一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜

摘要

本发明公开一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底，柔性基底顶面依次层叠有预制导电层、第一透明导电膜层、高透减反层、超导层以及第二透明导电膜层；预制导电层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第一透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；高透减反层为单分散SiO2小球薄膜；超导层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；第二透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、加镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；该薄膜具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的特点。

权利要求

1.一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，其特征在于，包括柔性基底，柔性基底顶面依次层叠有预制导电层、第一透明导电膜层、高透减反层、超导层以及第二透明导电膜层；

所述预制导电层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；

所述第一透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；

所述高透减反层为单分散SiO2小球薄膜；

所述超导层为铝膜、铜膜或钛膜；

所述第二透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；

所述柔性基底为表面经过羟基化处理的PET、聚乙烯薄膜、聚酯类薄膜、金属箔片或超薄电子信息显示玻璃；

所述预制导电层厚度为5～15nm；

所述第一透明导电膜层厚度为200～300nm；

所述高透减反层的SiO2小球粒径为100～300nm；

所述超导层厚度为15～25nm；

所述第二透明导电膜层厚度为100～200nm。

说明书

一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜

技术领域

[0001] 本发明涉及透明导电薄膜技术领域，具体是一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜。

背景技术

[0002] 柔性显示蓬勃发展，因此柔性透明导电薄膜吸引了很多的注意力。典型的用途包括，柔性电子产品、柔性透明有机太阳能电池、大尺寸柔性平板显示、节能红外反射膜、智能变色窗等，对柔性透明导电薄膜的需求增多、要求逐渐提高。高分辨率、节能、低成本、附着力强等要求，需要柔性透明导电薄膜具有较高的透过率、较低的电阻率、较强的结合力。得到可应用于产品开发的柔性透明导电薄膜已成为一个关键问题。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于提供一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，该薄膜具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的特点。

[0004] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

[0005] 一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底，柔性基底顶面依次层叠有预制导电层、第一透明导电膜层、高透减反层、超导层以及第二透明导电膜层；

[0006] 所述预制导电层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；

[0007] 所述第一透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜；

[0008] 所述高透减反层为单分散SiO2小球薄膜；

[0009] 所述超导层为铝膜、银膜、金膜、铜膜或钛膜；

[0010] 所述第二透明导电膜层为铝掺杂氧化锌薄膜、镓掺杂氧化锌薄膜、铟镓掺杂氧化锌薄膜或硼掺杂氧化锌薄膜。

[0011] 进一步的，所述柔性基底为表面经过羟基化处理的PET、聚乙烯薄膜、聚酯类薄膜、金属箔片或超薄电子信息显示玻璃。

[0012] 进一步的，所述预制导电层厚度为5～15nm。

[0013] 进一步的，所述第一透明导电膜层厚度为200～300nm。

[0014] 进一步的，所述高透减反层的SiO2小球粒径为100～300nm。

[0015] 进一步的，所述超导层厚度为15～25nm。

[0016] 进一步的，所述第二透明导电膜层厚度为100～200nm。

[0017] 本发明的有益效果是，柔性基底表面经过羟基化处理，有效提高透明导电薄膜与柔性基底的结合力以及柔性透明导电薄膜的导电性能，同时利于提高柔性透明导电薄膜的耐候性，耐酸碱性能，延长使用寿命；高透减反层的SiO2小球粒径小于可见光波长，可有效减少反射，提高透过率；超导层可以有效提高薄膜导电性能，同时兼具透明性；第一透明导电膜层与第二透明导电膜层叠加厚度小于常规柔性透明导电薄膜，显著降低成本。

附图说明

[0018] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

[0019] 图1是本发明的结构示意图；

[0020] 图2是本发明的表面形貌图；

[0021] 图3是本发明的透过率曲线图；

[0022] 图4是本发明的XRD图谱。

具体实施方式

[0023] 实施例一

[0024]  如图1所示，本发明提供一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底1，柔性基底1顶面依次层叠有预制导电层2、第一透明导电膜层3、高透减反层4、超导层5以及第二透明导电膜层6。

[0025] 所述柔性基底1为表面经过羟基化处理的PET；

[0026] 所述预制导电层2为厚度5nm的铝膜；

[0027] 第一透明导电膜层3为厚度200nm的镓掺杂氧化锌薄膜；

[0028] 高透减反层4为单分散SiO2小球薄膜，SiO2小球粒径为100nm；

[0029] 所述超导层5为厚度15nm的铝膜；

[0030] 第二透明导电膜层6为厚度100nm的镓掺杂氧化锌薄膜。

[0031] 结合图2～4所示，将本实施例的高透低阻可弯曲透明导电薄膜进行XRD测试，XRD图谱表明薄膜在2θ=34.4°出现衍射峰，对应六角纤锌矿ZnO结构（002）衍射峰，电阻率为9.7*10-5Ω·cm，透过率为92.3%。

[0032] 实施例二

[0033]  如图1所示，本发明提供一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底1，柔性基底1顶面依次层叠有预制导电层2、第一透明导电膜层3、高透减反层4、超导层5以及第二透明导电膜层6。

[0034] 所述柔性基底1为表面经过羟基化处理的PET；

[0035] 所述预制导电层2为厚度10nm的铝膜；

[0036] 第一透明导电膜层3为厚度250nm的镓掺杂氧化锌薄膜；

[0037] 高透减反层4为单分散SiO2小球薄膜，SiO2小球粒径为200nm；

[0038] 所述超导层5为厚度20nm的铝膜；

[0039] 第二透明导电膜层6为厚度150nm的镓掺杂氧化锌薄膜。

[0040] 将本实施例的高透低阻可弯曲透明导电薄膜进行XRD测试，XRD图谱表明薄膜在2θ-5=34.4°出现衍射峰，对应六角纤锌矿ZnO结构（002）衍射峰，电阻率为7.4*10 Ω·cm，透过率为91.8%。

[0041] 实施例三

[0042]  如图1所示，本发明提供一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底1，柔性基底1顶面依次层叠有预制导电层2、第一透明导电膜层3、高透减反层4、超导层5以及第二透明导电膜层6。

[0043] 所述柔性基底1为表面经过羟基化处理的厚度0.15mm超薄电子信息显示玻璃；

[0044] 所述预制导电层2为厚度8nm的银膜；

[0045] 第一透明导电膜层3为厚度280nm的镓掺杂氧化锌薄膜；

[0046] 高透减反层4为单分散SiO2小球薄膜，SiO2小球粒径为100nm；

[0047] 所述超导层5为厚度20nm的银膜；

[0048] 第二透明导电膜层6为厚度150nm的镓掺杂氧化锌薄膜。

[0049] 将本实施例的高透低阻可弯曲透明导电薄膜进行XRD测试，XRD图谱表明薄膜在2θ=34.4°出现衍射峰，对应六角纤锌矿ZnO结构（002）衍射峰，电阻率为6.9*10-5Ω·cm，透过率为91.7%。

[0050] 实施例四

[0051]  如图1所示，本发明提供一种高透低阻可弯曲透明导电薄膜，包括柔性基底1，柔性基底1顶面依次层叠有预制导电层2、第一透明导电膜层3、高透减反层4、超导层5以及第二透明导电膜层6。

[0052] 所述柔性基底1为表面经过羟基化处理的厚度0.15mm超薄电子信息显示玻璃；

[0053] 所述预制导电层2为厚度10nm的银膜；

[0054] 第一透明导电膜层3为厚度300nm的镓掺杂氧化锌薄膜；

[0055] 高透减反层4为单分散SiO2小球薄膜，SiO2小球粒径为100nm；

[0056] 所述超导层5为厚度25nm的银膜；

[0057] 第二透明导电膜层6为厚度200nm的镓掺杂氧化锌薄膜。

[0058] 将本实施例的高透低阻可弯曲透明导电薄膜进行XRD测试，XRD图谱表明薄膜在2θ=34.4°出现衍射峰，对应六角纤锌矿ZnO结构（002）衍射峰，电阻率为6.3*10-5Ω·cm，透过率为91.2%。

[0059] 以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。