柔性基底及其制造方法、显示装置

摘要

本发明公开一种柔性基底及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。柔性基底包括依次叠加的多个基底结构层，多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。本发明有助于解决显示装置的结构复杂的问题，简化显示装置的结构。本发明用于柔性显示。

权利要求

1.一种柔性基底，其特征在于，所述柔性基底包括：

依次叠加的多个基底结构层，所述多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层、第二基底结构层和位于所述第一基底结构层与所述第二基底结构层之间的第三基底结构层，其中所述第一基底结构层和第三基底结构层都包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层，所述第一基底结构层的光子晶体层的光子禁带与所述第二基底结构层的光子晶体层的光子禁带不同。

2.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，

所述第二基底结构层包括依次叠加的有机层和无机层。

3.根据权利要求1至2任一所述的柔性基底，其特征在于，所述光子晶体层为二维光子晶体层。

4.根据权利要求3所述的柔性基底，其特征在于，所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔，所述多个通孔中的每个通孔中充填有有机材料。

5.根据权利要求4所述的柔性基底，其特征在于，所述多个通孔均为圆形通孔，所述多个通孔中的每个通孔的孔径的取值范围为10纳米～1000纳米。

6.根据权利要求4所述的柔性基底，其特征在于，所述通孔中充填的有机材料与所述有机层的形成材料相同。

7.根据权利要求6所述的柔性基底，其特征在于，所述有机材料为聚酰亚胺。

8.根据权利要求1至2任一所述的柔性基底，其特征在于，所述无机层的形成材料和所述光子晶体层的形成材料均为氧化硅。

9.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，

所述有机层的厚度的取值范围为6微米～8微米，所述光子晶体层的厚度的取值范围为

100纳米～300纳米；

所述第一基底结构层和所述第三基底结构层中的无机层的厚度的取值范围均为700纳米～900纳米，所述第二基底结构层中的无机层的厚度的取值范围为500纳米～1500纳米。

10.根据权利要求1至2任一所述的柔性基底，其特征在于，所述有机层的表面粗糙度小于或等于2％，所述无机层的表面粗糙度小于或等于3％，每个所述光子晶体层的表面粗糙度小于或等于3％。

11.一种柔性基底的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，所述多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层、第二基底结构层和位于所述第一基底结构层与所述第二基底结构层之间的第三基底结构层，其中所述第一基底结构层和第三基底结构层都包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层，所述第一基底结构层的光子晶体层的光子禁带与所述第二基底结构层的光子晶体层的光子禁带不同；

剥离所述衬底基板，得到柔性基底。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，包括：在衬底基板上形成有机层；

在形成所述有机层的衬底基板上形成无机母层；

通过一次构图工艺对所述无机母层进行处理，得到无机层和光子晶体层，所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔；

在所述光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层，包括：在形成所述光子晶体层的衬底基板上形成第二基底结构层，所述第二基底结构层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的有机层和无机层，所述有机层的形成材料充填在所述光子晶体层的每个通孔中，得到第一基底结构层。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至10任一所述的柔性基底。

说明书

柔性基底及其制造方法、显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种柔性基底及其制造方法、显示装置。

背景技术

[0002] 有源矩阵有机发光二极管(英文：Active Matrix Organic Light Emitting Diode；简称：AMOLED)显示装置是一种新型的柔性平板显示装置，其具有色域广、对比度高、超薄以及柔性显示等特点，被业界认为是现在以及未来最具有潜力的显示装置。

[0003] AMOLED显示装置包括柔性基底以及设置在柔性基底上的背板电路、阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、阴极和封装层等结构，背板电路包括薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)，TFT包括依次设置的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，源漏极层包括源极和漏极，源极和漏极分别搭接在有源层上，且漏极与阳极连接，栅极用于控制TFT的开启或关闭，在TFT开启时，有源层导通，源极上的数据信号通过有源层流向漏极，并通过漏极流向阳极，使阳极与阴极之间形成电场，在该电场的作用下，阳极中的空穴通过空穴传输层注入有机发光层，阴极中的电子通过电子传输层注入有机发光层，空穴和电子在有机发光层中复合产生能量，激发有机发光层发光，使AMOLED显示装置实现图像显示。其中，有源层通常采用二氧化硅(SiO2)等半导体材料形成，在受到光照时，半导体材料的导带或杂质能带的电子受到激发会跃迁至价带使有源层导通，使源极上的数据信号通过有源层流向漏极，并通过漏极流向阳极，阳极与阴极之间形成电场，导致有机发光层发光，从而导致AMOLED显示装置出现显示异常。为了避免光照对有源层的影响，相关技术中，通常在柔性基底的背面(也即是柔性基底远离背板电路的一面)贴附遮光膜对光线进行遮挡。

[0004] 在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：由于需要在柔性基底的背面贴附遮光膜，因此AMOLED显示装置的结构复杂。

发明内容

[0005] 本发明提供一种柔性基底及其制造方法、显示装置，有助于解决显示装置的结构复杂的问题。本发明的技术方案如下：

[0006] 第一方面，提供一种柔性基底，所述柔性基底包括：

[0007] 依次叠加的多个基底结构层，所述多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。

[0008] 可选地，所述多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层和第二基底结构层，所述第一基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。

[0009] 可选地，所述第二基底结构层包括依次叠加的有机层和无机层；

[0010] 所述多个基底结构层还包括：位于所述第一基底结构层与所述第二基底结构层之间的第三基底结构层，所述第三基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。

[0011] 可选地，所述光子晶体层为二维光子晶体层。

[0012] 可选地，所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔，所述多个通孔中的每个通孔中充填有有机材料。

[0013] 可选地，所述多个通孔均为圆形通孔，所述多个通孔中的每个通孔的孔径的取值范围为10纳米～1000纳米。

[0014] 可选地，所述通孔中充填的有机材料与所述有机层的形成材料相同。

[0015] 可选地，所述有机材料为聚酰亚胺。

[0016] 可选地，所述无机层的形成材料和所述光子晶体层的形成材料均为氧化硅。

[0017] 可选地，所述有机层的厚度的取值范围为6微米～8微米，所述光子晶体层的厚度的取值范围为100纳米～300纳米；

[0018] 所述第一基底结构层和所述第三基底结构层中的无机层的厚度的取值范围均为700纳米～900纳米，所述第二基底结构层中的无机层的厚度的取值范围为500纳米～1500纳米。

[0019] 可选地，所述有机层的表面粗糙度小于或等于2％，所述无机层的表面粗糙度小于或等于3％，所述光子晶体层的表面粗糙度小于或等于3％。

[0020] 第二方面，提供一种柔性基底的制造方法，所述方法包括：

[0021] 在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，所述多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层；

[0022] 剥离所述衬底基板，得到柔性基底。

[0023] 可选地，所述在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，包括：

[0024] 在衬底基板上形成有机层；

[0025] 在形成所述有机层的衬底基板上形成无机母层；

[0026] 通过一次构图工艺对所述无机母层进行处理，得到无机层和光子晶体层，所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔；

[0027] 在所述光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层。

[0028] 可选地，所述在所述光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层，包括：

[0029] 在形成所述光子晶体层的衬底基板上形成第二基底结构层，所述第二基底结构层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的有机层和无机层，所述有机层的形成材料充填在所述光子晶体层的每个通孔中，得到第一基底结构层。

[0030] 第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面或第一方面的任一可选方式所述的柔性基底。

[0031] 本发明提供的技术方案带来的有益效果是：

[0032] 本发明提供的柔性基底及其制造方法、显示装置，由于柔性基底的至少一个基底结构层中包括光子晶体层，光子晶体层具有光子禁带，因此光子晶体层可以对波长处于光子禁带范围内的光线进行吸收，无需在柔性基底的背面贴附遮光膜，有助于解决显示装置的结构复杂的问题，简化显示装置的结构。

[0033] 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。

附图说明

[0034] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0035] 图1是本发明实施例提供的一种柔性基底的结构示意图；

[0036] 图2是本发明实施例提供的另一种柔性基底的结构示意图；

[0037] 图3是本发明实施例提供的一种光子晶体层的立体结构示意图；

[0038] 图4是本发明实施例提供的一种光子晶体层的正视图；

[0039] 图5是本发明实施例提供的一种光子晶体层的吸收光谱对比图；

[0040] 图6是本发明实施例提供的一种光照前后TFT的特性曲线对比图；

[0041] 图7是本发明实施例提供的一种柔性基底的制造方法的方法流程图；

[0042] 图8是本发明实施例提供的另一种柔性基底的制造方法的方法流程图；

[0043] 图9是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成有机层后的示意图；

[0044] 图10是本发明实施例提供的一种在形成有机层的衬底基板上形成无机母层后的示意图；

[0045] 图11是本发明实施例提供的一种通过一次构图工艺对无机母层进行处理后的示意图；

[0046] 图12是本发明实施例提供的一种在形成光子晶体层的衬底基板上形成有机层后的示意图；

[0047] 图13是本发明实施例提供的一种在形成有机层的衬底基板上形成无机层后的示意图。

[0048] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

具体实施方式

[0049] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

[0050] 随着显示行业的飞速发展，诸如全面屏技术和光学指纹识别技术等的新型显示技术不断涌现，这使得作为显示技术基础的TFT的稳定性变得至关重要。TFT的有源层通常采用SiO2等半导体材料形成，在受到某些波段的光线的照射时，半导体材料的导带或杂质能带的电子受到激发会跃迁至价带，从而使TFT的有源层导通，TFT产生一定的漏电流，引起有机发光层发光，从而显示装置会出现显示异常。相关技术中，通常采用模组贴膜的方式在显示装置上贴附遮光膜对光线进行拦截，避免光线照射到TFT上，该方法对可见光具有较好的拦截效果，但是对紫外光和红外光等某些特定波长的光线却功效较低。此外，在显示装置上贴附遮光膜会导致显示装置的结构较为复杂。

[0051] 本发明实施例提供的柔性基底及其制造方法、显示装置，柔性基底包括光子光子晶体层，光子晶体层具有光子禁带(英文：Photonic Band Gap)，因此光子晶体层能够对特定波长的光线进行吸收，避免光线照射到显示装置的TFT上，该光子晶体层对某些特定波长的光线具有较好的吸收效果，并且可以无需贴附遮光膜，简化了显示装置的结构。本发明的详细方案请参考下述实施例。

[0052] 请参考图1，其示出了本发明实施例提供的一种柔性基底01的结构示意图，该柔性基底01包括：依次叠加的多个基底结构层，多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体(英文：PhotonicCrystal；简称：PC)层。

[0053] 综上所述，本发明实施例提供的柔性基底，由于至少一个基底结构层中包括光子晶体层，光子晶体层具有光子禁带，因此光子晶体层可以对波长处于光子禁带范围内的光线进行吸收，无需在柔性基底的背面贴附遮光膜，有助于解决显示装置的结构复杂的问题，简化显示装置的结构。

[0054] 可选地，如图1所示，多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层011和第二基底结构层012，第一基底结构层011包括依次叠加的有机层0111、无机层0112和光子晶体层0113，第二基底结构层012包括依次叠加的有机层0121和无机层0122，该多个基底结构层还包括：位于第一基底结构层011与第二基底结构层012之间的第三基底结构层013，第三基底结构层013包括依次叠加的有机层0131、无机层0132和光子晶体层0133。其中，第三基底结构层013的个数可以大于或等于1，例如，第三基底结构层013的个数为2。如图1所示，有机层0111、无机层0112和光子晶体层0113沿靠近第二基底结构层012的方向依次叠加，有机层0121和无机层0122沿远离第一基底结构层011的方向依次叠加，有机层0131、无机层0132和光子晶体层0133沿远离第一基底结构层011的方向依次叠加。

[0055] 可选地，请参考图2，其示出了本发明实施例提供的另一种柔性基底01的结构示意图，在图2中，多个基底结构层为两个基底结构层，两个基底结构层包括第一基底结构层011和第二基底结构层012，第一基底结构层011包括沿靠近第二基底结构层012的方向依次叠加的有机层0111、无机层0112和光子晶体层0113，第二基底结构层012包括沿远离第一基底结构层011的方向依次叠加的有机层0121和无机层0122。需要说明的是，图1和图2仅仅是示例性的，实际应用中，第二基底结构层012也可以包括光子晶体层，本发明实施例对此不做限定。

[0056] 可选地，光子晶体层为二维光子晶体层，光子晶体层具有沿光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔，多个通孔均可以为圆形通孔，且多个通孔中的每个通孔的孔径的取值范围可以为10nm～1000nm(纳米)，每个通孔的孔径的取值可以根据光子晶体层需要满足的光子禁带来确定。多个通孔中的每个通孔中充填有有机材料，通孔中充填的有机材料与有机层的形成材料相同，通孔中充填的有机材料可以为聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)。需要说明的是，本文是以光子晶体层为二维光子晶体层为例进行说明的，实际应用中，光子晶体层还可以为一维光子晶体层或三维光子晶体层，本段所描述的光子晶体层可以为光子晶体层0113或任一光子晶体层0133，光子晶体层0113的结构与光子晶体层0133的结构可以相同或不同，本发明实施例对此不做限定。

[0057] 图3是本发明实施例提供的一种光子晶体层的立体结构示意图，图4是本发明实施例提供的一种光子晶体层的正视图，该图3和图4均以光子晶体层0113为例进行说明，光子晶体层0113具有沿光子晶体层0113的厚度方向d贯通的多个通孔(图3和图4中均未标出)，该多个通孔中的每个通孔为圆形通孔，该多个通孔中的每个通孔中充填有有机材料X，该有机材料X可以为PI。需要说明的是，实际应用中，光子晶体层0113上的通孔还可以为矩形通孔或方形通孔等其他形状的通孔，本发明实施例对此不做限定，矩形通孔的开口面为矩形，方形通孔的开口面为正方形。

[0058] 可选地，有机层的形成材料可以为PI，无机层的形成材料和光子晶体层的形成材料均可以为氧化硅(SiOx)，其具体可以为SiO2，当然，有机层的形成材料还可以为其他有机材料，无机层的形成材料还可以为氮化硅等其他无机材料，本发明实施例对此不做限定。本段所描述的有机层可以为有机层0111、有机层0121或任一有机层0131，无机层可以为无机层0112、无机层0122或任一无机层0132。

[0059] 可选地，在本发明实施例中，有机层的厚度的取值范围可以为6um～8um(微米)，光子晶体层的厚度的取值范围可以为100nm～300nm，无机层0112和每个无机层0132的厚度的取值范围均可以为700nm～900nm，无机层0121的厚度的取值范围可以为500nm～1500nm。示例地，有机层0111的厚度为8.0um，光子晶体层0113的厚度为200nm，无机层0112的厚度为800nm，无机层0131的厚度为850nm，无机层0121的厚度为1200nm。可选地，任一有机层的表面粗糙度可以小于或等于2％(百分之)，任一无机层的表面粗糙度小于或等于3％，任一光子晶体层的表面粗糙度可以小于或等于3％。示例地，有机层0111的表面粗糙度为1％，无机层0112的表面粗糙度为2％，光子晶体层0113的表面粗糙度为2％。其中，表面粗糙度用于衡量表面的均一性，表面粗糙度越大，则表面的均一性越差，表面粗糙度越小，则表面的均一性越好。

[0060] 在本发明实施例中，光子晶体层的形成材料可以为SiO2，光子晶体层的通孔中充填有有机材料，该有机材料可以为PI，因此光子晶体层具有SiO2和PI这两种不同介电材料随空间周期性变化的光学调制微结构，SiO2的介电常数和PI的介电常数存在差异，当光线经过光子晶体层时，会在SiO2和PI这两种不同介电材料的界面上发生布拉格散射，从而使光子晶体层具有光子禁带，光子晶体层的光子禁带使得光子晶体层禁止特定波长范围内的光子在光子晶体层的某些维度方向上传播，从而光子晶体层可以对该特定波长范围内的光线进行吸收。此外，研究发现，光子晶体层还具有慢光效应(慢光效应指的是：波长处于光子晶体层的光子禁带内的光子在该光子晶体层中传播时群速度减慢的现象)。在本发明实施例中，任意两个光子晶体层的结构可以相同，也可以不同，任意两个光子晶体层上的通孔的孔径可以相等，也可以不相等，任意两个光子晶体层的光子禁带可以相同，也可以不同。当任意两个光子晶体层的光子禁带不同时，不同光子晶体层的光子禁带组合构成柔性基底01的光子禁带，从而柔性基底01具有更宽的光子禁带，柔性基底01能够对更多的光线进行吸收。实际应用中，可以通过调整光子晶体层的通孔的孔径来调整光子晶体层的光子禁带，可以根据需要吸收的光线的波长确定光子晶体层的光子禁带，从而确定光子晶体层上的通孔的孔径。

[0061] 相关技术通常在柔性基底的背面贴附遮光膜对光线进行遮挡，但是遮光膜仅能够对可见光进行遮挡，无法对紫外光和红外光等某些特定波长的光线进行遮挡；本发明实施例可以根据需要吸收的光线的波长确定光子晶体层的光子禁带，从而制作能够对特定波长的光线进行吸收的光子晶体层。本发明实施例采用SiO2形成光子晶体层，相比于采用SiO2形成的膜层，采用SiO2的光子晶体层，能够更好的对特定波长的光线进行吸收。示例地，如图5所示，曲线1表示采用SiO2形成的光子晶体层对波长处于200nm～800nm范围内的光线的吸收强度，曲线2表示采用SiO2形成的膜层对波长处于200nm～800nm范围内的光线的吸收强度，可以看出，采用SiO2形成的光子晶体层对波长处于200nm～800nm范围的光线具有更高的吸收强度，尤其对紫外光(波长范围为100nm～400nm)具有较高的吸收强度。

[0062] 相关技术中，AMOLED显示装置的TFT在受到光照时，TFT的有源层会导通，导致TFT的特性曲线漂移，影响AMOLED显示装置的背板电路的光学稳定性，AMOLED显示装置出现显示异常。如图6所示，横轴表示TFT的栅电压，纵轴表示TFT的漏电流，曲线1表示未受到光照时TFT的特性曲线，曲线2表示受到光照时TFT的特性曲线，可以看出，受到光照时TFT的特征曲线发生了漂移。本发明实施例中，由于柔性基底的光子晶体层可以对波长处于光子禁带范围内的光线进行吸收，当该柔性基底应用于AMOLED显示装置时，可以避免光线照射到TFT上，从而避免TFT的特性曲线漂移，保证TFT的光学稳定性，保证AMOLED显示装置的背板电路的光学稳定性，避免AMOLED显示装置出现显示异常。

[0063] 综上所述，本发明实施例提供的柔性基底，由于至少一个基底结构层中包括光子晶体层，光子晶体层具有光子禁带，因此光子晶体层可以对波长处于光子禁带范围内的光线进行吸收，无需在柔性基底的背面贴附遮光膜，有助于解决显示装置的结构复杂的问题，简化显示装置的结构。本发明实施例提供的柔性基底可以应用于AMOLED显示装置，尤其适用于全屏透明或局部透明的AMOLED显示装置。进一步地，本发明实施例提供的光子晶体层具有光学调制微结构，这使得光子晶体层具有更高的机械韧性，当包括该光子晶体层的柔性基底应用于AMOLED显示装置时，可以提高AMOLED显示装置的力学可靠性，提高AMOLED显示装置的抗折弯能力。

[0064] 本发明实施例提供的柔性基底可以应用于下文的方法，本发明实施例中柔性基底的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。

[0065] 请参考图7，其示出了本发明实施例提供的一种柔性基底的制造方法的方法流程图，该柔性基底的制造方法可以用于制造图1或图2所示的柔性基底01。参见图7，该方法包括：

[0066] 步骤701、在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。

[0067] 步骤702、剥离衬底基板，得到柔性基底。

[0068] 综上所述，本发明实施例提供的柔性基底的制造方法，由于柔性基底的至少一个基底结构层中包括光子晶体层，光子晶体层具有光子禁带，因此光子晶体层可以对波长处于光子禁带范围内的光线进行吸收，无需在柔性基底的背面贴附遮光膜，有助于解决显示装置的结构复杂的问题，简化显示装置的结构。

[0069] 可选地，步骤701包括：

[0070] 在衬底基板上形成有机层；

[0071] 在形成有机层的衬底基板上形成无机母层；

[0072] 通过一次构图工艺对无机母层进行处理，得到无机层和光子晶体层，光子晶体层具有沿光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔；

[0073] 在光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层。

[0074] 可选地，在光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层，包括：在形成光子晶体层的衬底基板上形成第二基底结构层，第二基底结构层包括沿远离衬底基板的方向依次叠加的有机层和无机层，有机层的形成材料充填在光子晶体层的每个通孔中，得到第一基底结构层。

[0075] 上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再一一赘述。

[0076] 请参考图8，其示出了本发明实施例提供的另一种柔性基底的制造方法的方法流程图，该柔性基底的制造方法可以用于制造图1或图2所示的柔性基底01，本实施例以制造图2所示的柔性基底01为例进行说明，图1所示实施例提供的柔性基底01的制造方法可以参考本实施例。参见图8，该方法包括：

[0077] 步骤801、在衬底基板上形成有机层。

[0078] 请参考图9，其示出了本发明实施例提供的一种在衬底基板00上形成有机层0111后的示意图。其中，衬底基板00可以为透明基板，其可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的硬质基板。有机层0111的形成材料可以为PI，有机层0111的厚度的取值范围可以为6um～8um，有机层0111的表面粗糙度可以小于或等于2％。

[0079] 示例地，可以通过喷墨打印、磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等工艺在衬底基板00上沉积一层厚度在6um～8um之间的PI得到PI材质层，将PI材质层作为有机层0111。实际应用中，当有机层0111具有图形时，还可以通过构图工艺对PI材质层进行处理，本实施例在此不再赘述。

[0080] 步骤802、在形成有机层的衬底基板上形成无机母层。

[0081] 请参考图10，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有机层0111的衬底基板00上形成无机母层W后的示意图。无机母层W的形成材料可以为SiOx，无机母层W的厚度的取值范围可以为800nm～1200nm。

[0082] 示例地，可以通过喷墨打印、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有机层0111的衬底基板00上沉积一层厚度在800nm～1200nm之间的SiOx得到SiOx材质层，将SiOx材质层作为无机母层W。

[0083] 步骤803、通过一次构图工艺对无机母层进行处理，得到无机层和光子晶体层，光子晶体层具有沿光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔。

[0084] 请参考图11，其示出了本发明实施例提供的一种通过一次构图工艺对无机母层W进行处理后的示意图，参见图11，通过一次构图工艺对无机母层W进行处理之后得到无机层0112和光子晶体层0113，光子晶体层0113具有沿光子晶体层0113的厚度方向(图11中未标出)贯通的多个通孔K，多个通孔K均可以为圆形通孔，每个通孔K的孔径的取值范围可以为
10nm～1000nm，通孔K的孔径的取值可以根据光子晶体层0113需要满足的光子禁带来确定。
无机层0112的厚度的取值范围为700nm～900nm，无机层0112的表面粗糙度小于或等于3％，光子晶体层0113的厚度的取值范围为100nm～300nm，光子晶体层0113的表面粗糙度小于或等于3％。

[0085] 其中，一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，通过一次构图工艺对无机母层W进行处理包括：在无机母层W上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后通过显影工艺对曝光后的光刻胶层进行处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，通过半刻蚀工艺对无机母层W上完全曝光区对应的区域进行100nm～300nm深度的刻蚀以形成通孔K，之后剥离非曝光区的光刻胶，无机母层W上未被刻蚀的一层为无机层0112，被刻蚀的一层为光子晶体层0113，该光子晶体层0113的厚度等于通孔K的深度。

[0086] 需要说明的是，本发明实施例是以通过同一次工艺形成无机层0112和光子晶体层0113为例进行说明的，实际应用中，可以分别通过一次工艺形成无机层0112和光子晶体层
0113。从而上述步骤802和步骤803的可替代步骤可以为：

[0087] 步骤802a、在形成有机层的衬底基板上形成无机层。

[0088] 步骤803a、在形成无机层的衬底基板上形成光子晶体层。

[0089] 步骤802a可以包括：通过喷墨打印、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成有机层0111的衬底基板00上沉积一层厚度在700nm～900nm之间的SiOx得到SiOx材质层，将SiOx材质层作为无机层0112。

[0090] 步骤803a可以包括：通过喷墨打印、磁控溅射、热蒸发或者PECVD等工艺在形成无机层0112的衬底基板00上沉积一层厚度在100nm～300nm之间的SiOx得到SiOx材质层，通过一次构图工艺对SiOx材质层进行处理得到光子晶体层0113。通过一次构图工艺对SiOx材质层进行处理可以包括：在SiOx材质层上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后通过显影工艺对曝光后的光刻胶层进行处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，通过刻蚀工艺对SiOx材质层上完全曝光区对应的区域进行刻蚀以形成通孔K，最后剥离非曝光区的光刻胶。

[0091] 步骤804、在形成光子晶体层的衬底基板上形成有机层，有机层的形成材料充填在光子晶体层的每个通孔中，沿远离衬底基板的方向依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层构成第一基底结构层。

[0092] 请参考图12，其示出了本发明实施例提供的一种在形成光子晶体层0113的衬底基板00上形成有机层0121后的示意图，参见图12，有机层0121的形成材料充填在光子晶体层0113的每个通孔K中。其中，有机层0121的形成材料可以为PI，有机层0121的厚度的取值范围可以为6um～8um，有机层0121的表面粗糙度可以小于或等于2％。有机层0121的形成过程可以参考步骤801中有机层0111的形成过程，本实施例在此不再赘述。

[0093] 需要说明的是，本发明实施例在形成有机层0121的过程中在光子晶体层0113的每个通孔K中充填有机材料，可以简化柔性基底的制造工艺。实际应用中，在光子晶体层0113的每个通孔K中充填有机材料的步骤与形成有机层0121的步骤可以分开进行。可选地，可以先在光子晶体层0113的每个通孔K中充填有机材料，然后在充填有有机材料的光子晶体层0113上形成有机层0121。

[0094] 步骤805、在形成有机层的衬底基板上形成无机层，沿远离第一基底结构层的方向依次叠加的有机层和无机层构成第二基底结构层。

[0095] 请参考图13，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有机层0121的衬底基板00上形成无机层0122后的示意图，无机层0122的形成材料可以为SiOx，无机层0122的厚度的取值范围为500nm～1500nm，无机层0122的表面粗糙度小于或等于3％。无机层0122的形成过程可以参考步骤802中无机母层W的形成过程，本实施例在此不再赘述。

[0096] 步骤806、剥离衬底基板，得到柔性基底，柔性基底包括依次叠加的第一基底结构层和第二基底结构层。

[0097] 剥离衬底基板00后的示意图可以参考图2，剥离衬底基板00后得到柔性基底01，柔性基底01包括依次叠加的第一基底结构层011和第二基底结构层012。

[0098] 综上所述，本发明实施例提供的柔性基底的制造方法，由于柔性基底的至少一个基底结构层中包括光子晶体层，光子晶体层具有光子禁带，因此光子晶体层可以对波长处于光子禁带范围内的光线进行吸收，无需在柔性基底的背面贴附遮光膜，有助于解决显示装置的结构复杂的问题，简化显示装置的结构。

[0099] 本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的柔性基底01，该显示装置可以为OLED显示基板、OLED面板、OLED显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪或智能穿戴设备等任何具有显示功能的产品或部件。

[0100] 本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

[0101] 以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。