异形触控装置

摘要

一种异形触控装置，包括基板、第一开关元件、第一触控电极、第二开关元件以及第二触控电极。第一开关元件包括第一通道层、第一栅极、第一源极与第一漏极。第一栅极与第一通道层重叠的宽度为W1，且第一栅极与第一通道层重叠的长度为L1。第一触控电极电性连接至第一开关元件。第一触控电极的面积为A1。第二开关元件，包括第二通道层、第二栅极、第二源极与第二漏极。第二栅极与第二通道层重叠的宽度为W2，且第二栅极与第二通道层重叠的长度为L2，W1/L1>W2/L2。第二触控电极电性连接至第二开关元件。第二触控电极的面积为A2，A1>A2。

权利要求

1.一种异形触控装置，包括：一基板；

一第一开关元件，包括一第一通道层、一第一栅极、一第一源极与一第一漏极，该第一栅极与该第一通道层重叠的宽度为W1，且该第一栅极与该第一通道层重叠的长度为L1；

一第一触控电极，位于该基板上，且电性连接至该第一开关元件，其中该第一触控电极的面积为A1；

一第二开关元件，包括一第二通道层、一第二栅极、一第二源极与一第二漏极，该第二栅极与该第二通道层重叠的宽度为W2，且该第二栅极与该第二通道层重叠的长度为L2，其中W1/L1>W2/L2；以及一第二触控电极，位于该基板上，且电性连接至该第二开关元件，其中该第二触控电极的面积为A2，A1>A2。

2.如权利要求1所述的异形触控装置，还包括：一第三开关元件，具有一第三通道层、一第三栅极、一第三源极与一第三漏极，该第三栅极与该第三通道层重叠的宽度为W3，且该第三栅极与该第三通道层重叠的长度为L3，其中W2/L2>W3/L3；以及一第三触控电极，位于该基板上，且电性连接至该第三开关元件，其中该第三触控电极的面积为A3，A2>A3。

3.如权利要求1所述的异形触控装置，还包括：一第一电容器，电性连接于该第一开关元件与该第一触控电极之间；以及一第二电容器，电性连接于该第二开关元件与该第二触控电极之间，其中该第一电容器的电容值小于该第二电容器的电容值。

4.如权利要求3所述的异形触控装置，其中该第一电容器包括一第一主电极以及一第一副电极，该第二电容器包括一第二主电极以及一第二副电极，其中该第一副电极电性连接于该第二副电极。

5.如权利要求4所述的异形触控装置，还包括：多个主动元件，位于该基板上；以及多个像素电极，位于该基板上，且分别电性连接至所述主动元件，其中所述像素电极的一部分重叠于该第一触控电极，所述像素电极的另一部分重叠于该第二触控电极，且该第一触控电极、该第二触控电极、该第一副电极以及该第二副电极是由一相同膜层图案化形成，所述像素电极、该第一主电极以及该第二主电极是由另一相同膜层图案化形成。

6.如权利要求4所述的异形触控装置，还包括：多个主动元件，位于该基板上；以及多个有机发光二极管分别电性连接于所述主动元件，所述有机发光二极管的一部分是电性连接于该第一触控电极，且所述有机发光二极管的另一部分是电性连接于该第二触控电极。

7.如权利要求4所述的异形触控装置，还包括：一载板；

多个主动元件，位于该载板上；

多个像素电极，位于该载板上，且分别电性连接所述主动元件，其中所述像素电极的一部分重叠于该第一触控电极，所述像素电极的另一部分重叠于该第二触控电极；以及一液晶层，位于该基板以及该载板之间。

8.一种异形触控装置，包括：一基板；

一第一开关元件；

一第一触控电极，位于该基板上，且电性连接至该第一开关元件，其中该第一触控电极的面积为A1；

一第一电容器，电性连接于该第一开关元件与该第一触控电极之间；

一第二开关元件；

一第二触控电极，位于该基板上，且电性连接至该第二开关元件，其中该第二触控电极的面积为A2，A1>A2；以及一第二电容器，电性连接于该第二开关元件与该第二触控电极之间，其中该第一电容器的电容值小于该第二电容器的电容值。

9.如权利要求8所述的异形触控装置，其中该第一电容器包括一第一主电极以及一第一副电极，该第二电容器包括一第二主电极以及一第二副电极，其中该第一副电极电性连接于该第二副电极。

10.如权利要求9所述的异形触控装置，还包括：一第三开关元件；

一第三触控电极，位于该基板上，且电性连接至该第三开关元件，其中该第三触控电极的面积为A3，A2>A3；以及一第三电容器，电性连接于该第三开关元件与该第三触控电极之间，其中该第二电容器的电容值小于该第三电容器的电容值。

11.如权利要求9所述的异形触控装置，还包括：多个主动元件，位于该基板上；以及多个像素电极，位于该基板上，且分别电性连接至所述主动元件，其中所述像素电极的一部分重叠于该第一触控电极，所述像素电极的另一部分重叠于该第二触控电极，且该第一触控电极、与该第二触控电极、该第一主电极以及该第二主电极是由一相同膜层图案化形成，所述像素电极、该第一副电极以及该第二副电极是由另一相同膜层图案化形成。

12.如权利要求9所述的异形触控装置，还包括：多个主动元件，位于该基板上；以及多个有机发光二极管分别电性连接于所述主动元件，所述有机发光二极管的一部分是电性连接于该第一触控电极，且所述有机发光二极管的另一部分是电性连接于该第二触控电极。

13.如权利要求9所述的异形触控装置，还包括：一载板；

多个主动元件，位于该载板上；

多个像素电极，位于该载板上，且分别电性连接至所述主动元件，其中所述像素电极的一部分重叠于该第一触控电极，所述像素电极的另一部分重叠于该第二触控电极；以及一液晶层，位于该基板以及该载板之间。

14.如权利要求9所述的异形触控装置，其中该基板为一异形基板。

说明书

异形触控装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种触控装置，且特别涉及一种异形触控装置。

背景技术

[0002] 随着科技的进展，触控装置在市面上的出现率逐渐增加，且各种有关的技术也层出不穷。为了增加产品对于消费者的吸引力，各家厂商致力于研发异形触控装置。异形触控
装置不同于传统矩形的触控装置，异形触控装置在外观上的多变性能够吸引消费者的注
意。

[0003] 然而，在异形触控装置中，位于边缘处的触控电极往往与位于中央区域的触控电极具有不同的面积，不同的面积导致两者的电容不同，使得位于边缘处的触控电极与位于
中央区域的触控电极上的信号回复速度不同，因此，异形触控装置容易出现异常。

发明内容

[0004] 本发明提供一种异形触控装置，可以改善不同触控电极信号回复速度不同的问题。

[0005] 本发明的至少一实施例提供一种异形触控装置，包括基板、第一开关元件、第一触控电极、第二开关元件以及第二触控电极。第一开关元件包括第一通道层、第一栅极、第一
源极与第一漏极。第一栅极与第一通道层重叠的宽度为W1，且第一栅极与第一通道层重叠
的长度为L1。第一触控电极位于基板上，且电性连接至第一开关元件。第一触控电极的面积
为A1。第二开关元件包括第二通道层、第二栅极、第二源极与第二漏极。第二栅极与第二通
道层重叠的宽度为W2，且第二栅极与第二通道层重叠的长度为L2，W1/L1>W2/L2。第二触控
电极位于基板上，且电性连接至第二开关元件。第二触控电极的面积为A2，A1>A2。

[0006] 本发明的至少一实施例提供一种异形触控装置，包括基板、第一开关元件、第一触控电极、第一电容器、第二开关元件、第二触控电极。第一触控电极位于基板上，且电性连接
至第一开关元件。第一触控电极的面积为A1。第一电容器，电性连接于第一开关元件与第一
触控电极之间。第二触控电极位于基板上，且电性连接至第二开关元件。第二触控电极的面
积为A2，A1>A2。第二电容器电性连接于第二开关元件与第二触控电极之间。第一电容器的
电容值小于第二电容器的电容值。

[0007] 本发明的目的之一为改善不同触控电极上信号回复速度不同的问题。

[0008] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

[0009] 图1A是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的俯视图。

[0010] 图1B是图1A的异形触控装置的局部示意图。

[0011] 图2A是依照本发明的一实施例的一种第一开关元件的剖面示意图。

[0012] 图2B是图2A中第一开关元件的部分构件的立体示意图。

[0013] 图3A是依照本发明的一实施例的一种第二开关元件的剖面示意图。

[0014] 图3B是图3A中第三开关元件的部分构件的立体示意图。

[0015] 图4A是依照本发明的一实施例的一种第一开关元件的剖面示意图。

[0016] 图4B是图4A中第一开关元件的部分构件的立体示意图。

[0017] 图5A依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的局部俯视图。

[0018] 图5B是图5A中第一～第三电容器、第一～第三触控电极线以及第三导线的立体示意图。

[0019] 图6A依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的局部俯视图。

[0020] 图6B是图6A中第一～第三电容器、第一～第三触控电极线以及第三～第五导线的立体示意图。

[0021] 图7是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的剖面示意图。

[0022] 图8是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的剖面示意图。

[0023] 图9A依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的局部俯视图。

[0024] 图9B是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的剖面示意图。

[0025] 附图标记说明：

[0026] 10、20、30、40、50、60：异形触控装置

[0027] A：主动元件

[0028] AR：主动区

[0029] BM：黑矩阵

[0030] BR：周边区

[0031] CH1、CH2、CH3、CHa：通道层

[0032] CL、CL1、CL2、CL3、CL4、CL5：导线

[0033] C1、C2、C3：电容器

[0034] CF：滤光元件

[0035] D1、D2、D3、Da：漏极

[0036] DR1：驱动电路

[0037] DR2：开关模块

[0038] E1、E2、E3：触控电极

[0039] G1、G2、G3、Ga：栅极

[0040] GI、GIa：闸绝缘层

[0041] H1、H2、H3、H4、H5、H6、H7、H8、H7a、H8a、O：开口

[0042] I1、I1a、I2、I2a、I3：绝缘层

[0043] L：液晶层

[0044] L1、L2、L3：长度

[0045] ME1、ME2、ME3：主电极

[0046] OB：载板

[0047] OC：保护层

[0048] OE：有机发光层

[0049] OL：有机发光二极管

[0050] PE：像素电极

[0051] S1、S2、S3、Sa：源极

[0052] SB：基板

[0053] SE1、SE2、SE3：副电极

[0054] T1、T2、T3：开关元件

[0055] TL、TL1、TL2、TL3：触控电极线

[0056] W1、W2、W3：宽度

[0057] X1、X2：电极

具体实施方式

[0058] 图1A是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的俯视图。图1B是图1A的异形触控装置的局部示意图。为了方便说明，图1A与图1B省略示出了异形触控装置的部分构件，
且图1A省略示出了图1B中的触控电极。

[0059] 请参考图1A与图1B，异形触控装置10包括基板SB、驱动电路DR1与开关模块DR2以及多个触控电极。基板SB上具有主动区AR与位于主动区AR至少一侧的周边区BR，主动区AR
例如为非矩形的区域，非矩形的区域的形状例如为正圆形或椭圆形。在一些实施例中，基板
SB为非矩形的异形基板。

[0060] 驱动电路DR1与开关模块DR2位于基板SB的周边区BR上，且驱动电路DR1与开关模块DR2通过多条导线CL以及多条触控电极线TL电性连接，多条导线CL电性连接于驱动电路
DR1与开关模块DR2之间，多条触控电极线TL电性连接于驱动电路DR1与开关模块DR2之间。
多条导线CL举例是不重叠于主动区AR。触控电极线TL至少部分重叠于主动区AR。驱动电路
DR1用于提供触控信号，且驱动电路DR1例如是另外制作的芯片或是形成于基板SB上的电
路，但本发明不以此为限。在本实施例中，多条导线CL分别为第一导线CL1与第二导线CL2为
例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，导线CL的数量可以依照实际需求而调整。在本
实施例中，多条触控电极线TL分别为第一触控电极线TL1、第二触控电极线TL2与第三触控
电极线TL3为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，触控电极线TL的数量可以依照实
际需求而调整。在本实施例中，开关模块DR2包括第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第
三开关元件T3等开关元件，但本发明不以此为限。在其他实施例中，开关模块DR2的开关元
件的数量可以依照实际需求而调整。

[0061] 在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及第三触控电极E3等触控电极是位于基板SB的主动区AR上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，触控电极的数量可
以依照实际需求而调整。第一触控电极E1、第二触控电极E2以及第三触控电极E3分别电性
连接至第一触控电极线TL1、第二触控电极线TL2以及第三触控电极线TL3。

[0062] 第一触控电极E1的面积为A1，第二触控电极E2的面积为A2，第三触控电极E3的面积为A3。更具体地说，第一触控电极E1于基板SB上的垂直投影面积为A1，第二触控电极E2于
基板SB上的垂直投影面积为A2，第三触控电极E3于基板SB上的垂直投影面积为A3。在本实
施例中，A1>A2>A3。

[0063] 图2A是依照本发明的一实施例的一种第一开关元件的剖面示意图。图2B是图2A中第一开关元件的部分构件的立体示意图。

[0064] 请同时参考图1B、图2A以及图2B，第一开关元件T1包括第一通道层CH1、第一栅极G1、第一源极S1与第一漏极D1。第一栅极G1电性连接至第一导线CL1。第一栅极G1重叠于第
一通道层CH1，且第一栅极G1与第一通道层CH1之间夹有闸绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖第
一栅极G1。第一源极S1与第一漏极D1位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H1、H2而电性连
接至第一通道层CH1。开口H1、H2至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H1、H2贯穿闸
绝缘层GI与第一绝缘层I1。第一源极S1电性连接至第二导线CL2。

[0065] 第一触控电极E1通过第一触控电极线TL1电性连接至第一开关元件T1的第一漏极D1。

[0066] 图3A是依照本发明的一实施例的一种第二开关元件的剖面示意图。图3B是图3A中第二开关元件的部分构件的立体示意图。

[0067] 请同时参考图1B、图3A以及图3B，第二开关元件T2包括第二通道层CH2、第二栅极G2、第二源极S2与第二漏极D2。第二栅极G2电性连接至第一导线CL1。第二栅极G2重叠于第
二通道层CH2，且第二栅极G2与第二通道层CH2之间夹有闸绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖第
二栅极G2。第二源极S2与第二漏极D2位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H3、H4而电性连
接至第二通道层CH2。开口H3、H4至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H3、H4贯穿闸
绝缘层GI与第一绝缘层I1。第二源极S2电性连接至第二导线CL2。

[0068] 第二触控电极E2通过第二触控电极线TL2电性连接至第二开关元件T2的第二漏极D2。

[0069] 图4A是依照本发明的一实施例的一种第三开关元件的剖面示意图。图4B是图4A中第三开关元件的部分构件的立体示意图。

[0070] 请同时参考图1B、图4A以及图4B，第三开关元件T3包括第三通道层CH3、第三栅极G3、第三源极S3与第三漏极D3。第三栅极G3电性连接至第一导线CL1。第三栅极G3重叠于第
三通道层CH3，且第三栅极G3与第三通道层CH3之间夹有闸绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖第
三栅极G3。第三源极S3与第三漏极D3位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H5、H6而电性连
接至第三通道层CH3。开口H5、H6至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H5、H6贯穿闸
绝缘层GI与第一绝缘层I1。第三源极S3电性连接至第二导线CL2。

[0071] 第三触控电极E3通过第三触控电极线TL3电性连接至第三开关元件T3的第三漏极D3。

[0072] 请同时参考图2B、图3B与图4B，第一栅极G1与第一通道层CH1重叠的宽度为W1，且第一栅极G1与第一通道层CH1重叠的长度为L1。第二栅极G2与第二通道层重叠的宽度为W2，
且第二栅极G2与第二通道层CH2重叠的长度为L2。第三栅极G3与第三通道层CH3重叠的宽度
为W3，且第三栅极G3与第三通道层CH3重叠的长度为L3。在本实施例中，W1/L1>W2/L2>W3/
L3。

[0073] 由于开关元件中栅极与通道层重叠的宽度与开关元件的阻抗成负相关，且开关元件中栅极与通道层重叠的长度与开关元件的阻抗成正相关，因此，第三开关元件T3的阻抗
大于第二开关元件T2的阻抗，且第二开关元件T2的阻抗大于第一开关元件T1的阻抗。

[0074] 通过使具备不同阻抗的第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第三开关元件T3分别电性连接至第一触控电极E1、第二触控电极E2与第三触控电极E3，使第一触控电极E1、第
二触控电极E2与第三触控电极E3因为面积不同所导致的电容电阻负载(RC loading)分布
不均的问题得以补正，以改善第一触控电极E1、第二触控电极E2与第三触控电极E3信号回
复速度不同的问题。

[0075] 虽然在本实施例中，第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第三开关元件T3是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一开关元件T1、
第二开关元件T2以及第三开关元件T3也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。

[0076] 图5A依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的局部俯视图。图5B是图5A中第一～第三电容器、第一～第三触控电极线以及第三导线的立体示意图。

[0077] 在此必须说明的是，图5A、图5B的实施例沿用图1A～图4B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内
容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

[0078] 在本实施例中，异形触控装置20还包括第一电容器C1、第二电容器C2、第三电容器C3以及第三导线CL3。

[0079] 第一电容器C1电性连接于第一开关元件T1与第一触控电极E1之间。第二电容器C2电性连接于第二开关元件T2与第二触控电极E2之间。第三电容器C3电性连接于第三开关元
件T3与第三触控电极E3之间。

[0080] 第一电容器C1包括第一主电极ME1以及第一副电极SE1，第一主电极ME1以及第一副电极SE1之间例如夹有绝缘层，第一主电极ME1例如电性连接于第一触控电极线TL1。第二
电容器C2包括第二主电极ME2以及第二副电极SE2，第二主电极ME2以及第二副电极SE2之间
例如夹有绝缘层，第二主电极ME2例如电性连接于第二触控电极线TL2。第三电容器C3包括
第三主电极ME3以及第三副电极SE3，第三主电极ME3以及第三副电极SE3之间例如夹有绝缘
层，第三主电极ME3例如电性连接于第三触控电极线TL3。在本实施例中，第一副电极SE1、第
二副电极SE2以及第三副电极SE3例如电性连接于第三导线CL3，第一导线CL1例如位于第二
导线CL2以及第三导线CL3之间，且第一副电极SE1、第二副电极SE2以及第三副电极SE3通过
第三导线CL3而电性连接至一共用电压。

[0081] 在本实施例中第一副电极SE1/第二副电极SE2/第三副电极SE3举例是位于基板SB与第一主电极ME1/第二主电极ME2/第三主电极ME3之间，但本发明不以此为限。在其他实施
例中，第一主电极ME1/第二主电极ME2/第三主电极ME3举例是位于基板SB与第一副电极
SE1/第二副电极SE2/第三副电极SE3之间。

[0082] 通过调整第一主电极ME1、第二主电极ME2、第三主电极ME3、第一副电极SE1、第二副电极SE2以及第三副电极SE3的面积可以改变第一电容器C1、第二电容器C2以及第三电容
器C3的电容值。在本实施例中，第一电容器C1的电容值小于第二电容器C2的电容值，且第二
电容器C2的电容值小于第三电容器C3的电容值。电容值较大的第三电容器C3电性连接至面
积较小的第三触控电极E3，电容值较小的第一电容器C1电性连接至面积较大的第一触控电
极E1。

[0083] 通过使具备不同电容值的第一电容器C1、第二电容器C2以及第三电容器C3分别电性连接至具有不同面积的第一触控电极E1、第二触控电极E2与第三触控电极E3，使第一触
控电极E1、第二触控电极E2与第三触控电极E3因为面积不同所导致的电容电阻负载(RC 
loading)分布不均的问题得以补正，以改善第一触控电极E1、第二触控电极E2与第三触控
电极E3信号回复速度不同的问题。

[0084] 在本实施例中，可以通过具备不同电容值的第一电容器C1、第二电容器C2以及第三电容器C3来改善第一触控电极E1、第二触控电极E2与第三触控电极E3信号回复速度不同
的问题，而不需要使第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第三开关元件T3具有不同的阻
抗，但本发明不以此为限，第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第三开关元件T3的阻抗可
以不同，使第一触控电极E1、第二触控电极E2与第三触控电极E3信号回复速度不同的问题
能进一步改善。

[0085] 图6A依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的局部俯视图。图6B是图6A中第一～第三电容器、第一～第三触控电极线以及第三～第五导线的立体示意图。

[0086] 在此必须说明的是，图6A、图6B的实施例沿用图5A、图5B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容
的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

[0087] 图6A的异形触控装置30与图5A的异形触控装置20的主要差异在于：异形触控装置30的第一副电极SE1、第二副电极SE2以及第三副电极SE3分别电性连接至不同的导线。

[0088] 请参考图6A与图6B，在本实施例中，第一副电极SE1、第二副电极SE2以及第三副电极SE3分别电性连接至第三导线CL3、第四导线CL4以及第五导线CL5。

[0089] 由于第一副电极SE1、第二副电极SE2以及第三副电极SE3分别电性连接至不同的导线，因此可以对第一副电极SE1、第二副电极SE2以及第三副电极SE3施加不同的电压。

[0090] 图7是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图5A、图5B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似
的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明
可参考前述实施例，在此不赘述。

[0091] 请参考图7，异形触控装置40还包括载板OB、滤光元件CF、黑矩阵BM、液晶层L、保护层OC、多个主动元件A以及多个像素电极PE。液晶层L位于载板OB与基板SB之间。

[0092] 主动元件A位于基板SB的主动区AR(例如图1A的主动区AR)上。主动元件A包括通道层CHa、栅极Ga、源极Sa与漏极Da。栅极Ga电性连接至扫描线(未绘出)。栅极Ga重叠于通道层
CHa，与门极Ga与通道层CHa之间夹有闸绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖栅极Ga。源极Sa与漏极
Da位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H7、H8而电性连接至通道层CHa。开口H7、H8至少贯
穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H7、H8贯穿闸绝缘层GI与第一绝缘层I1。源极Sa电性
连接至数据线(未绘出)。

[0093] 在本实施例中，主动元件A例如与第一开关元件T1(绘于图2B)、第二开关元件T2(绘于图3B)以及第三开关元件T3(绘于图4B)是在相同的工艺中形成，但本发明不以此为
限。

[0094] 在本实施例中，主动元件A是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件A也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。

[0095] 第二绝缘层I2覆盖源极Sa与漏极Da。像素电极PE位于基板SB的主动区AR上。像素电极PE位于第二绝缘层I2上，且通过开口O而分别电性连接至主动元件A的漏极Da，开口O至
少贯穿第二绝缘层I2。

[0096] 第三绝缘层I3覆盖像素电极PE。第一触控电极E1与第二触控电极E2覆盖第三绝缘层I3。像素电极PE的一部分重叠于第一触控电极E1，像素电极PE的另一部分重叠于第二触
控电极E2。虽然在图5中是以两个像素电极PE重叠于第一触控电极E1，两个像素电极PE重叠
于第二触控电极E2为例，但本发明不以此为限。重叠于第一触控电极E1的像素电极PE的数
量以及重叠于第二触控电极E2的像素电极PE的数量可以依照实际需求调整，且重叠于第一
触控电极E1的像素电极PE的数量以及重叠于第二触控电极E2的像素电极PE的数量可以不
同。

[0097] 在本实施例中，第一触控电极E1与第二触控电极E2亦可作为共用电极使用。在一些实施例中，第一触控电极E1与第二触控电极E2可以分别有多个狭缝，使得异形触控装置
为边缘场开关型(Fringe Field Switching；FFS)液晶显示触控装置。在其他实施例中，像
素电极是位于共用电极上方，亦即像素电极位于共用电极与液晶层L之间，第一触控电极与
第二触控电极作为共用电极使用，像素电极分别有多个狭缝。

[0098] 在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、第一主电极ME1、第二主电极ME2以及第三主电极ME3是由相同膜层图案化形成，像素电极PE、第一副电极SE1、第二副电
极SE2、第三副电极SE3是由另一相同膜层图案化形成，但本发明不以此为限。在其他实施例
中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、第一主电极ME1、第二主电极ME2以及第三主电极ME3
是由相同膜层图案化形成，第一副电极SE1、第二副电极SE2、第三副电极SE3是由另一相同
膜层图案化形成且不与像素电极PE由相同膜层图案化形成。

[0099] 在本实施例中，滤光元件CF与黑矩阵BM位于载板OB上。滤光元件CF例如包括多个不同颜色的滤光图案，而黑矩阵BM位于不同颜色的滤光图案之间。保护层OC覆盖滤光元件
CF，且位于滤光元件CF与液晶层L之间。

[0100] 虽然在本实施例中，异形触控装置40是以采用边缘场开关技术(FringeField Switching,FFS)的液晶显示装置为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，异形触控装
置可以是采用横向电场效应技术(In-Plane Switching,IPS)、垂直配向技术(Vertical 
Alignment,VA)或其他显示技术的液晶显示装置。

[0101] 图8是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号
来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考
前述实施例，在此不赘述。

[0102] 请参考图8，在本实施例中，异形触控装置50为有机发光二极管液晶显示装置。

[0103] 图8的异形触控装置50与图7的异形触控装置40的主要差异在于：异形触控装置50包括多个有机发光二极管OL。

[0104] 有机发光二极管OL包括第一电极X1、第二电极X2以及位于第一电极X1和第二电极X2之间的有机发光层OE。多个有机发光二极管OL分别电性连接于主动元件A。在本实施例
中，有机发光二极管OL的第一电极X1通过开口O而电性连接至主动元件A的漏极Da。

[0105] 第三绝缘层I3覆盖第一电极T1。第一触控电极E1与第二触控电极E2覆盖第三绝缘层I3。

[0106] 在本实施例中，有机发光二极管OL的一部分是电性连接于第一触控电极E1，且有机发光二极管OL的另一部分是电性连接于第二触控电极E2。举例来说，部分有机发光二极
管OL的第二电极X2与第一触控电极E1电性连接或一体成形，另一部分有机发光二极管OL的
第二电极X2与第二触控电极E2电性连接或一体成形。

[0107] 图9A依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的局部俯视图。图9B是依照本发明的一实施例的一种异形触控装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图9A、图9B的实施例
沿用图1A～图4B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同
或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，
在此不赘述。

[0108] 请参考图9A、图9B，在本实施例中，异形触控装置60还包括载板OB、闸绝缘层GIa、第一绝缘层I1a、第二绝缘层I2a、滤光元件CF、黑矩阵BM、液晶层L、保护层OC、多个主动元件
A以及多个像素电极PE。液晶层L位于载板OB与基板SB之间。

[0109] 在本实施例中，第一～第三开关元件T1、T3位于基板SB上，而主动元件A则位于载板OB上。

[0110] 主动元件A对应基板SB的主动区AR而设置。主动元件A包括通道层CHa、栅极Ga、源极Sa与漏极Da。栅极Ga电性连接至扫描线(未绘出)。栅极Ga重叠于通道层CHa，与门极Ga与
通道层CHa之间夹有闸绝缘层GIa。第一绝缘层I1a覆盖栅极Ga。源极Sa与漏极Da位于第一绝
缘层I1a上，且分别通过开口H7a、H8a而电性连接至通道层CHa。开口H7a、H8a至少贯穿第一
绝缘层I1a，在本实施例中，开口H7a、H8a贯穿闸绝缘层GIa与第一绝缘层I1a。源极Sa电性连
接至数据线(未绘出)。

[0111] 第二绝缘层I2a覆盖源极Sa与漏极Da。像素电极PE位于载板OB上，且对应于基板SB的主动区AR而设置。像素电极PE位于第二绝缘层I2a上，且通过开口Oa而分别电性连接至主
动元件A的漏极Da，开口Oa至少贯穿第二绝缘层I2a。

[0112] 像素电极PE的一部分重叠于第一触控电极E1，像素电极PE的另一部分重叠于第二触控电极E2。第一触控电极E1与第二触控电极E2可以作为共用电极使用。

[0113] 在一些实施例中，载板OB与基板SB之间还可以形成有额外的共用电极(未示出)，换句话说，第一触控电极E1与第二触控电极E2可以不用作为共用电极使用。

[0114] 在本实施例中，滤光元件CF与黑矩阵BM位于基板SB上。滤光元件CF例如包括多个不同颜色的滤光图案，而黑矩阵BM位于不同颜色的滤光图案之间。保护层OC覆盖滤光元件
CF，且位于滤光元件CF与液晶层L之间。

[0115] 综上所述，本发明的至少一实施例通过使具备不同阻抗的开关元件分别电性连接至具有不同面积的触控电极，使触控电极因为面积不同所导致的电容电阻负载分布不均的
问题得以补正，以改善触控电极信号回复速度不同的问题。

[0116] 本发明的至少一实施例通过使具备不同电容值的电容器分别电性连接至具有不同面积的触控电极，使触控电极因为面积不同所导致的电容电阻负载分布不均的问题得以
补正，以改善触控电极信号回复速度不同的问题。

[0117] 虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护
范围当视权利要求所界定者为准。