公开了一种用于对包括一个或更多个互补单元对的互补单元阵列的单个用户读取命令做出响应的方法，该方法包括：确定数据字中的第一组单元是处于擦除状态还是处于编程状态，并且输出数据字，使得(a)如果确定第一组单元被擦除，则为数据字的每个位输出逻辑“1”，以及(b)如果确定第一组单元被编程，则为数据字的每个位输出互补读取的结果。
获得包括N个互补存储器单元的存储器设备，每个互补存储器单元包括第一存储器单元和第二存储器单元，其中N是大于0的自然数，并且其中所述存储器设备存储阈值数，所述阈值数是初始预定义的和随后可编程的；
确定所述N个互补存储器单元的所述第一存储器单元中的每个是处于第一二进制状态还是第二二进制状态；
确定所述N个互补存储器单元的所述第二存储器单元中的每个是处于所述第一二进制状态还是所述第二二进制状态；
通过对处于所述第一二进制状态的所述第一存储器单元和第二存储器单元的总数量进行计数，生成计数值；以及基于对所述计数值与所述阈值数的比较的结果，确定所述N个互补存储器单元是否被编程。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一二进制状态表示数据“0”，而所述第二二进制状态表示数据“1”。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一二进制状态表示数据“1”，而所述第二二进制状态表示数据“0”。
在所述存储器设备的寿命期间更新所述阈值数，以适应电荷损失，使得所述N个互补存储器单元从所述存储器设备的寿命开始到寿命结束是可操作的。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一存储器单元是位单元，而所述第二存储器单元是互补单元。
6.如权利要求5所述的方法，其中，当确定所述N个互补存储器单元被编程时，还包括：输出所述位单元的数据内容作为读取命令的结果。
7.如权利要求4所述的方法，其中，所述阈值数基于以下项中的至少一项更新：电荷损失、寿命长度、周期计数和所述N个互补存储器单元的寿命开始或寿命结束的状态。
8.如权利要求1所述的方法，其中，确定所述第一存储器单元中的每个是处于所述第一二进制状态还是第二二进制状态包括：检测所述第一存储器单元中的每个的输出；
使用至少一个第一读出放大器，将所述第一存储器单元中的每个的输出与参考信号进行比较。
9.如权利要求8所述的方法，其中确定所述第二存储器单元中的每个是处于所述第一二进制状态还是第二二进制状态包括：检测所述第二存储器单元中的每个的输出；
使用至少一个第二读出放大器，将每个所述第二存储器单元的输出与所述参考信号进行比较。
10.如权利要求6所述的方法，其中，所述N个互补存储器单元的所述位单元的输出包括N位字。
11.如权利要求9所述的方法，其中，所述参考信号被配置为在介于第一二进制状态信号和第二二进制状态信号之间的范围内，并且所述阈值数介于0和N之间。
多个互补存储器单元，每个互补存储器单元包括位单元和互补单元；
多个读出放大器，所述多个读出放大器被配置为将所述位单元和互补单元的输出与参考信号进行比较；
耦合到所述多个读出放大器的二进制状态计数器，所述二进制状态计数器被配置为生成与包括小于所述参考信号的输出的所述位单元和互补单元的累积数量对应的计数，其中，所述二进制状态计数器还被配置为基于所述计数和被初始预定的状态参数阈值数之间的比较来生成状态指示符，其中，所述状态参数阈值数被配置成在所述存储器设备的整个寿命期间是可编程的和可调整的；
多个多路复用器，其中，每个多路复用器被配置为耦合到所述多个互补存储器单元中的一个互补存储器单元的差分感测结果和擦除的二进制状态信号，每个多路复用器还被配置为耦合到作为控制信号的状态指示符。
13.如权利要求12所述的存储器设备，其中，所述多个互补存储器单元包括N个互补存储器单元，并且所述状态参数阈值数被初始预定为介于0到N之间，其中N是大于0的自然数。
14.如权利要求12所述的存储器设备，其中，所述差分感测结果包括同一互补存储器单元的所述位单元和互补单元的输出的比较结果。
15.如权利要求12所述的存储器设备，其中，所述状态参数阈值数基于以下参数中的至少一个参数更新：电荷损失、寿命长度、阵列周期计数和所述多个互补存储器单元的寿命开始或寿命结束的状态。
16.一种非暂时性计算机可读存储介质，包括在其上存储的指令，所述指令在被执行时使处理元件：执行对存储器设备的N个存储器单元的读取命令，其中N是大于0的自然数，并且每个存储器单元包括位单元和互补单元，所述读取命令还包括：第一读取事件，其中所述位单元中的每个位单元的输出与参考信号进行比较，以及第二读取事件，其中所述互补单元中的每个互补单元的输出与所述参考信号进行比较；
生成与所述第一读取事件和第二读取事件的结果对应的累积计数值；
将所述累积计数值与阈值进行比较，以确定所述N个存储器单元是否处于编程状态，其中所述阈值是初始预定的且是可编程的；以及当所述N个存储器单元被确定为处于所述编程状态时，输出每个存储器单元的差分感测的结果。
17.如权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述第一读取事件和第二读取事件是单独执行的。
18.如权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述第一读取事件和第二读取事件是至少部分地同时执行的。
19.如权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中所述N个存储器单元中的每个存储器单元的所述差分感测的结果包括N位字。
20.如权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中，所述阈值被配置为在存储器设备的寿命期间被更新，使得所述N个存储器单元从所述存储器设备的寿命开始到寿命结束是可操作的。
从非易失性存储器单元读取数据的方法和设备
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请是于2016年9月29日提交的第15/279,974号美国申请的国际申请，其要求于2016年6月16日提交的第62/351,183号美国临时申请的优先权和权益，所有申请通过引用以其整体并入本文。发明领域
[0003] 本发明总体上涉及非易失性存储器(NVM)设备的领域。更具体地，本发明涉及用于从NVM单元读取数据的方法、电路、设备和系统。
[0004] 背景
[0005] 集成电路(IC)可用于广泛的设计和产品中，一些集成电路可以包括非易失性存储器(NVM)阵列。NVM阵列可以由NVM单元、辅助电路、控制器和附加电路组成。辅助电路可以包括例如：阵列控制、地址解码电路、读出放大器(SA)和/或比较器。SA可以被配置为确定一个或更多个目标NVM单元的值/电平。
[0006] 一些存储器阵列类型可包括NVM阵列、浮动栅极阵列、eCT单元阵列、MirrorBit单元阵列、电荷俘获单元等。
[0007] NVM单元可以是单个位(single bit)或多级存储单元，并且这些单元可以编程为不同的状态。例如，在单个位配置中单元可以编程为擦除(ERS)或编程(PRG)状态。
[0008] 根据一些实施例，可以通过字线(WL)、位线(BL)、选择线(SL)、存储器栅极(MG)或其他方式在IC中内部访问NVM单元。对于每个序列(编程单元、擦除单元、读取单元等)，可以相应地激活WL、BL、SL和/或MG。操作模式(诸如，读取算法、编程算法、擦除算法)可以确定施加到NVM单元的WL、SL、SG、MG的电压或电流信号。其他因素包括选择的地址、使用的具体技术。在一些实施例中，NVM阵列可以包括不同的结构特征，并且可以不包括选择栅极(SG)、BL、SL、MG和/或WL，或者其他。
[0009] 可以在相关联的电路中使用的一些晶体管类型有Pmos、Nmos、低电压(LV)Nmos、LV Pmos、高电压(HV)Nmos和HV Pmos、作为低电阻Nmos或Pmos晶体管的Zmos、双极结型晶体管(BJT)等。HV晶体管/单元可以通过被设计/配置成与LV单元相比能够在其通道两端(例如，在晶体管的漏极节点和源极节点之间)在更高范围的电压范围内和/或在栅极两端(例如，在其栅极和基体(bulk)或接地节点之间)操作来与LV晶体管/单元区别开来，并且与LV设备相比，HV晶体管/单元可以包括厚氧化区。
[0010] 在外部，主机设备可以包括IC和/或存储器阵列，用户/主机设备可以通过发送用户/主机设备命令来访问该IC和/或存储器阵列，以执行用户读取操作、用户编程操作、用户擦除操作或其他操作，并且主机设备可以包括被请求应用该操作的地址。响应于用户读取命令，可以将来自存储器设备的信息输出到用户/主机设备。响应于用户编程命令，信息可以存储在存储器设备中。响应于用户擦除命令，可以擦除存储器的一段。
[0011] 发明概述
[0012] 本发明可以包括用于存储和读取来自非易失性存储器(NVM)单元的数据的方法、电路、设备和系统。
[0013] 根据一些实施例，用于对包括一个或更多个互补单元对的互补单元阵列的单个用户读取命令做出响应的方法可以包括：确定数据字中的第一组单元是处于擦除状态还是处于编程状态，并输出数据字，使得(a)如果确定第一组单元被擦除，则为数据字的每一位输出预定的二进制状态(诸如“1”或“0”)，以及(b)如果确定第一组单元被编程，则为数据字的每一位输出互补读取的结果。
[0014] 根据一些实施例，确定第一组单元是处于擦除状态还是处于编程状态还可以包括对第一组单元中有多少个处于第一二进制状态进行计数以产生计数值，并将该计数值与预定阈值进行比较。预定阈值可以是可编程的，并且可以基于以下参数中的至少一个来更新：电荷损失、寿命长度、阵列周期计数、寿命开始和寿命结束等。
[0015] 根据一些实施例，将计数值与预定阈值进行比较的方法可以导致/产生状态结果。如果第一二进制状态是“0”，则(a)如果计数值低于预定阈值，则状态结果可以是擦除状态，以及(b)如果计数值高于或等于预定阈值，则状态结果可以是编程状态。或者，如果第一二进制状态是“1”，则(a)如果计数值高于预定阈值，则状态结果可以是擦除状态，以及(b)如果计数值低于或等于预定阈值，则状态结果可以是编程状态。
[0016] 根据一些实施例，如果计数值超过预定阈值，则可以停止计数。此外，确定第一组单元是处于擦除状态还是处于编程状态可以包括第一读取事件，以确定第一组单元中的目标单元子组中的每一个目标单元的值。可选地，确定第一组单元是处于擦除状态还是处于编程状态还包括第二读取事件，以确定第一组单元中的成对单元(twin cell)子组中的每一个成对单元的值。第一和第二读取事件可以同时或连续执行。
[0017] 根据一些实施例，NVM设备可以包括：(a)包括一个或更多个互补单元组的NVM阵列，每个组包括至少一对单元，所述一对单元包括目标单元和成对单元，当处于编程状态时，该目标单元和成对单元处于相反的二进制状态，(b)第一多个读出放大器，以用于检测第一多个单元的状态并输出适当的二进制值，(c)计数器，以用于产生从读出放大器接收的二进制值的总和，(d)控制器，以用于确定数据字是处于擦除状态还是编程状态，以及(e)状态相关开关，以用于输出数据字，使得如果确定该字被擦除，则为数据字的每个位输出预定的二进制值(“1”或“0”)(为所有位输出相同的二进制值)，以及如果确定该字被编程，则为数据字的每个位输出互补读取的结果。
[0018] 根据一些实施例，NVM设备可以包括逻辑电路，以用于将计数值与预定阈值进行比较并产生状态结果。
[0019] 根据一些实施例，控制器可以被配置为基于状态结果来确定数据字是处于擦除状态还是编程状态。因此，如果第一二进制状态是“0”，并且如果计数值低于预定阈值，则确定为擦除状态。如果计数值高于或等于预定阈值，则可以确定该字处于编程状态。
[0020] 根据一些实施例，可以从多个目标单元接收第一多个单元，并且第一多个读出放大器中的每一个读出放大器都可以被配置为对目标单元和参考信号进行比较，并且向计数器中继目标单元的二进制状态。
[0021] 根据一些实施例，可以从多个成对单元接收第一多个单元，并且第一多个读出放大器中的每一个读出放大器都可以对成对单元和参考信号进行比较，并相应地向计数器中继成对单元的二进制状态。可选地，第一多个读出放大器可以各自接收成对单元和目标单元，并确定目标单元的二进制值。
[0022] 附图简述
[0023] 视为本发明的主题被特别地指出并且在说明书的结论部分中被清楚地要求保护。然而，在连同附图阅读时，通过参考下面的详细描述，可以很好地理解本发明关于组织和操作方法、以及目的、特征和优点，其中：
[0024] 图1示出了根据主题的一个实施例的用于实现单次读取访问的方法的流程图；
[0025] 图2示出了用于确定字是被编程还是被擦除的方法的流程图；
[0026] 图3A描绘了包括NVM阵列的NVM设备的示例框图；
[0027] 图3B描绘了示例NVM阵列和相关联的读出放大器(SA)；以及
[0028] 图4A-图4C描绘了同一用户读取命令的不同进程的不同SA连接。
[0029] 应当理解，为了说明的简单和清楚，图中所示的元件不必按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可以相对于其他元件被放大。此外，在认为合适之处，参考数字可以在附图之间重复以指示相应的或类似的元件。
[0030] 详细描述
[0031] 在下面的详细描述中，阐述了众多具体的细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，本领域技术人员将会理解，本发明可以在没有这些具体细节的情况下实践。在其他实例中，没有具体描述众所周知的方法、规程、组件和电路以避免使所本发明模糊。
[0032] 除非特别声明，否则如从下面的讨论中显而易见的是，应当认识到，在整个说明书中使用诸如“处理”、“计算(computing)”、“计算(calculating)”、“确定”等术语的讨论指的是电路、存储装置、传输或显示设备的动作和/或过程，该电路、存储装置、传输或显示设备将电路内表示为物理(诸如，电子)量的数据操作和转换为其他数据或其他这类信息。
[0033] 本发明的实施例可以包括用于执行本文中的操作的装置。该装置可以是针对所需目的而专门构建的。本文呈现的过程和显示不是固有地与任何特定计算机或其他装置相关。各种通用系统可以与根据本文中的教导的程序一起使用，或构建更专用的装置执行所需的方法会更方便。各种这些系统所期望的结构将从以下的说明中呈现。
[0034] 与NVM阵列结合或以其他方式在功能上相关联的NVM阵列编程电路可以包括互补对，该互补对包括目标单元和成对单元，该目标单元和成对单元可以分别标记为位或真位以及互补位或cbit。互补的NVM单元对可以在两个分离但互补的NVM单元上存储一位数据，作为两个互补NVM单元中每一个上的逆的或相反的NVM单元电荷状态。类似地，也可以理解多个互补单元，使得一位数据可以存储在4个、6个、8个或更多个单元上。多个互补单元可以通过几种方法来实现，包括但不限于，通过使用多数决定法或其他方法对每个互补值求单元信号的平均值。增加每位的单元数量可以提高可靠性，同时增加管芯尺寸或者减少可以存储在存储器中的数据总量。为了清楚起见，在本申请中，将讨论每一个数据位的一对单元。然而，改变特定实施例以适应每位的多对互补存储器单元将被本领域的技术人员理解。
[0035] 根据一些实施例，可通过使用差分感测的互补读取序列检测来自一对互补NVM单元的数据位。根据互补读取序列，当读取来自NVM单元对的一个NVM单元(诸如，目标单元)的电流电平时，来自NVM单元对的另一个NVM单元(诸如，成对单元)的电流可以用作参考电流。可以理解附加的互补感测方法，诸如比较目标单元和成对单元的电压或其他方法。在擦除序列期间，与NVM阵列结合或以其他方式在功能上相关联的NVM阵列单元格式化电路可以擦除或放电互补NVM单元对中的每一个NVM单元。可选地，可以同时对NVM单元的整个扇区或块执行擦除或放电操作。因此，擦除序列可以导致所有(目标和成对)存储器单元被擦除，因此对于单元对，目标和成对单元都将处于相同的(擦除)状态。
[0036] 因此，在现有技术的解决方案中，如果在擦除扇区上接收到用户读取命令，则这可能会导致信息损坏。如果执行互补读取，则两个(目标和成对)擦除单元可以互相比较。因为它们之间可能存在电压或电流的一些变化，所以尽管整个扇区被擦除，仍可检测到位具有编程状态。在一些实施例中，可能涉及接收用户读取访问，然后用户需要检查信息是否损坏。还可能要求用户监测或了解所请求的扇区是否被擦除，以及将提供是否接收到关于被擦除扇区损坏信息的读取命令。因此，需要用于实现简单的单次读取访问的方法，该方法输出正确的(未损坏的)数据，而不管字或NVM阵列是否被擦除或编程。
[0037] 转到图1，示出了用于实现单次读取访问的方法100的流程图。存储器设备可以从用户(或用户设备)接收用户读取命令(102)，然后可以确定所请求的字是否被擦除或编程(步骤104)。如果确定该字被擦除，则可以向用户输出由单个二进制值(全部“1”或全部“0”)的位组成的字(步骤106)。如果确定字被编程，则可以向用户输出互补读取或差分感测的结果(步骤108)。因此，确保了响应于单个用户读取访问/请求向用户提供未损坏的信息。此外，“1”通常用于指示擦除状态。然而，这是任意的，并且如果在设计期间选择，则“0”可以用于指示擦除位。
[0038] 虽然方法100已经通过字的示例进行了描述，但是应当理解，步骤104-108中的每一个都可以在字或扇区上执行，该扇区可以包括一组字或其他，这取决于阵列架构和其他考虑。
[0039] 转到图2，示出了用于确定字是否被编程或被擦除的方法200的流程图。应当理解，方法200基本上类似于图1的步骤104。根据一些实施例，可以检测存储位的第一组目标单元(步骤202)以及存储cbit的第二组成对单元(步骤204)。参考读取序列可用于检测第一组存储器单元和第二组存储器单元。参考读取序列可以包括将单元值与参考单元值、静态参考单元、动态参考单元、电流或电压参考、这些和更多的组合进行比较，并提供关于存储在单元上的电荷的二进制值(通常，对于擦除单元为“1”，以及对于编程单元为“0”)。
[0040] 根据一些实施例，N位数据字(这里称为字)可以由2N个数据单元(N个单元和N个互补单元)组成。第一组目标单元和第二组成对单元可以各自为N个或更少，并且大小可以相等或不同。此外，目标单元和成对单元的检测可以根据读出放大器/比较器的数量、功率考虑等并行、串行或交错进行。
[0041] 根据一些实施例，检测单元可以包括基于从单元检测的信号将二进制状态赋给单元。通常，如本领域中的惯例，可以认为擦除的单元具有二进制值“1”，以及可以认为编程的单元具有二进制值“0”。这些只是惯例，当然也可以相反赋予。
[0042] 根据一些实施例，可以对第一组单元和第二组单元的二进制值进行计数，这也可以称为“零计数”。在一个实施例中，可检测/计数/求和编程位的数量，从而产生计数值(步骤206)。应当理解，基本上正在计数的是具有第一预定的二进制状态的位的数量，并且是哪个状态(擦除或编程)取决于所选择的惯例(擦除是“1”或“0”等)。
[0043] 根据一些实施例，可以将计数值与预定的状态参数阈值进行比较(步骤208)，产生状态结果。根据一些实施例，如果编程的单元(“0”)的总数等于或超过状态参数阈值，则可以确定字处于“编程”状态(步骤210)。否则，可以确定字的状态处于“擦除”状态(步骤212)。然而，由于确定是任意的(编程的单元是“0”，擦除的单元是“1”)，本领域技术人员很清楚，其它配置也是适用的(因此，如果编程的单元的数量低于状态参数阈值，则可以确定字被编程)。
[0044] 根据一些实施例，字编程状态指示字已经通过编程序列，因此互补位处于互补状态，即每对单元处于相反的二进制状态(如果目标单元处于编程状态，则成对单元处于擦除状态，反之亦然)。字擦除状态指示字已经通过了擦除序列。在字擦除状态中，所有单元都处于擦除状态，使得互补位不处于互补状态。即每对单元处于相同的二进制状态(通常为“1”)。
[0045] 应当理解，由于擦除状态(无)预期的0的数量与编程状态(目标单元和成对单元的总量的一半)之间相比存在很大差异，因此与参考相比，目标和/或成对单元的检测的单次失败或甚至多次失败将不会影响方法的有效性或结果。这个非常大的窗口允许利用本文描述的方法的系统的高可靠性操作。
[0046] 根据一些实施例，可编程预定阈值的等级可被更新/优化，以适应电荷损失或其他非理想效果，使得方法对于寿命开始操作和寿命结束操作都将保持可操作。
[0047] 因此，预定阈值可以是编程字的预期二进制值(例如，0)的数量或总计数的函数。如果检测所有的目标单元和所有的成对单元，对于长度为N位的字，有2N个单元。在一个实施例中，对于编程的单元，(在该示例中)N个单元将被检测为具有二进制值“0”(因为在编程的互补单元中，目标或成对将是“0”)。因此，N/2或N/3或甚至N/4或更小的阈值是可操作的。
此外，应当理解，可以检测或读取单元直到超过阈值。然后，可以停止检测和/或分析(取决于阵列架构和设计)。
[0048] 根据一些实施例，预定状态参数阈值可以是可编程的。它也可以基于例如以下参数中的至少一个更新：电荷损失、寿命长度、阵列周期计数、寿命开始和寿命结束。电荷损失可以包括电荷随着时间或随着被循环的器件(即，被擦除和编程的其他扇区/字)的保留损失。寿命长度也可以是与NVM单元的物理特性和存储在其上的电荷相关的参数。阵列周期计数是应用于阵列的周期或预期周期的数量。寿命开始和寿命结束是本领域中众所周知的术语，涉及在器件周期的不同阶段(单元被编程的第一时间与大量编程和擦除周期之后)NVM单元的不同典型行为。
[0049] 转到图3A，描绘了NVM设备300的示例框图。NVM设备300包括用于存储信息/数据的存储器阵列，诸如阵列302。与阵列302邻近的或包括在阵列302内的并且在功能上与阵列302相关联的是多个比较器或读出放大器，诸如SA1-SAn(适当地为3041-304n)。如本申请中所述和本领域中已知的，阵列302可以包括多个NVM单元和外围电路。此外，阵列302的NVM单元可以是互补配置，使得每个目标单元具有成对单元，并且每位至少被分配两个单元(真位和互补位)。SA 3041-304n可以被配置为接收两个信号，比较它们，并基于这两个信号之间的比较输出二进制值。在一个实施例中，这两个信号可以是来自目标单元和参考信号的位，或者来自成对单元和参考信号的cbit。SA 3041-304n可以在功能上连接到二进制状态计数器
306，该计数器可以对多少SA结果具有特定二进制值进行计数(可以对“0”或“1”进行计数)，并且可以输出指示计数的二进制值是高于还是低于预定阈值的状态指示符，以指示字是处于擦除状态还是编程状态。计数值可以用作诸如mux1-muxn(适当地为3081-308n)的状态相关开关的控制信号，并且使得互补读取或差分感测结果输出给用户(如果指示编程状态)或者逻辑“1”输出给用户(如果指示擦除状态)。
[0050] 应当理解，SA 3101-310n可能与SA 3041-304n是相同的SA，也可能不同，这取决于阵列架构和可用SA的数量。
[0051] 转到图3B，描绘了示例阵列350，其可以包括阵列或阵列的扇区352以及多个SA，诸如SA1-SAs(元件3541-354s)，并且SA的数量可以等于或不同于位“n”的数量。应当理解，阵列352和SA 3541-354n基本上类似于图3A的阵列302和SA 3041-304n。阵列352可以包括多个字，诸如字3561-356m。每个字可以包括多个互补单元，每对包括目标(Bi)和成对(cBi)。
[0052] 转到图4A-图4C，描绘了相同用户读取命令的不同过程的不同连接。在图4A和图4B中，示出了适于参考读取序列的连接。因此，分别单独检测目标单元和成对单元，以便可以对处于特定二进制状态(“1”或“0”)的单元总数进行计数。因此，在图4A中，位单元与参考进行比较，而在图4B中，成对单元与参考进行比较。在图4C中，连接适于互补读取序列，连接SA使得目标单元与其成对单元进行比较。在一个实施例中，产生位值，使得如果检测到编程状态，数据可以输出给用户。应当理解，图4A-图4C的SA可以是相同的SA(以便单个SA连续地用于所有三个比较)，或者SA可以是不同的SA(以便可以至少部分并行地执行比较)，或者这两个选项的任意组合。
[0053] 虽然本文说明和描述了本发明的某些特征，但是本领域技术人员将想到许多修改、替换、改变和等同物。因此，应当理解，所附权利要求旨在覆盖落入本发明真实精神内的所有这些修改和改变。
