一种显示面板的制作方法以及显示面板

摘要

本发明提供的显示面板的制作方法以及显示面板，提供一基板，其中，基板包括显示区和非显示区，在基板上形成光刻胶层，并通过曝光显影工艺在光刻胶层上形成第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域，在形成光刻胶图案的基板上涂敷遮光材料，并对遮光材料进行曝光显影，以在基板的非显示区上形成遮光层，其中，遮光层在第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物。本发明通过这种方法，保留了制程中需要去除的光刻胶材料，提高了材料的利用率，从而减少显示面板的制作流程，提高了生产效率。

权利要求

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区；

在所述基板上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域；

在形成所述光刻胶图案的所述基板上涂敷遮光材料，并对所述遮光材料进行曝光显影，以在所述基板的非显示区上形成遮光层，其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在所述第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物，且所述第一间隔物的高度高于所述第二间隔物的高度。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域，包括：在所述基板上形成光刻胶层，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域。

3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜板包括第一透光区域和第二透光区域，所述第一透光区域在所述光刻胶层上的投影与所述第一光刻胶保留区域重合，所述第二透光区域在所述光刻胶层上的投影与所述第二光刻胶保留区域重合。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一透光区域的透光度为第一预设值，所述第二透光区域的透光度为第二预设值，所述第一预设值小于所述第二预设值。

5.根据权利要求2～4任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶保留区域上的所述光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶保留区域上的所述光刻胶层的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在形成所述光刻胶图案的所述基板上涂敷遮光材料，并对所述遮光材料进行曝光显影，以在所述基板的非显示区上形成遮光层，其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在所述第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物，且所述第一间隔物的高度高于所述第二间隔物的高度，包括：在形成所述光刻胶图案的所述基板上涂敷遮光材料，采用第二掩膜板对所述遮光材料进行曝光，并对曝光后的遮光材料进行显影，以在所述基板的非显示区上形成遮光层，其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在所述第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物，且所述第一间隔物的高度高于所述第二间隔物的高度。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜板包括遮光区域和全透光区域，所述遮光区域在所述基板上的投影与所述非显示区重合，所述全透光区域在所述基板上的投影与所述显示区重合。

8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层的材料为正性光刻胶或负性光刻胶。

9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述遮光材料为黑色遮光树脂。

10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1～9任一项所述的方法制成。

说明书

一种显示面板的制作方法以及显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板的制作方法以及显示面板。

背景技术

[0002] 随着科技的发展和社会的进步，液晶显示器被广泛应用于各行各业。例如，薄膜晶体管液晶显示器因具有轻、薄和小等特点，同时功耗低、无辐射以及制造成本相对较低，目前，在平板显示行业应用较为广泛。

[0003] 显示面板作为薄膜晶体管液晶显示器的主要部件，按结构组成可以分为薄膜晶体阵列基板和彩色滤光片基板，传统的显示面板设计中，在彩色滤光片与像素电极对位时，因为对位不佳容易造成漏光、开口率降低以及面板亮度降低等问题。

[0004] 为了解决由于对位不佳造成的漏光、开口率降低以及面板亮度降低等问题，现有的解决方案是将彩色滤光片整合于阵列基板(Color Filer on Array，COA)结合黑矩阵整合于阵列基板(Black on Array，BOA)的技术，但这种技术在制作流程上较为繁琐，影响了生产效率。

发明内容

[0005] 本发明实施例提供一种显示面板的制作方法和显示面板能够减少制作流程，提高了材料的利用率以及生产效率。

[0006] 本发明提供了一种显示面板的制作方法，包括：

[0007] 提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区；

[0008] 在所述基板上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述光刻胶层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域；

[0009] 在形成所述光刻胶图案的所述基板上涂敷遮光材料，并对所述遮光材料进行曝光显影，以在所述基板的非显示区上形成遮光层，其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在所述第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物，且所述第一间隔物的高度高于所述第二间隔物的高度。

[0010] 根据本发明一优选实施例，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域。

[0011] 根据本发明一优选实施例，所述第一掩膜板包括第一透光区域和第二透光区域，所述第一透光区域在所述光刻胶层上的投影与所述第一光刻胶保留区域重合，所述第二透光区域在所述光刻胶层上的投影与所述第二光刻胶保留区域重合。

[0012] 根据本发明一优选实施例，所述第一透光区域的透光度为第一预设值，所述第二透光区域的透光度为第二预设值，所述第一预设值小于所述第二预设值。

[0013] 根据本发明一优选实施例，所述第一光刻胶保留区域上的所述光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶保留区域上的所述光刻胶层的厚度。

[0014] 根据本发明一优选实施例，采用第二掩膜板对所述遮光材料进行曝光，并对曝光后的遮光材料进行显影，以在所述基板的非显示区上形成遮光层，其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在所述第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物，且所述第一间隔物的高度高于所述第二间隔物的高度。

[0015] 根据本发明一优选实施例，所述第二掩膜板包括遮光区域和全透光区域，所述遮光区域在所述基板上的投影与所述非显示区重合，所述全透光区域在所述基板上的投影与所述显示区重合。

[0016] 根据本发明一优选实施例，所述光刻胶层的材料为正性光刻胶或负性光刻胶。

[0017] 根据本发明一优选实施例，所述遮光材料为黑色遮光树脂。

[0018] 相应的，本发明还提供了一种显示面板，根据本发明任一实例的方法制成。

[0019] 本发明提供的显示面板的制作方法以及显示面板，提供一基板，其中，基板包括显示区和非显示区，在基板上形成光刻胶层，并通过曝光显影工艺在光刻胶层上形成第一光刻胶保留区域和第二光刻胶保留区域，在形成光刻胶图案的基板上涂敷遮光材料，并对遮光材料进行曝光显影，以在基板的非显示区上形成遮光层，其中，遮光层在第一光刻胶保留区域上形成第一间隔物，以及在第二光刻胶保留区域上形成第二间隔物。本发明通过这种方法，保留了制程中需要去除的光刻胶材料，提高了材料的利用率，从而减少显示面板的制作流程，提高了生产效率。

附图说明

[0020] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0021] 图1为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图；

[0022] 图2～5为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的具体步骤示意图；

[0023] 图6为本发明一优选实施例提供的显示面板的截面示意图；

[0024] 图7为本发明一优选实施例提供的显示面板的流程示意图；

[0025] 图8～14为本发明一优选实施例提供的阵列基板的制作方法的具体步骤示意图。

具体实施方式

[0026] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0027] 实施例一、

[0028] 请参阅图1，图1为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。所述方法包括：

[0029] S101、提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区；

[0030] S102、在所述基板上形成光刻胶层，并通过曝光显影工艺在所述光刻胶层上形成光刻胶图案；

[0031] S103、在形成所述光刻胶图案的所述基板上涂敷遮光材料，并对所述遮光材料进行曝光显影，以在所述光刻胶图案上形成间隔物，并且在所述基板的非显示区上形成遮光层。

[0032] 其中，在步骤S101中，如图2所示，提供一基板101，所述基板包括显示区110和非显示区111，例如，该基板101可以为阵列基板，基板101可以包括显示图像的显示区110以及用于间隔或区分不同像素的非显示区111。

[0033] 其中，在步骤S102中，如图3、图4所示，在所述基板101上形成光刻胶层102，并通过曝光显影工艺在所述光刻胶层102上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域104和第二光刻胶保留区域105。

[0034] 其中，在步骤S103中，如图5所示，在形成所述光刻胶图案的所述基板101上涂敷遮光材料106，并对所述遮光材料106进行曝光显影，以在所述基板101的非显示区111上形成遮光层，其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域104上形成第一间隔物107，以及在所述第二光刻胶保留区域105上形成第二间隔物108，且所述第一间隔物107的高度高于所述第二间隔物108的高度。需要说明的是，该第一间隔物107包括第一光刻胶保留区域104和遮光材料106，该第二间隔物108包括第二光刻胶保留区域105和遮光材料106。

[0035] 本发明实施例公开了一种显示面板的制作方法以及显示面板；本发明实施例通过提供一基板101，其中基板101包括显示区110和非显示区111，在基板101上形成光刻胶层102，并对光刻胶层102进行曝光显影，以在非显示区111上形成光刻胶图案，并且在所述光刻胶图案上涂敷遮光材料106，以在基板101的非显示区111内形成第一间隔物107和第二间隔物108，充分利用了制程中的光刻胶材料，提高了材料的利用率，从而减少显示面板的制作流程，提高了生产效率。

[0036] 实施例二、

[0037] 根据实施例一所述的显示面板的制作方法，以下将举例进一步详细说明。

[0038] 本发明实施例将以该显示面板具体集成在薄膜晶体管阵列基板上为例进行说明。

[0039] 请参阅图6，图6为本发明一优选实施例提供的显示面板的截面示意图，以第一间隔物与第二间隔物形成在无机薄膜上为例，包括薄膜晶体管阵列基板21，该阵列基板包括显示区210和非显示区211，其中，阵列基板21上设置有薄膜晶体管22，薄膜晶体管22上设置有色阻23，色阻23上覆盖有无机薄膜24，所述无机薄膜24上设置有第一光刻胶保留区域25以及第二光刻胶保留区域26，所述第一光刻胶保留区域25以及第二光刻胶保留区域26上涂敷有遮光材料29，所述第一光刻胶保留区域25、所述色阻23以及所述无机薄膜24组成第一间隔物27，所述第二光刻胶保留区域26、所述色阻23以及所述无机薄膜24组成第一间隔物28，所述无机薄膜24上还设置有一过孔30。

[0040] 请参阅图7，图7为本发明一优选实施例提供的显示面板的流程示意图，所述方法包括：

[0041] S201、提供一基板，所述基板包括显示区和非显示区；

[0042] S202、在所述基板上形成光刻胶层，采用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成光刻胶图案；

[0043] S203、在形成所述光刻胶图案的所述基板上涂敷遮光材料，采用第二掩膜板对所述遮光材料进行曝光，并对曝光后的遮光材料进行显影，以在所述基板的非显示区上形成遮光层。

[0044] 其中，在步骤S201中，请参阅图8，提供一基板21，该基板21可以为薄膜晶体管阵列基板，例如，该薄膜晶体管阵列基板21可以包括薄膜晶体管22,、色阻23以及无机薄膜24，还可以包括数据线、扫描线、薄膜晶体管以及像素电极等(图中未示出)，该薄膜晶体管阵列基板21包括显示图像的显示区210以及用于间隔或区分不同像素的非显示区211。

[0045] 其中，在步骤S202中，如图9、图10以及图11所示，在基板21上形成光刻胶层40，采用第一掩膜板50对所述光刻胶层40进行曝光，并通过刻蚀工艺对曝光后的光刻胶层40进行刻蚀，以形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶保留区域25和第二光刻胶保留区域26。

[0046] 优选的，所述第一掩膜板50包括第一透光区域501和第二透光区域502，所述第一透光区域501在所述光刻胶层40上的投影与所述第一光刻胶保留区域25重合，所述第二透光区域502在所述光刻胶层40上的投影与所述第二光刻胶保留区域26重合。

[0047] 其中，所述第一透光区域501的透光度为第一预设值，所述第二透光区域502的透光度为第二预设值，所述第一预设值小于所述第二预设值，以及，所述第一光刻胶保留区域25上的所述光刻胶层40的厚度大于所述第二光刻胶保留区域26上的所述光刻胶层40的厚度。

[0048] 例如，在薄膜晶体管阵列基板21上，利用无机薄膜24在图形化时所需要的正性光刻胶层40，可以采用半色调掩膜板50进行曝光，该半色调掩膜板50包括第一透光区域501、第二透光区域502以及第三透光区503，首先，通过旋转涂膜的方式在无机薄膜24上形成一层正性光刻胶层40，然后通过半色调掩膜板对正性光刻胶胶层40进行曝光显影的制程，以在正性光刻胶层40上形成第一光刻胶保留区域25、第二光刻胶保留区域26以及第三区域31，曝光显影后，可以采用干刻工艺去除正性光刻胶层40，以在无机薄膜24上形成第一光刻胶保留区域25、第二光刻胶保留区域26以及在无机薄膜24过孔30，该过孔30用于像素电极与金属层的连接(像素电极与金属层在图中均未示出)，需要说明的是，第一透光区域501在正性光刻胶层40上的投影与第一光刻胶保留区域25重合，第二透光区域502在正性光刻胶层40上的投影与第二光刻胶保留区域26重合，第三透光区域503在正性光刻胶层40上的投影与第三区域31重合，其中，第一透光区域501的透光度可以为0％，第二透光区域502的透光度可以50％，第三透光区域503的透光度可以为100％，因此，第一光刻胶保留区域25上的所述正性光刻胶层40的厚度大于第二光刻胶保留区域26上的所述正性光刻胶层40的厚度，需要说明的是，光刻胶层40也可以使用负性光刻胶，对应的步骤与本步骤的相同，在此不再赘述。

[0049] 其中，在步骤S203中，请结合图12、图13以及图14，在形成所述光刻胶图案的所述基板21上涂敷遮光材料29，采用第二掩膜板60对所述遮光材料29进行曝光，并对曝光后的遮光材料29进行显影，以在所述薄膜晶体管基板21的非显示区211上形成遮光层。

[0050] 其中，所述遮光层在所述第一光刻胶保留区域25上形成第一间隔物27，以及在所述第二光刻胶保留区域26上形成第二间隔物28；所述第二掩膜板60包括遮光区域61和全透光62区域，所述遮光区域61在所述基板21上的投影与所述非显示区211重合，所述全透光区域62在所述基板上的投影与所述显示区210重合。

[0051] 具体的，在形成光刻胶图案的基板21上涂敷遮光材料29，并对遮光材料29进行曝光，曝光后采用显影液以在该阵列基板21的非显示区211上形成遮光层，其中，遮光层在第一光刻胶保留区域25上形成第一间隔物27，在第二光刻胶保留区域26上形成第二间隔物28，需要说明的是，该第一间隔物27可以包括色阻23、无机薄膜24、第一光刻胶保留区域25和遮光材料29，该第二间隔物28可以包括色阻23、无机薄膜24、第二光刻胶保留区域26和遮光材料29，第一间隔物27的高度高于第二间隔物28的高度。

[0052] 可选的，所述光刻胶层的材料为正性光刻胶或负性光刻胶。

[0053] 优选的，所述遮光材料为黑色遮光树脂。

[0054] 例如，在形成光刻胶图案的薄膜晶体管阵列基板21上涂敷黑色遮光树脂材料29，并可以采用具有单一透过率的掩膜板60对黑色遮光树脂材料29进行曝光，曝光后采用显影液以在该薄膜晶体管阵列基板21的非显示区211上形成遮光层，其中，遮光层在第一光刻胶保留区域25上形成第一间隔物27，以及在第二光刻胶保留区域26上形成第二间隔物28，需要说明的是，该第一间隔物27包括色阻23、无机薄膜24、第一光刻胶保留区域25和黑色遮光树脂材料29，该第二间隔物28包括色阻23、无机薄膜24、第二光刻胶保留区域26和黑色遮光树脂材料29，第一间隔物27的高度高于第二间隔物28的高度。优选的，第一间隔物27可以为主要间隔物，起到主要支撑作用；第二间隔物28可以为辅助间隔物，其高度通常小于主要间隔物的高度，与主要间隔物所处的位置不同，在显示面板受到挤压时，起到辅助支撑的作用。主要间隔物与辅助间隔物可以形成在无机薄膜上，如图13所示，也可以形成在封装薄膜上，第一间隔物与第二间隔物形成在封装薄膜的结构与第一间隔物27与第二间隔物28形成在无机薄膜的结构类似，具体请参阅本实施例，在此不再赘述。

[0055] 另外，本实施例以正性光刻胶和黑色遮光树脂材料为例进行了描述，但本实施例包括但不限于此。

[0056] 以上对本发明实施例提供的阵列基板以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。