccm。

[0060] 相应地，生长N型半导体层时，N型掺杂剂的流量可以为100sccm～140sccm，优选100sccm，以保证生长(n+1)个量子垒的第一子层和第五子层时N型掺杂剂的流量，不超过生长N型半导体层时N型掺杂剂的流量。

[0061] 可选地，生长各个量子垒的第三子层时，铝源的流量可以相等，有利于控制量子垒的生长条件，简化生产。

[0062] 具体地，生长(n+1)个量子垒的第三子层时，铝源的流量可以为10sccm～40sccm。

[0063] 例如，生长(n+1)个量子垒的第三子层时，铝源的流量为25sccm。

[0064] 具体地，缓冲层的生长温度可以为500℃～600℃，优选为550℃；缓冲层的生长压力可以为200torr～400torr，优选为300torr。N型半导体层的生长温度可以为1000℃～1100℃，优选为1050℃；N型半导体层的生长压力可以为100torr～200torr，优选为
150torr。多量子阱层的生长压力可以为150torr～250torr，优选为150torr；量子阱的生长温度可以为750℃～800℃，优选为780℃；第三子层的生长温度可以为900℃～1000℃，优选为950℃；量子垒中除第三子层之外的子层的生长温度可以为800℃～900℃，优选为850℃。
P型半导体层的生长温度可以为940℃～970℃，优选为950℃；P型半导体层的生长压力可以为100torr～300torr，优选为200torr。

[0065] 可选地，该制备方法还可以包括：

[0066] 在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。

[0067] 相应地，N型半导体层生长在未掺杂氮化镓层上。

[0068] 具体地，未掺杂氮化镓层的生长温度可以为1000℃～1100℃，优选为1050℃；未掺杂氮化镓层的生长可以为100torr～200torr，优选为150torr。

[0069] 可选地，该制备方法还可以包括：

[0070] 在多量子阱层上生长电子阻挡层。

[0071] 相应地，电子阻挡层生长在多量子阱层上。

[0072] 具体地，电子阻挡层的生长温度可以为940℃～970℃，优选为950℃；电子阻挡层的生长压力可以为100torr～300torr，优选为200torr。

[0073] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。