干蚀刻设备

摘要

本发明提供一种干蚀刻设备。该干蚀刻设备包括：腔体、设于所述腔体上的多个气孔以及对应设于所述腔体中并对应位于每一气孔上的多个挡板，所述气孔用于向腔体外排气，所述挡板用于遮挡所述气孔的部分面积，降低气孔处的瀑布效应，减小多个气孔处的蚀刻速率，提高干蚀刻设备的蚀刻速率均一性。

权利要求

1.一种干蚀刻设备，其特征在于，包括：腔体(10)、设于所述腔体(10)上的多个气孔(11)以及设于所述腔体(10)中并对应位于每一气孔(11)上的多个挡板(12)；

所述气孔(11)用于向腔体(10)外排气；

所述挡板(12)用于遮挡所述气孔(11)的部分面积；

所述气孔(11)的数量为四个，该四个气孔(11)分别位于腔体(10)的四角；

还包括设于所述腔体(10)中并位于每相邻两个气孔(11)之间的多个导流板(13)；

所述导流板(13)的数量为四个；

对应位于每一气孔(11)上的挡板(12)与该气孔(11)相邻的两个导流板(13)通过螺纹连接。

2.如权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，还包括设于所述腔体(10)中并位于多个导流板(13)之间的下电极(14)，所述四个气孔(11)分别位于下电极(14)的四角，对应位于每一气孔(11)上的挡板(12)遮挡该气孔(11)靠近下电极(14)的部分面积。

3.如权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，还包括设于所述腔体(10)外并位于多个导流板(13)下方的多个分子泵(15)。

4.如权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述导流板(13)与挡板(12)的材料均为阳极氧化铝板。

5.如权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述挡板(12)的形状为矩形，该挡板(12)遮挡所述气孔(11)大于或等于二分之一的面积。

6.如权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述挡板(12)的形状为扇形，该挡板(12)遮挡所述气孔(11)小于二分之一的面积。

说明书

干蚀刻设备

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种干蚀刻设备。

背景技术

[0002] 薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

[0003] 现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(Color Filter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

[0004] 随着显示行业的发展，世代不断提高，液晶显示面板的尺寸不断增大，干蚀刻设备的蚀刻均一性(uniformity)对产品性能及品质起到至关重要的作用。高世代及大尺寸产品对膜层均一性的要求越来越高，以栅极绝缘层为例，蚀刻后的栅极绝缘层的膜厚均一性需要做到5％以下才能符合电性及色偏的需求。现有的干蚀刻设备通过导流板从制程腔的四角的气孔排气，因瀑布效应，气流聚集到四角时，会从气孔急速下流，生成物迅速被带走，同时反应物不断的流向四角，使得四角反应物浓度高于其它地区，由于反应物浓度高而生成物浓度低，造成四角的反应速度快于其它区域，严重影响产品的均一性。因此容易造成栅极绝缘层的膜厚的四周较薄，导致液晶显示面板的四周产生色偏，即栅极绝缘层的膜厚不均导致产品的颜色不均。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种干蚀刻设备，能够减小多个气孔处的蚀刻速率，提高干蚀刻设备的蚀刻速率均一性。

[0006] 为实现上述目的，本发明提供了一种干蚀刻设备，包括：腔体、设于所述腔体上的多个气孔以及设于所述腔体中并对应位于每一气孔上的多个挡板；

[0007] 所述气孔用于向腔体外排气；

[0008] 所述挡板用于遮挡所述气孔的部分面积。

[0009] 所述气孔的数量为四个，该四个气孔分别位于腔体的四角。

[0010] 所述干蚀刻设备还包括设于所述腔体中并位于每相邻两个气孔之间的多个导流板。

[0011] 所述导流板的数量为四个。

[0012] 对应位于每一气孔上的挡板与该气孔相邻的两个导流板通过螺纹连接。

[0013] 所述干蚀刻设备还包括设于所述腔体中并位于多个导流板之间的下电极，所述四个气孔分别位于下电极的四角，对应位于每一气孔上的挡板遮挡该气孔靠近下电极的部分面积。

[0014] 所述干蚀刻设备还包括设于所述腔体外并位于多个导流板下方的多个分子泵。

[0015] 所述导流板与挡板的材料均为阳极氧化铝板。

[0016] 所述挡板的形状为矩形，该挡板遮挡所述气孔大于或等于二分之一的面积。

[0017] 所述挡板的形状为扇形，该挡板遮挡所述气孔小于二分之一的面积。

[0018] 本发明的有益效果：本发明的干蚀刻设备包括：腔体、设于所述腔体上的多个气孔以及对应设于所述腔体中并对应位于每一气孔上的多个挡板，所述气孔用于向腔体外排气，所述挡板用于遮挡所述气孔的部分面积，降低气孔处的瀑布效应，减小多个气孔处的蚀刻速率，提高干蚀刻设备的蚀刻速率均一性。

附图说明

[0019] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

[0020] 附图中，

[0021] 图1为本发明的干蚀刻设备的一优选实施例的示意图；

[0022] 图2为本发明的干蚀刻设备的另一优选实施例的示意图。

具体实施方式

[0023] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

[0024] 请参阅图1及2，本发明提供一种干蚀刻设备，包括：腔体10、设于所述腔体10上的多个气孔11以及设于所述腔体10中并对应位于每一气孔11上的多个挡板12；

[0025] 所述气孔11用于向腔体10外排气；

[0026] 所述挡板12用于遮挡所述气孔11的部分面积。

[0027] 需要说明的是，由于干蚀刻设备通过多个气孔11向腔体10外排气以保持腔体10内的真空环境，因瀑布效应，气流聚集到多个气孔11时，会从气孔11处急速下流，腔体10中的生成物迅速被带走，同时反应物不断的流向气孔11，使得气孔11处的反应物浓度高于其它区域，由于反应物浓度高而生成物浓度低，造成气孔11处的蚀刻速率快于其它区域，因此本发明在每一气孔11上均设置挡板12来遮挡所述气孔11的部分面积，降低气孔11处的瀑布效应，减小多个气孔11处的蚀刻速率，提高干蚀刻设备的蚀刻速率均一性。

[0028] 具体地，虽然各社备厂商所设计的干蚀刻设备的气孔11位置、数量及大小不同，但都存在气孔11处的蚀刻速率快于其它区域的问题，可按本发明的思路设计相应的挡板12减小这一差异的影响。以下以四个气孔11为例来描述。

[0029] 具体地，所述四个气孔11分别位于腔体10的四角。

[0030] 具体地，所述干蚀刻设备还包括设于所述腔体10中并位于每相邻两个气孔11之间的多个导流板13，增加气体的流动性。进一步地，导流板13的数量优选为四个，即每相邻两个气孔11之间均设置一个导流板13。

[0031] 具体地，对应位于每一气孔11上的挡板12与该气孔11相邻的两个导流板13通过螺纹连接。

[0032] 具体地，所述干蚀刻设备还包括设于所述腔体10中并位于多个导流板13之间的下电极14，该下电极14用于产生电场使蚀刻气体中的等离子体受到引导及加速，对被蚀刻产品的表面进行轰击，达到对被蚀刻产品进行蚀刻的目的。所述四个气孔11同样分别位于下电极14的四角，那么对应位于每一气孔11上的挡板12遮挡住该气孔11靠近下电极14的部分面积，使得气孔11边缘远离下电极14，将瀑布效应的范围向远离下电极14的方向外扩，以减小对被蚀刻产品的影响，提高被蚀刻产品的蚀刻均一性。

[0033] 具体地，所述干蚀刻设备还包括设于所述腔体10外并位于多个导流板13下方的多个分子泵15，用于通过气孔11和导流板13向腔体10外抽气。进一步地，所述分子泵15的数量优选为八个，平均分布于四个导流板13的下方，即每两个分子泵15对应一个导流板13。

[0034] 具体地，所述导流板13的材料与挡板12的材料相同，均为阳极氧化铝板。

[0035] 具体地，请参阅图1，在本发明的干蚀刻设备的一优选实施例中，当气孔11处的蚀刻速率与其它区域的蚀刻速率差异较大时，所述挡板12的形状可以为矩形，并且该矩形挡板12的长度与气孔11的长度的比值大于或等于二分之一，即该矩形挡板12遮挡所述气孔11大于或等于二分之一的面积。

[0036] 具体地，请参阅图2，在本发明的干蚀刻设备的另一优选实施例中，当气孔11处的蚀刻速率与其它区域的蚀刻速率差异较小时，所述挡板12的形状可以为扇形，并且该扇形挡板12的半径与气孔11的长度的比值小于二分之一，即该挡板12遮挡所述气孔11小于二分之一的面积。当然所述挡板12还能设置成其他形状，例如三角形、锯齿形或圆形等。

[0037] 综上所述，本发明的干蚀刻设备包括：腔体、设于所述腔体上的多个气孔以及对应设于所述腔体中并对应位于每一气孔上的多个挡板，所述气孔用于向腔体外排气，所述挡板用于遮挡所述气孔的部分面积，降低气孔处的瀑布效应，减小多个气孔处的蚀刻速率，提高干蚀刻设备的蚀刻速率均一性。

[0038] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。