检查气体供给系统的方法

摘要

本发明提供一种检查气体供给系统的方法。一实施方式中，在基板处理装置的腔室经由气体供给管路及气体导入口连接有气化器。在气体供给管路连接有排气装置。基板处理装置具备获取气体供给管路的压力的测定值的压力传感器。一实施方式的方法包括：从气化器经由气体供给管路向腔室供给处理气体的工序；及在已停止向气体供给管路供给处理气体的状态下，对通过压力传感器获取的测定值的变化进行监控的工序。

权利要求

1.一种检查基板处理装置的气体供给系统的方法，其中，所述基板处理装置具备：

腔室主体，提供腔室；及

所述气体供给系统，以向所述腔室供给气体的方式构成，所述气体供给系统具有气体供给单元，

所述气体供给单元具有：

气化器，以通过使液体气化来产生处理气体的方式构成；

一级阀，与所述气化器连接；

流量控制器，设置于所述一级阀的二次侧且与该一级阀连接；

二级阀，设置于所述流量控制器的二次侧且与所述流量控制器连接；及配管，提供连接用于将所述处理气体导入到所述腔室的气体导入口与所述二级阀的气体供给管路，所述基板处理装置还具备：

压力传感器，以获取所述气体供给管路的压力的测定值的方式构成；及排气装置，与所述气体供给管路连接，该方法包括：

停止从所述气化器向所述气体供给管路供给所述处理气体的工序；及在停止从所述气化器向所述气体供给管路供给所述处理气体的期间对通过所述压力传感器获取的所述测定值的变化进行监控的工序，对所述测定值的变化进行监控的所述工序包括：

在停止从所述气化器向所述气体供给管路供给所述处理气体的期间且在基于所述排气装置的所述气体供给管路的排气期间获取通过所述压力传感器获取的所述测定值的减少速度的步骤；或在停止从所述气化器向所述气体供给管路供给所述处理气体的期间，所述气体供给管路不通过所述排气装置进行排气的状态下，检查通过所述压力传感器获取的所述测定值是否上升的步骤。

2.根据权利要求1所述的检查基板处理装置的气体供给系统的方法，其中，在对所述测定值的变化进行监控的所述工序中，获取所述测定值的减少速度，该方法还包括将所述减少速度与规定值进行比较的工序。

3.根据权利要求2所述的检查基板处理装置的气体供给系统的方法，其还包括：在停止从所述气化器向所述气体供给管路供给所述处理气体的期间，所述气体供给管路不通过所述排气装置进行排气的状态下，检查通过所述压力传感器获取的所述测定值是否上升的工序。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的检查基板处理装置的气体供给系统的方法，其还包括：在已停止从所述气化器向所述气体供给管路供给所述处理气体且所述流量控制器的控制阀关闭的状态下，通过所述排气装置对所述气体供给管路进行排气的工序；

在执行对所述气体供给管路进行排气的所述工序之后，在已停止基于所述排气装置的所述气体供给管路的排气且所述控制阀及所述二级阀关闭的状态下通过所述压力传感器获取所述气体供给管路的压力的第1测定值的工序；

执行获取第1测定值的所述工序之后，在已停止基于所述排气装置的所述气体供给管路的排气并且所述控制阀关闭且所述二级阀开启的状态下，通过所述压力传感器获取所述气体供给管路的压力的第2测定值的工序；及对所述第1测定值与所述第2测定值进行比较的工序。

说明书

检查气体供给系统的方法

技术领域

[0001] 本公开的实施方式涉及一种检查气体供给系统的方法。

背景技术

[0002] 电子器件的制造中，为了对基板进行加工而使用等离子体处理装置之类的基板处理装置。基板处理装置通常具备腔室主体及气体供给系统。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。气体供给系统向腔室供给气体。

[0003] 作为这种基板处理装置，日本特开2003-160870号公报中记载有一种具备具有气化器的气体供给系统的等离子体处理装置。气化器通过使液体气化来生成处理气体。通过气化器生成的处理气体经由气体供给管路被供给至腔室。

[0004] 通过气化器生成的处理气体有时会在气体供给管路内液化。并且，有时在气体供给管路内处理气体会因残留水分等反应而生成固体。或者，有时在向腔室导入该处理气体的气体导入口，来自气化器的处理气体与残留气体或来自腔室的逆流气体反应，从而生成固体。若气体供给管路内因处理气体反应而生成固体，则气体供给管路的容积减少。若在气体导入口因处理气体反应而生成固体，则气体导入口的截面积减少。其结果，供给至腔室的处理气体的响应性发生变化。供给至腔室的处理气体的响应性的变化影响基板的处理结果。因此，要求对具有气化器的气体供给系统进行检查。

发明内容

[0005] 一方式中，提供一种检查基板处理装置的气体供给系统的方法。基板处理装置具备腔室主体及气体供给系统。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。气体供给系统以向腔室供给气体的方式构成。气体供给系统具有气体供给单元。气体供给单元具有气化器、一级阀、流量控制器、二级阀及配管。气化器以通过使液体气化来产生处理气体的方式构成。一级阀与气化器连接。流量控制器设置于一级阀的二次侧，且与一级阀连接。二级阀设置于流量控制器的二次侧，且与流量控制器连接。配管提供气体供给管路。气体供给管路连接用于将处理气体导入至腔室的气体导入口与二级阀。基板处理装置还具备压力传感器及排气装置。压力传感器以获取气体供给管路的压力的测定值的方式构成。排气装置与气体供给管路连接。一方式所涉及的方法包括：停止从气化器向气体供给管路供给处理气体的工序；及在停止从气化器向气体供给管路供给处理气体的期间，对通过压力传感器获取的测定值的变化进行监控的工序。对测定值的变化进行监控的工序包括：在停止从气化器向气体供给管路供给处理气体的期间且在基于排气装置的气体供给管路的排气期间获取通过压力传感器获取的测定值的减少速度的步骤；或在停止从气化器向气体供给管路供给处理气体的期间，气体供给管路不通过排气装置进行排气的状态下，检查通过压力传感器获取的测定值是否上升的步骤。

[0006] 若向腔室供给的处理气体在气体供给管路内反应而生成固体，则气体供给管路的容积变小。当气体供给管路的容积变小时，若在已停止向气体供给管路供给处理气体的状态下通过排气装置执行气体供给管路的排气，则气体供给管路的压力的测定值的减少速度变高。当处理气体仅在气体导入口反应而生成固体时，若在已停止从气化器向气体供给管路供给处理气体的状态下通过排气装置执行气体供给管路的排气，则气体供给管路的压力的测定值的减少速度变低。根据一方式所涉及的方法，在获取该减少速度时，能够就气体供给管路的状态及气体导入口的状态对气体供给系统进行检查。

[0007] 当在已停止向气体供给管路供给处理气体且气体供给管路不通过排气装置进行排气的状态下，气体供给管路的压力的测定值上升时，气体供给管路内存在经液化的处理气体。因此，根据一方式所涉及的方法，在检查测定值是否上升时，能够在停止处理气体的供给的期间检查该处理气体是否在从气化器供给该处理气体的期间在气体供给管路内再液化。

[0008] 一实施方式中，方法还包括将减少速度与规定值进行比较的工序。规定值例如可以是在气体供给管路及气体导入口处未从处理气体生成固体的状态下的气体供给管路的压力的测定值的减少速度。当减少速度比规定值高时，可检测出处理气体在气体供给管路内反应而生成固体的情况。当减少速度比规定值低时，可检测出处理气体仅在气体导入口反应而生成固体的情况。

[0009] 一实施方式中，方法还包括：在已停止从气化器向气体供给管路供给处理气体且流量控制器的控制阀关闭的状态下，通过排气装置对气体供给管路进行排气的工序；在执行对气体供给管路进行排气的工序之后，在已停止基于排气装置的气体供给管路的排气且控制阀及二级阀关闭的状态下，通过压力传感器获取气体供给管路的压力的第1测定值的工序；执行获取第1测定值的工序之后，在已停止基于排气装置的气体供给管路的排气并且控制阀关闭且二级阀开启的状态下，通过压力传感器获取气体供给管路的压力的第2测定值的工序；及对第1测定值与第2测定值进行比较的工序。尽管控制阀关闭，但若控制阀泄漏便会在第1测定值与第2测定值之间产生差异。因此，根据该实施方式，能够检查出流量控制器的控制阀有无泄漏。

附图说明

[0010] 图1为表示检查一实施方式所涉及的气体供给系统的方法的流程图。

[0011] 图2为表示检查一实施方式所涉及的气体供给系统的方法的流程图。

[0012] 图3为表示检查一实施方式所涉及的气体供给系统的方法的流程图。

[0013] 图4为示意地表示作为一实施方式的基板处理装置的等离子体处理装置的图。

[0014] 图5为示意地表示一例质量流量控制器的图。

具体实施方式

[0015] 以下，参考附图对各种实施方式进行详细说明。另外，各附图中对相同或相当的部分标注相同的符号。

[0016] 图1、图2及图3为表示检查一实施方式所涉及的气体供给系统的方法的流程图。检查一实施方式所涉及的气体供给系统的方法MT包括图1所示的检查处理DA。方法MT还可以包括图2所示的检查处理DB及图3所示的检查处理DC。方法MT为了检查基板处理装置的气体供给系统而执行。气体供给系统以将从液体生成的处理气体供给至腔室的方式构成。方法MT为了在停止向腔室供给处理气体的期间检查气体供给系统而执行。

[0017] 图4为示意地表示作为一实施方式的基板处理装置的等离子体处理装置的图。图4所示的一实施方式的等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体处理装置。等离子体处理装置10具备腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。腔室主体12的中心轴线与沿铅垂方向延伸的轴线AX大致一致。腔室主体12提供其内部空间来作为腔室12c。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面实施了阳极氧化处理。腔室主体12接地。在腔室主体12的侧壁形成有通道12p。基板W在被搬入至腔室12c内时及从腔室12c搬出时通过通道12p。另外，基板W可以如晶圆那样具有大致圆盘形状。为了开闭通道12p，沿腔室主体12的侧壁设置有闸阀12g。

[0018] 在腔室主体12的底部上设置有支承部14。支承部14例如由绝缘材料形成。支承部14具有大致圆筒形状。支承部14在腔室12c内从腔室主体12的底部沿铅垂方向延伸。在腔室
12c内设置有载物台16。载物台16通过支承部14被支承。

[0019] 载物台16在其上表面支承基板W。载物台16具有下部电极18及静电吸盘20。下部电极18包括第1板18a及第2板18b。第1板18a及第2板18b例如由铝之类的金属形成，且具有大致圆盘形状。第2板18b设置于第1板18a上，且与第1板18a电连接。

[0020] 在第2板18b上设置有静电吸盘20。静电吸盘20具有绝缘层及作为内置于该绝缘层内的导电膜的电极。在静电吸盘20的电极上，经由开关23电连接有直流电源22。在静电吸盘20上载置基板W。若来自直流电源22的电压施加于静电吸盘20的电极，则在静电吸盘20与基板W之间产生静电引力。通过所产生的静电引力，基板W被静电吸盘20吸引。由此，基板W通过静电吸盘20被保持。

[0021] 在第2板18b的周缘部上以包围基板W的边缘的方式配置有聚焦环FR。聚焦环FR为了提高等离子体处理的均匀性而设置。聚焦环FR可以由例如硅、石英或SiC之类的材料构成。

[0022] 在第2板18b的内部设置有流路18f。制冷剂从设置于腔室主体12的外部的制冷单元经由配管26a而供给至流路18f。供给至流路18f的制冷剂经由配管26b返回到制冷单元。通过控制供给至流路18f的制冷剂的温度，载置于静电吸盘20上的基板W的温度得到控制。

[0023] 在等离子体处理装置10设置有气体供给管路28。气体供给管路28将来自传热气体供给机构的传热气体例如He气体供给至静电吸盘20的上表面与基板W的背面之间。

[0024] 等离子体处理装置10还具备气体喷出部30。气体喷出部30以向腔室12c喷出气体的方式构成。气体喷出部30构成上部电极。气体喷出部30隔着腔室12c内的空间设置于载物台16的上方。气体喷出部30经由部件32而被支承于腔室主体12的上部。部件32可以具有绝缘性。

[0025] 气体喷出部30具有喷淋板34及支承体36。喷淋板34设置于载物台16的上方。喷淋板34的下表面面向腔室12c。喷淋板34可以由例如硅或氧化硅形成。或者，喷淋板34可以通过在导电性(例如铝)的母材上实施陶瓷的涂层而形成。

[0026] 在喷淋板34形成有多个气体喷出口35。多个气体喷出口35沿喷淋板34的板厚方向贯穿该喷淋板34。一实施方式中，多个气体喷出口35构成多个气体喷出口组Ga、Gb、Gc。即，多个气体喷出口35中几个气体喷出口构成气体喷出口组Ga，多个气体喷出口35中另几个气体喷出口构成气体喷出口组Gb，多个气体喷出口35中又几个气体喷出口构成气体喷出口组Gc。另外，气体喷出口组的个数可以是任意个数。

[0027] 气体喷出口组Ga的气体喷出口35、气体喷出口组Gb的气体喷出口35、气体喷出口组Gc的气体喷出口35分别形成于相对于轴线AX同轴的喷淋板34的多个区域。具体而言，气体喷出口组Ga的气体喷出口35形成于与轴线AX交叉的区域。气体喷出口组Gb的气体喷出口35形成于形成有气体喷出口组Ga的气体喷出口35的区域的外侧区域。气体喷出口组Gc的气体喷出口35形成于形成有气体喷出口组Gb的气体喷出口35的区域的外侧区域。

[0028] 支承体36以装卸自如地支承喷淋板34的方式构成。支承体36可以由例如铝之类的导电性材料构成。在支承体36的内部形成有多个气体扩散室36a、36b、36c。多个气体扩散室36a、36b、36c相对于轴线AX同轴设置且相互分离。气体扩散室36a形成于与轴线AX交叉的区域。气体扩散室36b以在气体扩散室36a的外侧相对于轴线AX沿周向延伸的方式形成。气体扩散室36c以在气体扩散室36b的外侧相对于轴线AX沿周向延伸的方式形成。另外，气体扩散室的个数可以与气体喷出口组的个数相同。

[0029] 在支承体36中，从气体扩散室36a、36b、36c向下方延伸而形成有与多个气体喷出口35分别连通的多个孔。因此，气体喷出口组Ga的气体喷出口35与气体扩散室36a连接，气体喷出口组Gb的气体喷出口35与气体扩散室36b连接，气体喷出口组Gc的气体喷出口35与气体扩散室36c连接。

[0030] 等离子体处理装置10中，沿腔室主体12的内壁装卸自如地设置有屏蔽件40。屏蔽件40还设置于支承部14的外周。屏蔽件40防止等离子体处理的副产物附着于腔室主体12。屏蔽件40可以通过例如在铝制的母材包覆Y2O3等陶瓷而构成。

[0031] 腔室主体12的底部侧且支承部14与腔室主体12的侧壁之间设置有挡板42。挡板42可以通过例如在铝制的母材包覆Y2O3等陶瓷而构成。在挡板42中形成有多个通孔。在该挡板42的下方且腔室主体12设置有排气口12e。在排气口12e经由排气管44连接有自动压力控制阀46。在排气管44经由自动压力控制阀46连接有排气装置47。排气装置47例如为涡轮分子泵。在排气装置47经由阀48连接有另一排气装置49。排气装置49例如为干式真空泵。排气装置49经由阀50与腔室12c连接。

[0032] 等离子体处理装置10还具备第1高频电源51及第2高频电源52。第1高频电源51为产生等离子体生成用第1高频的电源。第1高频的频率例如为27～100MHz范围内的频率。第1高频电源51经由匹配器53与下部电极18连接。匹配器53具有用于使第1高频电源51的输出电阻与负荷侧(下部电极18侧)的电阻匹配的电路。另外，第1高频电源51也可以经由匹配器53与上部电极连接。

[0033] 第2高频电源52为用于产生将离子引入到基板W的第2高频即偏置用高频的电源。第2高频的频率例如为400kHz～13.56MHz范围内的频率。第2高频电源52经由匹配器54与下部电极18连接。匹配器54具有用于使第2高频电源52的输出电阻与负荷侧(下部电极18侧)的电阻匹配的电路。

[0034] 等离子体处理装置10还具备气体供给系统GS。气体供给系统GS具有气体供给单元GU1(第1气体供给单元)。气体供给系统GS可以进一步具有气体供给单元GU2(第2气体供给单元)及分流器FS。

[0035] 气体供给单元GU1具有气化器VZ、一级阀VA1、流量控制器FA、二级阀VA2及配管PA。配管PA提供气体供给管路L1。气体供给管路L1与腔室12c连接。一实施方式中，气体供给管路L1经由阀VD与腔室12c连接。从气体供给管路L1供给的气体从气体导入口12i导入至腔室
12c。

[0036] 气化器VZ使液体气化而生成处理气体。气化器VZ可以具有在其内部储存液体的储罐及用于使该储罐内的液体气化的加热装置。通过气化器VZ生成的处理气体(以下称为“第1处理气体”)为在基板W上堆积的气体。当在基板W上堆积硅类的材料时，第1处理气体例如可以是氨基硅烷类气体。当基板W具有多孔膜，且用液体填充该多孔膜内的细孔时，第1处理气体可以是通过毛管冷凝而液化的气体，例如碳氟类气体、烃气体或异丙醇之类的含醇的气体。

[0037] 等离子体处理装置10中，能够执行构成导入到基板W上或基板W内的第1处理气体的粒子的堆积与使用后述第2处理气体的针对基板W的等离子体蚀刻。等离子体处理装置10中，可以交替进行构成导入到基板W上或基板W内的第1处理气体的粒子的堆积与使用第2处理气体的针对基板W的等离子体蚀刻。

[0038] 在气化器VZ连接有一级阀VA1。在一级阀VA1的下游即二次侧设置有流量控制器FA。流量控制器FA与一级阀VA1连接。一实施方式中，流量控制器FA为质量流量控制器。

[0039] 图5为示意地表示一例质量流量控制器的图。流量控制器FA可以是图5所示的质量流量控制器。图5所示的流量控制器FA具有控制阀CV、控制部MC、温度传感器TS1及温度传感器TS2。流量控制器FA具有在一次侧与二次侧之间延伸的主气体管路ML。分支管路BL从主气体管路ML分支。分支管路BL在比主气体管路ML与该分支管路BL的分支部位更靠下游侧的合流部位再次与主气体管路ML连接。从一次侧向主气体管路ML流动的气体的一部分向分支管路BL流动，并在主气体管路ML与分支管路BL的合流部位再次合流到主气体管路ML。温度传感器TS1及温度传感器TS2沿分支管路BL依次设置。温度传感器TS1及温度传感器TS2以测定分支管路BL的温度的方式构成。控制阀CV相对于分支管路BL设置于二次侧且主气体管路ML上。控制部MC构成为根据通过温度传感器TS1测定的温度与通过温度传感器TS2测定的温度差求出流量，并以减少所求得的流量与设定流量的误差的方式控制控制阀CV的开度。

[0040] 在流量控制器FA的二次侧设置有二级阀VA2。二级阀VA2与流量控制器FA连接。在二级阀VA2连接有气体供给管路L1。

[0041] 在气体供给管路L1连接有排气装置49。具体而言，从排气装置49延伸的排气管路LE经由阀VE与气体供给管路L1连接。排气管路LE在阀VD与二级阀VA2之间和气体供给管路L1连接。另外，也可以是未连接于腔室12c的另一排气装置与气体供给管路L1连接，而非与腔室12c连接的排气装置49。

[0042] 等离子体处理装置10还具备压力传感器PS。压力传感器PS以获取气体供给管路L1的压力的测定值的方式构成。压力传感器PS以测定二级阀VA2与阀VD之间的气体供给管路L1的压力的方式设置。

[0043] 一实施方式中，在配管PA安装有加热器HT。加热器HT加热配管PA以防止第1处理气体在气体供给管路L1内液化。如图4所示，加热器HT可以以对提供从气化器VZ至阀VD之间的气体管路及从气体供给管路L1至阀VE之间的气体管路的配管进行加热的方式设置。

[0044] 气体供给单元GU2以供给第2处理气体及惰性气体的方式构成。第2处理气体例如为用于蚀刻基板W的膜的处理气体，例如含有碳氟类的气体。惰性气体为氮气或稀有气体。

[0045] 一实施方式中，气体供给单元GU2具有一级阀VB11、流量控制器FB1、二级阀VB12、一级阀VB21、流量控制器FB2及二级阀VB22。作为流量控制器FB1能够使用压力控制式的流量控制器或质量流量控制器。流量控制器FB1经由一级阀VB11与气体源SB1连接。气体源SB1为第2处理气体的来源。流量控制器FB1经由二级阀VB12与气体供给管路L2连接。

[0046] 作为流量控制器FB2能够使用压力控制式的流量控制器或质量流量控制器。流量控制器FB2经由一级阀VB21与气体源SB2连接。气体源SB2为惰性气体的来源。流量控制器FB2经由二级阀VB22与气体供给管路L2连接。气体供给管路L2在其下游侧与分流器FS的输入端连接。

[0047] 分流器FS具有多个输出端，在该多个输出端连接有多个气体供给管路L21、L22、L23。多个气体供给管路L21、L22、L23分别通过多个配管P21、P22、P23而提供。另外，分流器FS的输出端的个数可以与气体喷出口组的个数相同。分流器FS以将供给至其输入端的气体分配给多个气体供给管路L21、L22、L23的方式构成。

[0048] 分流器FS内，通用的气体管路73从其输入端延伸。气体管路73分支为多个气体管路74a、74b、74c。多个气体管路74a、74b、74c分别与多个气体供给管路L21、L22、L23连接。多个气体供给管路L21、L22、L23分别经由气体扩散室36a、36b、36c与多个气体喷出口组Ga、Gb、Gc连接。

[0049] 在气体管路74a上设置有一级阀76a、流量控制器75a及二级阀77a。在气体管路74b上设置有一级阀76b、流量控制器75b及二级阀77b。在气体管路74c上设置有一级阀76c、流量控制器75c及二级阀77c。流量控制器75a、流量控制器75b及流量控制器75c可以分别为质量流量控制器。

[0050] 一实施方式中，流量控制器FC经由二级阀VC2与气体供给管路L21连接。流量控制器FC可以是压力控制式的流量控制器。流量控制器FC经由一级阀VC1与气体源SC连接。另外，流量控制器FC可以与多个气体供给管路L21、L22、L23中的任意的气体供给管路连接。

[0051] 一实施方式中，等离子体处理装置10可以进一步具备控制部Cnt。控制部Cnt为具备处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机。控制部Cnt为了由等离子体处理装置10执行的等离子体处理，控制该等离子体处理装置10的各部。并且，控制部Cnt可以在方法MT的执行中控制等离子体处理装置10的各部，并且执行方法MT中的后述运算。

[0052] 再次参考图1～图3对方法MT进行说明。执行方法MT的检查处理之前，第1处理气体从气化器VZ经由气体供给管路L1及气体导入口12i而供给至腔室12c，从而基板W得到处理。方法MT的工序ST1中，停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体。工序ST1中，至少一级阀VA1关闭。

[0053] 图1所示的检查处理DA中，工序ST1之后，接着执行工序ST2、工序ST3及工序ST4。工序ST2～工序ST3在停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体的期间执行。执行工序ST2～工序ST3的期间，阀VD及阀VE开启。执行工序ST2～工序ST3的期间，二级阀VA2及流量控制器FA的控制阀CV可以关闭。

[0054] 工序ST2中，气体供给管路L1的排气开始。具体而言，通过排气装置49或另一排气装置排出气体供给管路L1内的气体。工序ST3中，对通过压力传感器PS获取的压力的测定值的变化进行监控。工序ST3在执行工序ST2的期间执行。即，工序ST3在停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体的期间且通过排气装置49或另一排气装置进行气体供给管路L1的排气的期间执行。具体而言，工序ST3中，获取通过压力传感器PS获取的压力的测定值的减少速度。减少速度借助通过压力传感器PS获取的压力的测定值的每单位时间的减少量或通过压力传感器PS获取的压力的测定值下降至规定值为止所需的时间来表示。

[0055] 下一工序ST4中，将工序ST3中所获取的减少速度与规定值进行比较。该规定值例如为与工序ST3中获取的减少速度相同地获取的气体供给管路L1的压力的测定值的减少速度，且在气体供给管路L1及气体导入口12i处未从第1处理气体生成固体的状态下获取的减少速度。当减少速度比规定值高时，可检测出第1处理气体在气体供给管路L1内生成固体而该固体附着于配管表面的情况。当减少速度比规定值低时，可检测出第1处理气体仅在气体导入口12i反应而生成固体的情况。

[0056] 若向腔室12c供给的第1处理气体在气体供给管路L1内反应而生成固体，则气体供给管路L1的容积变小。当气体供给管路L1的容积变小时，若在已停止向气体供给管路L1供给第1处理气体的状态下通过排气装置49或另一排气装置执行气体供给管路L1的排气，则气体供给管路L1的压力的测定值的减少速度变高。当第1处理气体仅在气体导入口12i反应而生成固体时，若在已停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体的状态下通过排气装置49或另一排气装置执行气体供给管路L1的排气，则气体供给管路L1的压力的测定值的减少速度变低。根据检查处理DA，获取该减少速度，因此能够就气体供给管路L1的状态及气体导入口12i的状态检查气体供给系统GS。

[0057] 如图2所示，检查处理DB中与检查处理DA相同地执行工序ST1。即，停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体。工序ST1中，至少一级阀VA1关闭。

[0058] 检查处理DB中，工序ST1之后接着执行工序ST11。工序ST11在停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体的期间执行。执行工序ST11的期间，二级阀VA2、流量控制器FA的控制阀CV可以关闭。执行工序ST11的期间，阀VD及阀VE关闭，从而不进行基于排气装置的气体供给管路L1的排气。

[0059] 工序ST11中，对通过压力传感器PS获取的压力的测定值的变化进行监控。具体而言，工序ST11中，检查通过压力传感器PS获取的气体供给管路L1的压力的测定值是否上升。可知，当在已停止向气体供给管路L1供给第1处理气体且不通过排气装置进行气体供给管路L1的排气的状态下，气体供给管路L1的压力的测定值上升时，停止从气化器VZ供给第1处理气体之前已经在气体供给管路L1内产生了第1处理气体的再液化。因此，根据检查处理DB，能够在停止该第1处理气体的供给的期间检查出在从气化器VZ供给第1处理气体的期间，第1处理气体是否在气体供给管路内再液化。

[0060] 如图3所示，检查处理DC中与检查处理DA相同地执行工序ST1。即，停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体。工序ST1中，至少一级阀VA1关闭。检查处理DC中，工序ST1之后接着执行工序ST21～工序ST28。工序ST21～工序ST27在停止从气化器VZ向气体供给管路L1供给第1处理气体的期间执行。执行工序ST23～工序ST27的期间，阀VD及阀VE关闭。

[0061] 工序ST21中，流量控制器FA的控制阀CV关闭。控制阀CV在执行工序ST21～工序ST27的期间关闭。另外，执行工序ST21～工序ST23的期间二级阀VA2开启。工序ST21之后的工序ST22中，通过排气装置49或另一排气装置进行气体供给管路L1的排气。下一工序ST23中，停止在工序ST22中进行的气体供给管路L1的排气。在工序ST23中开始的气体供给管路L1的排气的停止持续至工序ST27结束。

[0062] 下一工序ST24中，二级阀VA2关闭。下一工序ST25中，通过压力传感器PS获取气体供给管路L1的压力的测定值即第1测定值。即，工序ST25中，在基于排气装置的气体供给管路L1的排气停止且流量控制器FA的控制阀CV及二级阀VA2关闭的状态下获取第1测定值。

[0063] 下一工序ST26中，二级阀VA2开启。下一工序ST27中，通过压力传感器PS获取气体供给管路L1的压力的测定值即第2测定值。即，工序ST27中，在基于排气装置的气体供给管路L1的排气停止并且流量控制器FA的控制阀CV关闭且二级阀VA2开启的状态下获取第2测定值。下一工序ST28中，比较第1测定值与第2测定值。

[0064] 尽管流量控制器FA的控制阀CV关闭，但若控制阀CV泄漏便会在第1测定值与第2测定值之间产生差异。因此，根据检查处理DC，能够检查出流量控制器FA的控制阀CV有无泄漏。

[0065] 以上，对各种实施方式进行了说明，但能够构成各种变形方式而不受限于上述实施方式。例如方法MT能够应用于具备具有气化器的气体供给系统的任意的基板处理装置。并且，方法MT除了电容耦合型等离子体处理装置之外，还能够应用于如电感耦合型等离子体处理装置、使用微波之类的表面波的等离子体处理装置那样的任意的等离子体处理装置的气体供给系统的检查。

[0066] 其他实施方式中，检查气体供给系统的方法可以包括检查处理DA、检查处理DB及检查处理DC中的一个以上检查处理，而非检查处理DA、检查处理DB及检查处理DC的全部。