滤波器装置和等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种具有能够配置在小的空间中的多个线圈的滤波器装置和等离子体处理装置。滤波器装置具备多个线圈和多个电容器。多个线圈构成多个线圈组。多个线圈组各自包括两个以上的线圈。在多个线圈组的各个线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线螺旋状地延伸，且各个线圈的单匝线圈沿着中心轴线所延伸的轴线方向依次重复地排列。多个线圈组相对于中心轴线同轴地设置。多个线圈组中的任意一个线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距比多个线圈组中的设置于该一个线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距大。

权利要求

1.一种滤波器装置，具备：

多个线圈；

多个电容器，所述多个电容器分别连接在所述多个线圈与地之间；以及框架，其电接地，在该框架中收纳有所述多个线圈，其中，所述多个线圈构成多个线圈组，各个线圈组包括两个以上的线圈，在所述多个线圈组的各个所述线圈组中，所述两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线螺旋状地延伸，且各个线圈的单匝线圈沿着该中心轴线所延伸的轴线方向依次重复地进行排列，所述多个线圈组相对于所述中心轴线同轴地设置，所述多个线圈组中的任意一个线圈组的所述两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距比所述多个线圈组中的设置于所述一个线圈组的内侧的线圈组的所述两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距大。

2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈的单匝线圈间的间距被设定为使所述多个线圈的电感相同。

3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈具有相同的线圈长度。

4.根据权利要求3所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈中的具有最大线圈长度的线圈与具有最小线圈长度的线圈之间的线圈长度之差为该最小线圈长度的3％以下。

5.根据权利要求3所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈的卷绕部分别具有一端和所述多个电容器侧的另一端，所述多个线圈的所述卷绕部的所述一端沿着与所述中心轴线正交的面设置。

6.根据权利要求5所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈具有从所述多个线圈的所述卷绕部的所述一端沿着所述轴线方向延伸的引出线，在所述多个线圈组的各个所述线圈组中，所述两个以上的线圈的所述引出线相对于所述中心轴线沿周向等间隔地设置。

7.根据权利要求6所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈的所述引出线相对于所述中心轴线设置在具有90°以上270°以下的角度的角度范围内。

8.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈组中的在径向上相邻的任意两个线圈组之间的间隙的在该径向上的距离为1.5mm以下。

9.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其特征在于，所述多个线圈组中的设置于最外侧的线圈组的所述两个以上的线圈的内径为所述多个线圈组中的设置于最内侧的线圈组的所述两个以上的线圈的内径的1.83倍以下。

10.一种等离子体处理装置，具备：

腔室主体；

工作台，其设置在所述腔室主体内，所述工作台具有下部电极和多个加热器；

高频电源，其与所述下部电极电连接；

加热器控制器，其用于向所述多个加热器提供电力；以及根据权利要求1～9中的任一项所述的滤波器装置，其中，所述滤波器装置的多个线圈的各个线圈电连接在所述多个加热器中的对应的加热器与所述加热器控制器之间。

说明书

滤波器装置和等离子体处理装置

技术领域

[0001] 本公开的实施方式涉及一种滤波器装置和等离子体处理装置。

背景技术

[0002] 在半导体器件这样的电子元件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、工作台以及高频电源。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。工作台设置在腔室内，构成为对载置在该工作台上的被加工物进行保持。工作台包括下部电极和静电卡盘。下部电极与高频电源连接。

[0003] 在等离子体处理装置中执行的等离子体处理中，需要调整被加工物的面内的温度分布。为了调整被加工物的面内的温度分布，有时工作台具有多个加热器。多个加热器各自经由多个供电线而与加热器控制器连接。

[0004] 从高频电源向工作台的下部电极供给高频。被供给到下部电极的高频会流入多个供电线。因而，在多个供电线的各个供电线设置用于切断高频或使高频衰减的滤波器。

[0005] 在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，使用多个滤波器。多个滤波器各自具有线圈和电容器。线圈构成供电线的一部分，且被收纳在壳体内。壳体由导体形成。壳体的电位被设定为接地电位。电容器连接在线圈与地之间。在多个滤波器的各个滤波器中，线圈和壳体形成分布常数线路。多个滤波器各自具有多个谐振频率。这些多个滤波器的线圈设置于等离子体处理装置的腔室主体的正下方。

[0006] 专利文献1：日本特开2014-99585号公报

发明内容

[0007] 发明要解决的问题

[0008] 在等离子体处理装置的腔室主体的正下方设置有各种部件，因此在腔室主体的正下方能够利用的空间的大小有限。因而，当设置于等离子体处理装置的工作台的多个加热器的个数增多时，难以将多个滤波器的线圈配置在腔室主体的正下方的空间中。因而，需要将多个滤波器的线圈配置于从腔室主体离开的位置，在多个滤波器的线圈与加热器控制器之间需要长的供电线。长的供电线由于寄生电容而使多个滤波器的阻抗下降。因而，需要能够将多个滤波器的线圈配置在小的空间中。

[0009] 用于解决问题的方案

[0010] 在一个方式中，提供一种滤波器装置。滤波器装置具备多个线圈、多个电容器以及框架。多个电容器分别连接在多个线圈与地之间。框架电接地，在该框架中收纳有多个线圈。即，滤波器装置具备多个滤波器，各滤波器分别包括线圈和电容器。多个线圈构成多个线圈组。多个线圈组各自包括两个以上的线圈。在多个线圈组的各个线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷绕部绕中心轴线螺旋状地延伸，且各个线圈的单匝线圈沿着中心轴线所延伸的轴线方向依次重复地进行排列。换言之，多个线圈组各自所包括的两个以上的线圈的卷绕部沿着轴线方向多层状地排列，并且绕中心轴线螺旋状地设置。多个线圈组相对于中心轴线同轴地设置。多个线圈组中的任意一个线圈组的两个以上的线圈的各个线圈的单匝线圈之间的间距比多个线圈组中的、设置于该一个线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈的各个线圈的单匝线圈间的间距大。

[0011] 在一个方式所涉及的滤波器装置中，分别包括两个以上的线圈的多个线圈组以共享中心轴线的方式设置成同轴状。因而，构成多个线圈组的多个线圈所占据的空间小。因而，多个滤波器的线圈能够配置在小的空间中。另外，在单纯地排列多个线圈的情况下，多个滤波器的阻抗下降，但在一个方式的滤波器装置中，通过多个线圈间的耦合，能够抑制阻抗的下降。并且，外侧的线圈组的两个以上的线圈的各个单匝线圈间的间距比配置在该线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈的各个线圈的单匝线圈间的间距大，因此多个线圈的电感的差异减少。因而，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异减少。

[0012] 在一个实施方式中，多个线圈的单匝线圈间的间距被设置为使多个线圈的电感大致相同。

[0013] 在一个实施方式中，多个线圈具有大致相同的线圈长度。在一个实施方式中，多个线圈中的具有最大线圈长度的线圈与具有最小线圈长度的线圈之间的线圈长度之差为最小线圈长度的3％以下。根据这些实施方式，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异进一步减少。

[0014] 在一个实施方式中，多个线圈的卷绕部分别具有一端和多个电容器侧的另一端，该多个线圈的卷绕部的该一端沿着与中心轴线正交的面设置。即，在该实施方式中，多个线圈的卷绕部的一端的在轴线方向上的位置对齐。根据该实施方式，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异进一步减少。

[0015] 在一个实施方式中，多个线圈具有从该多个线圈的卷绕部的一端沿着轴线方向延伸的引出线。在多个线圈组的各个线圈组中，两个以上的线圈的引出线相对于中心轴线沿周向等间隔地设置。根据该实施方式，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异进一步减少。在一个实施方式中，多个线圈的引出线相对于中心轴线设置在具有90°以上270°以下的角度的角度范围内。根据这些实施方式，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异进一步减少。

[0016] 在一个实施方式中，多个线圈组中的在径向上相邻的任意两个线圈组之间的间隙的、在该径向上的距离为1.5mm以下。在该实施方式中，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异进一步减少。

[0017] 在一个实施方式中，多个线圈组中的设置于最外侧的线圈组的两个以上的线圈的内径为多个线圈组中的设置于最内侧的线圈组的两个以上的线圈的内径的1.83倍以下。根据该实施方式，多个滤波器的阻抗的频率特性的差异进一步减少。

[0018] 在另一个方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、工作台、高频电源、加热器控制器以及上述的任意的滤波器装置。工作台具有下部电极和多个加热器，且设置在腔室主体内。高频电源与下部电极电连接。加热器控制器构成为向多个加热器提供电力。滤波器装置的多个线圈的各个线圈电连接在多个加热器中的对应的加热器与加热器控制器之间。在该等离子体处理装置中，通过由滤波器装置提供的多个滤波器，能够抑制供给到工作台的高频流入加热器控制器。另外，多个滤波器的线圈所占据的空间小，因此能够将该多个滤波器的线圈配置在小的空间中。

[0019] 发明的效果

[0020] 如以上所说明的那样，能够将多个滤波器的线圈配置在小的空间中。

附图说明

[0021] 图1是概要性地表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

[0022] 图2是图1所示的等离子体处理装置的工作台的放大截面图。

[0023] 图3是将一个实施方式所涉及的滤波器的电路结构与多个加热器及加热器控制器一同示出的图。

[0024] 图4是一个实施方式所涉及的滤波器装置的多个线圈的立体图。

[0025] 图5是图4所示的多个线圈的截面图。

[0026] 图6是将图4所示的多个线圈的一部分放大表示的截面图。

[0027] 图7是在第一仿真处理中使用的线圈组的局部放大截面图。

[0028] 图8是表示在第一仿真处理和第二仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0029] 图9是用于说明在第三仿真处理～第六仿真处理中使用的多个线圈的截面图。

[0030] 图10的(a)是表示在第三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图，图10的(b)是表示在第四仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0031] 图11的(a)是表示在第五仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图，图11的(b)是表示在第六仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0032] 图12是用于说明在第七仿真处理～第九仿真处理中使用的多个线圈的截面图。

[0033] 图13的(a)、图13的(b)、图13的(c)是分别表示在第七仿真处理～第九仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0034] 图14是用于说明在第十仿真处理～第十三仿真处理中使用的线圈组的图。

[0035] 图15的(a)是表示在第十仿真处理和第十一仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图，图15的(b)是表示在第十仿真处理和第十二仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图，图15的(c)是表示在第十仿真处理和第十三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0036] 图16是用于说明在第十四仿真处理～第十八仿真处理中使用的引出线的排列的图。

[0037] 图17的(a)、图17的(b)、图17的(c)是分别表示在第十四仿真处理～第十六仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0038] 图18的(a)、图18的(b)为分别表示在第十七仿真处理～第十八仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0039] 图19是用于说明在第十九仿真处理～第二十三仿真处理中使用的多个线圈的截面图。

[0040] 图20的(a)、图20的(b)、图20的(c)是分别表示在第十九仿真处理～第二十一仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0041] 图21的(a)、图21的(b)是分别表示在第二十二仿真处理～第二十三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0042] 图22是用于说明在第二十四仿真处理～第二十七仿真处理中使用的线圈组的图。

[0043] 图23的(a)是表示在第二十四仿真处理和第二十五仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图，图23的(b)是表示在第二十四仿真处理和第二十六仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图，图23的(c)是表示在第二十四仿真处理和第二十七仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性的图。

[0044] 附图标记说明

[0045] 10：等离子体处理装置；12：腔室主体；12c：腔室；14：工作台；30：下部电极；32：静电卡盘；34：第一高频电源；36：第二高频电源；44：聚焦环；46：上部电极；54、54a、54b：供电线；HT：加热器；HC：加热器控制器；FD：滤波器装置；FT：滤波器；CA：线圈组件；CG、CG1、CG2、CG3：线圈组；60：线圈；60a、60b：引出线；60w：卷绕部；AXC：中心轴线；62：电容器；64：框架。

具体实施方式

[0046] 下面，参照附图来详细地说明各种实施方式。此外，设在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。

[0047] 图1是概要性地表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。在图1中，将一个实施方式所涉及的等离子体处理装置以其一部分被剖切的状态示出。图1所示的等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体处理装置。等离子体处理装置10具备腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状，提供其内部空间来作为腔室12c。腔室主体12例如由铝或不锈钢形成，并且接地。在腔室主体12的侧壁形成有用于被加工物W的搬入和搬出的开口12p。
被加工物W例如能够是由硅之类的材质形成的圆盘形状的板。在腔室主体12的侧壁安装有用于对开口12p进行开闭的闸阀13。

[0048] 在腔室12c内设置有工作台14。在工作台14上载置被加工物W。工作台14被支承部15支承。支承部15具有大致圆筒形状，从腔室主体12的底壁12a向上方延伸。支承部15由陶瓷之类的电介质形成。工作台14和支承部15以确保腔室主体12内的空间的气密性的方式相结合。另外，工作台14的下表面和支承部15的内壁界定出空间SP。空间SP与腔室主体12的外部的大气空间相连。

[0049] 腔室主体12提供支承部16。支承部16从腔室主体12的底壁12a沿着支承部15的外周朝向上方延伸。在支承部16与腔室主体12的侧壁之间形成有排气通路18。排气通路18与排气管20连接，该排气管20与排气装置22连接。排气装置22为用于进行腔室12c的排气和减压的装置，该排气装置22具有压力控制器和涡轮分子泵之类的真空泵。

[0050] 图2是图1所示的等离子体处理装置的工作台的放大截面图。在图2中，与工作台14一同示出滤波器装置FD及加热器控制器HC。此外，在图2中没有示出后述的制冷剂用的流路。下面，一并参照图1和图2。工作台14具有背板28、下部电极30以及静电卡盘32。背板28具有大致圆盘形状，由陶瓷之类的绝缘体形成。下部电极30设置在背板28上。下部电极30具有大致圆盘形状，由铝之类的导体形成。静电卡盘32设置在下部电极30上。静电卡盘32为通过静电引力将被加工物W吸引于该静电卡盘32来对该被加工物W进行保持的机构。

[0051] 如图1所示，下部电极30经由匹配器35而与第一高频电源34连接，且经由匹配器37而与第二高频电源36连接。第一高频电源34主要输出有助于等离子体的生成的第一高频。第一高频的频率例如为100MHz。匹配器35具有用于使第一高频电源34与等离子体负载之间的阻抗匹配的匹配电路。第二高频电源36主要输出有助于针对被加工物W的离子的引入的第二高频。第二高频的频率比第一高频的频率低，例如为13MHz。匹配器37具有用于使第二高频电源36与等离子体负载之间的阻抗匹配的匹配电路。

[0052] 如图1所示，在下部电极30的内部形成有流路30f。从设置于腔室主体12的外部的冷却装置向流路30f供给制冷剂。被供给到流路30f的制冷剂返回冷却装置。此外，也可以在工作台14设置用于向被加工物W与静电卡盘32之间供给He气体之类的传热气体的气体管线。

[0053] 如图1和图2所示，在下部电极30的上表面侧形成有槽30c。槽30c相对于轴线AX10沿周向延伸。该轴线AX10为沿铅垂方向延伸的轴线，工作台14的中心处于轴线AX10上。另外，轴线AX10与腔室主体12的中心轴线大致一致。槽30c可以为绕轴线AX10中心延伸的环状的槽。或者，槽30c也可以在周向上断续地形成。槽30c将下部电极30的上部热分离为包括轴线AX10的内侧部分30a和在内侧部分30a的外侧延伸的外侧部分30b。在俯视观察时，内侧部分30a为大致圆形的区域，外侧部分30b为大致环状的区域。

[0054] 下部电极30的内侧部分30a提供大致圆形的上表面。在内侧部分30a的上表面之上，经由粘接剂38a设置有静电卡盘32。静电卡盘32具有大致圆盘形状，且具有由陶瓷之类的绝缘体形成的层。静电卡盘32还具有电极32a来作为由绝缘体形成的层的内层。电极32a经由开关41而与电源40连接。当向电极32a施加来自电源40的电压例如直流电压时，静电卡盘32产生静电引力。静电卡盘32通过该静电引力来保持被加工物W。

[0055] 下部电极30的外侧部分30b提供大致环状的上表面。在外侧部分30b的上表面之上设置有隔离件42。在隔离件42上设置有聚焦环44。隔离件42为环状的构件，经由粘接剂38b设置在下部电极30的外侧部分30b上。隔离件42例如由陶瓷之类的绝缘体形成。聚焦环44为圆环状的构件，由适于所实施的工序的材料、例如石英或硅形成。聚焦环44以包围静电卡盘32的边缘和被加工物W的边缘的方式延伸。

[0056] 工作台14具有多个加热器HT、即电阻发热元件。多个加热器HT设置在静电卡盘32内。在一个例子中，静电卡盘32具有相对于轴线AX10同心的多个区域，在该多个区域的各个区域中设置有一个以上的加热器。多个加热器HT中的一部分也可以设置于隔离件42的内部。

[0057] 多个加热器HT经由多个供电线54而与加热器控制器HC连接。加热器控制器HC包括加热器电源，且构成为向多个加热器HT单独地供给电力(交流输出)。滤波器装置FD设置在将多个加热器HT与加热器控制器HC连接的多个供电线54上。滤波器装置FD构成为，防止或抑制被供给到下部电极30的高频的一部分经由多个供电线54侵入加热器控制器HC。滤波器装置FD和加热器控制器HC设置于腔室主体12的外部。滤波器装置FD也可以安装于腔室主体12的底壁12a。即，滤波器装置FD也可以设置于腔室主体12的正下方。

[0058] 如图1所示，在腔室主体12的顶部设置有上部电极46。上部电极46经由支承构件47支承于腔室主体12的顶部。上部电极46具有电极板48和支承体49。电极板48具有大致圆盘形状，例如由Si或SiC构成。电极板48的下表面与腔室12c相面对。支承体49从该电极板48的上方支承电极板48。支承体49例如由铝材料形成，在支承体49的表面形成有耐酸铝膜之类的覆膜。在支承体49的内部设置有气体室49a。该气体室49a与贯通支承体49和电极板48的多个气体喷出孔46a连接。另外，气体室49a与气体供给管50连接。该气体供给管50与气体供给部52连接。气体供给部52构成为，供给处理气体。

[0059] 等离子体处理装置10还具备控制部53。控制部53例如包括微计算机。控制部53构成为，对等离子体处理装置10的各部、例如排气装置22、第一高频电源34、第二高频电源36、开关41、加热器控制器HC、冷却装置、气体供给部52等进行控制。

[0060] 在等离子体处理装置10中，例如在进行蚀刻时，首先打开闸阀13，将被加工物W搬入到腔室12c，将该被加工物W载置到静电卡盘32上。然后，从气体供给部52向腔室12c以规定的流量供给蚀刻用的气体。另外，利用排气装置22对腔室12c的压力进行减压。并且，从第一高频电源34和第二高频电源36向下部电极30分别供给第一高频和第二高频。另外，从传热气体供给部向静电卡盘32与被加工物W之间的接触界面供给传热气体(例如He气体)。另外，向下部电极30内的流路30f供给制冷剂。另外，向多个加热器HT提供来自加热器控制器HC的交流输出，将工作台14内的温度分布调整为所指定的温度分布。然后，从多个气体喷出孔46a喷出的气体通过高频电场而被激励。利用由此产生的活性种来对被加工物W的膜进行蚀刻。

[0061] 下面，详细地说明滤波器装置FD。图3为将一个实施方式所涉及的滤波器装置的电路结构与多个加热器及加热器控制器一同示出的图。如上所述，多个加热器HT经由多个供电线54(参照图2)而与加热器控制器HC连接。多个供电线54包括多个供电线对。如图3所示，各供电线对包括供电线54a和供电线54b。多个加热器HT各自具有一对端子。供电线54a连接在对应的加热器HT的一对端子中的一个端子与加热器控制器HC之间，供电线54b连接在该对应的加热器HT的另一个端子与加热器控制器HC之间。

[0062] 如图3所示，滤波器装置FD具有多个线圈60和多个电容器62。多个线圈60分别构成多个供电线54的一部分。即，多个线圈60各自构成供电线54a的一部分或供电线54b的一部分。多个线圈60收纳在框架64内。框架64为筒状的容器，且由导体形成。框架64电接地。多个电容器62各自连接在对应的线圈60的同加热器HT侧的一端相反一侧的另一端与地之间。在一个实施方式中，多个电容器62收纳在电容器盒66内(参照图2)。如图3所示，该滤波器装置FD具有多个滤波器FT。多个滤波器FT各自包括一个线圈60和一个电容器62。多个滤波器FT各自的线圈60和框架64构成分布常数线路。即，多个滤波器FT各自具备具有多个谐振频率的阻抗的频率特性。

[0063] 下面，详细地说明多个线圈60。图4是一个实施方式所涉及的滤波器装置的多个线圈的立体图。图5为图4所示的多个线圈的截面图。图6是将图4所示的多个线圈的一部分放大表示的截面图。多个线圈60各自能够为空芯线圈。多个线圈60各自由导体和覆盖该导体的覆膜构成。覆膜由绝缘材料形成。覆膜能够由PEEK(聚醚醚酮)或PCTFE(聚三氟氯乙烯)之类的树脂形成。在一个实施方式中，多个线圈60各自的覆膜能够具有0.1mm以下的厚度。

[0064] 多个线圈60各自具有引出线60a、引出线60b以及卷绕部60w。卷绕部60w绕中心轴线AXC螺旋状地延伸，提供多个单匝线圈。引出线60a和引出线60b沿着中心轴线AXC所延伸的轴线方向Z延伸。引出线60a与卷绕部60w的一端连续，引出线60b与卷绕部60w的另一端连续。卷绕部60w的另一端为卷绕部60w的、对应的电容器62侧的端部。

[0065] 多个线圈60的集合体构成线圈组件CA。线圈组件CA包括多个线圈组CG。即，多个线圈60构成多个线圈组CG。多个线圈组CG的个数能够为2以上的任意的个数。在图4～图6所示的例子中，多个线圈组CG包括线圈组CG1、线圈组CG2以及线圈组CG3。多个线圈组CG各自包括两个以上的线圈60。多个线圈组CG各自所包括的线圈60的个数能够为2以上的任意的个数。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1包括9个线圈60，线圈组CG2包括13个线圈60，线圈组CG3包括14个线圈。

[0066] 多个线圈组CG的各个线圈组CG的两个以上的线圈60设置为：各个卷绕部60w绕中心轴线AXC螺旋状地延伸，且沿着轴线方向Z依次重复地进行排列。即，多个线圈组CG的各个线圈组CG的两个以上的线圈60的卷绕部60w沿着轴线方向Z多层状地排列，且绕中心轴线AXC螺旋状地设置。在一个实施方式中，在多个线圈组CG的各个线圈组CG中，在轴线方向Z上相邻的单匝线圈间的间隙的在轴线方向Z上的距离能够为0.2mm以下。

[0067] 多个线圈组CG的各个线圈组CG的两个以上的线圈60的卷绕部60w共享中心轴线AXC，且具有彼此相同的内径。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1中包括的两个以上的线圈60具有相同的内径ID1，线圈组CG2中包括的两个以上的线圈60具有相同的内径ID2，线圈组CG3中包括的两个以上的线圈60具有相同的内径ID3。多个线圈组CG的各个线圈组CG的两个以上的线圈60的卷绕部60w的截面形状和截面尺寸能够彼此相同。多个线圈60的截面形状例如为矩形。

[0068] 多个线圈组CG相对于中心轴线AXC同轴地设置。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1～CG3同轴地设置。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1设置于线圈组CG2的内侧，线圈组CG2设置于线圈组CG3的内侧。即，线圈组CG3的两个以上的线圈60的卷绕部60w的内径ID3比线圈组CG2的两个以上的线圈60的卷绕部60w的外径大，线圈组CG2的两个以上的线圈60的卷绕部60w的内径ID2比线圈组CG1的两个以上的线圈60的卷绕部60w的外径大。

[0069] 多个线圈组CG中的任意一个线圈组的两个以上的线圈60各自的单匝线圈间的间距比多个线圈组CG中的设置于该一个线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈60各自的单匝线圈间的间距大。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG3的线圈60的单匝线圈间的间距P3比线圈组CG2的线圈60的单匝线圈间的间距P2大，间距P2比线圈组CG1的线圈60的单匝线圈间的间距P1大。在一个实施方式中，多个线圈60的单匝线圈间的间距以该多个线圈60的电感彼此大致相同的方式设定。

[0070] 如上所述，在滤波器装置FD中，分别包括两个以上的线圈60的多个线圈组CG以共享中心轴线AXC的方式同轴状地设置。因而，构成多个线圈组CG的多个线圈60、即线圈组件CA所占据的空间小。因而，能够将多个滤波器FT的线圈60、即线圈组件CA配置在小的空间中。另外，在单纯地排列多个线圈的情况下，多个滤波器的阻抗下降，但在滤波器装置FD中，通过多个线圈60间的耦合能够抑制阻抗的下降。并且，外侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距比配置于该线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距大，因此能够减少多个线圈60的电感的差异。因而，能够减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。

[0071] 在一个实施方式中，多个线圈60具有大致相同的线圈长度。线圈长度为多个线圈60各自的卷绕部60w的一端与另一端之间的轴线方向Z上的长度。在一个实施方式中，多个线圈60中的具有最大线圈长度的线圈与具有最小线圈长度的线圈之间的线圈长度之差为该最小线圈长度的3％以下。根据这些实施方式，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。

[0072] 在一个实施方式中，多个线圈60的卷绕部60w的一端(与电容器62侧的端部相反一侧的端部)沿着与中心轴线AXC正交的面设置。在一个实施方式中，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈60的引出线60a相对于中心轴线AXC沿周向等间隔地设置。在一个实施方式中，多个线圈60的引出线60a相对于中心轴线AXC设置在具有90°以上270°以下的角度的角度范围θ(参照图16)内。根据这些实施方式，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。此外，也可以是，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈60的引出线60b相对于中心轴线AXC沿周向等间隔地设置。

[0073] 在一个实施方式中，在多个线圈组CG中的径向、即相对于中心轴线AXC的辐射方向上相邻的任意的两个线圈组之间的间隙的在该径向上的距离为1.5mm以下。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1与线圈组CG2之间的径向上的间隙的在该径向上的距离GR1、即线圈组CG1的两个以上的线圈60的卷绕部60w的外径与线圈组CG2的两个以上的线圈60的卷绕部60w的内径之差的1/2为1.5mm以下。另外，线圈组CG2与线圈组CG3之间的径向上的间隙的在该径向上的距离GR2、即线圈组CG2的两个以上的线圈60的卷绕部60w的外径与线圈组CG3的两个以上的线圈60的卷绕部60w的内径之差的1/2为1.5mm以下。在该实施方式中，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。

[0074] 在一个实施方式中，多个线圈组CG中的设置于最外侧的线圈组的两个以上的线圈60的内径为多个线圈组CG中的设置于最内侧的线圈组的两个以上的线圈的内径的1.83倍以下。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG3的两个以上的线圈60各自的内径ID3为线圈组CG1的两个以上的线圈60各自的内径ID1的1.83倍以下。根据该实施方式，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。

[0075] 另外，在等离子体处理装置10中，通过由滤波器装置FD提供的多个滤波器FT，能够抑制被供给到工作台14的高频流入加热器控制器HC。这些多个滤波器FT的线圈60所占据的空间小，因此能够将该多个滤波器FT的线圈(即、线圈组件CA)配置于小的空间、例如腔室主体12的正下方。

[0076] 下面，对为了评价滤波器装置FD而进行的仿真处理进行说明。

[0077] [第一仿真处理和第二仿真处理]

[0078] 图7是在第一仿真处理中使用的线圈组的局部放大截面图。在第一仿真处理中，计算分别具有四个线圈6001的四个滤波器的合成的阻抗的频率特性。下面，将多个滤波器的合成的阻抗的频率特性称作“合成阻抗的频率特性”。在第一仿真处理中，四个线圈6001构成单一的线圈组CGS1，设定为与多个线圈组CG各自的两个以上的线圈60同样地延伸。四个线圈6001设定为配置在筒状的框架6401内，该框架6401被设定为接地电位。四个线圈6001的一端侧的引出线6001a设定为彼此耦合。另外，在第一仿真处理中，设定为四个电容器分别连接在四个线圈6001的另一端与地之间。

[0079] 下面，示出第一仿真处理的详细设定。

[0080] <第一仿真处理的设定>

[0081] 各个线圈6001的线圈长度：114mm

[0082] 各个线圈6001的卷绕部的截面形状：10mm×1mm的矩形(宽度×厚度)

[0083] 各个线圈6001的卷绕部的内径：114mm

[0084] 各个线圈6001的卷绕部的单匝线圈间的间距：8mm

[0085] 各个线圈6001的外周面与框架6401之间的径向上的距离：13mm

[0086] 与各个线圈6001连接的电容器的电容量：5600pF

[0087] 第二仿真处理与第一仿真处理的不同点在于，将在第一仿真处理中使用的四个线圈单独地收纳在被设定为接地电位的四个筒状的框架内。

[0088] 在图8中示出在第一仿真处理和第二仿真处理中计算出的阻抗的频率特性。在图8中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。如图8所示，在第一仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中，在阻抗的峰值频率之间能够得到比在第二仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中的阻抗高的阻抗。根据该结果确认出：相比于单纯地排列多个线圈的情况，当多个线圈以共享中心轴线的方式同轴地设置时，通过多个线圈间的耦合能够抑制阻抗的下降。

[0089] [第三仿真处理～第六仿真处理]

[0090] 图9是用于说明在第三仿真处理～第六仿真处理中使用的多个线圈的截面图。在第三仿真处理～第六仿真处理中，计算分别具有三个线圈6003A、6003B、6003C的三个滤波器的合成阻抗的频率特性。三个线圈6003A、6003B、6003C各自的卷绕部具有互不相同的内径，设定为绕共通的中心轴线同轴且螺旋状地延伸。三个线圈6003A、6003B、6003C设定为配置在筒状的框架6403内，该框架6403被设定为接地电位。三个线圈6003A、6003B、6003C的一端侧的引出线6003Aa、6003Ba、6003Ca设定为彼此耦合。另外，在第三仿真处理～第六仿真处理中，设定为三个电容器分别连接在三个线圈6003A、6003B、6003C的另一端与地之间。第三仿真处理～第六仿真处理中的三个线圈6003A、6003B、6003C各自的线圈长度分别不同。

[0091] 下面，示出第三仿真处理～第六仿真处理的详细设定。

[0092] <第三仿真处理～第六仿真处理的共通设定>

[0093] 线圈6003A的卷绕部的形状：3mm×9mm的矩形

[0094] 线圈6003A的卷绕部的内径：65mm

[0095] 线圈6003A的卷绕部的单匝线圈间的间距：17.5mm

[0096] 与线圈6003A连接的电容器的电容量：5600pF

[0097] 线圈6003B的卷绕部的形状：3mm×9mm的矩形

[0098] 线圈6003B的卷绕部的内径：74mm

[0099] 线圈6003B的卷绕部的单匝线圈间的间距：25.5mm

[0100] 与线圈6003B连接的电容器的电容量：5600pF

[0101] 线圈6003C的卷绕部的形状：3mm×9mm的矩形

[0102] 线圈6003C的卷绕部的内径：83mm

[0103] 线圈6003C的卷绕部的单匝线圈间的间距：33.5mm

[0104] 线圈6003C的外周面与框架6403之间的径向上的距离：13mm

[0105] 与线圈6003C连接的电容器的电容量：5600pF

[0106] <第三仿真处理的设定>

[0107] 线圈6003A的线圈长度：122.5mm

[0108] 线圈6003B的线圈长度：124.45mm

[0109] 线圈6003C的线圈长度：126.21mm

[0110] 线圈6003C的线圈长度与线圈6003A的线圈长度之差相对于线圈6003A的线圈长度的比例：3％

[0111] <第四仿真处理的设定>

[0112] 线圈6003A的线圈长度：122.5mm

[0113] 线圈6003B的线圈长度：125.4mm

[0114] 线圈6003C的线圈长度：128.7mm

[0115] 线圈6003C的线圈长度与线圈6003A的线圈长度之差相对于线圈6003A的线圈长度的比例：5％

[0116] <第五仿真处理的设定>

[0117] 线圈6003A的线圈长度：122.5mm

[0118] 线圈6003B的线圈长度：128.5mm

[0119] 线圈6003C的线圈长度：133.4mm

[0120] 线圈6003C的线圈长度与线圈6003A的线圈长度之差相对于线圈6003A的线圈长度的比例：9％

[0121] <第六仿真处理的设定>

[0122] 线圈6003A的线圈长度：122.5mm

[0123] 线圈6003B的线圈长度：136.5mm

[0124] 线圈6003C的线圈长度：147mm

[0125] 线圈6003C的线圈长度与线圈6003A的线圈长度之差相对于线圈6003A的线圈长度的比例：20％

[0126] 分别在图10的(a)、图10的(b)、图11的(a)、图11的(b)中示出在第三仿真处理～第六仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性。在图10的(a)、图10的(b)、图11的(a)以及图11的(b)中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。在多个滤波器的线圈的引出线彼此耦合的情况下，如果该多个滤波器的阻抗的频率特性相同，则在合成阻抗的频率特性中，峰值频率周期性即规律性地出现。另一方面，在多个滤波器的线圈的引出线彼此耦合的情况下，当该多个滤波器的阻抗的频率特性互不相同时，在合成阻抗的频率特性中，峰值频率的规律性破坏。如图10的(b)、图11的(a)、图11的(b)所示，在第四仿真处理～第六仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中，峰值频率的规律性破坏。另一方面，如图10的(a)所示，在第三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中，比较良好地维持了峰值频率的规律性。因而，能够确认出：如果多个线圈中的具有最大线圈长度的线圈与具有最小线圈长度的线圈之间的线圈长度之差为最小线圈长度的3％以下，则能够进一步减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。

[0127] [第七仿真处理～第九仿真处理]

[0128] 图12为用于说明在第七仿真处理～第九仿真处理中使用的多个线圈的截面图。在第七仿真处理～第九仿真处理中，计算分别具有三个线圈6007A、6007B、6007C的三个滤波器的合成阻抗的频率特性。三个线圈6007A、6007B、6007C各自的卷绕部具有互不相同的内径，设定为绕共通的中心轴线同轴且螺旋状地延伸。三个线圈6007A、6007B、6007C设定为配置在筒状的框架6407内，该框架6407被设定为接地电位。三个线圈6007A、6007B、6007C的一端侧的引出线6007Aa、6007Ba、6007Ca设定为彼此耦合。另外，在第七仿真处理～第九仿真处理中，设定为三个电容器分别连接在三个线圈6007A、6007B、6007C的另一端与接地之间。第七仿真处理～第九仿真处理中的三个线圈6007A、6007B、6007C各自的线圈长度彼此相同。第七仿真处理中的线圈6007A与线圈6007B之间的径向上的间隙的距离GR1以及线圈
6007B与线圈6007C之间的径向上的间隙的距离GR2为1.5mm，第八仿真处理中的距离GR1和距离GR2为2.2mm，第九仿真处理中的距离GR1和距离GR2为4mm。

[0129] 下面，示出第七仿真处理～第九仿真处理的详细设定。

[0130] <第七仿真处理～第九仿真处理的共通设定>

[0131] 线圈6007A的线圈长度：122.5mm

[0132] 线圈6007A的卷绕部的形状：3mm×13.5mm的矩形

[0133] 线圈6007A的卷绕部的内径：65mm

[0134] 线圈6007A的卷绕部的单匝线圈间的间距：17.5mm

[0135] 与线圈6007A连接的电容器的电容量：5600pF

[0136] 线圈6007B的线圈长度：125mm

[0137] 线圈6007B的卷绕部的形状：3mm×16mm的矩形

[0138] 线圈6007B的卷绕部的内径：74mm

[0139] 线圈6007B的卷绕部的单匝线圈间的间距：20mm

[0140] 与线圈6007B连接的电容器的电容量：5600pF

[0141] 线圈6007C的线圈长度：123.2mm

[0142] 线圈6007C的卷绕部的形状：3mm×18mm的矩形

[0143] 线圈6007C的卷绕部的内径：83mm

[0144] 线圈6007C的卷绕部的单匝线圈间的间距：22mm

[0145] 线圈6007C的外周面与框架6407之间的径向上的距离：13mm

[0146] 与线圈6007C连接的电容器的电容量：5600pF

[0147] 分别在图13的(a)、图13的(b)、图13的(c)中示出在第七仿真处理～第九仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性。在图13的(a)、图13的(b)和图13的(c)中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。如图13的(a)、图13的(b)和图13的(c)所示，相比于在第八仿真处理和第九仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在第七仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中，比较良好地维持了峰值频率的规律性。根据该结果确认出：在分别包括具有互不相同的内径且同轴地设置的多个线圈的多个滤波器中，当在径向上相邻的任意的两个线圈之间的间隙的在径向上的距离设定为1.5mm以下时，能够进一步减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。因而，确认出：当将多个线圈组中的在径向上相邻的任意的两个线圈组之间的间隙的在该径向上的距离设定为1.5mm时，能够进一步减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。

[0148] [第十仿真处理～第十三仿真处理]

[0149] 图14是用于说明在第十仿真处理～第十三仿真处理中使用的线圈组的图。在第十仿真处理～第十三仿真处理中，计算分别具有四个线圈6010的四个滤波器的合成阻抗的频率特性。在第十仿真处理～第十三仿真处理中，四个线圈6010构成单一的线圈组CGS10，设定为与多个线圈组CG各自的两个以上的线圈60同样地延伸。四个线圈6010设定为配置在筒状的框架内，该框架被设定为接地电位。四个线圈6010的一端侧的引出线6010a设定为彼此耦合。另外，在第十仿真处理～第十三仿真处理中，设定为四个电容器分别连接在四个线圈6010的另一端与地之间。在第十仿真处理中，相邻的单匝线圈间的间隙的在轴线方向Z上的距离GZ为0mm，在第十一仿真处理中，距离GZ为0.2mm，在第十二仿真处理中，距离GZ为
0.5mm，在第十三仿真处理中，距离GZ为1mm。

[0150] 下面，示出第十仿真处理～第十三仿真处理的详细设定。

[0151] <第十仿真处理～第十三仿真处理的共通设定>

[0152] 各个线圈6010的线圈长度：114mm

[0153] 各个线圈6010的卷绕部的形状：10mm×1mm的矩形

[0154] 各个线圈6010的卷绕部的内径：114mm

[0155] 各个线圈6010的卷绕部的单匝线圈间的间距：8mm

[0156] 各个线圈6010的外周面与框架之间的径向上的距离：13mm

[0157] 与各个线圈6010连接的电容器的电容量：5600pF

[0158] 在图15的(a)中示出在第十仿真处理和第十一仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在图15的(b)中示出在第十仿真处理和第十二仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在图15的(c)中示出在第十仿真处理和第十三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性。在图15的(a)、图15的(b)以及图15的(c)中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。如图15的(a)、图15的(b)以及图15的(c)所示，在第十一仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性与在第十仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性大致一致，在第十二仿真处理和第十三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性与在第十仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性大不不同。因而，确认出：在多个线圈组CG的各个线圈组CG中，通过将在轴线方向Z上相邻的单匝线圈间的间隙的在轴线方向Z上的距离设定为0.2mm以下，能够减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。

[0159] [第十四仿真处理～第十八仿真处理]

[0160] 图16是用于说明在第十四仿真处理～第十八仿真处理中使用的引出线的排列的图。在第十四仿真处理～第十八仿真处理中，计算分别具有图4～图6所示的线圈组件CA的多个线圈60的多个滤波器FT的合成阻抗的频率特性。线圈组件CA设定为配置在筒状的框架64内，该框架64被设定为接地电位。在第十四仿真处理～第十八仿真处理中，分别将配置多个线圈60的引出线60a的角度范围θ设定为360度、270度、180度、90度、45度。

[0161] 下面，示出第十四仿真处理～第十八仿真处理的详细设定。

[0162] <第十四仿真处理～第十八仿真处理的共通设定>

[0163] 线圈组CG1的各个线圈60的线圈长度：152mm

[0164] 线圈组CG1的各个线圈60的形状：3mm×0.8mm的矩形

[0165] 线圈组CG1的各个线圈60的内径：51mm

[0166] 线圈组CG1的各个线圈60的单匝线圈间的间距：16mm

[0167] 线圈组CG1的在轴线方向上相邻的单匝线圈间的间隙的距离：2mm

[0168] 与线圈组CG1的各线圈60连接的电容器的电容量：5600pF

[0169] 线圈组CG2的各个线圈60的线圈长度：152mm

[0170] 线圈组CG2的各个线圈60的形状：3mm×0.8mm的矩形

[0171] 线圈组CG2的各个线圈60的内径：60mm

[0172] 线圈组CG2的各个线圈60的单匝线圈间的间距：18.5mm

[0173] 线圈组CG2的在轴线方向上相邻的单匝线圈间的间隙的距离：5.5mm

[0174] 与线圈组CG2的各线圈60连接的电容器的电容量：5600pF

[0175] 线圈组CG3的各个线圈60的线圈长度：152mm

[0176] 线圈组CG3的各个线圈60的形状：3mm×0.8mm的矩形

[0177] 线圈组CG3的各个线圈60的内径：69mm

[0178] 线圈组CG3的各个线圈60的单匝线圈间的间距：21mm

[0179] 线圈组CG3的在轴线方向上相邻的单匝线圈间的间隙的距离：12mm

[0180] 线圈组CG3的各个线圈60的外周面与框架64之间的径向上的距离：13mm

[0181] 与线圈组CG3的各线圈60连接的电容器的电容量：5600pF

[0182] 分别在图17的(a)、图17的(b)、图17的(c)、图18的(a)、图18的(b)中示出在第十四仿真处理～第十八仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性。在图17的(a)、图17的(b)、图17的(c)、图18的(a)以及图18的(b)中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。如图17的(a)、图
17的(b)、图17的(c)、图18的(a)以及图18的(b)所示，相比于在第十四仿真处理和第十八仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在第十五仿真处理～第十七仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中，比较良好地维持了峰值频率的规律性。因而，确认出：当多个线圈
60的引出线60a相对于中心轴线AXC均匀地排列在90度以上270度以下的角度范围内时，能够进一步减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。

[0183] [第十九仿真处理～第二十三仿真处理]

[0184] 图19是用于说明在第十九仿真处理～第二十三仿真处理中使用的多个线圈的截面图。在第十九仿真处理～第二十三仿真处理中，计算分别具有三个线圈6019A、6019B、6019C的三个滤波器的合成阻抗的频率特性。三个线圈6019A、6019B、6019C各自的卷绕部具有互不相同的内径，设定为绕共通的中心轴线同轴且螺旋状地延伸。三个线圈6019A、
6019B、6019C设定为配置在筒状的框架6419内，该框架6419被设定为接地电位。三个线圈
6019A、6019B、6019C的一端侧的引出线6019Aa、6019Ba、6019Ca设定为彼此耦合。另外，在第十九仿真处理～第二十三仿真处理中，设定为三个电容器分别连接在三个线圈6019A、
6019B、6019C的另一端与地之间。在第十九仿真处理～第二十三仿真处理中，线圈6019C的内径ID3分别设定为线圈6019A的内径ID1的1.23倍、1.48倍、1.83倍、2.2倍、2.56倍。

[0185] 下面，示出第十九仿真处理～第二十三仿真处理的详细设定。

[0186] <第十九仿真处理～第二十三仿真处理的共通设定>

[0187] 线圈6019A的线圈长度：122mm

[0188] 线圈6019A的卷绕部的内径：65mm

[0189] 线圈6019A的卷绕部的单匝线圈间的间距：17.5mm

[0190] 与线圈6019A连接的电容器的电容量：5600pF

[0191] 线圈6019B的线圈长度：122mm

[0192] 与线圈6019B连接的电容器的电容量：5600pF

[0193] 线圈6019C的线圈长度：122mm

[0194] 线圈6019C的外周面与框架6419之间的径向上的距离：13mm

[0195] 与线圈6019C连接的电容器的电容量：5600pF

[0196] <第十九仿真处理的设定>

[0197] 线圈6019A的卷绕部的形状：3mm×9mm的矩形

[0198] 线圈6019B的卷绕部的形状：3mm×9mm的矩形

[0199] 线圈6019B的卷绕部的内径：74mm

[0200] 线圈6019B的卷绕部的单匝线圈间的间距：20mm

[0201] 线圈6019C的卷绕部的形状：3mm×9mm的矩形

[0202] 线圈6019C的卷绕部的内径：83mm

[0203] 线圈6019C的卷绕部的单匝线圈间的间距：22mm

[0204] <第二十仿真处理的设定>

[0205] 线圈6019A的卷绕部的形状：6mm×9mm的矩形

[0206] 线圈6019B的卷绕部的形状：6mm×9mm的矩形

[0207] 线圈6019B的卷绕部的内径：80mm

[0208] 线圈6019B的卷绕部的单匝线圈间的间距：21.1mm

[0209] 线圈6019C的卷绕部的形状：6mm×9mm的矩形

[0210] 线圈6019C的卷绕部的内径：95mm

[0211] 线圈6019C的卷绕部的单匝线圈间的间距：24.5mm

[0212] <第二十一仿真处理的设定>

[0213] 线圈6019A的卷绕部的形状：12mm×9mm的矩形

[0214] 线圈6019B的卷绕部的形状：12mm×9mm的矩形

[0215] 线圈6019B的卷绕部的内径：92mm

[0216] 线圈6019B的卷绕部的单匝线圈间的间距：23.9mm

[0217] 线圈6019C的卷绕部的形状：12mm×9mm的矩形

[0218] 线圈6019C的卷绕部的内径：119mm

[0219] 线圈6019C的卷绕部的单匝线圈间的间距：29.8mm

[0220] <第二十二仿真处理的设定>

[0221] 线圈6019A的卷绕部的形状：18mm×9mm的矩形

[0222] 线圈6019B的卷绕部的形状：18mm×9mm的矩形

[0223] 线圈6019B的卷绕部的内径：104mm

[0224] 线圈6019B的卷绕部的单匝线圈间的间距：26.6mm

[0225] 线圈6019C的卷绕部的形状：18mm×9mm的矩形

[0226] 线圈6019C的卷绕部的内径：143mm

[0227] 线圈6019C的卷绕部的单匝线圈间的间距：34.7mm

[0228] <第二十三仿真处理的设定>

[0229] 线圈6019A的卷绕部的形状：24mm×9mm的矩形

[0230] 线圈6019B的卷绕部的形状：24mm×9mm的矩形

[0231] 线圈6019B的卷绕部的内径：116mm

[0232] 线圈6019B的卷绕部的单匝线圈间的间距：29.2mm

[0233] 线圈6019C的卷绕部的形状：24mm×9mm的矩形

[0234] 线圈6019C的卷绕部的内径：167mm

[0235] 线圈6019C的卷绕部的单匝线圈间的间距：39.3mm

[0236] 分别在图20的(a)、图20的(b)、图20的(c)、图21的(a)、图21的(b)中示出在第十九仿真处理～第二十三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性。在图20的(a)、图20的(b)、图20的(c)、图21的(a)以及图21的(b)中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。如图20的(a)、图20的(b)、图20的(c)、图21的(a)以及图21的(b)所示，相比于在第二十二仿真处理和第二十三仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在第十九仿真处理～第二十一仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性中，比较良好地维持了峰值频率的规律性。根据该结果确认出：当具有不同的内径且同轴地设置的多个线圈中的设置于最外侧的线圈的内径为该多个线圈中的设置于最内侧的线圈的内径的1.83倍以下时，能够进一步减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。因而，确认出：当多个线圈组中的设置于最外侧的线圈组的两个以上的线圈的内径为多个线圈组中的设置于最内侧的线圈组的两个以上的线圈的内径的1.83倍以下时，能够进一步减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。

[0237] [第二十四仿真处理～第二十七仿真处理]

[0238] 图22为用于说明在第二十四仿真处理～第二十七仿真处理中使用的线圈组的图。在第二十四仿真处理～第二十七仿真处理中，计算分别具有四个线圈6024的四个滤波器的合成阻抗的频率特性。在第二十四仿真处理～第二十七仿真处理中，四个线圈6024构成单一的线圈组CGS24，设定为与多个线圈组CG各自的两个以上的线圈60同样地延伸。四个线圈
6024设定为配置在筒状的框架内，该框架被设定为接地电位。四个线圈6024的一端侧的引出线6024a设定为彼此耦合。另外，在第二十四仿真处理～第二十七仿真处理中，设定为四个电容器分别连接在四个线圈6024的另一端与地之间。在第二十四仿真处理中，在轴线方向Z上相邻的单匝线圈间的间隙的距离为零。在第二十五仿真处理～第二十七仿真处理中，由PEEK形成的绝缘体6124设定为配置于在轴线方向Z上相邻的单匝线圈间。在第二十五仿真处理～第二十七仿真处理中，绝缘体6124的轴线方向Z上的厚度分别为0.2mm、0.5mm、
1mm。

[0239] 下面，示出第二十四仿真处理～第二十七仿真处理的详细设定。

[0240] <第二十四仿真处理～第二十七仿真处理的共通设定>

[0241] 各个线圈6024的匝数：14.25匝

[0242] 各个线圈6024的卷绕部的形状10mm×1mm的矩形

[0243] 各个线圈6024的卷绕部的内径：114mm

[0244] 各个线圈6024的卷绕部的单匝线圈间的间距：8mm

[0245] 各个线圈6024的外周面与框架之间的径向上的距离：13mm

[0246] 与各个线圈6024连接的电容器的电容量：5600pF

[0247] 在图23的(a)中示出在第二十四仿真处理和第二十五仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在图23的(b)中示出在第二十四仿真处理和第二十六仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性，在图23的(c)中示出在第二十四仿真处理和第二十七仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性。在各图23的(a)、图23的(b)以及图23的(c)中，横轴表示频率，纵轴表示合成阻抗。如图23的(a)、图23的(b)以及图23的(c)所示，确认出：在第二十五仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性与在第二十四仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性大致一致，在第二十六仿真处理和第二十七仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性与在第二十四仿真处理中计算出的合成阻抗的频率特性大不不同。因而，当多个线圈的覆膜的膜厚度为0.2mm的一半以下、即0.1mm以下时，能够减少多个滤波器的阻抗的频率特性的差异。

[0248] 以上，对各种实施方式进行了说明，但不限定为上述的实施方式，能够构成各种变形方式。例如，具备滤波器装置FD的等离子体处理装置并不限定为电容耦合型的等离子体处理装置。滤波器装置FD能够利用于电感耦合型的等离子体处理装置、利用微波之类的表面波的等离子体处理装置这样的任意的等离子体处理装置中。

[0249] 另外，滤波器装置FD的用途并不限定为等离子体处理装置。滤波器装置FD能够利用于需要利用多个滤波器使高频切断或衰减的任意的用途。